JP2791726B2 - 回路網領域の荷電状態検知方法 - Google Patents
回路網領域の荷電状態検知方法Info
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- JP2791726B2 JP2791726B2 JP3348248A JP34824891A JP2791726B2 JP 2791726 B2 JP2791726 B2 JP 2791726B2 JP 3348248 A JP3348248 A JP 3348248A JP 34824891 A JP34824891 A JP 34824891A JP 2791726 B2 JP2791726 B2 JP 2791726B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/306—Contactless testing using electron beams of printed or hybrid circuits
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路網領域の荷電
状態を検知する方法に関するものである。
状態を検知する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】刊行物「スキャニング・エレクトロン・
マイクロスコピー(Scanning ElecrtonMicroscopy ）」
（1985年発行、 991〜999 頁）、刊行物「マイクロエレ
クトロニクス・エンジニアリング」（Microelectronics
Engineering）」（1988年発行、第８巻、25〜35頁）及
び米国特許第４４１７２０３号明細書によって公知であ
るプリント（回路）基板及びセラミック接続モジュール
の電気特性の試験方法においては、導電回路網に荷電し
該回路網の幾何学的形状及び短絡又は断線の有無によっ
て生じる荷電分布を調べるのに電子プローブを使用して
いる。プリント基板の接続点（端子）の荷電状態を知る
ために、電子プローブによって形成され夫々の接続点電
位に比例する２次電子のエネルギ分布の変化を、エネル
ギ感応形の検出器で測定している。このエネルギ感応形
の検出器は、通常、逆静電界を作る電極とシンチレータ
光増倍ユニットとから構成され、該シンチレータ光増倍
ユニットの出力信号は、逆静電界電極の電位を制御する
調節器を用いて一定に保持されている。
マイクロスコピー(Scanning ElecrtonMicroscopy ）」
（1985年発行、 991〜999 頁）、刊行物「マイクロエレ
クトロニクス・エンジニアリング」（Microelectronics
Engineering）」（1988年発行、第８巻、25〜35頁）及
び米国特許第４４１７２０３号明細書によって公知であ
るプリント（回路）基板及びセラミック接続モジュール
の電気特性の試験方法においては、導電回路網に荷電し
該回路網の幾何学的形状及び短絡又は断線の有無によっ
て生じる荷電分布を調べるのに電子プローブを使用して
いる。プリント基板の接続点（端子）の荷電状態を知る
ために、電子プローブによって形成され夫々の接続点電
位に比例する２次電子のエネルギ分布の変化を、エネル
ギ感応形の検出器で測定している。このエネルギ感応形
の検出器は、通常、逆静電界を作る電極とシンチレータ
光増倍ユニットとから構成され、該シンチレータ光増倍
ユニットの出力信号は、逆静電界電極の電位を制御する
調節器を用いて一定に保持されている。
【０００３】導電回路網内の短絡や断線を検知するため
には、荷電されている接続点と荷電されていない接続点
との間に明瞭な差異がなければならず、また、試験すべ
き接続点は多いので夫々２〜３μｓで測定する必要があ
る。したがって、上記調節器では、逆静電界電極の電位
を夫々の接続点電位に適合させるのに、例えば１０μｓ
という極めて短い時間しか使用できない。他方、プリン
ト基板の試験の場合、接続点電位を正確に知ることは余
り重要でない。
には、荷電されている接続点と荷電されていない接続点
との間に明瞭な差異がなければならず、また、試験すべ
き接続点は多いので夫々２〜３μｓで測定する必要があ
る。したがって、上記調節器では、逆静電界電極の電位
を夫々の接続点電位に適合させるのに、例えば１０μｓ
という極めて短い時間しか使用できない。他方、プリン
ト基板の試験の場合、接続点電位を正確に知ることは余
り重要でない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、試験
しようとする回路網の領域の荷電状態（電位）を迅速か
つ確実に検知する方法を提供することである。本発明
は、特にプリント基板及び小形の接続モジュールの電気
特性を試験する公知の方法に用いて好適である。
しようとする回路網の領域の荷電状態（電位）を迅速か
つ確実に検知する方法を提供することである。本発明
は、特にプリント基板及び小形の接続モジュールの電気
特性を試験する公知の方法に用いて好適である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、本発明に
よれば、請求項に記載した特徴を有する方法によって解
決される。
よれば、請求項に記載した特徴を有する方法によって解
決される。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を具体的に説明
する。図１は、本発明による方法を実施する装置の概略
構成図である。同図の装置は、接続点１〜３及びこの接
続点に接続された金属膜ＬＢを含むプリント基板ＬＰの
回路網に断線があるかどうかを試験するものである。そ
のための第１段階で、例えば接続点１をこれに向けられ
た電子プローブＰＥを用いて荷電し、次いで回路網に属
するすべての他の接続点２及び３の荷電状態を調べる。
これら他の接続点も、回路網の幾何学的形状に基いて同
じように荷電される筈である。もしそうでなければ、当
然断線が存在することになる。
する。図１は、本発明による方法を実施する装置の概略
構成図である。同図の装置は、接続点１〜３及びこの接
続点に接続された金属膜ＬＢを含むプリント基板ＬＰの
回路網に断線があるかどうかを試験するものである。そ
のための第１段階で、例えば接続点１をこれに向けられ
た電子プローブＰＥを用いて荷電し、次いで回路網に属
するすべての他の接続点２及び３の荷電状態を調べる。
これら他の接続点も、回路網の幾何学的形状に基いて同
じように荷電される筈である。もしそうでなければ、当
然断線が存在することになる。
【０００７】接続点１及びこれと導電接続された回路網
部分が電子プローブＰＥの照射によって正又は負に荷電
されるかどうかは、１次電子のエネルギＥ及び電子収量
を示す量σによって決まる。この量σは、入射１次電子
当たりの放射２次電子及び後方散乱電子の平均個数を示
すものである。
部分が電子プローブＰＥの照射によって正又は負に荷電
されるかどうかは、１次電子のエネルギＥ及び電子収量
を示す量σによって決まる。この量σは、入射１次電子
当たりの放射２次電子及び後方散乱電子の平均個数を示
すものである。
【０００８】図２は、放射された電子の収量がエネルギ
に関係することを示す特性図である。同図に描かれた曲
線変化が示す如く、多くの材料について収量σの値が同
じになる２つの電子エネルギＥ01及びＥ02が存在する。
ここで、そのときのσ値をσ（Ｅ01）＝σ（Ｅ02）＝１
とする。２次電子及び後方散乱電子の流れが１次電子の
流れと丁度平衡するので、このエネルギの電子は、絶縁
された回路網領域の荷電状態を変えることはない。その
ため、これらのエネルギ値Ｅ01及びＥ02は中性点エネル
ギとも呼ばれる。そして、Ｅ01は通常わずか１００ｅＶ
程度であり、Ｅ02は約１〜４ｋｅＶのエネルギ範囲内に
ある。
に関係することを示す特性図である。同図に描かれた曲
線変化が示す如く、多くの材料について収量σの値が同
じになる２つの電子エネルギＥ01及びＥ02が存在する。
ここで、そのときのσ値をσ（Ｅ01）＝σ（Ｅ02）＝１
とする。２次電子及び後方散乱電子の流れが１次電子の
流れと丁度平衡するので、このエネルギの電子は、絶縁
された回路網領域の荷電状態を変えることはない。その
ため、これらのエネルギ値Ｅ01及びＥ02は中性点エネル
ギとも呼ばれる。そして、Ｅ01は通常わずか１００ｅＶ
程度であり、Ｅ02は約１〜４ｋｅＶのエネルギ範囲内に
ある。
【０００９】電子エネルギＥが中性点エネルギＥ01及び
Ｅ02と異なる１次電子を接続点１に照射すると、定常状
態になるまでの間に、接続点１に導電接続されたすべて
の回路網部分は、正（Ｅ01＜Ｅ＜Ｅ02，σ＞１）又は負
（Ｅ＜Ｅ01又はＥ＞Ｅ02，σ＜１）に荷電される。この
定常状態は、Ｅ＞Ｅ02の場合、プリント基板ＬＰの上方
に形成される電界が１次電子を減速させ（負の荷電）、
その結果その衝突エネルギが中性点エネルギＥ02に一致
し、接続点１及びこれと導電接続される回路網部分が負
電位ＶC ＝（Ｅ02−Ｅ）／ｅを示すときに、その状態に
達する。
Ｅ02と異なる１次電子を接続点１に照射すると、定常状
態になるまでの間に、接続点１に導電接続されたすべて
の回路網部分は、正（Ｅ01＜Ｅ＜Ｅ02，σ＞１）又は負
（Ｅ＜Ｅ01又はＥ＞Ｅ02，σ＜１）に荷電される。この
定常状態は、Ｅ＞Ｅ02の場合、プリント基板ＬＰの上方
に形成される電界が１次電子を減速させ（負の荷電）、
その結果その衝突エネルギが中性点エネルギＥ02に一致
し、接続点１及びこれと導電接続される回路網部分が負
電位ＶC ＝（Ｅ02−Ｅ）／ｅを示すときに、その状態に
達する。
【００１０】荷電過程の後、電子プローブＰＥを接続点
２の上に位置決めして、該接続点の荷電状態を調べる。
接続点２から放射される２次電子ＳＥは、比較的高いエ
ネルギＥ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶC （Ｅ0 ＝荷電されていない
試験領域から放射される２次電子のエネルギ）を有す
る。その理由は、接続点２は、接続点１に導電接続され
ていてそれと同じ電位ＶC にあるからである。２次電子
は、電子プローブＰＥの通過孔が設けられたチャネルプ
レートＫＰに当たり、そこで同様に２次粒子ＳＥ′を放
射させる。その個数は、２次電子ＳＥのエネルギＥ2 SE
とチャネルプレート材料に固有の電子収量σとによって
決まる（図２参照）。荷電電位ＶC を適正に選定するこ
とにより、２次電子エネルギＥ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶC を、
電子収量σが最大の値を取る１次電子エネルギＥMAX に
ほぼ匹敵させることができる。荷電された接続点から放
射される２次電子ＳＥは、それからチャネルプレートＫ
Ｐ内に対応する大きさの２次粒子ＳＥ′の流れを生じさ
せ（σ（Ｅ2 SE）＞１）、この２次粒子の流れを雪崩の
ように増幅する金属板ＭＰ及び増幅器Ｖより成る検出器
内でこれを測定する。増幅された２次粒子信号を、比較
器ＣＭＰ内で特に調整可能な閾値ＳＷと比較する。この
閾値は、荷電された接続点から放射された２次電子だけ
が出力信号ＵA を生じるように設定する。
２の上に位置決めして、該接続点の荷電状態を調べる。
接続点２から放射される２次電子ＳＥは、比較的高いエ
ネルギＥ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶC （Ｅ0 ＝荷電されていない
試験領域から放射される２次電子のエネルギ）を有す
る。その理由は、接続点２は、接続点１に導電接続され
ていてそれと同じ電位ＶC にあるからである。２次電子
は、電子プローブＰＥの通過孔が設けられたチャネルプ
レートＫＰに当たり、そこで同様に２次粒子ＳＥ′を放
射させる。その個数は、２次電子ＳＥのエネルギＥ2 SE
とチャネルプレート材料に固有の電子収量σとによって
決まる（図２参照）。荷電電位ＶC を適正に選定するこ
とにより、２次電子エネルギＥ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶC を、
電子収量σが最大の値を取る１次電子エネルギＥMAX に
ほぼ匹敵させることができる。荷電された接続点から放
射される２次電子ＳＥは、それからチャネルプレートＫ
Ｐ内に対応する大きさの２次粒子ＳＥ′の流れを生じさ
せ（σ（Ｅ2 SE）＞１）、この２次粒子の流れを雪崩の
ように増幅する金属板ＭＰ及び増幅器Ｖより成る検出器
内でこれを測定する。増幅された２次粒子信号を、比較
器ＣＭＰ内で特に調整可能な閾値ＳＷと比較する。この
閾値は、荷電された接続点から放射された２次電子だけ
が出力信号ＵA を生じるように設定する。
【００１１】次に、電子プローブＰＥを接続点３上に位
置決めすると、この接続点は、図示の如く回路網内に存
在する断線のため荷電されておらず、電位ＶC がゼロで
あるから、エネルギＥ3 SE＝Ｅ0 ＜Ｅ2 SEの２次電子ＳＥ
が放射される結果となる。したがって、放射された２次
電子ＳＥも、チャネルプレートＫＰ内に小さな２次粒子
流（σ（Ｅ3 SE）＜σ（Ｅ2 SE））しか生ぜず、これは増
幅されても、比較器ＣＭＰ内に予め設定された閾値ＳＷ
より明らかに低くなる。こうすれば、比較器ＣＭＰの出
力信号ＵA に基いて、電子プローブＰＥで照射された接
続点（端子）が荷電されているか又は荷電されていない
かを直接確認することができる。
置決めすると、この接続点は、図示の如く回路網内に存
在する断線のため荷電されておらず、電位ＶC がゼロで
あるから、エネルギＥ3 SE＝Ｅ0 ＜Ｅ2 SEの２次電子ＳＥ
が放射される結果となる。したがって、放射された２次
電子ＳＥも、チャネルプレートＫＰ内に小さな２次粒子
流（σ（Ｅ3 SE）＜σ（Ｅ2 SE））しか生ぜず、これは増
幅されても、比較器ＣＭＰ内に予め設定された閾値ＳＷ
より明らかに低くなる。こうすれば、比較器ＣＭＰの出
力信号ＵA に基いて、電子プローブＰＥで照射された接
続点（端子）が荷電されているか又は荷電されていない
かを直接確認することができる。
【００１２】衝突した後方散乱電子によってチャネルプ
レートＫＰ内に生じた２次粒子ＳＥ′も、同じように検
出器信号Ｉに関与するが、後方散乱電子に起因し試験中
の接続点の荷電状態に基かない信号部分は、エネルギが
Ｅ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶc の２次電子成分より明らかに小さ
い。その理由は、高エネルギの後方散乱電子も、チャネ
ルプレート内に比較的僅かの２次粒子ＳＥ′しか生じさ
せないからである。
レートＫＰ内に生じた２次粒子ＳＥ′も、同じように検
出器信号Ｉに関与するが、後方散乱電子に起因し試験中
の接続点の荷電状態に基かない信号部分は、エネルギが
Ｅ2 SE＝Ｅ0 ＋ｅＶc の２次電子成分より明らかに小さ
い。その理由は、高エネルギの後方散乱電子も、チャネ
ルプレート内に比較的僅かの２次粒子ＳＥ′しか生じさ
せないからである。
【００１３】本発明は勿論、上述した実施例に限定され
るものではない。即ち、図１に示した検出器を、チャネ
ルプレートＫＰの上側方に配置したシンチレータ光増倍
ユニットで置き換えてもよい。また、チャネルプレート
ＫＰの代わりに、例えば、金属より成り場合によっては
２次電子放射を助ける材料で被覆した板を使用してもよ
い。被覆材料としては、特に酸素活性化されたＡｇ−Ｍ
ｇ合金が考えられる。
るものではない。即ち、図１に示した検出器を、チャネ
ルプレートＫＰの上側方に配置したシンチレータ光増倍
ユニットで置き換えてもよい。また、チャネルプレート
ＫＰの代わりに、例えば、金属より成り場合によっては
２次電子放射を助ける材料で被覆した板を使用してもよ
い。被覆材料としては、特に酸素活性化されたＡｇ−Ｍ
ｇ合金が考えられる。
【００１４】荷電された試料領域から放射される２次電
子のエネルギは、必ずしもエネルギＥMAX と一致する必
要はない。ただ、荷電された接続点と荷電されない接続
点とで測定された信号Ｉが、互いにできる限り明瞭に相
違していることが保証されればよい。これは、特に、荷
電された接続点から放射される２次電子ＳＥのエネルギ
を値ＥMAX にほぼ匹敵するようにすれば、保証される。
子のエネルギは、必ずしもエネルギＥMAX と一致する必
要はない。ただ、荷電された接続点と荷電されない接続
点とで測定された信号Ｉが、互いにできる限り明瞭に相
違していることが保証されればよい。これは、特に、荷
電された接続点から放射される２次電子ＳＥのエネルギ
を値ＥMAX にほぼ匹敵するようにすれば、保証される。
【００１５】荷電された接続点と荷電されない接続点と
で生じた信号間の比較は、必ずしも比較器で行う必要は
なく、アナログ・デジタル変換してからコンピュータで
行ってもよい。
で生じた信号間の比較は、必ずしも比較器で行う必要は
なく、アナログ・デジタル変換してからコンピュータで
行ってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
プリント基板における短絡や断線を短時間で検出するこ
とができる。
プリント基板における短絡や断線を短時間で検出するこ
とができる。
【図１】本発明による方法を実施する装置の概略構成図
である。
である。
【図２】放射された電子の収量がエネルギに関係するこ
とを示す特性図である。
とを示す特性図である。
１，２，３ 接続点（端子） ＬＰ プリント（回路）基板 ＫＰ チャネルプレート Ｖ 増幅器 ＣＭＰ 比較器 ＰＥ 電子プローブ（１次電子） ＳＥ ２次電子 ＳＥ′ ２次粒子
Claims (1)
- 【請求項１】 回路網領域に１次電子を照射して該回路
網領域を荷電し、該回路網領域から放射される２次電子
を検出することにより、該回路網領域の荷電状態を検知
する方法において、 上記荷電により生じる電位（ＶC ）を、２次電子の収量
（σ）が最大となる１次電子エネルギ（ＥMAX ）にほぼ
匹敵する２次電子エネルギが得られるように選定するこ
とを特徴とする回路網領域の荷電状態検知方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4039128.0 | 1990-12-07 | ||
| DE4039128 | 1990-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313250A JPH04313250A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2791726B2 true JP2791726B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=6419834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3348248A Expired - Fee Related JP2791726B2 (ja) | 1990-12-07 | 1991-12-04 | 回路網領域の荷電状態検知方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0490154A3 (ja) |
| JP (1) | JP2791726B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
| DE19828476A1 (de) | 1998-06-26 | 1999-12-30 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1523730A (en) * | 1974-12-13 | 1978-09-06 | Mullard Ltd | Secondaryemissive layers |
| DE2921151C2 (de) * | 1979-05-25 | 1982-12-02 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Vorrichtung zum Nachweis von in einem Abtast-Elektronenstrahlmikroskop von einer Probe ausgehenden Rückstreuelektronen |
| US4417203A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-22 | International Business Machines Corporation | System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics |
| JPS61140871A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-27 | Jeol Ltd | 電子線を用いた電位測定装置 |
| US4841242A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for testing conductor networks |
| JPS6482445A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Charged particle detector |
-
1991
- 1991-11-25 EP EP19910120070 patent/EP0490154A3/de not_active Withdrawn
- 1991-12-04 JP JP3348248A patent/JP2791726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04313250A (ja) | 1992-11-05 |
| EP0490154A3 (en) | 1992-09-30 |
| EP0490154A2 (de) | 1992-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980512 |
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