JP2798861B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JP2798861B2
JP2798861B2 JP31675092A JP31675092A JP2798861B2 JP 2798861 B2 JP2798861 B2 JP 2798861B2 JP 31675092 A JP31675092 A JP 31675092A JP 31675092 A JP31675092 A JP 31675092A JP 2798861 B2 JP2798861 B2 JP 2798861B2
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秀史 西塔
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路装置に関
し、詳細には、シリコンゲル充填型の混成集積回路装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit device, and more particularly, to a silicon gel-filled hybrid integrated circuit device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の混成集積回路装置は、図8に示す
ように、略箱形状のケース材(60)、外部リード(8
0)、集積回路素子(82)等を固着、搭載する第1の
絶縁金属基板(70)、主として、絶縁性向上のために
使用される第2の絶縁金属基板(90)から構成され
る。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 8, a conventional hybrid integrated circuit device has a substantially box-shaped case material (60) and external leads (8).
0), a first insulating metal substrate (70) on which the integrated circuit element (82) and the like are fixed and mounted, and a second insulating metal substrate (90) mainly used for improving insulation.

【0003】ケース材(60)は第1の絶縁金属基板
(70)の周辺部に当接する壁体(62)を備える。外
部リードが導出される方向に形成される壁体(62)の
1つには、図10に示すように、シリコンゲル導入孔
(64)が形成される。また、通常、ケース材(60)
の長手方向端部に段部が形成され、この段部に、混成集
積回路装置を図示しない放熱板に結合するネジのための
孔が形成される。このケース材(60)は、例えばファ
イバグラス・レインホースPET(FRPET)を射出
成形して得られる。
[0003] The case material (60) has a wall (62) which comes into contact with the peripheral portion of the first insulating metal substrate (70). As shown in FIG. 10, a silicon gel introduction hole (64) is formed in one of the walls (62) formed in the direction in which the external lead is led out. Also, usually, the case material (60)
A step is formed at an end in the longitudinal direction, and a hole for a screw for connecting the hybrid integrated circuit device to a heat sink (not shown) is formed in the step. This case material (60) is obtained by injection molding, for example, fiberglass rain hose PET (FRPET).

【0004】第1および第2の絶縁金属基板(70)
(90)には放熱特性および加工性を考慮して略2mm
厚のアルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにそ
の表面が陽極酸化処理される。第1の絶縁金属基板(7
0)は矩形であり、混成集積回路装置が略完成した時点
で、数単位乃至十数単位の混成集積回路装置基板から単
位混成集積回路装置のサイズに分割プレスされる。ま
た、第2の絶縁金属基板(90)はケース材(60)と
略同一の平面形状であり、これを第1の絶縁金属基板
(70)に接着する接着層(92)が図示しない放熱板
と第1の絶縁金属基板(70)間の絶縁に寄与する。
First and second insulated metal substrates (70)
(90) is approximately 2 mm in consideration of heat radiation characteristics and workability.
Thick aluminum is used and its surface is anodized to improve insulation. First insulating metal substrate (7
0) is a rectangle, and when the hybrid integrated circuit device is substantially completed, the hybrid integrated circuit device substrate is divided into several units and several tens of units, and is divided into unit hybrid integrated circuit device sizes and pressed. The second insulating metal substrate (90) has substantially the same planar shape as the case material (60), and an adhesive layer (92) for bonding the second insulating metal substrate (90) to the first insulating metal substrate (70) is provided with a heat sink (not shown). And the first insulating metal substrate (70).

【0005】外部リード用パッド(74)、ダイボンド
パット(76)、ワイアボンディングパッド(78)お
よび導電路(図示しない)は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略35μm厚の銅箔との
クラッド材を温度150℃〜170℃、1平方センチメ
ートル当り50〜100Kgの圧力で第1の絶縁金属基
板(70)にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略35μm厚の絶縁層(72)となる。
An external lead pad (74), a die bond pad (76), a wire bonding pad (78), and a conductive path (not shown) are made of a thermosetting insulating resin having an adhesive property such as a polyimide resin and having a thickness of about 35 μm. After the clad material with the copper foil is hot-pressed on the first insulating metal substrate (70) at a temperature of 150 ° C. to 170 ° C. and a pressure of 50 to 100 kg per square centimeter, the copper foil is subjected to a predetermined pattern by photo-etching or the like. Formed. The thermosetting insulating resin is completely cured in this hot pressing step to form an insulating layer (72) having a thickness of about 35 μm.

【0006】集積回路素子(82)等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子(82)は銀ペースト等により第1の絶縁金属基
板(70)のダイボンドパッド(76)に固着され、チ
ップコンデンサあるいはチップ抵抗、外部リード(8
0)等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子および部品は所定のパッド(74)(7
6)(78)上にスクリーン印刷したソルダーペースト
に一時的に付着させた後、リフローして完全固着され
る。この第1の絶縁金属基板(70)の周辺部は、エポ
キシ含浸ポリエステル不繊布を接着シートとして、ケー
ス材(60)の壁体(62)に加熱圧着(125℃、8
時間)され、搭載回路素子が封止される。
Chip components are used for semiconductor elements such as the integrated circuit element (82) and other circuit elements, and the integrated circuit element (82) is formed of a die bond pad (70) on a first insulating metal substrate (70) using silver paste or the like. 76), chip capacitors or chip resistors, external leads (8
The odd-shaped parts such as 0) are fixed to predetermined pads by soldering. These circuit elements and components are provided with predetermined pads (74) (7).
6) After temporarily attaching to the solder paste screen-printed on (78), it is completely fixed by reflow. The peripheral portion of the first insulated metal substrate (70) is heat-pressed (125 ° C., 8 ° C.) to the wall (62) of the case material (60) using an epoxy impregnated polyester nonwoven fabric as an adhesive sheet.
Time), and the mounted circuit element is sealed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は特に信頼性が
要求され、特殊なヒートサイクル試験が行われるシリコ
ンゲル充填型の混成集積回路装置に発生することがある
外部リード(80)のためのパッド(74)の剥離の原
因の解明の過程で成されたものである。即ち、発明者の
研究により、樹脂製のケース材(60)で封止した混成
集積回路装置をヒートサイクル試験すると、図8の矢印
で示すように、ケース材(60)の端部が上方に湾曲す
ることが知られた。また、熱硬化性樹脂(96)と第1
の絶縁金属基板(70)との固着が完全である場合には
この湾曲は僅少であることも知られた。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to an external lead (80) which may require reliability, and which may occur in silicon gel filled hybrid integrated circuit devices where special heat cycle tests are performed. This is made in the process of elucidating the cause of the separation of the pad (74). That is, according to the research of the inventor, when the hybrid integrated circuit device sealed with the resin case material (60) is subjected to the heat cycle test, as shown by the arrow in FIG. 8, the end of the case material (60) is directed upward. It was known to bend. In addition, the thermosetting resin (96) and the first
It is also known that this curvature is small when the bonding with the insulating metal substrate (70) is complete.

【0008】そして、外部リード(80)固着領域に充
填されるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂(96)とケー
ス材(60)との接着強度が極めて高いに対し、シリコ
ンゲル(94)と他の材料の接着強度が低いため、外部
リード(80)固着部にシリコンゲル(94)が付着す
る場合には、ケース材(60)の湾曲に応じて、熱硬化
性樹脂(96)および外部リード(80)が第1の絶縁
金属基板(70)から持ち上げられ、やがて、パッド
(74)の剥離に至ることが解明された。
The adhesive strength between the thermosetting resin (96) such as epoxy resin and the case material (60) filled in the area where the external leads (80) are fixed is extremely high, while the silicone gel (94) and other materials are used. When the silicon gel (94) adheres to the fixing portion of the external lead (80) due to the low adhesive strength of the material of the external lead (80), the thermosetting resin (96) and the external lead (80) was lifted from the first insulating metal substrate (70), and it was clarified that the pad (74) was eventually separated.

【0009】なお、外部リード(80)固着部にシリコ
ンゲル(94)が付着する理由は、従来の混成集積回路
装置では、ゾル状態のシリコンを外部リード(80)の
固着部から注入するため、注入パイプの外壁を濡らすシ
リコンゾルが外部リード(80)固着部に付着するため
である。また、注入するシリコンゾルの流動性が高いた
め、図8に示すように、外部リード(80)のための電
極パターンを浸透して、外部リード(80)固着部をシ
リコンゾルで濡らすためであり、さらにまた、シリコン
ゾルを高圧注入する場合に飛散するシリコンゾルが外部
リード(80)固着部に付着するためである。
The reason why the silicon gel (94) adheres to the fixing portion of the external lead (80) is that in the conventional hybrid integrated circuit device, silicon in a sol state is injected from the fixing portion of the external lead (80). This is because the silicon sol that wets the outer wall of the injection pipe adheres to the fixing portion of the external lead (80). In addition, since the silicon sol to be injected has high fluidity, as shown in FIG. 8, the electrode pattern for the external lead (80) penetrates, and the fixing portion of the external lead (80) is wetted with the silicon sol. This is because the silicon sol scattered when the silicon sol is injected at a high pressure adheres to the fixing portion of the external lead (80).

【0010】また、従来構造の混成集積回路装置では一
対の外部リードが相対する面から導出されるため、外部
リード固着部の補強のための熱硬化性樹脂の充填、硬化
を同時に行うことが不可能であり製造工程が煩雑である
問題を有する。本発明は上述した課題に鑑みて為された
もので、この発明の第1の目的は、過酷なヒートサイク
ルが加えられる場合にも、パッドの剥離を生じない高信
頼性のシリコンゲル充填型の混成集積回路装置を提供す
ることであり、第2の目的は外部リード固着部の補強の
ための熱硬化性樹脂の充填、硬化を同時に行うことが可
能な混成集積回路装置を提供することにある。
Further, in the hybrid integrated circuit device having the conventional structure, since a pair of external leads are led out from opposite surfaces, it is impossible to simultaneously fill and cure a thermosetting resin for reinforcing the external lead fixing portion. There is a problem that it is possible and the manufacturing process is complicated. The present invention has been made in view of the above-described problems, and a first object of the present invention is to provide a highly reliable silicon gel-filled type which does not cause pad peeling even when a severe heat cycle is applied. A second object is to provide a hybrid integrated circuit device capable of simultaneously filling and curing a thermosetting resin for reinforcing an external lead fixing portion. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の
集積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集
積回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子
固着領域とを分割する壁体を少なくとも備える略枠体の
樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間内に順次積層
されたシリコンゲルおよび第1の熱硬化性樹脂と、外部
リード端子導出辺の空間に充填される第2の熱硬化性樹
脂とを具備し、壁体内の側面にコーナ部で離間配置され
前記シリコンゲルのはい上りを防止する突出部を設け、
コーナ部の離間領域に空間を形成し、且つ、コーナ部の
シリコンゲルのはい上りを防止するストッパをコーナ部
に設けたことを特徴としている。
Means for Solving the Problems The above-mentioned problems are solved,
In order to achieve the object, a hybrid integrated circuit device according to the present invention includes an integrated circuit board having a plurality of integrated circuit elements and external lead terminals fixed and mounted on a circuit pattern formed on an insulated metal substrate, and an integrated circuit element mounting area. A substantially frame-shaped resin case material having at least a wall for dividing an external lead terminal fixing region, a silicon gel and a first thermosetting resin sequentially laminated in an integrated circuit element mounting space, and an external lead. A second thermosetting resin to be filled in the space of the terminal lead-out side, and a protruding portion that is disposed on a side surface in the wall at a corner portion to prevent the silicon gel from rising,
It is characterized in that a space is formed in the separated area of the corner portion, and a stopper is provided in the corner portion to prevent silicon gel from rising in the corner portion.

【0012】また、この発明に係わる混成集積回路装置
は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の集
積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集積
回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子固
着領域とを分割し外部リード端子固着パッド近傍に配置
された壁体を少なくとも備え且つ、シリコンゲルと熱硬
化性樹脂の充填のための開口部を同一方向に形成した略
枠状の樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間内に順
次積層されたシリコンゲルおよび第1の熱硬化性樹脂
と、外部リード端子導出辺の空間に充填される第2の熱
硬化性樹脂とを具備し、壁体内の側面にシリコンゲルの
はい上りを防止する突出部を設け、その突出部に複数の
穴を設けたことを特徴としている。
Further, a hybrid integrated circuit device according to the present invention provides an integrated circuit board having a plurality of integrated circuit elements and external lead terminals fixed and mounted on a circuit pattern formed on an insulated metal substrate; A substantially frame-like shape having at least a wall divided from the external lead terminal fixing region and arranged near the external lead terminal fixing pad, and an opening for filling the silicone gel and the thermosetting resin formed in the same direction. A resin case material, a silicon gel and a first thermosetting resin sequentially laminated in an integrated circuit element mounting space, and a second thermosetting resin filled in a space of an external lead terminal lead-out side. In addition, a protrusion is provided on a side surface in the wall to prevent the silicon gel from rising, and a plurality of holes are provided in the protrusion.

【0013】[0013]

【作用】以上のように構成される混成集積回路装置にお
いては、ケース材に集積回路素子搭載領域と外部リード
固着領域を分割する壁体を形成することにより、シリコ
ンゾル注入パイプの外部リード固着領域への接近を回避
し、シリコンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部
リード固着領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外
部リード固着領域に付着する問題を解決することができ
る。
In the hybrid integrated circuit device configured as described above, the external lead fixing region of the silicon sol injection pipe is formed by forming a wall dividing the integrated circuit element mounting region and the external lead fixing region in the case material. Thus, the problem that the silicon sol on the outer wall of the silicon sol injection pipe adheres to the external lead fixing region and the problem that the scattered silicon sol adheres to the external lead fixing region can be solved.

【0014】また、ケース材に集積回路素子搭載領域と
外部リード固着領域を分割する壁体を形成し、シリコン
ゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方向に
形成することにより、シリコンゾルの飛散等による外部
リード固着部の汚染の問題が解決されると共に、シリコ
ンゾル注入と熱硬化性樹脂の充填を単一治具上で行うこ
とが可能になる。
Further, a wall is formed in the case material to divide the integrated circuit element mounting area and the external lead fixing area, and an opening for filling the silicon gel and the thermosetting resin is formed in a single direction. In addition, the problem of contamination of the external lead fixing portion due to scattering of the silicon sol or the like can be solved, and the injection of the silicon sol and the filling of the thermosetting resin can be performed on a single jig.

【0015】さらに、シリコンゲルと熱硬化性樹脂の充
填のための開口部を単一方向に形成したケース材の外部
リード固着領域およびシリコンゲル上部に熱硬化性樹脂
を同時充填することができ、シリコンゾルの飛散等によ
る外部リード固着部の汚染の問題が解決されると共に、
熱硬化性樹脂充填を一回で完了することができる。さら
に、ケース材の壁体内の側面に突出部およびコーナ部に
空間部を形成するようにストッパが設けられることによ
り、壁体の側面およびコーナ部でのシリコンゲルのはい
上りを防止することができると共に熱硬化性樹脂をシリ
コンゲル上に充填する際、壁体のコーナ部で空気(気
泡)層が生じることを防止することができる。
Further, the thermosetting resin can be simultaneously filled into the outer lead fixing region of the case material having the opening for filling the silicone gel and the thermosetting resin in a single direction and the upper portion of the silicon gel, The problem of contamination of the external lead fixing part due to scattering of silicon sol is solved,
Thermosetting resin filling can be completed in one go. Further, since the stopper is provided on the side surface of the case member so as to form a space at the projecting portion and the corner portion, it is possible to prevent the silicon gel from rising at the side surface and the corner portion of the wall member. At the same time, when the thermosetting resin is filled on the silicon gel, it is possible to prevent the formation of an air (bubble) layer at the corner of the wall.

【0016】さらに、ケース材の壁体内の側面に形成し
た突出部に複数の穴が設けられていることにより、壁体
の側面でのシリコンゲルのはい上りを防止することがで
きると共に熱硬化性樹脂をシリコンゲル上に充填する
際、突出部の下方で空気(気泡)層が生じることを防止
することができる。
Further, since a plurality of holes are provided in the protruding portion formed on the side surface inside the wall of the case material, it is possible to prevent the silicon gel from climbing on the side surface of the wall and to obtain a thermosetting resin. When the resin is filled on the silicone gel, it is possible to prevent the formation of an air (bubble) layer below the protrusion.

【0017】[0017]

【実施例】以下に、図1〜図7に示した実施例に基づい
て本発明の混成集積回路装置を説明する。図1および図
2を参照すると、デュアルインライン・パッケージの混
成集積回路装置を例示する実施例は、枠(12)内に一
対の壁体(14)を備え、この壁体(14)により絶縁
金属基板(30)上の領域を集積回路素子搭載領域(1
6)と外部リード固着領域(18)とに分割するケース
材(10)、集積回路素子(46)等の半導体素子、外
部リード(44)等を固着、搭載する第1の絶縁金属基
板(30)、主として絶縁性向上のために使用される第
2の絶縁金属基板(50)、集積回路素子搭載領域(1
6)に充填されるシリコンゲル(56)、このシリコン
ゲル(56)上部および外部リード固着領域(18)に
充填される熱硬化性樹脂(58)からなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A hybrid integrated circuit device according to the present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS. Referring to FIGS. 1 and 2, an embodiment illustrating a hybrid integrated circuit device in a dual in-line package includes a pair of walls (14) in a frame (12), the walls (14) providing an insulating metal. The area on the substrate (30) is integrated with the integrated circuit element mounting area (1).
6) and a first insulating metal substrate (30) for fixing and mounting a semiconductor material such as an integrated circuit element (46), an external lead (44) and the like, which is divided into a case material (10) divided into an external lead fixing area (18). ), A second insulating metal substrate (50) mainly used for improving insulation, and an integrated circuit element mounting area (1).
The silicone gel (56) filled in 6) and the thermosetting resin (58) filled in the upper portion of the silicone gel (56) and the external lead fixing area (18).

【0018】耐候性等の向上のために充填されるシリコ
ンゲル(56)は図示しないポンプ等により、ゾル状態
で一対の壁体(14)で形成された集積回路素子搭載領
域(16)の所定の深さまで注入され、注入後に熱処理
してゲル化される。本実施例によれば、その際、集積回
路素子搭載領域(16)の面積が大きい理由、および集
積回路素子搭載領域(16)と外部リード固着領域(1
8)間に分離のための壁体(14)が形成されている理
由のため、シリコンゾル注入パイプの外部リード固着領
域(18)への接近が回避され、シリコンゾル注入パイ
プ外壁のシリコンゾルが外部リード固着領域(18)に
付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固着領域
(18)に付着する問題が生じない。
The silicon gel (56) filled for the purpose of improving the weather resistance and the like is formed in a sol state by an unillustrated pump or the like in a predetermined area of the integrated circuit element mounting region (16) formed by the pair of walls (14). And then heat-treated after injection to gel. According to this embodiment, at this time, the reason why the area of the integrated circuit element mounting area (16) is large, and the reason why the integrated circuit element mounting area (16) and the external lead fixing area (1) are large.
8) Because of the formation of the separation wall (14) between the silicon sol injection pipe and the outer lead fixing area (18) of the silicon sol injection pipe is prevented from approaching, and the silicon sol on the outer wall of the silicon sol injection pipe is reduced. The problem of adhesion to the external lead fixing region (18) and the problem of scattering silicon sol adhering to the external lead fixing region (18) do not occur.

【0019】そして、熱硬化性樹脂(58)を前記シリ
コンゲル(56)上部および一対の外部リード固着領域
(18)に充填し、熱処理して図1の構造が完成する。
図3〜図4を参照して本実施例をさらに詳細に説明す
る。図3はケース材(10)の斜視図、図4は平面図で
ある。ケース材(10)は図3〜図4に示す如く、略枠
状に形成される。このケース材は例えばファイバグラス
・レインホースPET(FR−PET)及び、ポリ・フ
ェニレン・サルファイド(PPS)等の絶縁樹脂材料を
用いて射出成形して形成される。
Then, a thermosetting resin (58) is filled in the upper portion of the silicon gel (56) and the pair of external lead fixing regions (18), and heat-treated to complete the structure of FIG.
This embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 3 is a perspective view of the case member (10), and FIG. 4 is a plan view. The case member (10) is formed in a substantially frame shape as shown in FIGS. This case material is formed by injection molding using, for example, an insulating resin material such as fiberglass rain hose PET (FR-PET) and polyphenylene sulfide (PPS).

【0020】ケース材(10)は外部リード固着領域と
集積回路素子搭載領域とを分割するための壁体(14)
が設けられている。そして、その壁体(14)の内面、
即ち、集積回路素子搭載領域側の側面には第1および第
2の突出部(1)(2)がコーナ部にはストッパ(3)
が設けられている。ここで、重要なことは、壁体(1
4)内に形成される第1の突出部(1)は壁体(14)
のコーナ部では形成されないこと。第1の突出部
(1)に複数の穴(4)を設けること。第1の突出部
(1)が設けられないコーナ部の空間領域の一部にスト
ッパ(3)を設けることである。更に述べると、第1の
突出部(1)は、図3および図4に示す如く、壁体(1
4)のコーナ部を除く側面に断続的に設けられている。
壁体(1)のコーナ部には上記したように第1の突出部
(1)が形成されず、第1の突出部(1)が延在する位
置の壁体(14)のコーナ部には空間が形成されること
になる。第1の突出部(1)が形成されないコーナ部の
前記空間部にはストッパ(3)が設けられている。この
ストッパ(3)はコーナ部に空間部を残したままの状態
でコーナ部の隅に設けられる。
The case material (10) is a wall (14) for dividing an external lead fixing area and an integrated circuit element mounting area.
Is provided. And the inner surface of the wall (14),
That is, the first and second protrusions (1) and (2) are provided on the side surface on the integrated circuit element mounting region side, and the stopper (3) is provided on the corner portion.
Is provided. Here, the important thing is that the wall (1)
4) The first projection (1) formed in the wall (14)
Not be formed at the corners of Providing a plurality of holes (4) in the first protrusion (1). The stopper (3) is provided in a part of the space area of the corner where the first protrusion (1) is not provided. More specifically, the first protrusion (1) is provided on the wall (1) as shown in FIGS.
4) It is provided intermittently on the side surface except the corner part.
The first protrusion (1) is not formed at the corner of the wall (1) as described above, and the corner of the wall (14) at the position where the first protrusion (1) extends is provided. Will form a space. A stopper (3) is provided in the space of the corner where the first protrusion (1) is not formed. The stopper (3) is provided at a corner of the corner while leaving a space at the corner.

【0021】ところで、第1の突出部(1)は、シリコ
ンゾルを充填したとき表面張力によってシリコンゾルが
壁体(14)の内側面をはい上るのを防止し、第1の熱
硬化性樹脂(58A)の密着性を向上させるためのもの
である。即ち、シリコンゾルを熱処理しゲル化した後、
シリコンゲル上にエポキシ樹脂を充填して第1の熱硬化
性樹脂(58A)を形成するが、この際、第1の突出部
(1)がないと、壁体内側面にシリコンゾルがはい上
り、ゲル化したときに壁体内面にシリコンゲルが付着し
ているために、通常状態では第1の熱硬化性樹脂(58
A)は接着状態にあるが、例えば−40℃〜+150℃
の熱衝撃試験を行った場合、シリコンゲルの熱膨張率が
極めて大きいことからシリコンゲルの伸縮・膨張により
第1の熱硬化性樹脂(58A)が壁体(14)、即ち、
ケース材(10)から剥離するという不具合が発生す
る。
By the way, the first protrusion (1) prevents the silicon sol from climbing on the inner surface of the wall (14) due to surface tension when the silicon sol is filled, and the first thermosetting resin. This is for improving the adhesion of (58A). That is, after the silicon sol is heat-treated and gelled,
An epoxy resin is filled on the silicon gel to form a first thermosetting resin (58A). At this time, if there is no first protrusion (1), the silicon sol goes up on the inner surface of the wall, In a normal state, the first thermosetting resin (58
A) is in an adhesive state, for example, -40 ° C. to + 150 ° C.
When the thermal shock test of (1) was performed, the first thermosetting resin (58A) was expanded into the wall (14),
A problem of peeling off from the case material (10) occurs.

【0022】第1の突出部(1)を壁体(14)に設け
ることにより、シリコンゾルのはい上りを防止すること
ができ、熱硬化性樹脂とケース材との密着性が向上し、
熱衝撃時に熱硬化性樹脂とケース材が剥離するというこ
とはない。また、ストッパ(3)は、上述したように壁
体(14)内にシリコンゾルを充填したとき表面張力に
よってシリコンゾルが壁体(14)のコーナ部をはい上
るのを防止し、熱硬化性樹脂(58A)の密着性を向上
させる。壁体(14)のコーナ部のシリコンゾルのはい
上りを防止するためには、上述した第1の突出部(1)
をコーナ部に形成することで防止できる。
By providing the first protrusion (1) on the wall (14), the rising of the silicon sol can be prevented, and the adhesion between the thermosetting resin and the case material can be improved.
The thermosetting resin and the case material do not separate at the time of thermal shock. The stopper (3) prevents the silicon sol from climbing over the corner of the wall (14) by surface tension when the wall (14) is filled with the silicon sol as described above, The adhesiveness of the resin (58A) is improved. In order to prevent the silicon sol from rising at the corners of the wall (14), the first protrusion (1) described above is used.
Can be prevented by forming it in the corner portion.

【0023】しかしながら、コーナ部に第の1突出部
(1)が設けられると、熱硬化性樹脂(58A)をシリ
コンゲル上に充填した際、第1の突出部(1)が設けら
れたコーナ部に空気層(気泡)が発生し、熱硬化性樹脂
(58A)を熱処理する工程時に前記空気層(気泡)を
押しつぶすように樹脂(58A)がはいり込み、樹脂
(58A)の表面に凹が発生し、外観不良となる不具合
がある。上述した理由により、壁体(14)のコーナ部
には第1の突出部(1)が設けられないのである。
However, when the first protrusion (1) is provided at the corner, when the thermosetting resin (58A) is filled on the silicon gel, the corner provided with the first protrusion (1) is formed. An air layer (bubbles) is generated in the portion, and the resin (58A) enters so as to crush the air layer (bubbles) during the step of heat-treating the thermosetting resin (58A), and a concave is formed on the surface of the resin (58A). There is a defect that causes appearance failure. For the above-mentioned reason, the first protrusion (1) is not provided at the corner of the wall (14).

【0024】ストッパ(3)は上述したように、第1の
突出部(1)が形成されないコーナ部の空間部にその空
間部を残存させた状態で形成されるために、壁体(1
4)のコーナ部のシリコンゾルのはい上りをストッパ
(3)で阻止することができ且つ熱硬化性樹脂(58
A)充填時にコーナ部で空気層(気泡)が発生しない。
第1の突出部(1)に設けらけれた複数の穴(4)も上
述した同様の理由で設けられている。即ち、シリコンゲ
ルが充填された壁体(14)内にはエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂(58A)が充填され、その際第1の突出部
(1)下には空気層(気泡)が発生しやすいために、空
気ぬきを行うために第1の突出部(1)に穴(4)が設
けられている。
As described above, the stopper (3) is formed with the space remaining in the space of the corner where the first protrusion (1) is not formed.
The rising of the silicon sol in the corner portion 4) can be prevented by the stopper 3 and the thermosetting resin 58
A) No air layer (bubbles) is generated at the corners during filling.
The plurality of holes (4) provided in the first protrusion (1) are also provided for the same reason as described above. That is, the thermosetting resin (58A) such as an epoxy resin is filled in the wall (14) filled with the silicon gel, and an air layer (bubbles) is formed below the first protrusion (1). The hole (4) is provided in the first protruding portion (1) in order to perform air bleeding easily.

【0025】図5は本実施例に適合する第1の絶縁金属
基板(30)の斜視図であり、第1の絶縁金属基板(3
0)には放熱特性および加工性を考慮して略2mm厚の
アルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにその表
面が陽極酸化処理される。この絶縁金属基板(30)は
混成集積回路装置が略完成した時点で、数単位乃至十数
単位の混成集積回路基板から単位混成集積回路装置のサ
イズに分割プレスされる。
FIG. 5 is a perspective view of a first insulated metal substrate (30) conforming to the present embodiment.
For 0), aluminum having a thickness of about 2 mm is used in consideration of heat radiation characteristics and workability, and its surface is anodized to improve insulation. When the hybrid integrated circuit device is substantially completed, the insulated metal substrate (30) is divided and pressed from the hybrid integrated circuit board of several units to several tens of units to the size of the unit hybrid integrated circuit device.

【0026】外部リード用パッド(38)、ワイアボン
ディングパッド(40)、ダイボンドパッド(42)お
よび導電路(図示しない)は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略35μm厚の銅箔との
クラッド材を温度150℃〜170℃、1平方センチメ
ートル当り50〜100Kgの圧力で第1の絶縁金属基
板(30)にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略35μm厚の絶縁層となる(図2の符号(32)
参照)。
The external lead pad (38), the wire bonding pad (40), the die bond pad (42) and the conductive path (not shown) are made of a thermosetting insulating resin such as a polyimide resin having an adhesive property and having a thickness of about 35 μm. After the clad material with the copper foil is hot-pressed on the first insulating metal substrate (30) at a temperature of 150 ° C. to 170 ° C. and a pressure of 50 to 100 kg per square centimeter, the copper foil is subjected to a predetermined pattern by photo-etching or the like. Formed. The thermosetting insulating resin is completely cured in this hot pressing step to form an insulating layer having a thickness of about 35 μm (reference numeral 32 in FIG. 2).
reference).

【0027】集積回路素子(46)等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子(46)は銀ペースト等によりダイボンドパッド
(42)に固着され、チップコンデンサ、あるいはチッ
プ抵抗等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。
これら回路素子は所定のパッド(40)(42)上にス
クリーン印刷したソルダーペーストに一時的に付着され
た後、リフローして完全固着される。
Chip components are used for semiconductor elements such as the integrated circuit element (46) and other circuit elements, and the integrated circuit element (46) is fixed to the die bond pad (42) with a silver paste or the like, and a chip capacitor or An odd-shaped component such as a chip resistor is fixed to a predetermined pad by soldering.
These circuit elements are temporarily attached to a solder paste screen-printed on predetermined pads (40) (42), and then reflowed to be completely fixed.

【0028】そして、最後に、固着パッド(38)に外
部リード端子(44)が半田固着される。この外部リー
ド端子(44)は、リード端子(44)の先端部に約3
00〜350℃に加熱された半田ごてを数秒間圧接して
パッド(38)上にあらかじめ形成された半田を溶融さ
せてパッド(38)上にリード端子(44)が半田固着
される。
Finally, the external lead terminals (44) are fixed to the fixing pads (38) by soldering. This external lead terminal (44) has about 3
A soldering iron heated to 00 to 350 ° C. is pressed for several seconds to melt the solder previously formed on the pad (38), and the lead terminal (44) is fixed on the pad (38) by soldering.

【0029】図6は主として絶縁性向上のために使用さ
れる第2の絶縁金属基板(50)の斜視図である。第2
の絶縁金属基板(50)は第1の絶縁金属基板(30)
と同一の素材であり、ケース材(10)の放熱板に結合
するネジのための孔(22)に対応する位置に孔(5
4)が形成される。この第2の絶縁金属基板(50)は
シリコン樹脂(図2の符号(52)参照)によってケー
ス材(10)の枠(12)に結合される。そして、この
接着に使用されたシリコン樹脂が第1の絶縁金属基板
(30)と図示しない放熱板間の絶縁性能を向上させ
る。
FIG. 6 is a perspective view of a second insulating metal substrate (50) mainly used for improving insulation. Second
The insulated metal substrate (50) is the first insulated metal substrate (30)
And a hole (5) at a position corresponding to the hole (22) for the screw to be coupled to the heat sink of the case material (10).
4) is formed. The second insulating metal substrate (50) is joined to the frame (12) of the case material (10) by a silicone resin (see reference numeral (52) in FIG. 2). Then, the silicone resin used for this bonding improves the insulation performance between the first insulating metal substrate (30) and the heat sink (not shown).

【0030】第1の絶縁金属基板(30)を第2の絶縁
金属基板(50)上に配置し、図7に示す如く、外部リ
ード端子(44)が上方向となるようにケース材(1
0)と両基板(30)(50)とを接着剤で接着し一体
化した後、壁体(14)内の集積回路素子搭載領域(1
6)内にあらかじめ設定された最適量のシリコンゾルを
注入し熱処理を行い、シリコンゲル(56)を形成す
る。そして、シリコンゲル(56)上および外部リード
固着領域にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を充填、熱処
理してシリコンゲル充填型の混成集積回路装置が完成さ
れる。シリコンゾルを注入した際、上述したように壁体
(14)内に第1の突出部(1)およびストッパ(3)
が形成されているために壁体内の側面およびコーナ部に
シリコンゾルがはい上らない。また、壁体内のシリコン
ゲル上に熱硬化性樹脂を充填した場合でも第1の突出部
(1)に穴(4)、コーナ部は空間が形成されるために
第1の突出部(1)の下面およびコーナ部に空気層(気
泡)が発生することはない。
The first insulating metal substrate (30) is placed on the second insulating metal substrate (50), and as shown in FIG. 7, the case material (1) is arranged such that the external lead terminals (44) are directed upward.
0) and the two substrates (30) and (50) are bonded and integrated with an adhesive, and then the integrated circuit element mounting area (1) in the wall (14).
6) Inject a silicon sol in an optimal amount set in advance and heat-treat to form a silicon gel (56). Then, a thermosetting resin such as an epoxy resin is filled on the silicon gel (56) and the external lead fixing region, and heat-treated to complete a silicon gel-filled hybrid integrated circuit device. When the silicon sol is injected, the first protrusion (1) and the stopper (3) are provided in the wall (14) as described above.
The silicon sol does not enter the side surfaces and corners of the wall due to the formation of the sol. Further, even when the thermosetting resin is filled on the silicon gel in the wall, the first protruding portion (1) has a hole (4), and the corner portion has a space, so that the first protruding portion (1) is formed. No air layer (bubbles) is generated on the lower surface and the corners of the device.

【0031】尚、この実施例では、第1の突出部(1)
の上段部に第2の突出部(2)を設け、その第2の突出
部(2)と第1の熱硬化性樹脂(58A)とを咬止させ
て熱衝撃時に発生するシリコンゲルの伸縮・膨張による
第1の熱硬化性樹脂(58A)の剥離を防止している。
この第2の突出部(2)は第1の突出部(1)と重畳し
ない領域に形成され、第1の熱硬化性樹脂(58A)と
咬止状態を良好とするために例えば、三角形状に形成す
れば良い。
In this embodiment, the first protrusion (1)
A second protrusion (2) is provided on the upper part of the base, and the second protrusion (2) and the first thermosetting resin (58A) are engaged with each other to expand and contract the silicone gel generated at the time of thermal shock. -Prevents peeling of the first thermosetting resin (58A) due to expansion.
The second protrusion (2) is formed in a region that does not overlap with the first protrusion (1), and has a triangular shape in order to improve the engagement state with the first thermosetting resin (58A). What is necessary is just to form.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
ケース材に集積回路素子搭載領域と外部リード固着領域
を分割する壁体を形成したため、シリコンゾル注入パイ
プの外部リード固着領域へ接近するおそれが少なく、シ
リコンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部リード
固着領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リー
ド固着領域に付着する問題が生じない。この結果、過酷
なヒートサイクルが加えられる場合にも、パッドの剥離
を生じない高信頼のシリコンゲル充填型の混成集積回路
装置を提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
A wall that divides the integrated circuit element mounting area and the external lead fixing area is formed in the case material, so there is little risk of approaching the external lead fixing area of the silicon sol injection pipe, and the silicon sol on the silicon sol injection pipe outer wall is fixed to the external lead. The problem of adhesion to the area and the problem of scattering silicon sol adhering to the external lead fixing area do not occur. As a result, it is possible to provide a highly reliable silicon gel-filled hybrid integrated circuit device that does not cause pad separation even when a severe heat cycle is applied.

【0033】また、本発明に依れば、シリコンゲルと熱
硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方向に形成した
ケース材の外部リード固着領域およびシリコンゲル上部
に熱硬化性樹脂を同時充填することができ、シリコンゾ
ルの飛散等による外部リード固着部の汚染の問題が解決
されると共に、熱硬化性樹脂充填を一回で完了すること
ができる。
Further, according to the present invention, the thermosetting resin is provided on the outer lead fixing region of the case material in which the opening for filling the silicone gel and the thermosetting resin is formed in a single direction and on the upper portion of the silicon gel. Simultaneous filling is possible, and the problem of contamination of the external lead fixing portion due to scattering of silicon sol or the like can be solved, and filling of the thermosetting resin can be completed in a single operation.

【0034】さらに、本発明に依ればケース材の壁体内
の側面に突出部およびコーナ部に空間部を形成するよう
にストッパが設けられることにより、壁体の側面および
コーナ部でのシリコンゲルのはい上りを防止することが
できる。その結果、シリコンゲルが壁体内面に付着しな
いため、熱衝撃時において熱硬化性樹脂がケース材から
剥離することを防止でき、信頼性の優れた混成集積回路
装置を提供することができる。
Further, according to the present invention, the stopper is provided on the side surface of the case material inside the wall so as to form a projecting portion and a space at the corner, so that the silicon gel on the side surface of the wall and the corner can be formed. It is possible to prevent rising. As a result, since the silicon gel does not adhere to the inner surface of the wall, the thermosetting resin can be prevented from peeling off from the case material at the time of thermal shock, and a highly reliable hybrid integrated circuit device can be provided.

【0035】さらに、本発明に依れば、ケース材の壁体
内の側面に形成した突出部に複数の穴およびコーナ部に
空間部が設けられていることにより、熱硬化性樹脂をシ
リコンゲル上に充填する際、突出部の下方および壁体の
コーナ部で空気(気泡)層が生じることを防止すること
ができる。その結果、熱硬化性樹脂に凹が発生せず、外
部不良の発生を著しく抑制することができる。
Further, according to the present invention, a plurality of holes are formed in the protrusion formed on the side surface inside the wall of the case material, and a space is provided in the corner, so that the thermosetting resin can be coated on the silicon gel. When filling the space, it is possible to prevent the formation of an air (bubble) layer below the protrusions and at the corners of the wall. As a result, no depression occurs in the thermosetting resin, and the occurrence of external defects can be significantly suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the present invention.

【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】ケース材の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a case member.

【図4】図3の平面図である。FIG. 4 is a plan view of FIG. 3;

【図5】第1の絶縁金属基板の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a first insulating metal substrate.

【図6】第2の絶縁金属基板を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a second insulating metal substrate.

【図7】ケース材と第1の金属基板とを一体化した斜視
図である。
FIG. 7 is a perspective view in which a case material and a first metal substrate are integrated.

【図8】従来例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の突出部 2 第2の突出部 3 ストッパ 10 ケース材 12 枠 16 集積回路素子搭載領域 18 外部リード固着領域 30 第1の絶縁金属基板 32 絶縁層 38 外部リード用パッド 40 ワイアボンディングパッド 42 ダイボンドパッド 44 外部リード端子 46 集積回路素子 50 第2の絶縁金属基板 52 絶縁層 56 シリコンゲル 57 シリコン接着剤 58A 第1の熱硬化性樹脂 58B 第2の熱硬化性樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st projecting part 2 2nd projecting part 3 stopper 10 case material 12 frame 16 integrated circuit element mounting area 18 external lead fixing area 30 first insulating metal substrate 32 insulating layer 38 external lead pad 40 wire bonding pad 42 Die bond pad 44 External lead terminal 46 Integrated circuit element 50 Second insulating metal substrate 52 Insulating layer 56 Silicon gel 57 Silicon adhesive 58A First thermosetting resin 58B Second thermosetting resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−74655(JP,A) 特開 昭61−48945(JP,A) 特開 平4−1213460(JP,A) 特開 平6−13500(JP,A) 特開 平6−163745(JP,A) 実開 昭53−122650(JP,U) 実開 昭56−65659(JP,U) 実開 平1−171038(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/28 H05K 3/28──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-60-74655 (JP, A) JP-A-61-48945 (JP, A) JP-A-4-1213460 (JP, A) JP-A-6-746 13500 (JP, A) JP-A-6-163745 (JP, A) JP-A-53-122650 (JP, U) JP-A-56-65659 (JP, U) JP-A 1-171038 (JP, U) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/28 H05K 3/28

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 絶縁金属基板に形成した回路パターン上
に複数の集積回路素子および外部リード端子を固着、搭
載した集積回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リ
ード端子固着領域とを分割する壁体を少なくとも備える
略枠体の樹脂製ケース材と、前記集積回路素子搭載空間
内に順次積層されたシリコンゲルおよび第1の熱硬化性
樹脂と、外部リード端子導出辺の空間に充填される第2
の熱硬化性樹脂とを具備し、 前記壁体内の側面にコーナ部で離間配置され前記シリコ
ンゲルのはい上りを防止する突出部が設けられ、前記コ
ーナ部の離間領域に空間を形成し、且つ、コーナ部のシ
リコンゲルのはい上りを防止するストッパを前記コーナ
部に設けたことを特徴とする混成集積回路装置。
An integrated circuit board on which a plurality of integrated circuit elements and external lead terminals are fixed and mounted on a circuit pattern formed on an insulated metal substrate, and a wall dividing an integrated circuit element mounting area and an external lead terminal fixing area. A resin case material of a substantially frame body including at least a body, a silicon gel and a first thermosetting resin sequentially stacked in the integrated circuit element mounting space, and a space filled in a space of an external lead terminal lead-out side. 2
A thermosetting resin, and a protrusion is provided on a side surface of the wall at a corner portion to prevent the silicon gel from rising, forming a space in a separation region of the corner portion, and A hybrid integrated circuit device, wherein a stopper for preventing the silicon gel from rising in the corner portion is provided in the corner portion.
【請求項2】 絶縁金属基板に形成した回路パターン上
に複数の集積回路素子および外部リード端子を固着、搭
載した集積回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リ
ード端子固着領域とを分割し前記外部リード端子固着パ
ッド近傍に配置された壁体を少なくとも備え且つ、シリ
コンゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部を同一方
向に形成した略枠状の樹脂製ケース材と、前記集積回路
素子搭載空間内に順次積層されたシリコンゲルおよび第
1の熱硬化性樹脂と、外部リード端子導出辺の空間に充
填される第2の熱硬化性樹脂とを具備し、 前記壁体内の側面にシリコンゲルのはい上りを防止する
突出部を設け、その突出部に複数の穴を設けたことを特
徴とする混成集積回路装置。
2. An integrated circuit board on which a plurality of integrated circuit elements and external lead terminals are fixed and mounted on a circuit pattern formed on an insulating metal substrate, and an integrated circuit element mounting area and an external lead terminal fixing area are divided into a plurality of parts. A substantially frame-shaped resin case material having at least a wall disposed in the vicinity of an external lead terminal fixing pad and having openings in the same direction for filling with a silicone gel and a thermosetting resin; A silicon gel and a first thermosetting resin sequentially laminated in the element mounting space, and a second thermosetting resin filled in a space of an external lead terminal lead-out side; A hybrid integrated circuit device, comprising: a projection for preventing silicon gel from rising; and a plurality of holes provided in the projection.
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