JP2818506B2 - Manufacturing method of electronic component storage package - Google Patents

Manufacturing method of electronic component storage package

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JP2818506B2 JP21870591A JP21870591A JP2818506B2 JP 2818506 B2 JP2818506 B2 JP 2818506B2 JP 21870591 A JP21870591 A JP 21870591A JP 21870591 A JP21870591 A JP 21870591A JP 2818506 B2 JP2818506 B2 JP 2818506B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品収納用パッケ
ージの製造方法、特に、ガラス封止型電子部品収納用パ
ッケージの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a package for housing electronic parts, and more particularly to a method for manufacturing a package for housing glass-sealed electronic parts.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ガラス封止型電子部品収納用パッ
ケージの封止方法には、プリント法とプリフォーム法と
がある。プリント法においては、パッケージを構成する
1対の絶縁体の少なくとも一方にガラス層を形成するた
めに、スクリーン印刷法によりガラスペーストを塗布
し、焼き付ける。ここでは、1回の印刷で形成されるガ
ラス層は薄いため、ガラス層が所定の厚さに到達するま
でに塗布及び焼き付けを数回繰り返す。完成したガラス
層に他方の絶縁体を重ね合わせ、溶融させて両絶縁体を
接着する。
2. Description of the Related Art Conventionally, there are a printing method and a preform method as a method of sealing a glass-sealed electronic component housing package. In the printing method, a glass paste is applied by a screen printing method and baked in order to form a glass layer on at least one of a pair of insulators constituting a package. Here, since the glass layer formed by one printing is thin, application and baking are repeated several times until the glass layer reaches a predetermined thickness. The other insulator is overlaid on the completed glass layer, melted, and the two insulators are bonded.

【0003】プリフォーム法においては、1対の絶縁体
の間に所定の形状に打ち抜かれたプリフォームガラスを
配置して溶融させることにより、両絶縁体を接着する。
In the preform method, both insulators are bonded by placing and melting a preform glass stamped in a predetermined shape between a pair of insulators.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記従来のプリント法
では、ガラスペーストの塗布及び焼き付けを数回繰り返
す必要があるため、工程数が増える。また、塗布及び焼
き付けの工程数が多いと、塗布時にガラスペーストが飛
散して絶縁体に付着し、また焼き付け時にダストがガラ
スペーストに焼き付いてしまうという問題が生じ易くな
る。そのため、パッケージの歩留りが低下する。また、
プリント法では、ガラスの厚みの精度を高めることが難
しい。
In the conventional printing method, the application and baking of the glass paste needs to be repeated several times, so that the number of steps is increased. Further, when the number of steps of application and baking is large, the problem that the glass paste is scattered at the time of application and adheres to the insulator, and that the dust is baked into the glass paste at the time of baking tends to occur. Therefore, the yield of the package is reduced. Also,
In the printing method, it is difficult to increase the accuracy of the thickness of the glass.

【0005】プリフォーム法においては、プリフォーム
ガラスは1対の絶縁体間に配置されているだけで固着さ
れていないため、溶融時に単独で収縮して変形すること
がある。この結果、プリフォームガラスが絶縁体に正常
に接着されず、これがパッケージの歩留りを低下させ
る。本発明の目的は、少ない工程数で歩留り良く製造で
きる電子部品収納用パッケージの製造方法を提供するこ
とにある。
In the preform method, the preform glass is arranged between a pair of insulators and is not fixed, and therefore may be shrunk and deformed independently during melting. As a result, the preform glass does not adhere properly to the insulator, which lowers the package yield. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic component housing package that can be manufactured with a small number of steps and with good yield.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子部品収
納用パッケージの製造方法は、第1半部及び第2半部を
組み合わせて構成される空間内に電子部品を収納する電
子部品収納用パッケージの製造方法である。この製造方
法は、第1半部とプリフォームガラスとをガラスペース
ト層を介して重ね合わせる工程と、そのプリフォームガ
ラス上に第2半部を重ね合わせる工程と、ガラスペース
ト層及びプリフォームガラスを溶融させて両半部を接着
する工程とを含んでいる。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component storage package, comprising the steps of: storing an electronic component in a space formed by combining a first half and a second half; This is a method for manufacturing a package. This manufacturing method includes a step of superimposing the first half and the preform glass via a glass paste layer, a step of superimposing the second half on the preform glass, and a step of laminating the glass paste layer and the preform glass. Fusing and bonding the two halves.

【0007】[0007]

【作用】本発明に係る電子部品収納用パッケージの製造
方法では、厚いガラスペースト層は不要であるため、ガ
ラス層の塗布・焼き付け工程を減少させ得る。このた
め、ガラス層の塗布・焼き付け工程に伴うガラスペース
トの飛散等の不具合が発生しにくくなる。また、この製
造方法では、プリフォームガラスは溶融に先立ってガラ
スペーストにより第1半部に対して固定されているた
め、溶融時のプリフォームガラスの変形は生じにくく、
精度良く接着工程が実施される。したがって、パッケー
ジの歩留りが向上する。
In the method of manufacturing an electronic component housing package according to the present invention, a thick glass paste layer is unnecessary, so that the steps of applying and baking a glass layer can be reduced. For this reason, problems such as scattering of the glass paste during the coating and baking steps of the glass layer are less likely to occur. Further, in this manufacturing method, the preform glass is fixed to the first half by the glass paste prior to melting, so that deformation of the preform glass during melting hardly occurs,
The bonding process is performed with high accuracy. Therefore, the yield of the package is improved.

【0008】[0008]

【実施例】本発明の一実施例が採用され得る半導体素子
収納用パッケージ1を図1に示す。半導体素子収納用パ
ッケージ1は、主に、基体2及び蓋体3からなる。基体
2は、概ね長方形の平板状部材であり、たとえばセラミ
ック,ガラス等の電気絶縁材料からなる。基体2の上面
2aの概ね中央部分には凹部2bが形成されている。こ
の凹部2bの底面には、低融点ガラスからなる接着剤層
4を介して半導体素子5が装着されている。また、基体
2の上面2a上には第1ガラス層6が形成されている。
FIG. 1 shows a package 1 for accommodating a semiconductor device to which an embodiment of the present invention can be applied. The semiconductor element storage package 1 mainly includes a base 2 and a lid 3. The base 2 is a substantially rectangular plate-like member, and is made of, for example, an electrically insulating material such as ceramic or glass. A recess 2b is formed in a substantially central portion of the upper surface 2a of the base 2. A semiconductor element 5 is mounted on the bottom surface of the concave portion 2b via an adhesive layer 4 made of low-melting glass. The first glass layer 6 is formed on the upper surface 2a of the base 2.

【0009】第1ガラス層6の上部には、たとえばアル
ミニウム,銅,コバール等の導電性材料からなる外部リ
ード端子7が固着されている。各外部リード端子7は、
ボンディングワイヤ8により半導体素子5の各電極に接
続されている。基体2の上方に載置された蓋体3は、概
ね長方形の平板状部材であり、基体2と同様にセラミッ
ク,ガラス等の電気絶縁材料からなる。蓋体3には、基
体2側の凹部2bに対応する凹部3bが形成されてい
る。
An external lead terminal 7 made of a conductive material such as aluminum, copper, or Kovar is fixed on the first glass layer 6. Each external lead terminal 7
It is connected to each electrode of the semiconductor element 5 by a bonding wire 8. The lid 3 placed above the base 2 is a substantially rectangular plate-like member, and is made of an electrically insulating material such as ceramic or glass like the base 2. The cover 3 has a recess 3 b corresponding to the recess 2 b on the base 2 side.

【0010】蓋体3の主面3a(図1では下面)には第
2ガラス層9が形成されている。第2ガラス層9及び第
1ガラス層6は互いに融合した状態で硬化しており、基
体2及び蓋体3を固着してパッケージ1内部を気密に封
止している。次に、本発明の一実施例として、上述した
半導体素子収納用パッケージ1の製造方法を説明する。
A second glass layer 9 is formed on the main surface 3a (lower surface in FIG. 1) of the lid 3. The second glass layer 9 and the first glass layer 6 are cured in a state of being fused with each other, and fix the base 2 and the lid 3 to hermetically seal the inside of the package 1. Next, as an embodiment of the present invention, a method of manufacturing the above-described semiconductor device housing package 1 will be described.

【0011】最初に、プリフォームガラス9b(図2)
を用意する。このプリフォームガラス9bの製造時に
は、初めに、PbO−B2 3 系の低融点ガラス粉末
(たとえば、PbOが78wt%、B2 3 が6wt
%、TiO2 が13wt%、ZrO 2 が2wt%、Si
2 が1wt%)をポリスチレン系の溶剤からなるバイ
ンダーと混合し、ペースト状態になったものをドクター
ブレード法によりシート状にする(厚み10〜100μ
m)。続いて、150〜200℃程度の温度で乾燥させ
た後、金型により打ち抜いて、図2に示すような長方形
の枠体にし(たとえば、外寸が39.5×8.85m
m、内寸が36.3×7.35mm)、プリフォームガ
ラス9bを得る。
First, a preform glass 9b (FIG. 2)
Prepare When manufacturing this preform glass 9b
First, PbO-BTwoOThreeLow melting glass powder
(For example, 78 wt% of PbO, BTwoOThreeIs 6wt
%, TiOTwoIs 13wt%, ZrO TwoIs 2 wt%, Si
OTwoIs 1 wt%) by using a polystyrene-based solvent
And paste it into a doctor.
Form into sheet by blade method (10-100μ thickness)
m). Subsequently, it is dried at a temperature of about 150 to 200 ° C.
After that, it is punched out by a mold and a rectangle as shown in FIG.
(For example, the outer dimension is 39.5 × 8.85m
m, inner dimension is 36.3 × 7.35 mm), preform gas
The lath 9b is obtained.

【0012】一方、粉末材料からプレス成形及び焼成に
より、蓋体3を形成する(図3)。そして、低融点のガ
ラス粉末に適当なバインダー(たとえば多価アルコール
系バインダー)を添加して得られたガラスペーストを用
い、周知のスクリーン印刷により1回の印刷を行い、蓋
体3の主面3aにガラスペースト層9aを形成する(図
4)。続いて、図2に示す枠体状のプリフォームガラス
9bを、ガラスペースト層9a上に配置する(図5)。
このとき、ガラスペースト層9aにより、プリフォーム
ガラス9bは蓋体3に対して固定される。
On the other hand, the lid 3 is formed from the powder material by press molding and firing (FIG. 3). Then, using a glass paste obtained by adding a suitable binder (for example, a polyhydric alcohol-based binder) to the low-melting glass powder, printing is performed once by well-known screen printing, and the main surface 3 a Then, a glass paste layer 9a is formed (FIG. 4). Subsequently, the frame-shaped preform glass 9b shown in FIG. 2 is arranged on the glass paste layer 9a (FIG. 5).
At this time, the preform glass 9b is fixed to the lid 3 by the glass paste layer 9a.

【0013】図5の状態から、蓋体3をガラス焼成用の
炉に通し加熱する。すると、ガラスペースト層9a及び
プリフーォムガラス9b内のバインダーが外部に飛散
し、そして、ガラスペースト層9aとプリフォームガラ
ス9bとが融合し第2ガラス層9が形成される(図
6)。この第2ガラス層9を形成する工程において、ガ
ラスペースト層9aは1回のスクリーン印刷法により形
成されており、従来のプリント法に比べて少ない工程数
で形成される。数回にわたってスクリーン印刷を行う必
要がないので、ガラスペーストが飛散して蓋体3の他の
部分に付着するという不具合は生じにくい。また、焼き
付け時にダストがガラスペースト層に焼き付くという不
具合も生じにくい。さらには、プリフォームガラス9b
を使用しているため、第2ガラス層9の厚みの精度は向
上している。しかも、この実施例においては、プリフォ
ームガラス9bが蓋体3の主面3aに固定されているた
め、溶融時にプリフォームガラス9bが変形せずに正常
な状態で蓋体3側に固定される。
From the state shown in FIG. 5, the lid 3 is passed through a glass firing furnace and heated. Then, the binder in the glass paste layer 9a and the preform glass 9b scatters to the outside, and the glass paste layer 9a and the preform glass 9b fuse to form the second glass layer 9 (FIG. 6). . In the step of forming the second glass layer 9, the glass paste layer 9a is formed by a single screen printing method, and is formed in a smaller number of steps than the conventional printing method. Since it is not necessary to perform screen printing several times, the problem that the glass paste is scattered and adheres to other portions of the lid 3 is less likely to occur. In addition, the problem that dust is burned into the glass paste layer during baking is less likely to occur. Furthermore, the preform glass 9b
Is used, the accuracy of the thickness of the second glass layer 9 is improved. Moreover, in this embodiment, since the preform glass 9b is fixed to the main surface 3a of the lid 3, the preform glass 9b is fixed to the lid 3 in a normal state without being deformed during melting. .

【0014】一方、基体2も蓋体3と同様に、粉末状の
材料からプレス成形及び焼成により形成する。次に、基
体2の凹部2bの底面に接着剤層4を形成する。この接
着剤層4は、低融点ガラスのペーストを複数回印刷し、
一度溶融させて内部のバインダーを飛散させて形成す
る。そして、基体2の上面2aにガラスペースト層を一
度のスクリーン印刷法により形成する。ガラスペースト
層上にプリフォームガラスを配置し、焼き付け溶融を行
い、第1ガラス層6を形成する。この基体2側に第1ガ
ラス層6を形成する工程での作用及び効果は、蓋体3に
第2ガラス層9を形成する場合と同じである。
On the other hand, similarly to the lid 3, the base 2 is formed from a powdery material by press molding and firing. Next, the adhesive layer 4 is formed on the bottom surface of the concave portion 2b of the base 2. The adhesive layer 4 is formed by printing a paste of low melting point glass a plurality of times,
It is formed by melting once and scattering the binder inside. Then, a glass paste layer is formed on the upper surface 2a of the base 2 by a single screen printing method. The preform glass is placed on the glass paste layer and baked and melted to form the first glass layer 6. The function and effect in the step of forming the first glass layer 6 on the side of the base 2 are the same as the case of forming the second glass layer 9 on the lid 3.

【0015】次に、外部リード端子7を第1ガラス層6
上に仮止めする。この際には、加熱によって第1ガラス
層6を僅かに溶融させ、その中に外部リード端子7を埋
め込む。この後、接着剤層4上に半導体素子5を載置
し、再度接着剤層4を溶融させて半導体素子5を基体2
に対して固定する。続いて、ボンディングワイヤ8を用
いて半導体素子5の電極と各外部リード端子7とを接続
する。
Next, the external lead terminals 7 are connected to the first glass layer 6.
Temporarily fix on top. At this time, the first glass layer 6 is slightly melted by heating, and the external lead terminals 7 are embedded therein. Thereafter, the semiconductor element 5 is placed on the adhesive layer 4 and the adhesive layer 4 is melted again to attach the semiconductor element 5 to the base 2.
To be fixed. Subsequently, the electrodes of the semiconductor element 5 are connected to the external lead terminals 7 using the bonding wires 8.

【0016】次に、図7に示すように、蓋体3を基体2
の上方から被せる。この状態から、加熱により第1ガラ
ス層6及び第2ガラス層9を一体溶融させ、両者間を接
合することによってパッケージ1内部を気密封止する。
前述したように、第1ガラス層6及び第2ガラス層9は
精度が高く信頼性が向上しているため、半導体素子収納
用パッケージ1を製造する際の歩留りは高い。
Next, as shown in FIG.
Cover from above. From this state, the first glass layer 6 and the second glass layer 9 are integrally melted by heating, and the interior of the package 1 is hermetically sealed by joining the two.
As described above, since the first glass layer 6 and the second glass layer 9 have high accuracy and improved reliability, the yield in manufacturing the semiconductor element housing package 1 is high.

【0017】なお、実験を行った結果、従来の方法で1
5%の不良率が出たケースについて、本発明による方法
では5%の不良率となった。 〔他の実施例〕(a) 前記実施例では、蓋体3に第2
ガラス層9を形成する工程で、先に蓋体3にガラスペー
スト層9aを形成したが、先にプリフォームガラス9b
にガラスペースト層9aを形成してもよい。
Incidentally, as a result of the experiment, it was found that
In the case where the defect rate was 5%, the method according to the present invention resulted in a defect rate of 5%. [Other Embodiments] (a) In the above embodiment, the cover 3
In the step of forming the glass layer 9, the glass paste layer 9a was formed on the lid 3 first, but the preform glass 9b was formed first.
May be formed with a glass paste layer 9a.

【0018】この場合には、最初に、プリフォームガラ
ス9b(図8)上に、ガラスペースト層9aをスクリー
ン印刷法により形成する(図9)。そして、ガラスペー
スト層9aに蓋体3の主面3aを固定する(図10)。
この工程においては、蓋体3側にガラスペーストを印刷
しないため、飛散したガラスペーストが蓋体3側に付着
することはなくなる。
In this case, first, a glass paste layer 9a is formed on the preform glass 9b (FIG. 8) by a screen printing method (FIG. 9). Then, the main surface 3a of the lid 3 is fixed to the glass paste layer 9a (FIG. 10).
In this step, since the glass paste is not printed on the lid 3 side, the scattered glass paste does not adhere to the lid 3 side.

【0019】この方法は、基体2側の第1ガラス層6を
形成する際にも有効である。 (b) 前記実施例は、基体と蓋体の両側に予めガラス
層を形成するパッケージについての方法であったが、蓋
体側にのみ予めガラス層を形成するパッケージに本発明
を採用してもよい。 (c) 図11に示す半導体素子収納用パッケージ11
について本発明を採用してもよい。このパッケージ11
では、基体12の主面12a上に蓋体13がガラス層1
8により固定され、基体12の主面12aの概ね中央部
に形成された凹部12bを気密に封止している。
This method is also effective when forming the first glass layer 6 on the base 2 side. (B) In the above embodiment, the method is for a package in which a glass layer is previously formed on both sides of the base and the lid. However, the present invention may be applied to a package in which a glass layer is previously formed only on the lid. . (C) Semiconductor device housing package 11 shown in FIG.
The present invention may be adopted for This package 11
Then, the lid 13 is provided on the main surface 12 a of the base 12 with the glass layer 1.
8, and hermetically seals a recess 12 b formed substantially at the center of the main surface 12 a of the base 12.

【0020】このパッケージ11の製造時には、初め
に、蓋体13の主面12a側の外周部に、周知のスクリ
ーン印刷法によりガラスペースト層19aを形成する
(図12)。このガラスペースト層19a上に所定の枠
体形状に打ち抜かれたプリフォームガラス19bを固定
する(図13)。この状態から、ガラスペースト層19
aを溶融させて蓋体13上にガラス層19を形成する。
次に、ガラス層19が基体12側となるように蓋体13
を基体12上に載置する。最後に、高温加熱を行い、ガ
ラス層19を溶融させて蓋体13を基体12に固着さ
せ、基体12の凹部12bを気密に封止する(図1
4)。この実施例においても、前記実施例と同様な効果
が得られる。 (d) 前記実施例は半導体素子収納用パッケージにつ
いての方法であったが、他の電子部品収納用パッケージ
に本発明を採用してもよい。
At the time of manufacturing the package 11, first, a glass paste layer 19a is formed on the outer peripheral portion on the main surface 12a side of the lid 13 by a known screen printing method (FIG. 12). On this glass paste layer 19a, a preform glass 19b stamped into a predetermined frame shape is fixed (FIG. 13). From this state, the glass paste layer 19
is melted to form a glass layer 19 on the lid 13.
Next, the lid 13 is placed so that the glass layer 19 is on the side of the base 12.
Is placed on the substrate 12. Finally, high-temperature heating is performed to melt the glass layer 19, fix the lid 13 to the base 12, and hermetically seal the recess 12b of the base 12 (FIG. 1).
4). In this embodiment, the same effects as in the above embodiment can be obtained. (D) Although the above embodiment is directed to a method for accommodating a semiconductor element package, the present invention may be applied to other electronic component accommodating packages.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明に係る電子部品収納用パッケージ
の製造方法では、第1半部とプリフォームガラスとはガ
ラスペースト層を介して重ね合わせられる。そのため、
工程数を減らすことができ、パッケージの歩留りが向上
する。
According to the method of manufacturing an electronic component housing package according to the present invention, the first half and the preform glass are overlapped via the glass paste layer. for that reason,
The number of steps can be reduced, and the yield of the package is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例が採用された半導体素子収納
用パッケージの縦断面図。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a package for housing a semiconductor element to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】そのプリフォームガラスの平面図。FIG. 2 is a plan view of the preform glass.

【図3】その蓋体の製造工程の一過程を示す縦断面部分
図。
FIG. 3 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図4】その蓋体の製造工程の一過程を示す縦断面部分
図。
FIG. 4 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図5】その蓋体の製造工程の一過程を示す縦断面部分
図。
FIG. 5 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図6】その蓋体の製造工程の一過程を示す部分縦断面
部分図。
FIG. 6 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図7】その半導体素子収納用パッケージの製造工程の
一過程を示す縦断面部分図。
FIG. 7 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the package for housing a semiconductor element.

【図8】別の実施例における蓋体の製造工程の一過程を
示す縦断面部分図。
FIG. 8 is a partial vertical cross-sectional view showing one step in a manufacturing process of a lid according to another embodiment.

【図9】その実施例における蓋体の製造工程の一過程を
示す縦断面部分図。
FIG. 9 is a partial vertical cross-sectional view showing one step in a manufacturing process of the lid according to the embodiment.

【図10】その実施例における蓋体の製造工程の一過程
を示す縦断面部分図。
FIG. 10 is a partial vertical cross-sectional view showing one step in a manufacturing process of the lid according to the embodiment.

【図11】さらに別の実施例の図1に相当する図。FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 1 of still another embodiment.

【図12】その蓋体の製造工程の一過程を示す縦断面部
分図。
FIG. 12 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図13】その蓋体の製造工程の一過程を示す縦断面部
分図。
FIG. 13 is a partial vertical cross-sectional view showing one process of a manufacturing process of the lid.

【図14】その半導体素子収納用パッケージの製造工程
の一過程を示す縦断面部分図。
FIG. 14 is a partial vertical cross-sectional view showing one step in a process of manufacturing the semiconductor element housing package.

【符号の説明】 1,11 半導体素子収納用パッケージ 2,12 基体 3,13 蓋体 5 半導体素子 9a,19a ガラスペースト層 9b,19b プリフォームガラスDESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 Package for storing semiconductor element 2,12 Base 3,13 Lid 5 Semiconductor element 9a, 19a Glass paste layer 9b, 19b Preform glass

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1半部及び第2半部を組み合わせて構成
される空間内に電子部品を収納する電子部品収納用パッ
ケージの製造方法であって、 前記第1半部とプリフォームガラスとを、ガラスペース
ト層を介して重ね合わせる工程と、 前記プリフォームガラス上に、前記第2半部を重ね合わ
せる工程と、 前記ガラスペースト層及び前記プリフォームガラスを溶
融させて、前記両半部を接着する工程と、 を含む電子部品収納用パッケージの製造方法。
1. A method for manufacturing an electronic component storage package for storing an electronic component in a space formed by combining a first half and a second half, wherein the first half, a preform glass, Laminating via a glass paste layer; laminating the second half on the preform glass; melting the glass paste layer and the preform glass to form the two halves. A method of manufacturing a package for storing electronic components, the method including: bonding.
JP21870591A 1991-08-29 1991-08-29 Manufacturing method of electronic component storage package Expired - Fee Related JP2818506B2 (en)

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