JP2794913B2 - 導電性グラファイト膜の形成方法 - Google Patents
導電性グラファイト膜の形成方法Info
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- JP2794913B2 JP2794913B2 JP2200682A JP20068290A JP2794913B2 JP 2794913 B2 JP2794913 B2 JP 2794913B2 JP 2200682 A JP2200682 A JP 2200682A JP 20068290 A JP20068290 A JP 20068290A JP 2794913 B2 JP2794913 B2 JP 2794913B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は優れた導電性を有するグラファイト膜を比較
的低温において形成する方法に関するものである。
的低温において形成する方法に関するものである。
従来の技術 高い導電性を与える炭素材料として、コークス等の選
択的配向性の良い、いわゆる“易グラファイト化性炭
素”が知られており、その一般的な炭素の格子定数（C
o）及び常温における電導度は、処理温度が1000℃の場
合、約6.91Å，約100S/cm、2000℃の場合、約6.81Å，
約300S/cm、3000℃の場合、約6.71Å，約2000S/cmであ
ることが「炭素化工学の基礎」（大谷ら著，オーム社発
行,1980年）に示されている。
択的配向性の良い、いわゆる“易グラファイト化性炭
素”が知られており、その一般的な炭素の格子定数（C
o）及び常温における電導度は、処理温度が1000℃の場
合、約6.91Å，約100S/cm、2000℃の場合、約6.81Å，
約300S/cm、3000℃の場合、約6.71Å，約2000S/cmであ
ることが「炭素化工学の基礎」（大谷ら著，オーム社発
行,1980年）に示されている。
易グラファイト化性炭素の中でも、特に配向性に優れ
ているのが、メタン、プロパン等の炭化水素ガスの気相
熱分解により得られる“熱分解炭素”であり、2000〜22
00℃で沈積されたものは2500〜5000S/cmを発現すること
が「炭素材料入門」（長沖ら，炭素材料学会,1979年）
に示されている。又、これを300〜500kg/cm2の一軸性の
圧力を加えながら3000℃以上で熱処理することによりCo
＜6.72Å（グラファイト単結晶:Co＝6.708Å）を有する
高配向熱分解グラファイト（HOPG）の得られることが、
「炭素材料工学」（稲垣ら，日刊工業新聞社,1985年）
に示されており、これはグラファイト単結晶に匹敵する
ような電導度１〜２×104S/cmを持つことが知られてい
る。
ているのが、メタン、プロパン等の炭化水素ガスの気相
熱分解により得られる“熱分解炭素”であり、2000〜22
00℃で沈積されたものは2500〜5000S/cmを発現すること
が「炭素材料入門」（長沖ら，炭素材料学会,1979年）
に示されている。又、これを300〜500kg/cm2の一軸性の
圧力を加えながら3000℃以上で熱処理することによりCo
＜6.72Å（グラファイト単結晶:Co＝6.708Å）を有する
高配向熱分解グラファイト（HOPG）の得られることが、
「炭素材料工学」（稲垣ら，日刊工業新聞社,1985年）
に示されており、これはグラファイト単結晶に匹敵する
ような電導度１〜２×104S/cmを持つことが知られてい
る。
本発明人の出願による「導電性グラファイト膜の形成
方法」（特願昭60−261383号）では、ベンゼンを原料と
して1000℃のステンレス鋼基材上にプラズマ放電により
炭素膜形成後、3300℃で熱処理することにより2.2×104
S/cmの高導電性グラファイト膜を得ている。
方法」（特願昭60−261383号）では、ベンゼンを原料と
して1000℃のステンレス鋼基材上にプラズマ放電により
炭素膜形成後、3300℃で熱処理することにより2.2×104
S/cmの高導電性グラファイト膜を得ている。
発明が解決しようとする課題 コークス等の一般的な易グラファイト化性炭素の場
合、高結晶性、高導電性のグラファイトを得るには3000
℃以上の高温処理が必要であるが、それで漸く、約2000
S/cmの電導度が得られる程度である。
合、高結晶性、高導電性のグラファイトを得るには3000
℃以上の高温処理が必要であるが、それで漸く、約2000
S/cmの電導度が得られる程度である。
又、特に配向性が良く、グラファイト化性に優れた熱
分解炭素では、Co＜6.72Å，電導度１〜２×104S/cmが
得られているが、その作製には、かなりの高温（＞3000
℃）、高圧（300〜500kg/cm2）を要するという問題があ
った。従来のプラズマ放電法でも、Co＜6.72Åを得るに
は、2750℃以上の高温熱処理が必要であった。
分解炭素では、Co＜6.72Å，電導度１〜２×104S/cmが
得られているが、その作製には、かなりの高温（＞3000
℃）、高圧（300〜500kg/cm2）を要するという問題があ
った。従来のプラズマ放電法でも、Co＜6.72Åを得るに
は、2750℃以上の高温熱処理が必要であった。
いずれにせよ、従来の炭素材料において、高電導性
（高結晶性）を得るには、形成後、更に2750〜3000℃を
越える高温処理の実施が不可欠であり、このことは、こ
れら材料の応用範囲を著しく狭めるという欠点となって
いた。
（高結晶性）を得るには、形成後、更に2750〜3000℃を
越える高温処理の実施が不可欠であり、このことは、こ
れら材料の応用範囲を著しく狭めるという欠点となって
いた。
それ故、セラミックス等の各種素材と複合化して応用
範囲を広げるため、高結晶性・高導電性グラファイトを
2000℃以下の比較的低温で得たいという要求がある。
範囲を広げるため、高結晶性・高導電性グラファイトを
2000℃以下の比較的低温で得たいという要求がある。
2000℃以下の比較的低温でグラファイトを得る方法と
して、キッシュグラファイトの生成機構と同様、炭素を
金属に溶解させ、その溶融金属から、グラファイトを析
出させる方法が良く知られている。グラファイトを鉄、
鋼に1800〜1900℃で溶解し、溶融鉄、あるいは鋼を1500
℃以下に徐々に冷却する事により溶融鉄表面にグラファ
イト膜が生成する事が野田らによって開示されている
（Carbon ６ 813（1968））。
して、キッシュグラファイトの生成機構と同様、炭素を
金属に溶解させ、その溶融金属から、グラファイトを析
出させる方法が良く知られている。グラファイトを鉄、
鋼に1800〜1900℃で溶解し、溶融鉄、あるいは鋼を1500
℃以下に徐々に冷却する事により溶融鉄表面にグラファ
イト膜が生成する事が野田らによって開示されている
（Carbon ６ 813（1968））。
しかし、この方法では、一度、炭素を十分に溶解さ
せ、1800℃以上に加熱された溶融鉄が必要となり、生成
するグラファイト膜は溶融鉄表面形状により形状が限定
される。さらに1800℃から鉄の融点である1500℃まで冷
却する必要があり、冷却速度も５℃／分以下とおそく、
精密な温度コントロールが要求される。
せ、1800℃以上に加熱された溶融鉄が必要となり、生成
するグラファイト膜は溶融鉄表面形状により形状が限定
される。さらに1800℃から鉄の融点である1500℃まで冷
却する必要があり、冷却速度も５℃／分以下とおそく、
精密な温度コントロールが要求される。
課題を解決するための手段 この発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、高導電
性、高結晶性のグラファイト膜を従来よりも低い温度
で、しかも後の熱処理過程を経ずに、１段で形成させる
方法を提供するものである。
性、高結晶性のグラファイト膜を従来よりも低い温度
で、しかも後の熱処理過程を経ずに、１段で形成させる
方法を提供するものである。
その要旨とするところは、分離されたプラズマ放電室
と形成室とを有するプラズマCVD装置において、炭化水
素を原料とし、1200℃以上に加熱した遷移金属を含む基
材上にプラズマ放電によって格子定数Co＜6.72Å、電導
度2000S/cm以上の導電性グラファイト膜を形成させる方
法にある。
と形成室とを有するプラズマCVD装置において、炭化水
素を原料とし、1200℃以上に加熱した遷移金属を含む基
材上にプラズマ放電によって格子定数Co＜6.72Å、電導
度2000S/cm以上の導電性グラファイト膜を形成させる方
法にある。
この発明において、原料となる炭化水素としてガスと
なり得る物質、例えば、メタン、エタン、プロパン等の
脂肪族化合物CnH2n＋2;アルケン、アルキン等の不飽和
誘導体、即ち１つまたはそれ以上の二重結合或いは三重
結合を有するもの；ベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン等の芳香族化合物が用いられる。
なり得る物質、例えば、メタン、エタン、プロパン等の
脂肪族化合物CnH2n＋2;アルケン、アルキン等の不飽和
誘導体、即ち１つまたはそれ以上の二重結合或いは三重
結合を有するもの；ベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン等の芳香族化合物が用いられる。
プラズマ放電により基材上にグラファイト膜を形成さ
せる方法は、真空チャンバー及び反応管内を真空引き
し、基材を加熱して定温に保った後、原料である炭化水
素蒸気を所定の圧力で流しながら高周波電界を印加し、
その蒸気を基材上に供給することによって、基材上にグ
ラファイト膜を形成するもので、例えば第１図に示すよ
うな装置が用いられる。
せる方法は、真空チャンバー及び反応管内を真空引き
し、基材を加熱して定温に保った後、原料である炭化水
素蒸気を所定の圧力で流しながら高周波電界を印加し、
その蒸気を基材上に供給することによって、基材上にグ
ラファイト膜を形成するもので、例えば第１図に示すよ
うな装置が用いられる。
第１図において、真空チャンバー１内にヒーター２が
設けられており、ヒーター２の中間に基材３が設置され
て、ヒーター２により加熱される。真空チャンバー１は
バルブ５を介して、油回転ポンプ４により真空引され
る。又、真空チャンバー１には反応管６が接続され、反
応管６の回りにはスパイラル状の電極８が設置されてい
る。電極８には整合器９と高周波発振器10が接続され、
電気エネルギーが加えられて、反応管６内にプラズマが
発生する。
設けられており、ヒーター２の中間に基材３が設置され
て、ヒーター２により加熱される。真空チャンバー１は
バルブ５を介して、油回転ポンプ４により真空引され
る。又、真空チャンバー１には反応管６が接続され、反
応管６の回りにはスパイラル状の電極８が設置されてい
る。電極８には整合器９と高周波発振器10が接続され、
電気エネルギーが加えられて、反応管６内にプラズマが
発生する。
原料容器12内の原料13は、恒温槽14により一定温度に
保持されて気化し、バルブ11を介して反応管６に導入さ
れ、プラズマ放電により活性化された後、ノズル７より
真空チャンバー１内の基材３上に導びかれグラファイト
膜の形成に供される。
保持されて気化し、バルブ11を介して反応管６に導入さ
れ、プラズマ放電により活性化された後、ノズル７より
真空チャンバー１内の基材３上に導びかれグラファイト
膜の形成に供される。
この発明において、基材としては、遷移金属、例えば
鉄、コバルト、ニッケル等の金属、或はステンレス等の
合金からなる板、シート、フィルム、その他の成形品を
使用することりができ、ファイバ状のもの及びその織
布、或いは、パウダー、及びその成形品も使用すること
ができる。
鉄、コバルト、ニッケル等の金属、或はステンレス等の
合金からなる板、シート、フィルム、その他の成形品を
使用することりができ、ファイバ状のもの及びその織
布、或いは、パウダー、及びその成形品も使用すること
ができる。
得られたグラファイト膜に適当なドーパントをドープ
することによって、更に導電性を増すことができる。
することによって、更に導電性を増すことができる。
適当なドーパントとしては、電子受容性試薬の例とし
て、ハロゲン（例えば、Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IB
r）ルイス酸、プロトン酸（例えば、PF5、AsF5、SbF5、
AgClO4、AgBF4、BF3、BCl3、BBr3、FSO2OOSO2F、（N
O2）（SbF6）、（NO）SbCl6、（NO2）（BF4）、SO3、Ti
F4、NbF5、TaF5、NbCl5、TaCl5、MnCl2、MoCl4、MoC
l5、MoOCl4、NiCl2、ZnCl2、CrO2Cl2、FeCl3、CdCl2、A
uCl3、CrCl3、AlCl3、AlBr3、GaBr3、PtCl4、SbCl5、UC
l5、SOCl2、XeF6、H2SO4、HClO4、HNO3、FSO3H、CF3SO3
H）及び電子供与性試薬Li、Na、Ｋ、Rb、Cs等が使用さ
れる。
て、ハロゲン（例えば、Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IB
r）ルイス酸、プロトン酸（例えば、PF5、AsF5、SbF5、
AgClO4、AgBF4、BF3、BCl3、BBr3、FSO2OOSO2F、（N
O2）（SbF6）、（NO）SbCl6、（NO2）（BF4）、SO3、Ti
F4、NbF5、TaF5、NbCl5、TaCl5、MnCl2、MoCl4、MoC
l5、MoOCl4、NiCl2、ZnCl2、CrO2Cl2、FeCl3、CdCl2、A
uCl3、CrCl3、AlCl3、AlBr3、GaBr3、PtCl4、SbCl5、UC
l5、SOCl2、XeF6、H2SO4、HClO4、HNO3、FSO3H、CF3SO3
H）及び電子供与性試薬Li、Na、Ｋ、Rb、Cs等が使用さ
れる。
作用 第１図に示した装置を用いた場合に導電性グラファイ
ト膜の形成は以下のように行われる。
ト膜の形成は以下のように行われる。
遷移金属を含む基材３を真空チャンバー１内のヒータ
ー２間に設置する。又、原料容器12内に炭化水素原料13
を充填し、原料13が液相の場合は、凍結脱気を行った
後、所定の蒸気圧を得るため、恒温槽14により一定温度
に保持する。その後、真空チャンバー１、反応管６を含
む系全体を油回転ポンプ４により10-2mmHg程度に真空引
きし、ヒーター２により基材３を1200℃以上に加熱す
る。バルブ11を開いて、原料13の蒸気を反応管６→ノズ
ル７→真空チャンバー１→バルブ５→油回転ポンプ４の
ルートを経由して、系内を所定の圧力に保ちながら流
す。
ー２間に設置する。又、原料容器12内に炭化水素原料13
を充填し、原料13が液相の場合は、凍結脱気を行った
後、所定の蒸気圧を得るため、恒温槽14により一定温度
に保持する。その後、真空チャンバー１、反応管６を含
む系全体を油回転ポンプ４により10-2mmHg程度に真空引
きし、ヒーター２により基材３を1200℃以上に加熱す
る。バルブ11を開いて、原料13の蒸気を反応管６→ノズ
ル７→真空チャンバー１→バルブ５→油回転ポンプ４の
ルートを経由して、系内を所定の圧力に保ちながら流
す。
そこで、電極８に高周波電場（例えば13.56MHz）を印
加することにより原料蒸気はプラズマ放電し、ノズル７
より引き出されて基材３上に達し、グラファイト膜が形
成される。
加することにより原料蒸気はプラズマ放電し、ノズル７
より引き出されて基材３上に達し、グラファイト膜が形
成される。
同方法では、熱エネルギーの代替えとしてプラズマ放
電を利用したことにより、従来の熱分解法に比べグラフ
ァイト化温度の低温化を図ることが出来る。また、従来
のプラズマ法によるグラファイト形成では放電室にヒー
ター及び基材があったため、加熱は1000℃前後が限界で
あった。（第１図のように外部電極を用いる場合、反応
管はパイレックスか石英ガラス製である。）本発明にお
いては、第１図に示す如く、形成室（基材設置、加熱
域）を放電室から分離した装置を用いたことにより、基
材を1200℃以上に加熱することが可能となり、又、基材
や生成膜がプラズマ損傷を受けないという効果も期待で
きる。
電を利用したことにより、従来の熱分解法に比べグラフ
ァイト化温度の低温化を図ることが出来る。また、従来
のプラズマ法によるグラファイト形成では放電室にヒー
ター及び基材があったため、加熱は1000℃前後が限界で
あった。（第１図のように外部電極を用いる場合、反応
管はパイレックスか石英ガラス製である。）本発明にお
いては、第１図に示す如く、形成室（基材設置、加熱
域）を放電室から分離した装置を用いたことにより、基
材を1200℃以上に加熱することが可能となり、又、基材
や生成膜がプラズマ損傷を受けないという効果も期待で
きる。
このため、従来法（1000℃での合成）では、Co＝6.81
〜6.9Å,Lc＝30〜70Å程度しか得られず、Co＜6.72Å,L
c＞1000Åを得るには更に2750℃以上の高温熱処理が必
要であったが、本発明では1200℃以上の温度での１段法
で得ることができる。
〜6.9Å,Lc＝30〜70Å程度しか得られず、Co＜6.72Å,L
c＞1000Åを得るには更に2750℃以上の高温熱処理が必
要であったが、本発明では1200℃以上の温度での１段法
で得ることができる。
実施例 実施例１ グラファイト製ボートに鉄パウダー（100メッシュ）
を充填して平らに成形したものを基材とし、第１図３の
位置に静置した。真空チャンバー内を10-2mmHgまで減圧
し、基材を1320℃に加熱した後、原料のベンゼン蒸気を
反応管から真空チャンバーに、系内圧力を1mmHgに保ち
ながら流した。然る後、高周波電界（13.56MHz、出力50
0W）を印加してプラズマ放電を起こし、ベンゼン蒸気を
加熱された基材上に送り、基材上に膜厚約30μｍのグラ
ファイト膜を形成させた。
を充填して平らに成形したものを基材とし、第１図３の
位置に静置した。真空チャンバー内を10-2mmHgまで減圧
し、基材を1320℃に加熱した後、原料のベンゼン蒸気を
反応管から真空チャンバーに、系内圧力を1mmHgに保ち
ながら流した。然る後、高周波電界（13.56MHz、出力50
0W）を印加してプラズマ放電を起こし、ベンゼン蒸気を
加熱された基材上に送り、基材上に膜厚約30μｍのグラ
ファイト膜を形成させた。
得られたグラファイト膜の電導度は9000〜1.1×104S/
cmであった。又、Ｘ線回折の結果第２図に示す如く、シ
ャープなＣ（002）、Ｃ（004）等の各回折線が測定さ
れ、極めて結晶性の高いことがわかった。格子定数Co＝
6.708Å,C軸方向の結晶子の大きさLc＞1000Åであっ
た。
cmであった。又、Ｘ線回折の結果第２図に示す如く、シ
ャープなＣ（002）、Ｃ（004）等の各回折線が測定さ
れ、極めて結晶性の高いことがわかった。格子定数Co＝
6.708Å,C軸方向の結晶子の大きさLc＞1000Åであっ
た。
このグラファイト膜に室温でAsF5ドーピングを行った
（AsF5圧８×104Pa）結果、電導度は1.4×105S/cmとな
った。
（AsF5圧８×104Pa）結果、電導度は1.4×105S/cmとな
った。
実施例２ 基材を1240℃に加熱する他は実施例１と同様の条件で
膜厚約20μｍのグラファイト膜を形成した。
膜厚約20μｍのグラファイト膜を形成した。
得られたグラファイト膜の電導度は2800〜4100S/cmで
あった。又、Co＝6.718Å,Lc＞1000Åであった。
あった。又、Co＝6.718Å,Lc＞1000Åであった。
実施例３ 基材を1430℃に加熱する他は実施例１と同様の条件で
膜厚約15μｍのグラファイト膜を形成した。
膜厚約15μｍのグラファイト膜を形成した。
得られたグラファイト膜の電導度は5900〜6300S/cmで
あった。又、Co＝6.715Å,Lc＞1000Åであった。
あった。又、Co＝6.715Å,Lc＞1000Åであった。
実施例４ 基材を1690℃に加熱する他は実施例１と同様の条件で
膜厚約35μｍのグラファイト膜を形成した。
膜厚約35μｍのグラファイト膜を形成した。
得られたグラファイト膜の電導度は7500〜１×104S/c
mであった。又、Co＝6.71Å,Lc＞1000Åであった。
mであった。又、Co＝6.71Å,Lc＞1000Åであった。
比較例１ 基材を1340℃に加熱し、プラズマを印加しない他は実
施例１と同様の条件で、膜厚約40μｍのグラファイト膜
を形成した。得られたグラファイト膜の電導度は4400〜
5800S/cmでありプラズマ印加した場合の1/2の値であっ
た。又、Co＝6.725Å,Lc＞1000Åであった。
施例１と同様の条件で、膜厚約40μｍのグラファイト膜
を形成した。得られたグラファイト膜の電導度は4400〜
5800S/cmでありプラズマ印加した場合の1/2の値であっ
た。又、Co＝6.725Å,Lc＞1000Åであった。
比較例２ 基材を1100℃に加熱する他は実施例１と同様の条件で
膜厚約45μｍの炭素膜を形成した。得られた炭素膜の電
導度は650〜800S/cmであった。又、Co＝6.885Å,Lc＝40
Åであった。
膜厚約45μｍの炭素膜を形成した。得られた炭素膜の電
導度は650〜800S/cmであった。又、Co＝6.885Å,Lc＝40
Åであった。
比較例３ 基材を1690℃に加熱し、プラズマを印加しない他は実
施例１と同様の条件で、膜厚約25μｍのグラファイト膜
を形成した。
施例１と同様の条件で、膜厚約25μｍのグラファイト膜
を形成した。
得られたグラファイト膜の電導度は2600〜4100S/cmで
あり、プラズマを印加した場合の2/5〜1/3の値であっ
た。又、Co＝6.742Å,Lc＞1000Åであった。
あり、プラズマを印加した場合の2/5〜1/3の値であっ
た。又、Co＝6.742Å,Lc＞1000Åであった。
発明の効果 本発明は、プラズマCVD法を採用することにより、熱
分解法に比べ、高結晶性、高導電性のグラファイト膜を
形成することが出来る。さらに、基材遷移金属の触媒作
用によりグラファイト形成温度の低温化を図ることが出
来、金属の溶融に至らない低温下でグラファイト膜の形
成が可能となった。
分解法に比べ、高結晶性、高導電性のグラファイト膜を
形成することが出来る。さらに、基材遷移金属の触媒作
用によりグラファイト形成温度の低温化を図ることが出
来、金属の溶融に至らない低温下でグラファイト膜の形
成が可能となった。
第１図は本発明において使用されるプラズマCVD法の装
置の概略図、第２図は1320℃で形成したグラファイト膜
のＸ線回折図である。 １は真空チャンバー、２はヒーター、３は基材、４は油
回転ポンプ、５はバルブ、６は反応管、７はノズル、８
は電極、９は整合器、10は高周波発振器、11はバルブ、
12は原料容器、13は原料、14は恒温槽を示す。
置の概略図、第２図は1320℃で形成したグラファイト膜
のＸ線回折図である。 １は真空チャンバー、２はヒーター、３は基材、４は油
回転ポンプ、５はバルブ、６は反応管、７はノズル、８
は電極、９は整合器、10は高周波発振器、11はバルブ、
12は原料容器、13は原料、14は恒温槽を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｚ (72)発明者 安田 則彦 大阪府大阪市此花区島屋１丁目１番３号 住友電気工業株式会社大阪製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−289801（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−39392（ＪＰ，Ａ) 特公 昭62−48754（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭64−4591（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭62−57708（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C01B 31/04 C30B 28/14
Claims (1)
- 【請求項１】分離されたプラズマ放電室と形成室とを有
するプラズマCVD装置において、炭化水素を原料とし、1
200℃以上に加熱した遷移金属を含む基材上にプラズマ
放電により格子定数Coが6.72Å以下、電導度が2000S/cm
以上の特性を有する導電性グラファイト膜を形成する方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200682A JP2794913B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 導電性グラファイト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2200682A JP2794913B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 導電性グラファイト膜の形成方法 |
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| JP2794913B2 true JP2794913B2 (ja) | 1998-09-10 |
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1990
- 1990-07-25 JP JP2200682A patent/JP2794913B2/ja not_active Expired - Fee Related
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