JP2824258B2 - パターン形成時のオートアライメント方法 - Google Patents
パターン形成時のオートアライメント方法Info
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- JP2824258B2 JP2824258B2 JP12158788A JP12158788A JP2824258B2 JP 2824258 B2 JP2824258 B2 JP 2824258B2 JP 12158788 A JP12158788 A JP 12158788A JP 12158788 A JP12158788 A JP 12158788A JP 2824258 B2 JP2824258 B2 JP 2824258B2
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- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- alignment
- alignment mark
- photoresist
- plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光露光装置を用いて微細パターンを形成す
る際の露光用フォトマスクと被露光対象プレートとをオ
ートアライメントする方法に関する。
る際の露光用フォトマスクと被露光対象プレートとをオ
ートアライメントする方法に関する。
［従来の技術］ 従来、光露光装置において、露光用フォトマスク上の
アライメントマークと被露光対象プレート上のアライメ
ントマークとをレーザ光（例えばHe−Neレーザー）で走
査し、それぞれのアライメントマーク部のパターンエッ
ジ部からの回折光（散乱光）を光電変換し、その電気信
号からフォトマスクとプレートの相対的ずれ量を算出
し、パルスモータの駆動やエアベアリングの空気圧調整
等により、フォトマスク上のアライメントマークに対し
て、プレート上のアライメントマークを合致させる方法
が知られている。
アライメントマークと被露光対象プレート上のアライメ
ントマークとをレーザ光（例えばHe−Neレーザー）で走
査し、それぞれのアライメントマーク部のパターンエッ
ジ部からの回折光（散乱光）を光電変換し、その電気信
号からフォトマスクとプレートの相対的ずれ量を算出
し、パルスモータの駆動やエアベアリングの空気圧調整
等により、フォトマスク上のアライメントマークに対し
て、プレート上のアライメントマークを合致させる方法
が知られている。
上記オートアライメント方法で、レーザー光の透過性
が異なるフォトレジストを用いて実際にパターンを形成
する場合、主に以下に示す２通りのオートアライメント
検出方式がある。
が異なるフォトレジストを用いて実際にパターンを形成
する場合、主に以下に示す２通りのオートアライメント
検出方式がある。
第４図（ａ）は、アライメントマーク２がパターニン
グされたプレート１上に、レーザ光の透過性が良いフォ
トレジスト３をコーティングした場合であり、レーザー
光４はフォトレジスト中を透過し、プレート１上のアラ
イメントマーク２のパターンエッジ部に達し、そのエッ
ジ部からの回折光により検出する方式である。
グされたプレート１上に、レーザ光の透過性が良いフォ
トレジスト３をコーティングした場合であり、レーザー
光４はフォトレジスト中を透過し、プレート１上のアラ
イメントマーク２のパターンエッジ部に達し、そのエッ
ジ部からの回折光により検出する方式である。
また、第４図（ｂ）は、アライメントマーク２がパタ
ーニングされたプレート１上に、レーザー光の透過性が
悪いフォトレジスト５をコーティングした場合であり、
レーザー光４はフォトレジスト５の表面段差のエッジ部
で回折し、その回折光により検出する方式である。
ーニングされたプレート１上に、レーザー光の透過性が
悪いフォトレジスト５をコーティングした場合であり、
レーザー光４はフォトレジスト５の表面段差のエッジ部
で回折し、その回折光により検出する方式である。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、例えば、カラーフィルタの製造方法では、
アライメントマークを含むパターンとしてCr薄膜パター
ンを形成した後、着色フォトレジストで着色パターンを
形成することが通常行われているが、該着色フォトレジ
ストには、レーザー光に対して透過性の優れたものと透
過性の悪いものがある。
アライメントマークを含むパターンとしてCr薄膜パター
ンを形成した後、着色フォトレジストで着色パターンを
形成することが通常行われているが、該着色フォトレジ
ストには、レーザー光に対して透過性の優れたものと透
過性の悪いものがある。
しかしながら、上記従来のオートアライメント検出方
式においては、第３図（ａ）に示すように第１番目に形
成したアライメントマーク２におけるパターンの膜厚
が、２番目に形成したフォトレジスト５の膜厚と比較し
て著しく薄くさらにレーザー光に対してフォトレジスト
５の透過性が非常に悪い場合には、プレート１上に表面
段差がないため、回折光が出ずオートアライメントが不
可能になり、この場合には手動アライメントを行わなけ
ればならなかった。
式においては、第３図（ａ）に示すように第１番目に形
成したアライメントマーク２におけるパターンの膜厚
が、２番目に形成したフォトレジスト５の膜厚と比較し
て著しく薄くさらにレーザー光に対してフォトレジスト
５の透過性が非常に悪い場合には、プレート１上に表面
段差がないため、回折光が出ずオートアライメントが不
可能になり、この場合には手動アライメントを行わなけ
ればならなかった。
また、第３図（ｂ）に示すように、プレート１上に若
干の表面段差を生じたとしても、回折光の強度が弱く、
S/N比が非常に悪い信号となり、安定してオートアライ
メントがかからないという問題も生じている。
干の表面段差を生じたとしても、回折光の強度が弱く、
S/N比が非常に悪い信号となり、安定してオートアライ
メントがかからないという問題も生じている。
本発明は、上記問題を解決するものであって、第１番
目に形成したアライメントマークにおけるパターンの膜
厚が、２番目に形成するフォトレジストの膜厚と比較し
て著しく薄い場合には、２番層目にはレーザー光の透過
性に優れたフォトレジストを選択することにより、オー
トアライメントを可能にし、アライメント時間の短縮お
よびアライメント精度の向上を達成することができるパ
ターン形成時のオートアライメント方法を提供すること
を目的とする。
目に形成したアライメントマークにおけるパターンの膜
厚が、２番目に形成するフォトレジストの膜厚と比較し
て著しく薄い場合には、２番層目にはレーザー光の透過
性に優れたフォトレジストを選択することにより、オー
トアライメントを可能にし、アライメント時間の短縮お
よびアライメント精度の向上を達成することができるパ
ターン形成時のオートアライメント方法を提供すること
を目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために本発明においては、光露光
装置を用いて露光用フォトマスクを介して被露光対象プ
レート上に１番目に形成するアライメントマークパター
ンを含むパターンの膜厚が２番目に形成するパターンの
膜厚より薄く少なくとも３つ以上のパターンを形成する
場合であって、２番目のパターンと３番目のパターンの
材料としてレーザー光に対して透過性が異なる着色フォ
トレジストを用いる際に、レーザー走査により前記アラ
イメントマークパターンのエッジ部からの回折光を検知
することにより前記フォトマスクおよびプレートのオー
トアライメントを行う方法において、１番目に形成する
アライメントマークパターン上にコーティングされる２
番目のパターンとなる着色フォトレジストとしてレーザ
ー光に対して透過性に優れたものを選択することを特徴
とする。
装置を用いて露光用フォトマスクを介して被露光対象プ
レート上に１番目に形成するアライメントマークパター
ンを含むパターンの膜厚が２番目に形成するパターンの
膜厚より薄く少なくとも３つ以上のパターンを形成する
場合であって、２番目のパターンと３番目のパターンの
材料としてレーザー光に対して透過性が異なる着色フォ
トレジストを用いる際に、レーザー走査により前記アラ
イメントマークパターンのエッジ部からの回折光を検知
することにより前記フォトマスクおよびプレートのオー
トアライメントを行う方法において、１番目に形成する
アライメントマークパターン上にコーティングされる２
番目のパターンとなる着色フォトレジストとしてレーザ
ー光に対して透過性に優れたものを選択することを特徴
とする。
［作用］ このとき、第１図に示すように、レーザー光４が着色
フォトレジスト３中を透過し、プレート１上に形成され
たアライメントマーク２におけるパターンのエッジ部へ
達し回折光が生じるため、フォトマスクとプレート１と
のオートアライメントが可能となる。
フォトレジスト３中を透過し、プレート１上に形成され
たアライメントマーク２におけるパターンのエッジ部へ
達し回折光が生じるため、フォトマスクとプレート１と
のオートアライメントが可能となる。
第２図（ａ）、（ｂ）は、１番目、２番目でアライメ
ントマークを含むパターンを形成し、３番目で着色フォ
トレジストをコーティングしたときのオートアライメン
ト方法を説明するための断面図である。３番目以降につ
いては、２番目で形成したアライメントマーク６を用い
て、フォトマスクとプレート１とのオートアライメント
を行う。この３番目の着色フォトレジスト５が２番目の
パターン６上にコーティングされた場合、２番目のパタ
ーン６の膜厚が薄くないために表面段差を生じる。従っ
て、３番目以降のフォトレジスト５は、２番目で形成し
たアライメントマーク６の膜厚が薄くないため、レーザ
ー光の透過性にかかわらずフォトマスクとプレート１と
のオートアライメントが可能となる。
ントマークを含むパターンを形成し、３番目で着色フォ
トレジストをコーティングしたときのオートアライメン
ト方法を説明するための断面図である。３番目以降につ
いては、２番目で形成したアライメントマーク６を用い
て、フォトマスクとプレート１とのオートアライメント
を行う。この３番目の着色フォトレジスト５が２番目の
パターン６上にコーティングされた場合、２番目のパタ
ーン６の膜厚が薄くないために表面段差を生じる。従っ
て、３番目以降のフォトレジスト５は、２番目で形成し
たアライメントマーク６の膜厚が薄くないため、レーザ
ー光の透過性にかかわらずフォトマスクとプレート１と
のオートアライメントが可能となる。
第２図（ａ）は、３番目の着色フォトレジスト３がレ
ーザー光の透過性に優れている場合であり、このとき２
番目のアライメントマーク６のパターンエッジ部からの
回折光４によりオートアライメントを行う。また、第２
図（ｂ）は、３番目の着色フォトレジスト５の透過性が
悪い場合であり、このとき、３番目の着色フォトレジス
ト５の表面段差のエッジ部で回折し、その回折光４によ
りオートアライメントを行う。
ーザー光の透過性に優れている場合であり、このとき２
番目のアライメントマーク６のパターンエッジ部からの
回折光４によりオートアライメントを行う。また、第２
図（ｂ）は、３番目の着色フォトレジスト５の透過性が
悪い場合であり、このとき、３番目の着色フォトレジス
ト５の表面段差のエッジ部で回折し、その回折光４によ
りオートアライメントを行う。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。
カラーフィルタの製造方法の１例として、ガラスプレ
ートにCr薄膜パターンを形成し、その後、着色フォトレ
ジストで着色パターンを形成する方法が知られている。
ートにCr薄膜パターンを形成し、その後、着色フォトレ
ジストで着色パターンを形成する方法が知られている。
上記着色パターン形成時、フォトマスクとプレートと
のオートアライメントを例えばHe−Neレーザー走査によ
って、それぞれのアライメントマークのパターンエッジ
部からの回折光により検知する場合、第１色目パターン
形成時には、He−Neレーザー光（波長632.8nm）の透過
性の良い着色フォトレジストを選択する。第３図
（ａ）、（ｂ）にて述べたように、He−Neレーザ光の透
過性が悪い着色フォトレジストを選択した場合には、レ
ーザー光がCr薄膜で形成したアライメントマークのパタ
ーンエッジ部まで到達しない。また、Cr薄膜の膜厚がフ
ォトレジストの膜厚と比較して数倍〜数10倍薄いために
フォトレジスト表面に段差が生じないか、或いは生じた
としても非常に小さい場合には、レーザー光の回折光は
出ないか或いは出たとしても非常に弱く、オートアライ
メントができない。しかしながら、He−Neレーザー光の
透過性の良い着色フォトレジストを選択した場合には、
第１図にて述べたように、レーザー光はCr薄膜で形成し
たアライメントマークのパターンエッジ部に到達し、そ
こから回折光がでてオートアライメントが可能になる。
のオートアライメントを例えばHe−Neレーザー走査によ
って、それぞれのアライメントマークのパターンエッジ
部からの回折光により検知する場合、第１色目パターン
形成時には、He−Neレーザー光（波長632.8nm）の透過
性の良い着色フォトレジストを選択する。第３図
（ａ）、（ｂ）にて述べたように、He−Neレーザ光の透
過性が悪い着色フォトレジストを選択した場合には、レ
ーザー光がCr薄膜で形成したアライメントマークのパタ
ーンエッジ部まで到達しない。また、Cr薄膜の膜厚がフ
ォトレジストの膜厚と比較して数倍〜数10倍薄いために
フォトレジスト表面に段差が生じないか、或いは生じた
としても非常に小さい場合には、レーザー光の回折光は
出ないか或いは出たとしても非常に弱く、オートアライ
メントができない。しかしながら、He−Neレーザー光の
透過性の良い着色フォトレジストを選択した場合には、
第１図にて述べたように、レーザー光はCr薄膜で形成し
たアライメントマークのパターンエッジ部に到達し、そ
こから回折光がでてオートアライメントが可能になる。
さらに、第２色目にはHe−Neレーザー光の透過性にか
かわらず着色フォトレジストを選択することが可能とな
る。この場合、第１色目で形成したアライメントマーク
を用いフォトマスクとプレートとのオートアライメント
を行う。この第２色目のフォトレジストが第１色目のパ
ターン上にコーティングされた場合、第１色目のパター
ンの膜厚が高いために表面段差を生じる。従って、レー
ザー光の透過性が良い着色フォトレジストの場合には、
第２図（ａ）に示すように第１色目で形成したアライメ
ントマークのエッジ部からの回折光を検知し、レーザー
光の透過性が悪いフォトレジストの場合には、第２図
（ｂ）に示すように表面段差からの回折光を検知するこ
とによりオートアライメントが可能となる。
かわらず着色フォトレジストを選択することが可能とな
る。この場合、第１色目で形成したアライメントマーク
を用いフォトマスクとプレートとのオートアライメント
を行う。この第２色目のフォトレジストが第１色目のパ
ターン上にコーティングされた場合、第１色目のパター
ンの膜厚が高いために表面段差を生じる。従って、レー
ザー光の透過性が良い着色フォトレジストの場合には、
第２図（ａ）に示すように第１色目で形成したアライメ
ントマークのエッジ部からの回折光を検知し、レーザー
光の透過性が悪いフォトレジストの場合には、第２図
（ｂ）に示すように表面段差からの回折光を検知するこ
とによりオートアライメントが可能となる。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、非常に薄いパターン上
へレーザー光に対して透過性の優れた着色フォトレジス
トや透過性の悪い着色フォトレジストを用いて少なくと
も３つ以上のパターンを形成する際に、２番目に形成す
る着色フォトレジストをレーザー光に対して透過性に優
れたものを選択することにより、フォトマスクとプレー
トのアライメントを２番目で形成したアライメントマー
クによりオートアライメントができるようになり、アラ
イメント時間の短縮およびアライメント精度の向上を達
成することができる。
へレーザー光に対して透過性の優れた着色フォトレジス
トや透過性の悪い着色フォトレジストを用いて少なくと
も３つ以上のパターンを形成する際に、２番目に形成す
る着色フォトレジストをレーザー光に対して透過性に優
れたものを選択することにより、フォトマスクとプレー
トのアライメントを２番目で形成したアライメントマー
クによりオートアライメントができるようになり、アラ
イメント時間の短縮およびアライメント精度の向上を達
成することができる。
第１図は本発明におけるパターン形成時のオートアライ
メント方法を説明するための断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は１番目、２番目でアライメントマークを含むパ
ターンを形成し、３番目で着色フォトレジストをコーテ
ィングしたときのオートアライメント方法を説明するた
めの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の問題点を説
明するための断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来のオ
ートアライメント方法を説明するための断面図である。 １…プレート、２、６…アライメントマーク、３、５…
着色フォトレジスト、４…レーザー光。
メント方法を説明するための断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は１番目、２番目でアライメントマークを含むパ
ターンを形成し、３番目で着色フォトレジストをコーテ
ィングしたときのオートアライメント方法を説明するた
めの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の問題点を説
明するための断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来のオ
ートアライメント方法を説明するための断面図である。 １…プレート、２、６…アライメントマーク、３、５…
着色フォトレジスト、４…レーザー光。
Claims (1)
- 【請求項１】光露光装置を用いて露光用フォトマスクを
介して被露光対象プレート上に１番目に形成するアライ
メントマークパターンを含むパターンの膜厚が２番目に
形成するパターンの膜厚より薄い少なくとも３つ以上の
パターンを形成する場合であって、２番目のパターンと
３番目のパターンの材料としてレーザー光に対して透過
性が異なる着色フォトレジストを用いる際に、レーザー
走査により前記アライメントマークパターンのエッジ部
からの回折光を検知することにより前記フォトマスクお
よびプレートのオートアライメントを行う方法におい
て、１番目に形成するアライメントマークパターン上に
コーティングされる２番目のパターンとなる着色フォト
レジストとしてレーザー光に対して透過性に優れたもの
を選択することを特徴とするパターン形成時のオートア
ライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12158788A JP2824258B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | パターン形成時のオートアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12158788A JP2824258B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | パターン形成時のオートアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289955A JPH01289955A (ja) | 1989-11-21 |
| JP2824258B2 true JP2824258B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=14814936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12158788A Expired - Lifetime JP2824258B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | パターン形成時のオートアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2824258B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799732B2 (ja) * | 1986-12-10 | 1995-10-25 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法 |
| JP2514037B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1996-07-10 | キヤノン株式会社 | 検知光学系 |
| JPH01209721A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Toshiba Corp | 投影露光装置 |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP12158788A patent/JP2824258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01289955A (ja) | 1989-11-21 |
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