JP2822681B2 - 磁気バブル検出方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気バブル検出方法に
関し、更に詳しくは磁気バブル検出信号とノイズを分離
し、安定な幅の広い磁気バブル検出信号を得る磁気バブ
ル検出方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気バブルを用いた回転数検出器の原理
は広く知られているが、ここで概略を説明する。図３１
は磁気バブルを用いた回転数検出器の動作原理図、図３
２は図３１の磁気バブル素子上に形成された転送素子ル
ープのパターン図、図３３は図３２の転送素子ループの
ストレッチャー部の拡大図である。

【０００３】図３１において、磁気バブル素子１は磁気
バブルを発生する材料で構成される。説明を加えると、
磁気バブルは、適当な強さの垂直磁界を加えることによ
り、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）上
に数μｍエピタキシャル成長させた垂直磁化膜の中に筒
状の形で発生する。この磁気バブル素子１には、磁気バ
ブル検出素子１２，１３及びアルミ配線パターン１４，
１５，１６が形成されている（図３３参照）。磁気バブ
ル検出素子１２，１３は、磁気抵抗素子（例えばパーマ
ロイ）で構成される。更に磁気バブル素子１には、薄膜
のパーマロイで構成された転送素子１１がループ状に形
成され、これに沿って磁気バブルが転送される（図３
２，図３３参照）。図３２では１つの転送素子ループを
示したが、実際の磁気バブル素子１上には複数の転送素
子ループが設けられる。各転送素子ループにはメモリホ
イールのビットパターンで磁気バブルが書き込まれてい
る。なお、磁気バブル素子１が配置されている平面を便
宜上ｘ−ｙ平面と呼ぶ。

【０００４】２枚一組のバイアス磁石２，２′（図３１
参照）は、磁気バブル素子１に対し垂直な一定のバイア
ス磁界を与え、バブル状の磁区を保持する作用を有する
ものである。読出コイル３，４は、磁気バブル素子１の
周囲に図３１の如く配置される。そしてこの読出コイル
３，４はリング磁石５が固定された回転軸の累積回転数
を読み出す時に使われるもので、交番電流を流すことに
より回転磁界を発生させ、磁気バブル１７，１８，１９
を転送する。

【０００５】リング磁石５は、回転シャフト（図示せ
ず）に取り付けられた永久磁石である。このリング磁石
５は磁気バブル素子１に対して平行な面内磁界を与える
もので、この面内磁界は回転シャフトが回転することに
より回転する。磁気バブルは、１転送素子／１回転磁界
で転送素子ループを巡回する。図３１は８極に着磁され
たリング磁石の例であり、この場合、回転シャフトが１
回転すると、磁気バブルは転送素子１１の４個分を移動
する。

【０００６】図３２に示す各転送素子ループには、『メ
モリホイールの原理』に基づいた特殊配列パターンの磁
気バブルが書き込まれている。この特殊配列パターンと
は、全ビットパターンの中のある位置から切り出した連
続するビットパターンが他の位置から切り出した同ビッ
ト数のパターンとも同じにならないという特徴を持った
パターンである。従って、ある決まった位置から連続す
る数ビットのパターンを読み出すことでそのループの回
転シフト量を知ることができる。

【０００７】磁気バブルは、前記ある位置に配置された
磁気バブル検出器１０で検出される。磁気バブル検出器
１０は、図３３に示す磁気バブル検出素子１２，１３で
構成される。この磁気バブル検出素子１２，１３には、
アルミ配線パターン１４，１５，１６を介して定電流が
予め流されている（アルミ配線パターン１６はアース電
位）。そして磁気バブル検出素子１２，１３の部分に磁
気バブル１７，１８，１９が移動してくると、この抵抗
値が変化するため、アルミ配線パターン１４，１５の電
位が変化する。この２つの配線パターン１４，１５の電
位信号を図示しない差動増幅器で差動演算することによ
り磁気バブルの検出信号を得ている。

【０００８】以上のような磁気バブル素子１において、
転送素子ループ上には、『メモリホイールの原理』によ
り定まる、例えば１ループ８ビットのビットパターン
（０１１１０１００）が磁気バブルの有無により形成さ
れている。図３２に示す実施例ではもっと多数のビット
（例えば４９ビット前後）であるが、ここでは分り易く
するために８ビットで説明する。この８ビットのビット
パターンは、リング磁石５が回転すると、その回転に応
じて転送素子ループ上を巡回する。この巡回動作は、図
３１の装置が停電状態であっても正常に行われる。

【０００９】例えば、図３１に示す回転数検出器の電源
がストップして電子回路的にその動作を停止している時
にリング磁石５が１０回転すると、この１０回転に応じ
た位置に前記８ビットパターンの磁気バブルは移動して
いる。電源が復帰すると、リング磁石が何回転したかを
測定するために読出コイル３，４を動作させて回転磁界
を発生させ、磁気バブルを例えば３個の転送素子分だけ
順にその位置を移動させる。従って、磁気バブル検出器
１０からは、３個の時系列のビットパターンが読み出さ
れ、このパターンから『メモリホイールの原理』により
リング磁石５の累積回転数を知ることができる。検出
後、読出コイル３，４は、上述と逆方向の回転磁界を磁
気バブル素子１に加えて磁気バブルを３個の転送素子分
だけ移動させ、元の位置に戻す。

【００１０】このように回転軸の累積回転数を読み取る
ために一旦転送した磁気バブルを裳とあった位置に戻さ
ないと、回転軸の累積回転数に、これが積算されて、正
確な累積回転数の測定ができなくなるからである。

【００１１】ここで、読出コイル３，４を動作させた場
合、読出コイル３，４により発生した磁界ＨM とリング
磁石５による磁界ＨR とが重畳して磁気バブル素子１の
磁気バブル検出素子１２，１３に加えられる。そして、
リング磁石５の磁界ＨR のベクトル方向と読出コイル
３，４の磁界ＨM のベクトル方向とが同じ方向へ向いた
領域では、パーマロイで構成された磁気バブル検出素子
１２，１３が磁気飽和して磁気バブル１７，１８，１９
が検出できなくなるという問題が発生する。

【００１２】これらを図３４と図Ｅを参照して説明す
る。磁気バブル１７，１８，１９を転送するためには、
面内磁界として例えば４０ガウス以上を加える必要があ
る。リング磁石５が発生する磁界ＨR を４０ガウスとす
ると、シャフトに取り付けたリング磁石５が回転するこ
とにより図３４の小円のベクトル軌跡が得られる。ベク
トルＯＡの角度でこのリング磁石５が停止し、読出コイ
ル３，４によりリング磁石５の累積回転数を測定する場
合、この読出コイル３，４による回転磁界（例えばＨM
＝９０ガウス）のベクトル軌跡は点Ａを中心とする大円
となる（図３４参照）。すなわち、原点０から見ると、
ベクトル和ＯＢは、５０〜１３０ガウスの間で変化す
る。

【００１３】一方、磁気バブル検出素子１２，１３の磁
界−抵抗値変化の特性は図３５のようになり、抵抗値の
変化は６０ガウス程度で飽和している。図３４でベクト
ル和がＯＣに向いた時に磁気バブルを検出するように配
置すると、磁気バブル検出素子１２，１３の飽和により
（図３４より６０ガウス以上）、磁気バブル１７，１
８，１９の磁束を検出できなくなる。

【００１４】このような点に鑑み、本出願人は、実願昭
62-126991 号を出願してこの問題点を解決した。この先
願は、２個のホール素子を用いてリング磁石による磁界
ＨRのｘ，ｙ成分を測定し、この磁界ＨR を打ち消す直
流電流Ｈx オフセット，Ｈyオフセットを読出コイル
３，４に重畳するようにしたものである。図３６はこの
先願のリング磁石５とホール素子２０，２１と磁気バブ
ル素子１との位置関係を示す斜視図である。ここで、磁
気バブル素子１のＸ軸の磁界（リング磁石５が発生する
磁界）成分を測定するＸ軸ホール素子２０は座標軸Ｘ方
向と一致するように配置し、Ｙ軸ホール素子２１は座標
軸Ｙ方向と一致するように配置する。また、図３７は直
流電流Ｈx オフセット，Ｈy オフセットを発生するため
の回路構成を示す構成図である。このような構成によ
り、磁気バブル素子上でのリング磁石からの磁界を、直
流電流Ｈx オフセット，Ｈy オフセットによりキャンセ
ルするようにしている。

【００１５】そして、磁気バブルは磁気バブル検出素子
１２，１３により検出されて、図３８のような検出信号
が得られる。この場合、磁気バブルの読み出しが容易に
行えるためには、検出信号のＳ／Ｎが良く、検出信号幅
が広いことが必要である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図３８に示す
ように検出信号にはノイズが重畳している。このノイズ
は、磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノ
イズ（バルクハウゼンノイズと呼ばれる）であり、消す
ことはできない。このバルクハウゼンノイズは、図３９
に示すように、本来感度がないはずのＨy 方向に振動す
る磁界を加えたときに、一定のＨy の値で発生する。す
なわち、検出信号（図３８）の立ち下がりを早め、Ｓ／
Ｎを悪化させているのは、このバルクハウゼンノイズで
ある。

【００１７】また、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度
曲線には、図４０（図３９と同一スケールである）に示
すように不感帯が存在する。このため、Ｈx 方向の磁界
がある程度大きくならないと、検出信号が出力されな
い。検出信号の立ち上がりを遅らせ、検出信号幅を狭め
ているのは、この不感帯である。

【００１８】以上のような理由により、原点対象な回転
磁界による磁気バブル読み出しでは、外乱磁界が加わっ
た場合に、Ｓ／Ｎの悪化，信号幅の現象などで、安定し
た磁気バブル読み出しが行えない場合があった。

【００１９】尚、従来から、バイアス磁石を傾けるなど
してオフセット磁界を与え、磁気バブル読み出しの際に
はこれをキャンセルするといったことが特公昭５６−３
１６７８号公報などに記載され提案がなされているが、
上記課題を解決するものではなかった。すなわち、オフ
セットの方向については何ら規定がない。

【００２０】本発明はこのような点に着目してなされた
ものであり、その目的は、磁気バブルの検出信号とノイ
ズ成分を分離し、かつ、後段での信号処理をよういにな
るような安定な幅広の磁気バブル検出信号を得ることが
可能な磁気バブル検出方法を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、ストレッチャと、磁気抵抗効果による薄膜型の磁
気バブル検出素子を使用し、読み出しコイルに回転磁界
を発生させることで磁気バブルを強制的に移動させ、磁
気バブルのビットパターンを磁気バブル検出素子で検出
する磁気バブル検出方法において、バイアス磁界が磁気
バブル素子の裏面から表面に向かって加わっているとき
には、検出素子の感度方向のうちストレッチャ内で磁気
バブル検出素子が配置されている向きの直流成分と、こ
の向きから磁気バブル検出素子面内であって磁気バブル
を移動させるための回転磁界とは逆方向に９０度回転し
て磁気バブル検出素子の感度方向とは垂直な向きの直流
成分とを有するような回転磁界を磁気バブル素子に与
え、バイアス磁界が磁気バブル素子の表面から裏面に向
かって加わっているときには、検出素子の感度方向のう
ちストレッチャ内で磁気バブル検出素子が配置されてい
る向きと逆向きの直流成分と、検出素子が配置されてい
る向きから磁気バブル検出素子面内であって磁気バブル
を移動させるための回転磁界方向に９０度回転して磁気
バブル検出素子の感度方向とは垂直な向きの直流成分と
を有するような回転磁界を磁気バブル素子に与える。

【００２２】

【作用】本発明方法において、磁気バブル検出素子の不
感帯から早く抜け出すことができ、検出信号の立ち上が
りが早くなり、検出信号の幅を広げることができる。ま
た、検出信号に加わっているノイズ（磁気バブル検出素
子自体が発生するスイッチングノイズ）のタイミングと
検出信号の立ち下がりタイミングとを分離でき、Ｓ／Ｎ
を向上させることができる。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００２４】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
り、ストレッチャ及び磁気バブル検出素子周囲を示す図
である。また、図２は読み出しの際の三角波及びオフセ
ット電流が重畳された電流により発生する回転磁界の一
例を示す説明図である。

【００２５】ここで、図３以降を参照して、ストレッチ
ャと磁気バブル検出素子の位置関係，磁界回転方向，バ
ブル検出位相及びオフセットの関係を、場合分けして詳
細に説明する。

【００２６】図３はストレッチャＳと磁気バブル検出素
子１２との関係並びに磁界の方向を示す図である。図４
は回転磁界を図３のＣＷ方向に回転させたときのノイズ
と検出信号との関係を示す図であり、図５は回転磁界を
図３のＣＣＷ方向に回転させたときのノイズと検出信号
との関係を示す図である。これらの図では、バイアス磁
界ＨB が紙面裏から表に向かっている場合であり、磁気
バブルはＳ極である。この場合、磁気バブル検出素子１
２（１３）により検出される検出信号は、磁気バブル検
出素子１２が置かれているストレッチャのＸ方向に磁界
が向いたときに発生する。また、スイッチングノイズが
でる位相は、回転磁界の回転方向のみにより決まり、ス
トレッチャＳと磁気バブル検出素子１２との位置，バイ
アス磁界の向きとは無関係である。

【００２７】Ｘ方向のオフセットＨx を図の右方向に加
えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度曲
線にある不感帯から早く抜け出すことができる。このた
め、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出信号の幅を
広げることができる。

【００２８】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の上方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。図３の
構成では、ＣＷ方向に磁界を回転させる（図４に示す）
ことが好ましい。

【００２９】図６は磁気バブル素子１２のストレッチャ
に対する位置が図３と異なる配置の場合を示す図であ
る。この場合、Ｘ方向のオフセットＨx を図の左方向に
加えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度
曲線にある不感帯から早く抜け出すことができる。この
ため、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出信号の幅
を広げることができる。

【００３０】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の上方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。従っ
て、図６の構成では、ＣＣＷ方向に磁界を回転させる
（図８に示す）ことが好ましい。

【００３１】図９はストレッチャの向きが図３，図６と
異なる配置の場合を示す図である。この場合、Ｘ方向の
オフセットＨx を図の右方向に加えることにより、磁気
バブル検出素子のＨx 方向感度曲線にある不感帯から早
く抜け出すことができる。このため、検出信号の立ち上
がりが早くなり、検出信号の幅を広げることができる。

【００３２】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の下方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。従っ
て、図９の構成では、ＣＣＷ方向に磁界を回転させる
（図１１に示す）ことが好ましい。

【００３３】図１２は磁気バブル素子１２のストレッチ
ャに対する位置が図９と異なる配置の場合を示す図であ
る。この場合、Ｘ方向のオフセットＨx を図の左方向に
加えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度
曲線にある不感帯から早く抜け出すことができる。この
ため、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出信号の幅
を広げることができる。

【００３４】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の下方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。従っ
て、図１２の構成では、ＣＷ方向に磁界を回転させる
（図１３に示す）ことが好ましい。

【００３５】以上のことから、読み出しに適した（検出
信号の信号幅が広くとれる）オフセットの方向は、以下
の通りである。

【００３６】Ｈx オフセット： ストレッチャと磁気バ
ブル検出素子の位置関係で決定される。すなわち、スト
レッチャの中で磁気バブル検出素子が配置されている側
のＸ方向の向きである。 … Ｈy オフセット： ストレッチャと磁気バブル検出素子
の位置関係と、磁界回転方向で決定される。すなわち、
ストレッチャの中で磁気バブル検出素子が配置されてい
る側のＸ方向の向きから、磁界回転方向とは逆に９０度
回転したようなＹ方向の向きである。 … また、読み出しに適した（信号幅が広くとれる）磁界の
回転方向は、ストレッチャの中で磁気バブル検出素子が
置かれている側の稜線を、バブルが裾から頂上に向かっ
て昇る方向である。 … 次に、図１５以降を参照して、バイアス磁界ＨB が紙面
表から裏に向かい、磁気バブルがＮ極である場合につい
て説明する。この場合、磁気バブル検出素子１２（１
３）により検出される検出信号は、磁気バブル検出素子
１２が置かれているストレッチャのＸ方向と逆に磁界が
向いたときに発生する。また、スイッチングノイズがで
る位相は、回転磁界の回転方向のみにより決まり、スト
レッチャＳと磁気バブル検出素子１２との位置，バイア
ス磁界の向きとは無関係である。

【００３７】Ｘ方向のオフセットＨx を図の左方向に加
えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度曲
線にある不感帯から早く抜け出すことができる。このた
め、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出信号の幅を
広げることができる。

【００３８】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の下方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。図１５
の構成では、ＣＷ方向に磁界を回転させる（図１６に示
す）ことが好ましい。

【００３９】図１８は磁気バブル素子１２のストレッチ
ャに対する位置が図１５と異なる配置の場合を示す図で
ある。この場合、Ｘ方向のオフセットＨx を図の右方向
に加えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方向感
度曲線にある不感帯から早く抜け出すことができる。こ
のため、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出信号の
幅を広げることができる。

【００４０】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の下方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。図１８
の構成では、ＣＣＷ方向に磁界を回転させる（図２０に
示す）ことが好ましい。

【００４１】図２１はストレッチャの向きが図１５，図
１８と異なる配置の場合を示す図である。この場合、Ｘ
方向のオフセットＨx を図の左方向に加えることによ
り、磁気バブル検出素子のＨx 方向感度曲線にある不感
帯から早く抜け出すことができる。このため、検出信号
の立ち上がりが早くなり、検出信号の幅を広げることが
できる。

【００４２】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の上方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。従っ
て、図２１の構成では、ＣＣＷ方向に磁界を回転させる
（図２３に示す）ことが好ましい。

【００４３】図２４は磁気バブル検出素子１２のストレ
ッチャに対する位置が図２１と異なる配置の場合を示す
図である。この場合、Ｘ方向のオフセットＨxを図の右
方向に加えることにより、磁気バブル検出素子のＨx 方
向感度曲線にある不感帯から早く抜け出すことができ
る。このため、検出信号の立ち上がりが早くなり、検出
信号の幅を広げることができる。

【００４４】一方、Ｙ方向のオフセットＨy を図の上方
向に加えることにより、検出信号に加わっているノイズ
（磁気バブル検出素子自体が発生するスイッチングノイ
ズ）のタイミングと検出信号の立ち下がりタイミングと
を分離でき、Ｓ／Ｎを向上させることができる。図２４
の構成では、ＣＷ方向に磁界を回転させる（図２５に示
す）ことが好ましい。

【００４５】以上のことから、読み出しに適した（検出
信号の信号幅が広くとれる）オフセットの方向は、以下
の通りである。

【００４６】Ｈx オフセット： ストレッチャと磁気バ
ブル検出素子の位置関係で決定される。すなわち、スト
レッチャの中で磁気バブル検出素子が配置されている側
と逆のＸ方向の向きである。 … Ｈy オフセット： ストレッチャと磁気バブル検出素子
の位置関係と、磁界回転方向で決定される。すなわち、
ストレッチャの中で磁気バブル検出素子が配置されてい
る側のＸ方向の向きから、磁界回転方向に９０度回転し
たようなＹ方向の向きである。 … また、読み出しに適した（信号幅が広くとれる）読み出
し磁界の回転方向は、ストレッチャの中で磁気バブル検
出素子が置かれている側の稜線を、バブルが裾から頂上
に向かって昇る方向である。 … 従って、この回転磁界の方向はＨB が変わっても変化し
ない（＝）。

【００４７】以上のようにして求められたオフセットの
条件（，，，）に従ってオフセットを与えた場
合の検出信号波形のアイパターンの概略を図２７（ａ）
に、オフセット無しの場合の検出信号波形のアイパター
ンを図２７（ｂ）に、本実施例と逆にオフセットを与え
た場合の検出信号のアイパターンを図２７（ｃ）に示
す。これらの図からも明らかなように、本実施例のオフ
セットの方向が有効であることがわかる。

【００４８】尚、上記の諸条件に従って、Ｘ，Ｙのいず
れか一方のオフセットを加えてもよい。また、バイアス
磁石を傾けることにより、オフセット磁界を発生させる
ことも可能である。

【００４９】また、読み出しコイルに与える電流波形を
三角波として説明を行ったが、正弦波でも何ら問題はな
い。そして、ストレッチャＳとして、図２８に示すよう
にシェブロンストレッチャを突き合わせ配置のものを用
いて説明したが、図２９に示す入れ子配置型のシェブロ
ンストレッチャや、図３０に示す非対象型シェブロンス
トレッチャを使用することも可能である。

【００５０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の磁
気バブル検出方法によれば、磁気バブル検出信号とノイ
ズとを分離でき、かつ安定な幅の広い磁気バブル検出信
号が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気バブル素子全体を示す構成図である。

【図２】読み出しコイルに与える電流波形の一例を示す
波形図である。

【図３】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置関
係を示す説明図である。

【図４】図３に示した構成での検出信号とオフセットの
関係を示す説明図である。

【図５】図３に示した構成での検出信号とオフセットの
関係を示す説明図である。

【図６】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置関
係を示す説明図である。

【図７】図６に示した構成での検出信号とオフセットの
関係を示す説明図である。

【図８】図６に示した構成での検出信号とオフセットの
関係を示す説明図である。

【図９】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置関
係を示す説明図である。

【図１０】図９に示した構成での検出信号とオフセット
の関係を示す説明図である。

【図１１】図９に示した構成での検出信号とオフセット
の関係を示す説明図である。

【図１２】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置
関係を示す説明図である。

【図１３】図１２に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図１４】図１２に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図１５】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置
関係を示す説明図である。

【図１６】図１５に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図１７】図１５に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図１８】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置
関係を示す説明図である。

【図１９】図１８に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２０】図１８に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２１】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置
関係を示す説明図である。

【図２２】図２１に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２３】図２１に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２４】ストレッチャと磁気バブル検出素子との位置
関係を示す説明図である。

【図２５】図２４に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２６】図２４に示した構成での検出信号とオフセッ
トの関係を示す説明図である。

【図２７】オフセットを変化させた場合の検出信号のア
イパターンを比較して示す説明図である。

【図２８】ストレッチャの配置の一例を示す説明図であ
る。

【図２９】ストレッチャの配置の一例を示す説明図であ
る。

【図３０】ストレッチャの配置の一例を示す説明図であ
る。

【図３１】磁気バブル素子周囲の配置を示す説明図であ
る。

【図３２】ストレッチャ及び磁気バブル検出素子の配置
を示す説明図である。

【図３３】ストレッチャ及び磁気バブル検出素子の配置
を詳細に示す説明図である。

【図３４】バイアス磁界及び回転磁界の強度を示す説明
図である。

【図３５】磁気バブル検出素子の特性を示す特性図であ
る。

【図３６】磁気バブル検出素子周囲を示す斜視図であ
る。

【図３７】読み出しのための磁界を発生する回路構成を
示す回路図である。

【図３８】検出信号を示す波形図である。

【図３９】磁気バブル検出素子のＨy 方向感度曲線を示
す説明図である。

【図４０】磁気バブル検出素子のＨx 方向感度曲線を示
す説明図である。

【符号の説明】

１ 磁気バブル素子 ２，２′バイアス磁石 ３，４ 読み出しコイル ５ リング磁石 １２，１３ 磁気バブル検出素子 Ｓ ストレッチャ

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ストレッチャと、磁気抵抗効果による薄
   膜型の磁気バブル検出素子を使用し、読み出しコイルに
   回転磁界を発生させることで磁気バブルを強制的に移動
   させ、磁気バブルのビットパターンを磁気バブル検出素
   子で検出する磁気バブル検出方法において、バイアス磁
   界が磁気バブル素子の裏面から表面に向かって加わって
   いるときには、検出素子の感度方向のうちストレッチャ
   内で磁気バブル検出素子が配置されている向きの直流成
   分と、この向きから磁気バブル検出素子面内であって磁
   気バブルを移動させるための回転磁界とは逆方向に９０
   度回転して磁気バブル検出素子の感度方向とは垂直な向
   きの直流成分とを有するような回転磁界を磁気バブル素
   子に与え、バイアス磁界が磁気バブル素子の表面から裏
   面に向かって加わっているときには、検出素子の感度方
   向のうちストレッチャ内で磁気バブル検出素子が配置さ
   れている向きと逆向きの直流成分と、検出素子が配置さ
   れている向きから磁気バブル検出素子面内であって磁気
   バブルを移動させるための回転磁界方向に９０度回転し
   て磁気バブル検出素子の感度方向とは垂直な向きの直流
   成分とを有するような回転磁界を磁気バブル素子に与え
   る磁気バブル検出方法。