JP2800083B2 - 圧力トランスデューサ組立体およびその製造方法 - Google Patents
圧力トランスデューサ組立体およびその製造方法Info
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- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
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- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全体として半導体圧力
感知装置に関するものであり、更に詳しくいえば、１つ
が導電性であるような、予め成型された弾性シールを用
いる低コストのハウジング内に装着された圧電抵抗応力
感知素子を用いるそのよな半導体圧力感知装置に関する
ものである。
感知装置に関するものであり、更に詳しくいえば、１つ
が導電性であるような、予め成型された弾性シールを用
いる低コストのハウジング内に装着された圧電抵抗応力
感知素子を用いるそのよな半導体圧力感知装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】圧電抵抗応力感知素子が流体圧を感知す
るようにさせられるように、圧電抵抗応力感知素子をパ
ッケージすることが良く知られている。流体圧を示す出
力を得るために、そのような応力感知素子を少なくとも
２つの面で他の構造とインターフェイスせねばならな
い。それは圧電抵抗応力感知素子の出力に大きな影響を
及ぼすことがある。とくに、その圧電抵抗応力感知素子
を機械的に支持せねばならず、流体圧が圧電抵抗応力感
知素子の種々の部分（典型的には向き合う側）の間に力
の差を生ずることを可能にするために、圧電抵抗応力感
知素子と支持構造体の間に流体密な継ぎ手を設けねばな
らない。
るようにさせられるように、圧電抵抗応力感知素子をパ
ッケージすることが良く知られている。流体圧を示す出
力を得るために、そのような応力感知素子を少なくとも
２つの面で他の構造とインターフェイスせねばならな
い。それは圧電抵抗応力感知素子の出力に大きな影響を
及ぼすことがある。とくに、その圧電抵抗応力感知素子
を機械的に支持せねばならず、流体圧が圧電抵抗応力感
知素子の種々の部分（典型的には向き合う側）の間に力
の差を生ずることを可能にするために、圧電抵抗応力感
知素子と支持構造体の間に流体密な継ぎ手を設けねばな
らない。
【０００３】そのような圧力トランスデューサの例が米
国特許第４，６５６，４５４号明細書に開示されてい
る。この米国特許に開示されているトランスデューサは
応力感知ダイアフラムを囲む３部分ハウジングと２つの
弾性シールを示す。そのダイアフラムは２つの弾性シー
ルの間で圧縮され、トランスデューサのいずれかの端部
におけるポートにより、ハウジング内への圧力を測定で
きるようにする。ダイアフラム上の圧電抵抗が圧力変化
を検出するために用いられる。ダイアフラムの導電性領
域への電気的ジャンパにより、ダイアフラムに対して電
気的接続が行われる。それらの電気的ジャンパは、ハウ
ジングの外部へ電流を伝える電気的手段へ溶接もされ
る。電気的接続が行われた後でハウジングの３つの部分
が一緒に溶接される。
国特許第４，６５６，４５４号明細書に開示されてい
る。この米国特許に開示されているトランスデューサは
応力感知ダイアフラムを囲む３部分ハウジングと２つの
弾性シールを示す。そのダイアフラムは２つの弾性シー
ルの間で圧縮され、トランスデューサのいずれかの端部
におけるポートにより、ハウジング内への圧力を測定で
きるようにする。ダイアフラム上の圧電抵抗が圧力変化
を検出するために用いられる。ダイアフラムの導電性領
域への電気的ジャンパにより、ダイアフラムに対して電
気的接続が行われる。それらの電気的ジャンパは、ハウ
ジングの外部へ電流を伝える電気的手段へ溶接もされ
る。電気的接続が行われた後でハウジングの３つの部分
が一緒に溶接される。
【０００４】本願発明者は、安いハウジングと、予め成
型された弾性シールを用いて独特の圧電抵抗圧力トラン
スデューサ設計を発明した。その設計はハウジングの部
分を一緒に電気的接続または超音波溶接を接合する必要
を無くすことにより、組立工程を簡単にするものであ
る。
型された弾性シールを用いて独特の圧電抵抗圧力トラン
スデューサ設計を発明した。その設計はハウジングの部
分を一緒に電気的接続または超音波溶接を接合する必要
を無くすことにより、組立工程を簡単にするものであ
る。
【０００５】
【発明の概要】本発明は予め成型された弾性シールを用
いる圧電抵抗圧力トランスデューサに関するものであ
る。このトランスデューサ組立体は、中央部分に圧電抵
抗装置を有する半導体材料製のダイアフラムと、圧電抵
抗装置からダイアフラムの周縁部へ延長する導電性領域
とを基本的に備える。少なくとも１つの圧力ポートを有
するハウジングの内部にダイアフラムが含まれる。ダイ
アフラムの両側の一対の向き合う内面がシールのための
シートを形成するように構成される。予め成型された弾
性シールは各シールとダイアフラムの隣接する側の間に
配置される。１つの弾性シールが導電性であって、ダイ
アフラムの周縁部から、シールのシートに配置されてい
る電気リードへ電流を導く。それらの電気リードは電流
をハウジングの外部へ導く。
いる圧電抵抗圧力トランスデューサに関するものであ
る。このトランスデューサ組立体は、中央部分に圧電抵
抗装置を有する半導体材料製のダイアフラムと、圧電抵
抗装置からダイアフラムの周縁部へ延長する導電性領域
とを基本的に備える。少なくとも１つの圧力ポートを有
するハウジングの内部にダイアフラムが含まれる。ダイ
アフラムの両側の一対の向き合う内面がシールのための
シートを形成するように構成される。予め成型された弾
性シールは各シールとダイアフラムの隣接する側の間に
配置される。１つの弾性シールが導電性であって、ダイ
アフラムの周縁部から、シールのシートに配置されてい
る電気リードへ電流を導く。それらの電気リードは電流
をハウジングの外部へ導く。
【０００６】ハウジングは、シールのためのシートとし
て作用し、かつ組立てられた時にシールとダイアフラム
を一緒に圧縮する向き合う内面を有する２つの部分を備
えることができる。ハウジングの第１の部分には、シー
ルとダイアフラムを納めて、整列させる内部空所が形成
される。第２の部分には第１の部分の内部空所の中に挿
入されて、ち密名シールを形成するように２つの弾性シ
ールとダイアフラムを一緒に圧縮する突出ボスが形成さ
れる。突出ボスにより、組立中に２つの部分を適正に整
列でき、ハウジングの２つの部分にはそれらの部分を組
立中にスナップ操作で一緒に固定できるようにする取付
け機構を設けることができる。
て作用し、かつ組立てられた時にシールとダイアフラム
を一緒に圧縮する向き合う内面を有する２つの部分を備
えることができる。ハウジングの第１の部分には、シー
ルとダイアフラムを納めて、整列させる内部空所が形成
される。第２の部分には第１の部分の内部空所の中に挿
入されて、ち密名シールを形成するように２つの弾性シ
ールとダイアフラムを一緒に圧縮する突出ボスが形成さ
れる。突出ボスにより、組立中に２つの部分を適正に整
列でき、ハウジングの２つの部分にはそれらの部分を組
立中にスナップ操作で一緒に固定できるようにする取付
け機構を設けることができる。
【０００７】本発明の方法は、中央部分に圧電抵抗応力
感知装置が形成され、周縁部へ導電性領域が延長してい
る半導体材料製のダイアフラムを製造する工程と、少な
くとも１つの圧力ポートを有する２部分ハウジングを形
成する工程とを基本的に有する。２部分ハウジングに
は、ダイアフラムと２つの弾性シールを位置させる内部
空所を有する第１の部分と、空所を囲む第２の部分とが
形成される。この方法に従って、内部空所内でダイアフ
ラムの両側に予め成型された弾性シールが位置させられ
る。導電性である１つの弾性シールの導電性領域がダイ
アフラムの周縁部の導電性領域と電気リードへ接触する
ように、その弾性シールがダイアフラムと電気リードの
間に位置させられる。２つの弾性シールに圧力を加え
て、ダイアフラムをち密封止するように、ハウジングの
２つの部分は一緒に固着される。
感知装置が形成され、周縁部へ導電性領域が延長してい
る半導体材料製のダイアフラムを製造する工程と、少な
くとも１つの圧力ポートを有する２部分ハウジングを形
成する工程とを基本的に有する。２部分ハウジングに
は、ダイアフラムと２つの弾性シールを位置させる内部
空所を有する第１の部分と、空所を囲む第２の部分とが
形成される。この方法に従って、内部空所内でダイアフ
ラムの両側に予め成型された弾性シールが位置させられ
る。導電性である１つの弾性シールの導電性領域がダイ
アフラムの周縁部の導電性領域と電気リードへ接触する
ように、その弾性シールがダイアフラムと電気リードの
間に位置させられる。２つの弾性シールに圧力を加え
て、ダイアフラムをち密封止するように、ハウジングの
２つの部分は一緒に固着される。
【０００８】
【実施例】図１と図２において、参照番号１０は、流体
のゲージ圧を検出するための本発明の圧電抵抗トランス
デューサを全体として示す。図１と図２に示すように、
トランスデューサ１０は、第１の部分１２と第２の部分
２０を有するハウジングを含む。第１の部分１２には、
空所１４が第１の部分を部分的に通って形成される。空
所１４の横断面面積より小さい横断面面積を有する圧力
ポート１７が第１の部分１２の外面で始まって空所１４
の中に延長する。第１の部分１２は電気リードも含まれ
る。そのリードの外端部と内端部を参照番号１８ａと１
８ｂによりそれぞれ識別できる。リードは第１の部分１
２から空所１４の中に延長する。参照番号１６は第１の
部分１２の外側に設けられるラグを示す。それらのラグ
は、トランスデューサの組立中に第１の部分と第２の部
分を一緒にスナップ連結するために用いられる。このス
ナップ連結については後で詳しく説明する。
のゲージ圧を検出するための本発明の圧電抵抗トランス
デューサを全体として示す。図１と図２に示すように、
トランスデューサ１０は、第１の部分１２と第２の部分
２０を有するハウジングを含む。第１の部分１２には、
空所１４が第１の部分を部分的に通って形成される。空
所１４の横断面面積より小さい横断面面積を有する圧力
ポート１７が第１の部分１２の外面で始まって空所１４
の中に延長する。第１の部分１２は電気リードも含まれ
る。そのリードの外端部と内端部を参照番号１８ａと１
８ｂによりそれぞれ識別できる。リードは第１の部分１
２から空所１４の中に延長する。参照番号１６は第１の
部分１２の外側に設けられるラグを示す。それらのラグ
は、トランスデューサの組立中に第１の部分と第２の部
分を一緒にスナップ連結するために用いられる。このス
ナップ連結については後で詳しく説明する。
【０００９】第１の部分２０は、端部から端部へ通る圧
力ポート２４を有する成型されたボデーとして構成され
る。測定すべき圧力を伝える管部分へきっちりはめ込む
ために管状連結器２２が形成される。このトランスデュ
ーサの別の構成においては、管状連結器を第２の部分で
はなくて第１の部分に、または両方の部分に形成でき
る。突出するボスを第１の部分１２の空所１４の中には
め込むようにそのボスの寸法が定められる。第１の部分
と第２の部分を一緒にスナップ式に固定するためにベイ
ル２６が用いられる。このスナップ式固定機能について
は後で詳しく説明する。
力ポート２４を有する成型されたボデーとして構成され
る。測定すべき圧力を伝える管部分へきっちりはめ込む
ために管状連結器２２が形成される。このトランスデュ
ーサの別の構成においては、管状連結器を第２の部分で
はなくて第１の部分に、または両方の部分に形成でき
る。突出するボスを第１の部分１２の空所１４の中には
め込むようにそのボスの寸法が定められる。第１の部分
と第２の部分を一緒にスナップ式に固定するためにベイ
ル２６が用いられる。このスナップ式固定機能について
は後で詳しく説明する。
【００１０】空所１４内で第１の圧力ポート１７を囲む
表面が弾性シールのためのシートとして構成される。第
１の弾性シール３０が空所１４の内部にはめ込まれ、か
つその弾性シールの上に位置させられるように構成され
る。突出ボス２８において第２の圧力ポート２４を囲む
表面も弾性シールのためのシートとして構成される。第
２の弾性シール３２が空所１４の内部にはめ込まれ、か
つその弾性シールの上に位置させられるように構成され
る。各弾性シールには、弾性シールをトランスデューサ
１０の２つのポートの間で圧縮されて、ち密封止を行う
ようにする向き合う側が形成される。
表面が弾性シールのためのシートとして構成される。第
１の弾性シール３０が空所１４の内部にはめ込まれ、か
つその弾性シールの上に位置させられるように構成され
る。突出ボス２８において第２の圧力ポート２４を囲む
表面も弾性シールのためのシートとして構成される。第
２の弾性シール３２が空所１４の内部にはめ込まれ、か
つその弾性シールの上に位置させられるように構成され
る。各弾性シールには、弾性シールをトランスデューサ
１０の２つのポートの間で圧縮されて、ち密封止を行う
ようにする向き合う側が形成される。
【００１１】第１の弾性シール３０はそれの向き合う側
の間で電流を導くようにされる。図３（同図（ａ）は平
面図であり、同図（ｂ）は側面図である）に示すよう
に、第１の弾性シール３０において参照番号３１で示さ
れている領域は電流を導くように構成される。この導電
性領域３１はシリコンゴムの層と、銀を含浸されたシリ
コンゴムの層との繰り返えされる層を表す。シリコンゴ
ムの非導電層は銀を含浸されたシリコンゴムの層に対す
る絶縁体として作用するから、電流は第１の弾性シール
３０の向き合う側の間だけを流れる。シリコンゴムの層
と、銀の含浸されたシリコンゴムの層との交番が標準銀
スタックス（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓｉｌｖｅｒ Ｓｔａ
ｘ）として知られており、この材料はエラストメリック
・テクノロジー社（Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｉｃ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．）により製造されている。
の間で電流を導くようにされる。図３（同図（ａ）は平
面図であり、同図（ｂ）は側面図である）に示すよう
に、第１の弾性シール３０において参照番号３１で示さ
れている領域は電流を導くように構成される。この導電
性領域３１はシリコンゴムの層と、銀を含浸されたシリ
コンゴムの層との繰り返えされる層を表す。シリコンゴ
ムの非導電層は銀を含浸されたシリコンゴムの層に対す
る絶縁体として作用するから、電流は第１の弾性シール
３０の向き合う側の間だけを流れる。シリコンゴムの層
と、銀の含浸されたシリコンゴムの層との交番が標準銀
スタックス（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓｉｌｖｅｒ Ｓｔａ
ｘ）として知られており、この材料はエラストメリック
・テクノロジー社（Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｉｃ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．）により製造されている。
【００１２】図４に示すように、参照番号３４はシリコ
ンのような半導体物質の正方形チップを示す。図４にお
いて同図（ａ）は該チップの平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）は該チップの底面
図である。このチップは中央ダイアフラム４２を形成す
るための薄い正方形部分を有する。この中央ダイアフラ
ムは厚くされた部分４０により囲まれる。圧電抵抗部と
導電性領域を構成するためにチップ３４がドープされ
る。その圧電抵抗は半径方向の歪と横方向の歪みを感知
する応力感知素子を形成する。圧電抵抗部はホイートス
トンブリッジ構成にされる。図４でハッチングを施され
ている部分はチップ１４の上面のドープされたパターン
を表す。外部回路との通信は、表面の場所８８まで延長
された導電性領域により行われる。トランスデューサ１
０が組立てられた時に、その導電性領域３８は第１の弾
性シールの導電性領域３１に接触する。
ンのような半導体物質の正方形チップを示す。図４にお
いて同図（ａ）は該チップの平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）は該チップの底面
図である。このチップは中央ダイアフラム４２を形成す
るための薄い正方形部分を有する。この中央ダイアフラ
ムは厚くされた部分４０により囲まれる。圧電抵抗部と
導電性領域を構成するためにチップ３４がドープされ
る。その圧電抵抗は半径方向の歪と横方向の歪みを感知
する応力感知素子を形成する。圧電抵抗部はホイートス
トンブリッジ構成にされる。図４でハッチングを施され
ている部分はチップ１４の上面のドープされたパターン
を表す。外部回路との通信は、表面の場所８８まで延長
された導電性領域により行われる。トランスデューサ１
０が組立てられた時に、その導電性領域３８は第１の弾
性シールの導電性領域３１に接触する。
【００１３】第１の部分１２を示す図５を参照すると、
電気リード１８ａ，１８ｂが第１の部分１２から空所１
４の内部へ延長する。なお、同図（ａ）は第１の部分の
平面図、同図（ｂ）はその側面図である。第１の部分は
電気リードの周囲に成型される。電気リード１８ｂは、
第１の弾性シール３０のためのシートとして先に述べた
表面における空所１４の隅で終端する。電気リード１８
ａは外部の測定器に接触する。
電気リード１８ａ，１８ｂが第１の部分１２から空所１
４の内部へ延長する。なお、同図（ａ）は第１の部分の
平面図、同図（ｂ）はその側面図である。第１の部分は
電気リードの周囲に成型される。電気リード１８ｂは、
第１の弾性シール３０のためのシートとして先に述べた
表面における空所１４の隅で終端する。電気リード１８
ａは外部の測定器に接触する。
【００１４】組立工程においては、第１の弾性シール３
０の導電性領域３８が電気リード１８ｂに接触するよう
にして、第１の弾性シール３０が空所１４の内部に置か
れる。それから、導電性領域３８が第１の弾性シール３
０の導電性領域３１に接触するように、チップ３４が空
所１４の内部に置かれる。次に、第２の弾性シール３２
の向き合う側の１つが、チップ３４の側のうち第１のシ
ール１０とは反対である側に接触するように、第２の弾
性シール３２が空所１４の内部に位置させられる。最後
に、第２の部分の突出ボス２８が第１の部分１２の空所
の内部に挿入されて、第２の弾性シール３２に接触す
る。そのボスは組立時に第１の部分１２と第２の部分２
０を整列させる。それから第１の部分と第２の部分を一
緒に取付け、ボス２８が２つのシールとチップに加える
圧縮歪がダイアフラム４２をち密封止する。
０の導電性領域３８が電気リード１８ｂに接触するよう
にして、第１の弾性シール３０が空所１４の内部に置か
れる。それから、導電性領域３８が第１の弾性シール３
０の導電性領域３１に接触するように、チップ３４が空
所１４の内部に置かれる。次に、第２の弾性シール３２
の向き合う側の１つが、チップ３４の側のうち第１のシ
ール１０とは反対である側に接触するように、第２の弾
性シール３２が空所１４の内部に位置させられる。最後
に、第２の部分の突出ボス２８が第１の部分１２の空所
の内部に挿入されて、第２の弾性シール３２に接触す
る。そのボスは組立時に第１の部分１２と第２の部分２
０を整列させる。それから第１の部分と第２の部分を一
緒に取付け、ボス２８が２つのシールとチップに加える
圧縮歪がダイアフラム４２をち密封止する。
【００１５】トランスデューサ１０を組立てると第１の
部分と第２の部分を一緒にスナップ式に固定する。ベイ
ル２６がラグ１６の上を滑って所定位置にスナップ式に
固定する。このスナップ固定機能により第１の部分と第
２の部分を一緒に固定し、突出ボス２８が十分な圧力を
２つの弾性シールとチップに加えるようにして、空所１
４をち密封止する。このスナップ式固定機能によりトラ
ンスデューサ１０の組立と分解が容易にされる。
部分と第２の部分を一緒にスナップ式に固定する。ベイ
ル２６がラグ１６の上を滑って所定位置にスナップ式に
固定する。このスナップ固定機能により第１の部分と第
２の部分を一緒に固定し、突出ボス２８が十分な圧力を
２つの弾性シールとチップに加えるようにして、空所１
４をち密封止する。このスナップ式固定機能によりトラ
ンスデューサ１０の組立と分解が容易にされる。
【００１６】トランスデューサ１０へ加えられる圧力を
正確に表す電気出力信号を得るためには、弾性シール３
０と３２によりチップ３４へ予め加えられている応力を
一定のままにすることが重要である。ハウジング部分１
２と２０は、トランスデューサのチップに変化しない一
緒の応力を予め加える、後で述べるいくつかの特徴を含
む。
正確に表す電気出力信号を得るためには、弾性シール３
０と３２によりチップ３４へ予め加えられている応力を
一定のままにすることが重要である。ハウジング部分１
２と２０は、トランスデューサのチップに変化しない一
緒の応力を予め加える、後で述べるいくつかの特徴を含
む。
【００１７】予め加えられる応力の大きさは組立てられ
たハウジングのシート５０と５１の間の距離と、弾性シ
ール３０と３２およびダイアフラム３４の厚さとにより
決定される。弾性シールとダイアフラムの寸法は小さ
く、小さい許容誤差に保つことが容易である。設計され
ると、空所１４の寸法とボス２８の寸法は小さく、小さ
い許容誤差に保つことが容易である。シート５０と５１
の間の距離はハウジングの部分１２と２０のそれぞれの
ストップ面５２，５３により決定される。小さい許容誤
差を保つことを容易にするために、それらのストップ面
も比較的小さく設計される。したがって、残りの主な要
求は、組立後はストップ面５２と５３が強く接触して、
相対的に動くことができないように、２つのハウジング
部分を保持することである。この機能はラグとベイルの
機構により下記のようにして行われる。
たハウジングのシート５０と５１の間の距離と、弾性シ
ール３０と３２およびダイアフラム３４の厚さとにより
決定される。弾性シールとダイアフラムの寸法は小さ
く、小さい許容誤差に保つことが容易である。設計され
ると、空所１４の寸法とボス２８の寸法は小さく、小さ
い許容誤差に保つことが容易である。シート５０と５１
の間の距離はハウジングの部分１２と２０のそれぞれの
ストップ面５２，５３により決定される。小さい許容誤
差を保つことを容易にするために、それらのストップ面
も比較的小さく設計される。したがって、残りの主な要
求は、組立後はストップ面５２と５３が強く接触して、
相対的に動くことができないように、２つのハウジング
部分を保持することである。この機能はラグとベイルの
機構により下記のようにして行われる。
【００１８】ベイル２６はハウジング部分２０の残りの
部分へハウジング部分のうち、横断面５５が比較的小さ
い水平部分を介して連結される。これにより、ハウジン
グ部分の組立後は、たわみ性が限られ、ベイル２６の連
結部２６ａをラグ１６の水平面に対して上方へ押す。組
立中は、ベイルへハウジングの横断面５５の外側から下
向きの力を加えることにより、ハウジング部分２０がハ
ウジング部分１２へ押しつけられる。これにより、ハウ
ジング部分が一緒に押しつけられて、ベイルの連結部２
６ａがラグ１６の上にスナップ式に固定されるにつれ
て、その横断面は僅かに曲げられる。組立圧が除去され
ると、横断面５５の弾力がストップ面５２と５３をハウ
ジング部分に強く接触した状態に保持する。
部分へハウジング部分のうち、横断面５５が比較的小さ
い水平部分を介して連結される。これにより、ハウジン
グ部分の組立後は、たわみ性が限られ、ベイル２６の連
結部２６ａをラグ１６の水平面に対して上方へ押す。組
立中は、ベイルへハウジングの横断面５５の外側から下
向きの力を加えることにより、ハウジング部分２０がハ
ウジング部分１２へ押しつけられる。これにより、ハウ
ジング部分が一緒に押しつけられて、ベイルの連結部２
６ａがラグ１６の上にスナップ式に固定されるにつれ
て、その横断面は僅かに曲げられる。組立圧が除去され
ると、横断面５５の弾力がストップ面５２と５３をハウ
ジング部分に強く接触した状態に保持する。
【００１９】図６は絶対圧検出に使用するために必要な
変更を示す。図６に示されている部分のうち、図１と図
２にも示されている部分と同じ部分を、図１と図２でそ
れらの部分を表すために用いている参照番号に二重ダッ
シュ記号を付して表すことにする。 図６に示す実施例
と図１，図２に示す実施例との主な相違は、チップ３
４″のダイアフラム４３″に向き合う側へシリコンまた
はガラス製の板４６が接合され、チップの周縁部内のス
ペースを排気して真空にすることである。残りの唯一の
違いは部品，寸法，筈４６の厚さを受けるための間隔の
少なくとも１つの小さい変更を含む。
変更を示す。図６に示されている部分のうち、図１と図
２にも示されている部分と同じ部分を、図１と図２でそ
れらの部分を表すために用いている参照番号に二重ダッ
シュ記号を付して表すことにする。 図６に示す実施例
と図１，図２に示す実施例との主な相違は、チップ３
４″のダイアフラム４３″に向き合う側へシリコンまた
はガラス製の板４６が接合され、チップの周縁部内のス
ペースを排気して真空にすることである。残りの唯一の
違いは部品，寸法，筈４６の厚さを受けるための間隔の
少なくとも１つの小さい変更を含む。
【図１】本発明の圧電抵抗トランスデューサの分解斜視
図である。
図である。
【図２】図１に示すトランスデューサを組立た状態での
横断面図である。
横断面図である。
【図３】第１の弾性シールとくにそれの導電性領域の説
明図である。
明図である。
【図４】上面上の導電性領域をとくに示す半導体ダイア
フラムの説明図である。
フラムの説明図である。
【図５】とくに電気リードの経路を示すトランスデュー
サの第１の部分の説明図である。
サの第１の部分の説明図である。
【図６】トランスデューサの別の実施例の部分断面図で
ある。
ある。
１０ 圧電抵抗トランスデューサ １２ ハウジングの第１の部分 １４ 空所 １６ ラグ １７，２４ 圧力ポート １８ 電気リード ２０ ハウジングの第２の部分 ２２ 管状連結部 ２６ ベイル ２８ ボス ３０，３２ 弾性シール ３８ 導電性領域 ４２ ダイアフラム ５０，５１ シート ５２，５３ ストップ面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 G01L 9/04 101
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体材料製のダイアフラムであって、
応力感知装置が上に形成されている中央部分と、その応
力感知装置から前記ダイアフラムの周縁部まで延長する
導電性領域とを有する前記ダイアフラムと、 このダイアフラムを含み、前記ダイアフラムに通じる少
なくとも１つの圧力ポートと、ダイアフラムの向き合う
側でシールするための第１のシートおよび第２のシート
を形成するために構成された第１と第２の対向する内面
とを有するハウジングと、 ハウジングの内部から外部へ延長し、第１のシートの近
くに位置させられる電気リードと、 前記ダイアフラムと前記第１のシートの間、および前記
ダイアフラムと前記第２のシートの間にそれぞれに設け
られ、前記ダイアフラムの中央部分を囲む場所におい
て、前記ハウジングの内面の別々の１つにおけるシート
から前記ダイアフラムの表面まで延長するための構成で
おのおの成型された第１の弾性シールおよび第２の弾性
シールと、 を備え、前記ハウジングと前記ダイアフラムの向き合う
側の間にち密なシールを形成するように、前記ハウジン
グは第１のシールと第２のシールおよび前記ダイアフラ
ムを第１のシートと第２のシートの間に保持するように
され、前記ダイアフラムの導電性領域から電気リードへ
電流を流すように、前記第１の弾性シールは導電性であ
ることを特徴とする圧力トランスデューサ組立体。 - 【請求項２】 第１のハウジング部分と第２のハウジン
グ部分および少なくとも１つの圧力ポートを有する２部
分構成ハウジングと、 第１のハウジング部分の内部からハウジングの外部へ電
流を導く電気リードと、 互いに向き合う第１の側と第２の側を有する第１の弾性
シールと、 向き合う第１の側および第２の側を有する半導体材料製
のダイアフラムであって、応力感知装置が上に形成され
ている中央部分と、その応力感知装置から前記ダイアフ
ラムの周縁部まで延長する導電性領域とを有する前記ダ
イアフラムと、 互いに向き合う第１の側と第２の側を有する第２の弾性
シールと、 を備え、前記第１のハウジング部分には空所が形成さ
れ、前記第１のハウジング部分と前記第２のハウジング
部分が前記ハウジングとして組立てられた時に、空所を
ふさぐ向き合う表面が前記第２のハウジング部分に形成
され、前記ハウジングは空所に通じる少なくとも１つの
圧力ポートを有し、 前記第１の弾性シールの向き合う第１の側と第２の側の
間で前記第１の弾性シールは電流を導くようにされ、前
記第１の弾性シールは、第１の向き合う側が圧力ポート
を囲んでいる前記ハウジングとシールされた関係で空所
内に配置され、前記第１の向き合う側は電気リードに接
触し、 第１の側が第１の弾性シールの第２の向き合う側に接触
するように、前記導電性領域は第１のハウジング部分の
空所内に位置させられ、 前記第２の弾性シールの第１の向き合う側が前記ダイア
フラムの第２の側に接触するように第１の向き合う側と
第２の向き合う側が空所内に位置させられる第２の弾性
シールが第２のハウジング部分とシールされた関係にあ
ることを特徴とする圧力トランスデューサ組立体。 - 【請求項３】 空所が形成されている第１のハウジング
部分であって、空所の壁から前記ハウジング部分の外部
まで電流を導くために電気リードを設けられている前記
第１のハウジング部分を設ける工程と、 向き合う側を有し、それらの向き合う側の間で電流を導
くようにされ、前記第１のハウジング部分の空所内部で
電気リードに接触した状態で第１の弾性シールを位置さ
せる工程と、導 電性領域が第１の弾性シールの１つの向き合う側に接
触するように、応力感知装置を第１の弾性シールに近接
して前記空所内に位置させる工程と、 向き合う側を有する第２の弾性シールを応力感知装置に
近接して空所内に位置させる工程と、 空所を閉じて、第２の弾性シールの側のうち前記応力感
知装置に向き合う側に接触する表面が形成されている第
２のハウジング部分を設ける工程と、 空所内で、第１の弾性シールと第２の弾性シールおよび
応力感知装置の間にち密なシールが形成するように第１
のハウジング部分と第２のハウジング部分を一緒に固定
する工程と、 を備え、前記応力感知装置は、互いに向き合う第１の側
および第２の側と、上に応力感知素子が形成される中央
ダイアフラム部分と、第１の側に形成されて、応力感知
素子から前記応力感知装置の周縁部まで延長する前記導
電性領域とを有し、 前記第２の弾性シールは向き合う側を有し、それらの側
のうちの１つが応力感知装置の第２の側に接触すること
を特徴とする圧力トランスデューサ組立体を製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64656891A | 1991-01-28 | 1991-01-28 | |
| US646568 | 1991-01-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621482A JPH0621482A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2800083B2 true JP2800083B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=24593555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4029105A Expired - Lifetime JP2800083B2 (ja) | 1991-01-28 | 1992-01-21 | 圧力トランスデューサ組立体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0497534B1 (ja) |
| JP (1) | JP2800083B2 (ja) |
| CA (1) | CA2058916C (ja) |
| DE (1) | DE69212507T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3394835B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2003-04-07 | 株式会社キャットアイ | 部品取付装置 |
| DE19626081A1 (de) | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Halbleiter-Bauelement |
| DE19703206C2 (de) | 1997-01-29 | 2002-01-24 | Infineon Technologies Ag | Drucksensor-Bauteil mit Schlauchanschluß |
| DE19707503B4 (de) | 1997-02-25 | 2007-01-04 | Infineon Technologies Ag | Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| DE19844461A1 (de) * | 1998-09-28 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Hanhabungs- und Montageschutz |
| DE19909069C2 (de) * | 1999-03-02 | 2001-08-30 | Hahn Schickard Ges | Mikroventilanordnung |
| DE29903716U1 (de) * | 1999-03-02 | 1999-06-02 | Hahn Schickard Ges | Mikroventilanordnung |
| DE20115733U1 (de) | 2001-09-25 | 2001-12-20 | Festo Ag & Co | Ventileinrichtung |
| DE102004032984A1 (de) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Bauraumoptimierte Sensoranbindung |
| JP5010395B2 (ja) | 2007-08-24 | 2012-08-29 | パナソニック株式会社 | 圧力センサ |
| DE102015219070A1 (de) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines fluiden Mediums |
| JP6756245B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2020-09-16 | 日本電産トーソク株式会社 | 油圧センサ取付構造 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426406A (en) * | 1981-02-11 | 1984-01-17 | Brooks Mark A | Method of fabricating a pressure sensor |
| JPS597234A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 圧力センサ |
| US4505157A (en) * | 1983-08-05 | 1985-03-19 | Transamerica Delaval Inc. | Transducers with quick dome connect systems |
| FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
| ATE35321T1 (de) * | 1985-01-28 | 1988-07-15 | Kristal Instr Ag | Messwandlereinsatz, verfahren zu seiner herstellung und verwendung fuer einen aufnehmer zur messung mechanischer groessen. |
| US4656454A (en) * | 1985-04-24 | 1987-04-07 | Honeywell Inc. | Piezoresistive pressure transducer with elastomeric seals |
| JPS62235536A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-10-15 | Aisin Seiki Co Ltd | 圧力センサ |
| JPS62174249U (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-05 | ||
| US4823603A (en) * | 1988-05-03 | 1989-04-25 | Vacuum General, Inc. | Capacitance manometer having stress relief for fixed electrode |
-
1992
- 1992-01-07 CA CA 2058916 patent/CA2058916C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-21 JP JP4029105A patent/JP2800083B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-27 DE DE1992612507 patent/DE69212507T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-27 EP EP19920300676 patent/EP0497534B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2058916C (en) | 2000-03-21 |
| CA2058916A1 (en) | 1992-07-29 |
| DE69212507D1 (de) | 1996-09-05 |
| DE69212507T2 (de) | 1997-02-06 |
| EP0497534B1 (en) | 1996-07-31 |
| EP0497534A3 (en) | 1993-08-18 |
| JPH0621482A (ja) | 1994-01-28 |
| EP0497534A2 (en) | 1992-08-05 |
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Legal Events
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