JP2839418B2 - Temperature sensor - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、センサ、特に、温度セ
ンサに関する。The present invention relates to sensors, and more particularly to temperature sensors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】温度センサとして、電気絶縁材料からな
る基板と、基板に設けられた抵抗体パターンと、抵抗体
パターンの両端からそれぞれ延びる電極パターンとを備
えたものが知られている。この種の温度センサにより被
測定体の温度を測定する場合は、基板を被測定体に固定
し、電極パターン間に電気抵抗測定装置を接続する。抵
抗体パターンの電気抵抗は、被測定体の温度に応じて変
化するため、抵抗体パターンの電気抵抗を測定すると被
測定体の温度を知ることができる。2. Description of the Related Art As a temperature sensor, a sensor having a substrate made of an electrically insulating material, a resistor pattern provided on the substrate, and electrode patterns extending from both ends of the resistor pattern is known. When measuring the temperature of an object to be measured by this type of temperature sensor, a substrate is fixed to the object to be measured, and an electric resistance measuring device is connected between the electrode patterns. Since the electrical resistance of the resistor pattern changes according to the temperature of the device under test, the temperature of the device under test can be known by measuring the electrical resistance of the resistor pattern.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記従来の温度センサ
によれば、温度測定時に、電気抵抗測定装置が抵抗体パ
ターンだけではなく電極パターンの電気抵抗も測定する
ことになるので、測定精度が良好ではない。測定速度を
高めるために、４端子抵抗測定法を採用した場合であっ
ても、各電極パターンに２つずつプローブを接触させる
ことになるため、電極パターンとプローブとの接触抵抗
等が影響し、高精度な測定結果が得られにくい。According to the conventional temperature sensor, the electric resistance measuring device measures not only the resistance pattern but also the electric resistance of the electrode pattern at the time of temperature measurement. is not. Even if a four-terminal resistance measurement method is used to increase the measurement speed, two probes will be brought into contact with each electrode pattern, so the contact resistance between the electrode pattern and the probe will have an effect, It is difficult to obtain highly accurate measurement results.
【０００４】本発明の目的は、温度センサの測定精度を
高めることにある。An object of the present invention is to improve the measurement accuracy of a temperature sensor.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の温度センサは、
セラミックスからなる絶縁基板上に形成された、温度変
化に応じて抵抗値が変化し得る抵抗体と、前記絶縁基板
と実質的に同じ熱膨張率の接着剤により前記抵抗体の両
端に接続され、それぞれ二股に分岐せしめた１対のリー
ド電極とを備え、１対のリード電極でもって４端子抵抗
測定法により温度を検出するようにしたことを特徴とす
るものである。The temperature sensor according to the present invention comprises :
A resistor formed on an insulating substrate made of ceramics, the resistance of which can change in response to a temperature change;
An adhesive having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the resistor
It connected to an end, and a pair of lead electrodes respectively allowed forked, is characterized in that to detect the temperature by 4-terminal resistance measurement with a pair of lead electrodes.
【０００６】[0006]
【作用】本発明に係る温度センサは、温度変化により抵
抗体の抵抗値が変化し、これにより温度を検出できる。
ここで、抵抗体の抵抗値は、１対のリード電極をそれぞ
れ電圧端子と電流端子の二股に分岐せしめており、これ
ら１対のリード電極にそれぞれプローブを接続して４端
子抵抗測定法を用いるため、リード電極の抵抗による影
響を受けにくい。さらに、温度センサの絶縁基板と実質
的に同じ熱膨張率を有する接着剤を用いてリード電極と
抵抗体とを接続するため、リード電極と絶縁基板とが強
固に接合される。その結果温度を正確に検出することが
できる。In the temperature sensor according to the present invention, the resistance value of the resistor changes according to the temperature change, and thus the temperature can be detected.
Here, the resistance value of the resistor is such that a pair of lead electrodes is branched into two branches of a voltage terminal and a current terminal, and a probe is connected to each of the pair of lead electrodes and a four-terminal resistance measurement method is used. Therefore, it is hardly affected by the resistance of the lead electrode. Furthermore, it is substantially equivalent to the insulating substrate of the temperature sensor.
With the lead electrode using an adhesive having the same coefficient of thermal expansion
The lead electrode and insulating substrate are strong to connect to the resistor.
It is firmly joined. As a result, the temperature can be accurately detected.
【０００７】[0007]
【実施例】図１及び図２に、本発明の一実施例が採用さ
れたセラミックヒータを示す。図においてセラミックヒ
ータ１は、セラミック基板１ａと本発明の一実施例とし
ての温度センサ６とから主に構成されている。セラミッ
ク基板１ａは、アルミナセラミックス等からなる概ね正
方形の板状であり、その上面に金属発熱体層２が配置さ
れている。金属発熱体層２は、セラミック基板１の上面
に一連の屈曲パターン状に形成されており、その両端部
がセラミック基板１ａの隅角部近傍に延びかつ電極３，
４を形成している。なお、金属発熱体層２は、モリブデ
ンシリサイド（ＭｏＳｉＯ2 ）粉末と硼珪酸ガラス粉末
とを含む発熱体材料からなる。1 and 2 show a ceramic heater according to an embodiment of the present invention. In the figure, a ceramic heater 1 mainly includes a ceramic substrate 1a and a temperature sensor 6 as one embodiment of the present invention. The ceramic substrate 1a has a substantially square plate shape made of alumina ceramics or the like, and the metal heating element layer 2 is disposed on the upper surface thereof. The metal heating element layer 2 is formed on the upper surface of the ceramic substrate 1 in a series of bent patterns, both ends of which extend near the corner of the ceramic substrate 1a and the electrodes 3,
4 are formed. The metal heating element layer 2 is made of a heating element material containing molybdenum silicide (MoSiO 2 ) powder and borosilicate glass powder.
【０００８】温度センサ６は、抵抗体７と、抵抗体７か
ら延びる１対のリード電極８，９とから主に構成されて
いる。抵抗体７は、図３に示すようなチップ状の部材で
あり、セラミックスからなる基体１０の一主面に白金か
らなる薄膜抵抗体１１が配置されたものである。薄膜抵
抗体１１はスパッタリング法により均一に形成されてい
る。また、薄膜抵抗体１１上には、薄膜抵抗体１１の両
端部１１ａ，１１ａを除いて硼珪酸ガラスからなるカバ
ーガラス層１２が形成されている。なお、図３では、図
１及び図２に示された抵抗体７の上下を逆転している。The temperature sensor 6 is mainly composed of a resistor 7 and a pair of lead electrodes 8 and 9 extending from the resistor 7. The resistor 7 is a chip-shaped member as shown in FIG. 3, in which a thin film resistor 11 made of platinum is arranged on one main surface of a base 10 made of ceramics. The thin film resistor 11 is formed uniformly by a sputtering method. Further, a cover glass layer 12 made of borosilicate glass is formed on the thin film resistor 11 except for both end portions 11a, 11a of the thin film resistor 11. In FIG. 3, the resistor 7 shown in FIGS. 1 and 2 is turned upside down.
【０００９】リード電極８，９は、金属発熱体層２と接
触しないようにセラミック基板１ａ上に互いに平行に形
成されている。リード電極８，９の一端側の端部８ａ，
９ａは、セラミック基板１ａ上の中央部に延びている。
そして、このような端部８ａ，９ａは、抵抗体７に形成
された薄膜抵抗体１１の両端部１１ａ，１１ａにモリブ
デンシリサイドからなる接着剤１３により固定されてい
る。また、リード電極８，９の他端は、それぞれ二股に
分岐しており、その先端に端子電極１４ａ，１４ｂ、１
５ａ，１５ｂを形成している。このようなリード電極
８，９は、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ2 ）から
なる。The lead electrodes 8 and 9 are formed in parallel with each other on the ceramic substrate 1a so as not to contact the metal heating element layer 2. One end 8a of one end of the lead electrode 8, 9
9a extends to the center on the ceramic substrate 1a.
The ends 8a and 9a are fixed to both ends 11a and 11a of the thin film resistor 11 formed on the resistor 7 with an adhesive 13 made of molybdenum silicide. The other ends of the lead electrodes 8 and 9 are branched into two, respectively, and the terminal electrodes 14a, 14b, 1
5a and 15b are formed. Such lead electrodes 8 and 9 are made of molybdenum silicide (MoSiO 2 ).
【００１０】上述のセラミックヒータ１の図上面には、
金属発熱体層２の電極３，４、リード電極８，９の端子
電極１４ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂ及び抵抗体７の近
傍を除いて硼珪酸ガラスからなるコーティング層１６が
形成されている。次に、前記セラミックヒータ１の製造
方法について説明する。セラミック基板１ａが例えばア
ルミナセラミックスからなる場合には、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、
マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当なバインダー
及び溶剤を加えて混合することよりセラミックペースト
を用意する。このセラミックペーストをドクターブレー
ド法等の周知の方法によりグリーンシートに成形し、こ
れを約１６００℃の高温で焼成するとセラミック基板１
ａが得られる。On the upper surface of the above-described ceramic heater 1,
Except for the electrodes 3 and 4 of the metal heating element layer 2, the terminal electrodes 14a, 14b, 15a and 15b of the lead electrodes 8 and 9, and the vicinity of the resistor 7, a coating layer 16 made of borosilicate glass is formed. Next, a method for manufacturing the ceramic heater 1 will be described. When the ceramic substrate 1a is made of, for example, alumina ceramics, alumina (Al)
2 O 3 ), silica (SiO 2 ), calcia (CaO),
A ceramic paste is prepared by adding an appropriate binder and a solvent to raw material powder such as magnesia (MgO) and mixing. This ceramic paste is formed into a green sheet by a well-known method such as a doctor blade method and is fired at a high temperature of about 1600 ° C.
a is obtained.
【００１１】次に、セラミック基板１ａ上に、上述の発
熱体材料に適当なバインダー及び有機溶剤を添加混合し
て得た発熱体ペーストをスクリーン印刷法等の周知の厚
膜手法により、金属発熱体層２形状の屈曲パターン状に
印刷する。また、モリブデンシリサイドを含むペースト
をリード電極８，９の形状に同様の手法により印刷す
る。Next, a heating element paste obtained by adding and mixing an appropriate binder and an organic solvent to the above-described heating element material is formed on the ceramic substrate 1a by a known thick film technique such as a screen printing method. Printing is performed in a bent pattern shape having a layer 2 shape. Further, a paste containing molybdenum silicide is printed on the shapes of the lead electrodes 8 and 9 by the same method.
【００１２】次に、リード電極８，９用に印刷したペー
ストの端部８ａ，９ａに相当する部位間に抵抗体７を仮
固定する。具体的には、リード電極８，９を形成するた
めのペーストと実質的に同一組成の接着剤１３を用いて
端部８ａ，９ａとなる部位に抵抗体７に形成された薄膜
抵抗体１１の両端部１１ａ，１１ａを固定する。さら
に、硼珪酸ガラス粉末に適当なバインダー及び溶剤を添
加混合したコーティングペーストを、上述の所定部位を
除いてスクリーン印刷法等の厚膜手法によりセラミック
基板１ａ上に塗布する。Next, the resistor 7 is temporarily fixed between the portions corresponding to the end portions 8a and 9a of the paste printed for the lead electrodes 8 and 9. Specifically, the thin film resistor 11 formed on the resistor 7 at the portion to be the end portions 8a, 9a using an adhesive 13 having substantially the same composition as the paste for forming the lead electrodes 8, 9 Both ends 11a, 11a are fixed. Further, a coating paste obtained by adding a suitable binder and a solvent to borosilicate glass powder and mixing the coating paste is applied on the ceramic substrate 1a by a thick film method such as a screen printing method except for the above-mentioned predetermined portions.
【００１３】最後に、例えばＮ2ガス等の不活性雰囲気
中で約１０００℃の温度で焼成すると、温度センサ６を
備えたセラミックヒータ１が得られる。ここで、接着剤
１３は、リード電極８，９を形成するためのペーストと
実質的に同一の組成であり、しかも熱膨張率（６．５×
１０-6／℃）が、セラミック基板１ａ及び基体１０を構
成するアルミナセラミックスの熱膨張率（６．６×１０
-6／℃）と実質的に同じであることから、抵抗体７とセ
ラミック基板１ａ及び基体１０との間に熱膨張率の差に
よる応力は実質的に残留しにくい。したがって、抵抗体
７は、セラミック基板１ａ及び基体１０との接合強度が
高く、セラミック基板１ａから容易に外れにくい。Finally, firing at a temperature of about 1000 ° C. in an inert atmosphere such as N 2 gas yields a ceramic heater 1 having a temperature sensor 6. Here, the adhesive 13 has substantially the same composition as the paste for forming the lead electrodes 8 and 9, and has a coefficient of thermal expansion (6.5 ×
10 −6 / ° C.) is the coefficient of thermal expansion (6.6 × 10 6 ) of the alumina ceramics constituting the ceramic substrate 1 a and the base 10.
−6 / ° C.), the stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the resistor 7 and the ceramic substrate 1 a and the base 10 is substantially unlikely to remain. Therefore, the resistor 7 has a high bonding strength between the ceramic substrate 1a and the base 10, and is not easily detached from the ceramic substrate 1a.
【００１４】次に、前記セラミックヒータ１の使用方法
について説明する。まず、セラミック基板１ａを被加熱
物に固定する。そして、金属発熱体層２の両電極３，４
間に電圧印加装置を接続し、また、リード電極８，９間
に制御装置を接続する。制御装置は、抵抗体７の薄膜抵
抗体１１の抵抗変化からセラミックヒータ１の温度を検
出し、それに応じて電圧印加装置から金属発熱体層２へ
の出力電圧を調節してセラミックヒータ１の温度調節を
行うためのものである。Next, a method of using the ceramic heater 1 will be described. First, the ceramic substrate 1a is fixed to an object to be heated. Then, both electrodes 3 and 4 of the metal heating element layer 2
A voltage application device is connected between them, and a control device is connected between the lead electrodes 8 and 9. The controller detects the temperature of the ceramic heater 1 from the change in the resistance of the thin film resistor 11 of the resistor 7 and adjusts the output voltage from the voltage applying device to the metal heating element layer 2 accordingly to adjust the temperature of the ceramic heater 1. It is for making adjustments.
【００１５】このような制御装置をリード電極８，９間
に接続する場合は、薄膜抵抗体１１の抵抗値が４端子抵
抗測定法により測定され得るようにリード電極８，９と
制御装置とを接続する。具体的には、図４に示すよう
に、リード電極８の端子電極１４ａ及び端子電極１４ｂ
にそれぞれ制御装置３０からの電流印加用プローブ３１
ａ及び電圧測定用プローブ３２ａを接触させる。リード
電極９についても、端子電極１５ａ及び端子電極１５ｂ
のそれぞれに制御装置３０からの電流印加用プローブ３
１ｂ及び電圧測定用プローブ３２ｂを接触させる。これ
により、制御装置３０は、各プローブ３１ａ，３１ｂ、
３２ａ，３２ｂと端子電極１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１
５ｂとの接触抵抗やリード電極８，９の抵抗による影響
を受けることなく、薄膜抵抗体１１の抵抗値のみを正確
に測定できる。この結果、制御回路は、セラミックヒー
タ１の温度を正確に検出することができる。When such a control device is connected between the lead electrodes 8 and 9, the lead electrodes 8, 9 and the control device are connected so that the resistance value of the thin film resistor 11 can be measured by a four-terminal resistance measuring method. Connecting. Specifically, as shown in FIG. 4, the terminal electrode 14a and the terminal electrode 14b of the lead electrode 8 are formed.
The current application probe 31 from the control device 30
a and the voltage measurement probe 32a are brought into contact with each other. As for the lead electrodes 9, the terminal electrodes 15a and 15b
Each of the probes 3 for applying a current from the control device 30
1b and the voltage measurement probe 32b are brought into contact with each other. Thereby, the control device 30 controls each of the probes 31a, 31b,
32a, 32b and terminal electrodes 14a, 14b, 15a, 1
It is possible to accurately measure only the resistance value of the thin film resistor 11 without being affected by the contact resistance with 5b or the resistance of the lead electrodes 8 and 9. As a result, the control circuit can accurately detect the temperature of the ceramic heater 1.
【００１６】セラミックヒータ１の使用時には、電圧印
加装置から金属発熱体層２に電圧を印加する。金属発熱
体層２の発熱温度は、抵抗体７の薄膜抵抗体１１の抵抗
変化により検出され、リード電極８，９を通じて制御回
路に伝達される。制御回路は、薄膜抵抗体１１の抵抗値
から検出された温度を基準にして、金属発熱体層２へ印
加する電圧を制御する。これにより、セラミックヒータ
１の温度が所望温度に維持される。When the ceramic heater 1 is used, a voltage is applied to the metal heating element layer 2 from a voltage applying device. The heating temperature of the metal heating element layer 2 is detected by a change in the resistance of the thin film resistor 11 of the resistor 7 and transmitted to the control circuit through the lead electrodes 8 and 9. The control circuit controls the voltage applied to the metal heating element layer 2 based on the temperature detected from the resistance value of the thin film resistor 11. Thereby, the temperature of the ceramic heater 1 is maintained at a desired temperature.
【００１７】［他の実施例］ （ａ） 図５に、本発明の他の実施例に係る温度センサ
２０を示す。図において、温度センサ２０は直方体状の
セラミック基板２１と、セラミック基板２１の図５中に
おける上面に形成された抵抗体パターン２２と、この抵
抗体パターン２２の両端から延びるリード電極２３，２
４とから主に構成されている。抵抗体パターン２２は、
例えば白金からなる薄膜であり、スパッタリング法によ
り形成されている。この抵抗体パターン２２は、温度変
化に応じて抵抗値が変化する。リード電極２３，２４
は、一端が抵抗体パターン２２の端部にそれぞれ接続さ
れており、他端が二股に分岐している。[Other Embodiments] (a) FIG. 5 shows a temperature sensor 20 according to another embodiment of the present invention. In the figure, a temperature sensor 20 is a rectangular ceramic substrate 21, in FIG. 5 of the ceramic substrate 21
Lead electrodes 23,2 which the resistor pattern 22 formed on the upper surface definitive, extending from both ends of the resistor pattern 22
4 mainly. The resistor pattern 22
For example, it is a thin film made of platinum and formed by a sputtering method. The resistance value of the resistor pattern 22 changes according to the temperature change. Lead electrodes 23, 24
Has one end connected to the end of the resistor pattern 22 and the other end bifurcated.
【００１８】前記の実施例と同様、セラミック基板２１
と実質的に同じ熱膨張率の接着剤を用いてリード電極２
３，２４と抵抗体パターン２２とを接合するので、基体
２１とリード電極２３，２４との間に残留する応力が少
なく接合が強固になり、電気的な接続が安定して正確な
温度測定が可能となる。この温度センサ２０は、被測定
体に固定され、当該被測定体の温度を正確に測定するこ
とができる。 （ｂ） 前記実施例では、抵抗体とそれから延びる電極
とをセラミック基板上に形成したが、本発明はこれに限
定されない。例えば、図３に示す抵抗体７の薄膜抵抗体
１１の両端部１１ａ，１１ａに先端部が二股に分岐した
板状のリード電極を固定した場合も本発明を同様に実施
できる。As in the previous embodiment, the ceramic substrate 21
Lead electrode 2 using an adhesive having substantially the same coefficient of thermal expansion as
3 and 24 and the resistor pattern 22 are joined together,
And the residual stress between the lead electrodes 23 and 24 is small.
Connection is strong and the electrical connection is stable and accurate
Temperature measurement becomes possible. The temperature sensor 20 is fixed to the measured object, and can accurately measure the temperature of the measured object. (B) In the above embodiment, the resistor and the electrode extending therefrom were formed on the ceramic substrate, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be similarly applied to a case where a plate-like lead electrode whose tip end is forked is fixed to both ends 11a of the thin film resistor 11 of the resistor 7 shown in FIG.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明に係る温度センサは、抵抗体の両
端に１対のリード電極を備え、この１対のリード電極を
それぞれ二股に分岐せしめている。これら１対のリード
電極でもって４端子抵抗測定法により抵抗体の抵抗を測
定して抵抗体の温度を検出するようにしている上、セン
サの基板とリード電極との間に熱による応力が残留しに
くく両者が強固に接合されているので温度測定精度が高
い。The temperature sensor according to the present invention has a pair of lead electrodes at both ends of the resistor, and each of the pair of lead electrodes is bifurcated . On the with these pair of lead electrodes 4-terminal resistance measurement method is to detect the temperature of measuring the resistance of the resistor resistor, Sen
Thermal stress remains between the substrate and the lead electrode
The temperature measurement accuracy is high because both are firmly joined .
【図１】本発明の一実施例が採用されたセラミックヒー
タの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a ceramic heater according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のII−II縦断面図。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line II-II of FIG.
【図３】前記実施例に用いられた抵抗体の斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a resistor used in the embodiment.
【図４】温度センサと制御装置との接続状態を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a connection state between a temperature sensor and a control device.
【図５】他の実施例の斜視図。FIG. 5 is a perspective view of another embodiment.
６，２０ 温度センサ ７ 抵抗体 ８，９，２３，２４ リード電極 ２２ 抵抗体パターン 6,20 Temperature sensor 7 Resistor 8,9,23,24 Lead electrode 22 Resistor pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−123401（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16746（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−8703（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−38827（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−43427（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01K 7/16 - 7/22 H05B 3/14──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-123401 (JP, A) JP-A-3-16746 (JP, A) JP-A-2-8703 (JP, A) JP-A-2- 38827 (JP, A) JP-A-55-43427 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G01K 7/16-7/22 H05B 3/14
Claims (1)
れた、温度変化に応じて抵抗値が変化し得る抵抗体と、
前記絶縁基板と実質的に同じ熱膨張率の接着剤により前
記抵抗体の両端に接続され、それぞれ二股に分岐せしめ
た１対のリード電極とを備え、 該 １対のリード電極でもって４端子抵抗測定法により温
度を検出するようにしたことを特徴とする温度センサ。1. The method according to claim 1, wherein said insulating substrate is formed on a ceramic insulating substrate.
A resistor whose resistance value can change in response to a temperature change ,
With an adhesive having substantially the same coefficient of thermal expansion as the insulating substrate.
It is connected to both ends of the resistor and branches into two
And a pair of lead electrodes , wherein the pair of lead electrodes detects temperature by a four-terminal resistance measurement method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291301A JP2839418B2 (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291301A JP2839418B2 (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Temperature sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06137960A JPH06137960A (en) | 1994-05-20 |
| JP2839418B2 true JP2839418B2 (en) | 1998-12-16 |
Family
ID=17767126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2839418B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19750123C2 (en) * | 1997-11-13 | 2000-09-07 | Heraeus Electro Nite Int | Method for producing a sensor arrangement for temperature measurement |
| JP2005222746A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Doshisha | Thin-film heating element and its manufacturing method |
| US20090085031A1 (en) * | 2006-03-16 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | Wafer-Shaped Measuring Apparatus and Method for Manufacturing the Same |
| US9636830B2 (en) * | 2014-01-14 | 2017-05-02 | The Gillette Company Llc | Heated shaving razors |
| US10652956B2 (en) | 2016-06-22 | 2020-05-12 | The Gillette Company Llc | Personal consumer product with thermal control circuitry and methods thereof |
| EP3351358B1 (en) | 2017-01-20 | 2019-11-20 | The Gillette Company LLC | Heating delivery element for a shaving razor |
| CN107063493B (en) * | 2017-05-27 | 2023-07-18 | 成都凯天电子股份有限公司 | Dual-purpose temperature-measuring and heating sensor |
| CN111867795B (en) | 2018-03-30 | 2022-03-18 | 吉列有限责任公司 | Razor handle |
| US11577417B2 (en) | 2018-03-30 | 2023-02-14 | The Gillette Company Llc | Razor handle with a pivoting portion |
| CA3092881A1 (en) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | The Gillette Company Llc | Razor handle with movable members |
| US11607820B2 (en) | 2018-03-30 | 2023-03-21 | The Gillette Company Llc | Razor handle with movable members |
| US11123888B2 (en) | 2018-03-30 | 2021-09-21 | The Gillette Company Llc | Razor handle with a pivoting portion |
| EP3774230A1 (en) | 2018-03-30 | 2021-02-17 | The Gillette Company LLC | Razor handle with a pivoting portion |
| JP2021516136A (en) | 2018-03-30 | 2021-07-01 | ザ ジレット カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニーＴｈｅ Ｇｉｌｌｅｔｔｅ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｌｃ | Razor handle with movable members |
| JP7090727B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-06-24 | ザ ジレット カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | Razor handle with pivot part |
| USD874061S1 (en) | 2018-03-30 | 2020-01-28 | The Gillette Company Llc | Shaving razor cartridge |
| CN110143564A (en) * | 2019-04-02 | 2019-08-20 | 上海交通大学 | The connection structure and preparation method of temperature sensor, electrode and temperature-sensitive membrane |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543427A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-27 | Chino Works Ltd | Resistance thermometer |
| JPH01208805A (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film temperature sensor |
| JPH0287030A (en) * | 1988-09-24 | 1990-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | Platinum temperature sensor |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4291301A patent/JP2839418B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06137960A (en) | 1994-05-20 |
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