JP2801161B2

JP2801161B2 - パルスｍａｇ溶接用ソリッドワイヤ

Info

Publication number: JP2801161B2
Application number: JP25622995A
Authority: JP
Inventors: 励一鈴木; 利彦中野
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1995-10-03
Filing date: 1995-10-03
Publication date: 1998-09-21
Anticipated expiration: 2015-10-03
Also published as: JPH0999390A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はパルス電源を使用した混
合ガスシールドアーク溶接（以下、パルスＭＡＧ溶接）
に適したパルスＭＡＧ溶接用ソリッドワイヤに関し、特
にスパッタ発生量が少なく、また優れた疲労特性を有す
るビードを得ることができるパルスＭＡＧ溶接用ソリッ
ドワイヤに関する。

【０００２】

【従来の技術】溶接ワイヤをＣＯ₂及びＡｒ等のガスで
シールドさせるガスシールドアーク溶接方法は、その高
能率性と自動化のしやすさから、今日、最も使用量が多
い溶接方法である。シールドガスとしては、経済性と耐
気孔欠陥性からＣＯ₂ガスを使用する場合が多い。しか
し、ＣＯ₂ガスを使用すると、多量のスパッタが発生す
ることは回避できない。このため、スパッタの発生を抑
制するために、シールドガスとして、Ａｒガスに５乃至
２０体積％のＣＯ₂ガスを混合した混合ガスを使用する
ことが多い。この混合ガスをシールドガスとして使用す
るＭＡＧ溶接の場合は、高電流域では溶滴の移行形態が
スプレー状となり、極めて安定するため、スパッタの発
生量は極めて少ない。しかし、低電流域ではＣＯ₂ガス
を使用した溶接の場合と同様に短絡が生じるため、スパ
ッタ発生量は減少しにくい。

【０００３】そこで、このＭＡＧ溶接の低電流域でのス
パッタ発生量の低減を目的として、近時、パルス電源を
使用したＭＡＧ溶接が普及している。パルスＭＡＧ溶接
法は、高電流（ピーク電流）と低電流（ベース電流）を
周期的に発生させることにより、ピーク期間中に溶接ワ
イヤ先端に溶滴を形成させ、ベース期間中に溶滴を溶接
ワイヤ先端から離脱させて母材の溶融池に移行させるこ
とを目的とする溶接方法である。溶滴の移行と電流の制
御を１パルス当たり１溶滴に同期させたとき、低電流域
でも短絡は発生せず、スパッタ発生量を極めて少なくす
ることができる。

【０００４】また、実際の溶接施工において、生産性の
向上を考慮したとき、溶接速度はより大きい方が溶接能
率を向上させることになる。高速溶接を行う上での主な
問題点は、溶接速度が大きくなるほどアンダーカットが
生じ易くなり、これを防止するため、アーク長を短くす
ることによって短絡が生じて多量のスパッタが発生して
しまうという点である。

【０００５】アンダーカットを防止し、スパッタの発生
を抑制するためには、短絡が生じない程度にアーク長を
可及的に短くする必要がある。このときのアーク長が限
界アーク長である。つまり、限界アーク長が短いほど、
より高速溶接が可能であり、更にスパッタを極めて少な
く維持することができる。

【０００６】而して、非短絡でのアーク長は移行する溶
滴粒の径に依存するため、溶滴移行回数を増加し、１溶
滴当たりのワイヤ溶融量を可及的に少なくする方が限界
アーク長を短くすることができる。

【０００７】パルスＭＡＧ溶接で高速溶接を行う場合、
溶滴移行回数を増加させるためには、パルスの周波数を
高くすればよい。しかしながら、通常の溶接ワイヤを使
用した場合は、高周波数のパルスでは溶滴移行が同期せ
ず、ピーク期間中に溶滴が離脱したり、ピークの立ち上
がりで短絡が発生したりすることにより、結果としてス
パッタが増加することになる。

【０００８】このような技術的背景の下に、高周波数の
パルスに溶滴移行を同期させることができるパルスＭＡ
Ｇ用ワイヤが提案されている（例えば、特公平４−５１
２７６号公報、特公平６−９２０３２号公報）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の公知文献に記載された溶接ワイヤでは、スパッタの低
減のみが課題となっており、ビード形状（断面形状）に
ついては全く考慮されていない。このため、これらの公
知文献に開示された技術に従って、これらのワイヤを使
用して実際に溶接施工すると、確かに、スパッタは低減
され、高速溶接が可能であるが、ビードは母材とのなじ
みが悪く、凸形態となるため、溶接継手の疲労強度が低
いという問題点があった。従って、従来、溶接の高速化
を目的として高周波のパルス溶接を行う場合に、スパッ
タの発生量を極めて少なくすると共に、疲労強度が優れ
たビードを得るという双方の効果を同時に満足すること
はできなかった。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高速溶接のために高周波のパルス溶接を行
う場合に、スパッタ発生量が極めて少ないと共に、ビー
ドと母材とのなじみが良好であり、ビード形状が平坦で
あって、継手の疲労特性が優れたビードを得ることがで
きるパルスＭＡＧ溶接用ソリッドワイヤを提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係るパルスＭＡ
Ｇ溶接用ソリッドワイヤは、Ｃ：０．０４乃至０．１５
重量％、Ｓｉ：０．２０乃至０．５０重量％、Ｍｎ：
０．９０乃至１．７０重量％、Ｐ：０．０３重量％以
下、Ｓ：０．００５乃至０．０３０重量％、Ｔｉ：０．
０５０重量％を超え０．１００重量％以下、Ａｌ：０．
０２重量％以下、Ｎ：０．０１５重量％以下、Ｏ：０．
０１５重量％以下を、下記数式１で表されるＸの値が
０．１７乃至０．４５を満足するように含有し、残部が
鉄及び不可避的不純物である組成を有し、表面に０．１
０重量％以上のＣｕメッキが施されていることを特徴と
する。

【００１２】

【数１】Ｘ＝０．０１×[Ｍｎ]／[Ｓｉ]＋５×[Ｔｉ]−
[Ｃ]−０．５×[Ｓ]−２×[Ｏ] 但し、[Ｍｎ]、[Ｓｉ]、[Ｔｉ]、[Ｃ]、[Ｓ]、[Ｏ]は、
夫々Ｍｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ，Ｓ，Ｏの含有量（重量％）
である。

【００１３】

【作用】本願発明者等は、高周波パルス溶接においても
溶滴移行が同期して規則的な１パルス当たり１溶滴が確
保され、これによりスパッタの発生が極めて少なくなる
と共に、ビード外観及び形状が良好で、且つビード止端
の形状が平坦で継手の疲労特性が優れたワイヤを開発す
べく、種々実験研究した結果、高周波でのパルスに対し
て同期を実現するためには、より小さい溶融エネルギ
（ピーク電流×ピーク電圧×ピーク時間）で、溶滴がワ
イヤから切り離され、ベース期間中に溶融池に落下する
必要があることを知見した。これには溶滴の物性（表面
張力及び粘性等）が主として影響し、その溶滴の物性は
Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓ，Ｔｉ，Ｏ等のワイヤ成分に依存し
ている。また、ビード形状も、ワイヤ成分と関連する物
性によって大きく変化する。

【００１４】本発明はかかる知見に基づき完成されたも
のであり、特に、前記数式１にて表されるＸの値を特定
の範囲に規定し、Ｃｕメッキ量を規定すると共に、その
他の成分の含有量も所定範囲に規定することにより、本
願発明の目的を達成したものである。以下、本発明につ
いて更に詳細に説明する。

【００１５】

【実施例】図１は横軸に前記数式１にて表されるＸの値
をとり、縦軸にスパッタ発生量及びビード形状をとっ
て、Ｘとスパッタ発生量及びビード形状との関係を示す
グラフ図である。また、図２は横軸にビード形状をと
り、縦軸に疲労限度をとって両者の関係を示すグラフ図
である。なお、図１におけるスパッタ発生量及びビード
形状の試験条件並びに図２における疲労試験条件は以下
のとおりである。

【００１６】（１）スパッタ発生量試験条件母材：ＳＰＣＣ板厚３．２ｍｍシールドガス：Ａｒ８０体積％＋ＣＯ₂２０体積％、流
量２５リットル／分ワイヤ突出し長さ：１５ｍｍ溶接姿勢：下向きビードオンプレートワイヤ径：１．２ｍｍ溶接電流：２１０Ａ電圧：２２Ｖ速度：１５０ｃｍ／分溶接長：１５０ｃｍパルス条件：ピーク電流４６０Ａ、ピーク期間１．１ｍ
ｓｅｃ、ベース電流６０Ａ。

【００１７】また、スパッタ発生量は図３に示す装置に
より測定した。図３に示すように、一方の側面が開放し
たスパッタ捕集箱１ａ，１ｂをその開放側面を対面させ
て配置し、両者間にトーチ２を下向きに配置し、台３上
に載置した母材４と、トーチ２から突出する溶接ワイヤ
５との間に、前記（１）の条件で溶接した。このとき、
溶接部から発生するスパッタ６を捕集箱１ａ，１ｂ内に
集め、所定時間経過後のスパッタ捕集量を測定した。そ
の結果、単位時間当たりのスパッタ発生量は図１に示す
とおりであった。

【００１８】（２）ビード形状試験（重ねすみ肉溶接試
験）条件母材：ＳＰＣＣ板厚２．３ｍｍシールドガス：Ａｒ８０体積％＋ＣＯ₂２０体積％、流
量２５リットル／分電源：インバータパルス電源ワイヤ突出し長さ：１５ｍｍ溶接姿勢：水平重ねすみ肉トーチ前進後退角：０° ワイヤ径：１．２ｍｍ溶接電流：２２０Ａ電圧：２３Ｖ速度：１００ｃｍ／分パルス条件：ピーク電流４６０Ａ、ピーク期間１．１ｍ
ｓｅｃ、ベース電流６０Ａ。

【００１９】この重ねすみ肉溶接試験は図４に示すよう
にして行った。即ち、母材１０の上に、母材１１をその
端部が母材１０の表面上に位置するように配置し、この
母材１１の端部と母材１０の表面との間を、前記（２）
の条件で水平姿勢で溶接した。その結果、ビード１２が
形成され、このビード１２の幅をＷ、ビード１２の端縁
から盛り上がった部分の高さをｔとして、ビード１２の
平坦率をｔ／Ｗにより求めた。その結果を図１にＸとの
関係で示した。

【００２０】（３）疲労試験条件試験板：ＳＡＰＨ４４０、板厚２．６ｍｍ溶接ワイヤ：ＪＩＳＺ３３１２ＹＧＷ１６一般材シールドガス：Ａｒ８０体積％＋ＣＯ₂２０体積％溶接姿勢：水平重ねすみ肉疲労試験片：余盛付き平板溶接継手試験方法：平面曲げ疲労試験応力負荷：両振り制限波応力。

【００２１】図５はこの試験方法を示す図である。試験
板１３と試験板１４とを一部重複して重ね、両者を水平
重ねすみ肉溶接した。溶接部にはビード１５が形成され
た。そして、試験片１３、１４の端部を握持して平面曲
げ試験した。得られた疲労限度をビード形状との関係で
図２に示す。

【００２２】図１に示すように、ワイヤ成分Ｍｎ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃ、Ｓ、Ｏにより数式１に基づいて決まるＸ
の値は、スパッタ発生量及びビード形状に密接な関係を
有し、Ｘが増加すると、ビード形状ｔ／Ｗが小さくな
り、スパッタ発生量は逆に増加する。このため、ビード
形状が平坦であると共に、スパッタ発生量が少ないよう
なＸの値の範囲がある。

【００２３】そして、図１に示すように、数式１により
表されるＸの値が０．１７乃至０．４５の場合に、ビー
ド形状ｔ／Ｗが０．３以下と平坦になり、スパッタ発生
量が０．５ｇ／分以下となる。この場合に、図２からわ
かるように、ビード形状ｔ／Ｗが０．３以下であれば、
疲労限度σは約１４０Ｎ／ｍｍ²以上となる。

【００２４】本発明においては、このような知見に基づ
き、スパッタ発生量の許容上限値を０．５ｇ／分、継手
疲労強度が良好となるビード形状ｔ／Ｗを０．３以下と
設定し、このような要件を満足するＸの範囲として、
０．１７≦Ｘ≦０．４５を規定した。Ｘが０．１７乃至
０．４５の範囲に入る場合には、溶滴はパルスに同期し
て１パルス１溶滴となることからスパッタ発生量は０．
５ｇ／分以下と少なく、且つビードもｔ／Ｗが０．３以
下と平坦であり、疲労特性が優れている。Ｘが０．１７
未満ではスパッタは少ないものの、ビード形状が凸状に
なり、疲労特性が低下する。逆に、Ｘが０．４５を超え
ると、ビード形状は良好であるが、溶滴移行が高周波パ
ルスに同期しなくなり、スパッタが著しく増加する。以
上のことから、低スパッタ発生量と良好なビード形状と
の双方を満足する範囲として、Ｘを０．１７乃至０．４
５と規定した。

【００２５】次に、ソリッドワイヤを構成する鋼線の成
分限定理由及び組成限定理由について説明する。

【００２６】Ｃ（炭素）：０．０４乃至０．１５重量％Ｃは溶滴の離脱に関し強い影響があり、その含有量が少
ないと、溶滴離脱に過大なエネルギーを必要とする。よ
って、Ｃを０．０４重量％以上添加することによって溶
滴を細粒化し、高周波パルスでもスパッタを低減させ
る。しかし、Ｃ添加量が０．１５重量％を超えると高速
溶接において高温割れを誘発しやすくなり、また焼き入
れ性も増すことから、溶接金属の硬度が高くなりすぎる
ため、Ｃ量の上限値は０．１５重量％とする。また、Ｃ
含有量が０．０４重量％未満では、スパッタ減少に効果
がないばかりでなく、ビード形状も悪化するため、Ｃ量
の下限値は０．０４重量％とする。更に好ましくは、Ｃ
量の下限値は０．０５重量％とする。

【００２７】Ｓｉ（シリコン）：０．２０乃至０．５０
重量％Ｓｉは０．５０重量％を超えてその含有量を多くする
と、溶滴の形成に時間を必要とするため、高周波パルス
時に溶滴移行が同期できず、スパッタが多く発生する。
よって、Ｓｉの上限値は０．５０重量％とする。また、
Ｓｉは重要な脱酸元素であるが、０．２０重量％未満で
はその脱酸効果がほとんどなくなり、ブローホール等の
気孔欠陥を発生させ、またビード外観も悪化する。この
ため、Ｓｉの下限値を０．２０重量％とした。

【００２８】Ｍｎ（マンガン）：０．９０乃至１．７０
重量％Ｍｎは１．７０重量％を超えて添加すると、Ｓｉと同様
に溶滴の形成に時間を必要とし、結果として高周波パル
スではスパッタを増加させてしまうことになる。よっ
て、Ｍｎの上限値を１．７０重量％とする。また、Ｍｎ
も重要な脱酸元素であるが、０．９０重量％未満では脱
酸効果がほとんどなくなり、気孔欠陥が生じる。よっ
て、０．９０重量％をＭｎ量の下限値とする。好ましく
は、Ｍｎ量は１．００乃至１．６０重量％である。

【００２９】Ｐ（リン）：０．０３重量％以下Ｐは高温割れを引き起こす元素であり、可及的に少ない
ほうがよいが、Ｐ含有量が０．０３重量％を超えると、
高温割れが著しくなるので０．０３重量％を上限値とす
る。

【００３０】Ｓ（硫黄）：０．００５乃至０．０３０重
量％Ｓは溶滴の粘性及び表面張力を低下させ、ワイヤからの
溶滴の離脱を容易にすることにより、高周波パルスでも
溶滴が細粒化して、スパッタが減少する。また、Ｓはビ
ード及び止端の形状を平坦化させる効果を有しており、
Ｓ含有量が多い方がスパッタ発生量の低減及びビード形
状の平坦化に対する効果が高い。このような効果を得る
ためには、Ｓを０．００５重量％以上添加する必要があ
る。しかし、Ｓは、Ｐと同様に高温割れの誘起元素であ
るため、Ｓ量の上限値は０．０３０重量％とした。

【００３１】Ｔｉ（チタン）：０．０５０重量％超、
０．１００重量％以下Ｔｉはビード形状の改善とアーク安定化の効果を有す
る。この効果を発揮するためには、Ｔｉ含有量は０．０
５０重量％を超える必要である。好ましくは、Ｔｉ含有
量は０．０６０重量％以上とする。しかしながら０．
１００重量％を超えてＴｉを添加すると、溶滴の粒径が
大きくなると共にワイヤからの溶滴の離脱に時間がかか
り、高周波パルスではスパッタが増加する。よって、Ｔ
ｉ量は０．１００重量％を上限とする。

【００３２】Ａｌ（アルミニウム）：０．０２重量％以
下Ａｌを添加すると、溶滴が離脱し難くなり、短絡が非常
に多くなる。よって、スパッタが多く発生するため、そ
の量はできるだけ少ない方が好ましく、上限を０．０２
重量％とする。

【００３３】Ｏ（酸素）：０．０１５重量％以下、Ｎ
（窒素）：０．０１５重量％以下Ｏ、Ｎは、その添加により溶滴の粒径を小さくする効果
があるものの、いずれも０．０１５重量％を超える添加
では、ブローホール等の気孔欠陥の発生原因になり、ま
た溶接金属の靱性が低下することから、上限値をいずれ
も０．０１５重量％とする。更に、Ｏ及びＮの含有量は
０．０１０重量％未満とすることが好ましい。

【００３４】Ｃｕメッキ：０．１０重量％以上Ｃｕメッキは溶接時に通電チップからワイヤ内に流れる
電流の通電性に大きな影響を与える。Ｃｕメッキ量が不
足すると、ワイヤ表面にメッキが付着していない箇所が
生じ、通電点がメッキ部から非メッキ部に移動する際
に、電気抵抗の差からパルスの制御が崩れてアークが不
安定となり、スパッタが増加する。このことから、スパ
ッタが増加する原因を排除するため、Ｃｕメッキは安定
してワイヤ全体に付着することが望ましい。

【００３５】Ｃｕメッキがパルス制御に影響を与えない
程度の付着量を調べた結果、０．１０重量％以上であれ
ばＣｕの付着が良好であることが判明した。このため、
Ｃｕメッキ量は０．１０重量％以上とする。

【００３６】この他、本発明の特許請求の範囲にて含有
量を限定していないＮｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，
Ｂ，Ｖ，Ｂｉ等の不純物は、通常の不可避的不純物量
（例えば、夫々０．１重量％以下）であれば、スパッタ
発生量及びビード形状に影響を与えないため、許容され
る。また、ワイヤ表面に付着する無機物、有機物、又は
それらの化合物もまた同様の理由により許容される。

【００３７】次に、下記表１、２に示す成分のワイヤを
用い、前述の（１）及び（２）の溶接条件でスパッタ発
生量測定試験及び重ねすみ肉溶接試験を行った結果につ
いて説明する。下記表３は、その試験の結果測定された
「スパッ夕発生量」と、「ビード形状ｔ／Ｗ」と、「そ
の他溶接作業性」を示す。「その他溶接作業性」におい
ては、アーク安定性に問題はないもの、並びにビード外
観及び溶接金属品質に問題がないものを良好とした。

【００３８】ワイヤＮｏ．１〜１０は本発明の実施例ワ
イヤ、Ｎｏ．１１〜２６は本発明の範囲から外れる比較
例ワイヤを示す。本発明例であるワイヤＮｏ．１〜１０
は各ワイヤ含有成分及びＣｕメッキ量、パラメータＸが
本発明の規定範囲内にあるため、スパッタ発生量は少な
く、ビード形状も平坦で疲労強度が優れている。また、
これらのワイヤはアーク安定性及び溶接金属の品質も良
好であった。

【００３９】Ｎｏ．１１，１２のワイヤはＸが本発明に
て規定した上限値より高く、そのためスパッタ発生量が
多い。Ｎｏ．１３のワイヤはＸが下限値よりも低く、そ
のためスパッタ量は少ないものの、ビード形状が凸とな
り、疲労特性が劣るものであった。Ｎｏ．１４のワイヤ
はＸは本発明の範囲内であるが、Ｔｉが上限値より高い
ため、溶滴が切れ難くなり、パルスに同期せず、スパッ
タが多くなった。Ｎｏ．１５のワイヤはＸは範囲内であ
るが、Ｔｉが下限値よりも低いため、ビード形状が凸に
なった。Ｎｏ．１６のワイヤもＴｉが下限値より低く、
更にＸも下限値より低いため、ビードが凸になると共
に、アークの安定性が低下した。また、ビード止端部の
なじみが劣化しており、疲労強度が著しく低下する。

【００４０】Ｎｏ．１７のワイヤはＣが下限値よりも低
いため、溶滴が離脱しづらくなり、スパッタが増加し
た。また、ビード形状も若干悪くなった。Ｎｏ．１８の
ワイヤはＣが上限値よりも高く、Ｘが下限値よりも低い
ために、ビード形状が凸になると共に、耐高温割れ性が
低下し、溶接中にビード中央部に割れが発生した。Ｎ
ｏ．１９のワイヤはＰ，Ｓ共に上限値より高く、ビード
形状及びスパッタ量は良好であるが、耐高温割れ性が低
下して溶接中に割れが発生した。Ｎｏ．２０のワイヤは
Ｓが下限値より低いため、溶滴が離脱し難くなって、ス
パッタ発生量が増加すると共に、ビード形状も悪化し
た。Ｎｏ．２１のワイヤはＳｉが下限値よりも低いた
め、ビード形状がやや凸になり、更に脱酸不足によりブ
ローホールが発生した。Ｎｏ．２２のワイヤはＳｉが上
限値よりも高いため、溶滴が離脱しづらくなり、スパッ
タが増加した。Ｎｏ．２３のワイヤはＭｎが下限値より
低いため、ビード形状が悪くなり、また脱酸能力不足の
ため、ブローホールが発生した。Ｎｏ．２４のワイヤは
Ｎ，Ｏがいずれも上限値より高いため、スパッタは少な
いもののブローホールが発生し、ビード形状も悪化し
た。Ｎｏ．２５のワイヤはＡｌが上限値より高いため、
スパッタが極めて多く発生した。Ｎｏ．２６のワイヤは
ワイヤ成分及びＸは本発明の範囲内であったが、ワイヤ
表面にメッキしているＣｕの量が下限値より低いため、
メッキされていない部分が多数生じ、接触電圧の抵抗差
によりパルス状の電流波形制御が不安定になり、アーク
不安定が生じた。また、その結果スパッタ量が増加し
た。このように、本発明の範囲外にあるワイヤは、スパ
ッタ発生量、ビード平坦性、アーク安定性及び溶接金属
の健全性を同時に満たすことはできないものである。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】

【表３】

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明により、ワ
イヤ成分及びＣｕメッキ量を適切にすれば、高周波のパ
ルスＭＡＧ溶接において、安定してパルスに同期した溶
滴移行を行わせることができ、スパッタ発生量が極めて
少なくなる。また、同時に、ビード止端のなじみが良好
で且つ平坦な断面形状を有するビードを得ることができ
るため、高い継手疲労強度を得ることができる。これに
より、本発明はこの種のパルスＭＡＧ溶接技術の進歩に
多大の貢献をなす。

【図面の簡単な説明】

【図１】ワイヤ成分の数式（１）のＸ値と、スパッタ発
生量及びビード形状ｔ／Ｗとの関係を示すグラフ図であ
る。

【図２】溶接継手のビード形状ｔ／Ｗと、疲労限度σと
の関係を示すグラフ図である。

【図３】スパッタ発生量の試験装置を示す模式図であ
る。

【図４】重ねすみ肉溶接から得られるビードの平坦率ｔ
／Ｗの定義を示す図である。

【図５】疲労試験に供した余盛付き平板溶接継手試験片
を示す図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ：捕集箱２：トーチ３：台４：母材５：溶接ワイヤ１０、１１：母材１３、１４：試験片１２、１５：ビード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平８−243749（ＪＰ，Ａ) 特開平８−99175（ＪＰ，Ａ) 特開平７−47473（ＪＰ，Ａ) 特開平５−329682（ＪＰ，Ａ) 特開平４−270072（ＪＰ，Ａ) 特開平４−147789（ＪＰ，Ａ) 特開平３−297569（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−159296（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−50992（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B23K 35/30 B23K 35/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃ：０．０４乃至０．１５重量％、Ｓ
ｉ：０．２０乃至０．５０重量％、Ｍｎ：０．９０乃至
１．７０重量％、Ｐ：０．０３重量％以下、Ｓ：０．０
０５乃至０．０３０重量％、Ｔｉ：０．０５０重量％を
超え０．１００重量％以下、Ａｌ：０．０２重量％以
下、Ｎ：０．０１５重量％以下、Ｏ：０．０１５重量％
以下を、下記数式で表されるＸの値が０．１７乃至０．
４５を満足するように含有し、残部が鉄及び不可避的不
純物である組成を有し、表面に０．１０重量％以上のＣ
ｕメッキが施されていることを特徴とするパルスＭＡＧ
溶接用ソリッドワイヤ。Ｘ＝０．０１×[Ｍｎ]／[Ｓｉ]＋５×[Ｔｉ]−[Ｃ]−
０．５×[Ｓ]−２×[Ｏ] 但し、[Ｍｎ]、[Ｓｉ]、[Ｔｉ]、[Ｃ]、[Ｓ]、[Ｏ]は、
夫々Ｍｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ，Ｓ，Ｏの含有量（重量％）