JP2790146B2 - 有機非線形光学膜の作製方法 - Google Patents
有機非線形光学膜の作製方法Info
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- JP2790146B2 JP2790146B2 JP63232704A JP23270488A JP2790146B2 JP 2790146 B2 JP2790146 B2 JP 2790146B2 JP 63232704 A JP63232704 A JP 63232704A JP 23270488 A JP23270488 A JP 23270488A JP 2790146 B2 JP2790146 B2 JP 2790146B2
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- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
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- Optics & Photonics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 有機非線形光学膜の作製方法に関し、 有機非線形光学膜を真空中で製膜する際、光照射による
重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行い、
高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供することを
その目的とし、 共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中において
基板に飛来させ、かつ、光を照射して基板上に有機非線
形光学膜を作製する。
重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行い、
高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供することを
その目的とし、 共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空中において
基板に飛来させ、かつ、光を照射して基板上に有機非線
形光学膜を作製する。
本発明は有機非線形光学膜の作製方法に関する。
近年、電気光学素子、光−光素子用材料として有機非
線形材料が注目されているが、現状ではまだその非線形
光学特性が不十分であり、実用化のためにはこれを向上
させる必要がある。
線形材料が注目されているが、現状ではまだその非線形
光学特性が不十分であり、実用化のためにはこれを向上
させる必要がある。
従来MNA,SPCD,DANなど多数の非線形光学物質が知られ
ているが、非線形光学特性などの点でまだ無機の代表的
な電気光学材料であるニオブ酸リチウム（LiNbO3）を大
幅に上回るものがないのが現状である。また、３次非線
形光学材料であるポリジアセチレンは、10-9〜10-10esu
のx(3)を示すが、この程度の値ではLDを光源とする光−
光素子の実用化は困難である。
ているが、非線形光学特性などの点でまだ無機の代表的
な電気光学材料であるニオブ酸リチウム（LiNbO3）を大
幅に上回るものがないのが現状である。また、３次非線
形光学材料であるポリジアセチレンは、10-9〜10-10esu
のx(3)を示すが、この程度の値ではLDを光源とする光−
光素子の実用化は困難である。
従って、本発明は、前記したような従来技術の背景か
ら、２次および３次非線形光学効果が大きい材料の開発
が望まれている現状に鑑み、 有機非線形光学膜を真空中で製膜する際、光照射によ
る重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行
い、高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供するこ
とをその目的とする。
ら、２次および３次非線形光学効果が大きい材料の開発
が望まれている現状に鑑み、 有機非線形光学膜を真空中で製膜する際、光照射によ
る重合の促進、電場印加による配向制御性の向上を行
い、高性能の非線形光学膜を作製する方法を提供するこ
とをその目的とする。
本発明に従えば、共役ポリマーを形成しうるモノマー
を真空中において基板に飛来させ、基板上に電場を印加
してモノマーを配向させながら光を照射してモノマーを
重合させ、基板上に有機非線形光学膜を作製する方法が
提供される。
を真空中において基板に飛来させ、基板上に電場を印加
してモノマーを配向させながら光を照射してモノマーを
重合させ、基板上に有機非線形光学膜を作製する方法が
提供される。
本発明に従えば、有機非線形光学膜を作製するに際
し、真空中で共役ポリマーを形成できるモノマーを基板
上に飛来させて基板上に電場を印加してモノマーを配付
させながら光を基板上に照射して基板上でモノマーを重
合させるため、高性能の非線形光学膜を形成することが
できる。
し、真空中で共役ポリマーを形成できるモノマーを基板
上に飛来させて基板上に電場を印加してモノマーを配付
させながら光を基板上に照射して基板上でモノマーを重
合させるため、高性能の非線形光学膜を形成することが
できる。
以下、図面を参照して本発明に係る有機非線形光学膜
の作製方法について説明するが、本発明の範囲を以下の
説明に限定するものであることはいうまでもない。
の作製方法について説明するが、本発明の範囲を以下の
説明に限定するものであることはいうまでもない。
第１図は本発明において使用する製膜装置の一例を示
す図面である。
す図面である。
第１図に示したように、本発明の非線形光学膜の作製
方法に使用される非線形光学膜作製装置１は、例えば一
般的な有機MBD（Molecular Beam Deposition）装置を利
用することができる。第１図の膜作製装置１において、
真空ポンプ（図示しない）により例えば10-5〜10-10ト
ールの真空とされた真空チャンバ２内には基板３（例え
ばガラス、石英、シリコン）が取付けられた基板ホルダ
４が設けられている。この基板ホルダ４は、ヒータ５と
冷却媒（水、液体窒素または液体ヘリウム等）により冷
却されている冷却器６とにより温度制御可能とされてい
て、基板３を最適な温度に設定できるようになされてい
る。
方法に使用される非線形光学膜作製装置１は、例えば一
般的な有機MBD（Molecular Beam Deposition）装置を利
用することができる。第１図の膜作製装置１において、
真空ポンプ（図示しない）により例えば10-5〜10-10ト
ールの真空とされた真空チャンバ２内には基板３（例え
ばガラス、石英、シリコン）が取付けられた基板ホルダ
４が設けられている。この基板ホルダ４は、ヒータ５と
冷却媒（水、液体窒素または液体ヘリウム等）により冷
却されている冷却器６とにより温度制御可能とされてい
て、基板３を最適な温度に設定できるようになされてい
る。
真空チャンバ２内において、基板ホルダ４に取付けら
れた基板３に対面する端部位置には３つのＫ（クヌード
セン）セル10Q,10b,10cが設けられている。これら３つ
のＫセルの内、２つのＫセル10aおよび10b内には固体ソ
ース11aおよび11bが入れられ、また、残りのＫセル11c
には真空チャンバ２の外部に設けられたガスボンベまた
はアンプル等（図示しない）から気体ソース11cが供給
されるようになされている。そして、これら３つのＫセ
ル10a,10b,10c,の上方にはそれぞれシャッタ12a,12b,12
cが設けられていて、基板３に到達する各Ｋセルのソー
スの種類および量を制御するようになされている。ま
た、真空チャンバ２の側部には、基板３上に外部に設け
た紫外線等の光源から光を照射するための光照射窓13が
設けられている。なお、光源は装置１の内部に設けても
よい。この第１図に示す装置（有機MBD装置）は本発明
に係る非線形光学膜の作製方法が適用される装置の一例
であり、本発明の有機膜の作製方法は、他に真空蒸着装
置、イオンプレーティング装置およびクラスターイオン
ビーム装置、スパッタリング装置等を利用することもで
きる。ここで、Ｋセル10aには、非線形光学降下を有す
るモノマー分子が入れられており、また、Ｋセル10cに
は、例えば、真空チャンバ２の外部に設けられアンプル
等からMMA（メタクリル酸メチル）またはHEMA（メタク
リル酸ヒドロキシエチル）等のポリマー形成可能な分子
が供給されるようになされている。この装置１を使用し
て本発明に従って有機非線形光学膜を作製するには、例
えば表１に示すような一般式： で表わされる各種ジアセチレン系化合物モノマーをＫ
（クヌードセン）−セルに入れ、これを真空下に（印又
は減圧下、通常10-2〜10-6トル又はそれ以下の真空圧下
に）蒸着せしめ、ジアセチレンモノマーを基板３に飛来
させる。その際、光照射窓13を通して紫外線光または可
視光を基板に照射する。これにより基板上でモノマーは
重合反応を起こしジアセチレンの共役鎖が成長し膜がで
きる。
れた基板３に対面する端部位置には３つのＫ（クヌード
セン）セル10Q,10b,10cが設けられている。これら３つ
のＫセルの内、２つのＫセル10aおよび10b内には固体ソ
ース11aおよび11bが入れられ、また、残りのＫセル11c
には真空チャンバ２の外部に設けられたガスボンベまた
はアンプル等（図示しない）から気体ソース11cが供給
されるようになされている。そして、これら３つのＫセ
ル10a,10b,10c,の上方にはそれぞれシャッタ12a,12b,12
cが設けられていて、基板３に到達する各Ｋセルのソー
スの種類および量を制御するようになされている。ま
た、真空チャンバ２の側部には、基板３上に外部に設け
た紫外線等の光源から光を照射するための光照射窓13が
設けられている。なお、光源は装置１の内部に設けても
よい。この第１図に示す装置（有機MBD装置）は本発明
に係る非線形光学膜の作製方法が適用される装置の一例
であり、本発明の有機膜の作製方法は、他に真空蒸着装
置、イオンプレーティング装置およびクラスターイオン
ビーム装置、スパッタリング装置等を利用することもで
きる。ここで、Ｋセル10aには、非線形光学降下を有す
るモノマー分子が入れられており、また、Ｋセル10cに
は、例えば、真空チャンバ２の外部に設けられアンプル
等からMMA（メタクリル酸メチル）またはHEMA（メタク
リル酸ヒドロキシエチル）等のポリマー形成可能な分子
が供給されるようになされている。この装置１を使用し
て本発明に従って有機非線形光学膜を作製するには、例
えば表１に示すような一般式： で表わされる各種ジアセチレン系化合物モノマーをＫ
（クヌードセン）−セルに入れ、これを真空下に（印又
は減圧下、通常10-2〜10-6トル又はそれ以下の真空圧下
に）蒸着せしめ、ジアセチレンモノマーを基板３に飛来
させる。その際、光照射窓13を通して紫外線光または可
視光を基板に照射する。これにより基板上でモノマーは
重合反応を起こしジアセチレンの共役鎖が成長し膜がで
きる。
なお、基板３は必要に応じ加熱または冷却することが
できる。更にモノマーは真空チャンバ２の外部からガス
化して導入してもよい。光照射は、モノマーの基板３へ
の飛来と同時に行ってもよく、または間けつ的に行って
もよい。更に、モノマーの飛来と光照射とを交互に行わ
せてもよい。このようにすることにより、重合反応をよ
り完全に行うことができる。また、用いるモノマーは複
数種類であってもよい。これを同時に飛来させれば、共
重合したポリマーの膜を基板３上に得られる。また、複
数種類のモノマーを交互に飛来させれば、１次元ポリマ
ーの超格子が形成される。第２図（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）は本発明に従って基板２にジアセチレンなどのモ
ノマーの分子14が付着し、光照射により基板３上で重合
成長していく状態を模式的に表したものである。
できる。更にモノマーは真空チャンバ２の外部からガス
化して導入してもよい。光照射は、モノマーの基板３へ
の飛来と同時に行ってもよく、または間けつ的に行って
もよい。更に、モノマーの飛来と光照射とを交互に行わ
せてもよい。このようにすることにより、重合反応をよ
り完全に行うことができる。また、用いるモノマーは複
数種類であってもよい。これを同時に飛来させれば、共
重合したポリマーの膜を基板３上に得られる。また、複
数種類のモノマーを交互に飛来させれば、１次元ポリマ
ーの超格子が形成される。第２図（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）は本発明に従って基板２にジアセチレンなどのモ
ノマーの分子14が付着し、光照射により基板３上で重合
成長していく状態を模式的に表したものである。
第３図は本発明において利用される製膜装置の一例で
あり、本発明によれば、第３図に示すように、電場を基
板付近に生じさせることにより、モノマーの配向性、さ
らにはポリマーの鎖の配向性を向上させ、非線形光学特
性を向上させることができる。
あり、本発明によれば、第３図に示すように、電場を基
板付近に生じさせることにより、モノマーの配向性、さ
らにはポリマーの鎖の配向性を向上させ、非線形光学特
性を向上させることができる。
即ち、この装置は、基板ホルダ４に取付けられている
基板３には、予め基板電極７（例えばNiCr,Ti,SnO2，In
2O3,Sn,Al,Auなど）が形成されていて、その基板７に有
機分子が到達されるようになされている。また、基板３
に対向する位置には多孔状または網目状とされたグリッ
ド電極８（例えばステンレス、Al製）が設けられてい
る。そして、基板電極７とグリッド電極８との間には直
流電圧Ｅが加圧されるようになされている。ここで、基
板電極７とグリッド電極８との間には、スペーサ９が挿
入されていて、基板電極７とグリッド電極８との間隔が
10μｍ〜5mmとなるようになされている。また、基板電
極７とグリッド電極８との間に印加する電圧Ｅは、100V
〜1000KVが好ましい。
基板３には、予め基板電極７（例えばNiCr,Ti,SnO2，In
2O3,Sn,Al,Auなど）が形成されていて、その基板７に有
機分子が到達されるようになされている。また、基板３
に対向する位置には多孔状または網目状とされたグリッ
ド電極８（例えばステンレス、Al製）が設けられてい
る。そして、基板電極７とグリッド電極８との間には直
流電圧Ｅが加圧されるようになされている。ここで、基
板電極７とグリッド電極８との間には、スペーサ９が挿
入されていて、基板電極７とグリッド電極８との間隔が
10μｍ〜5mmとなるようになされている。また、基板電
極７とグリッド電極８との間に印加する電圧Ｅは、100V
〜1000KVが好ましい。
この装置を用いて基板３上に有機非線形光学膜を形成
する状態を模式的に第４図に示した。即ち、第４図
（ａ）に示したように、例えば、真空チャンバ内でＫセ
ル10aからガス化されたモノマー14をガラス等の基板３
に到達させるようになされている。このモノマー分子14
は、例えば、表１に示すような電気双極子を有する非線
形光学物質であり、Ｋセル10aからグリッド電極８まで
の間において、その極性がランダムな方向を向くことに
なる。また、基板３上には、基板電極７が設けられてい
る。
する状態を模式的に第４図に示した。即ち、第４図
（ａ）に示したように、例えば、真空チャンバ内でＫセ
ル10aからガス化されたモノマー14をガラス等の基板３
に到達させるようになされている。このモノマー分子14
は、例えば、表１に示すような電気双極子を有する非線
形光学物質であり、Ｋセル10aからグリッド電極８まで
の間において、その極性がランダムな方向を向くことに
なる。また、基板３上には、基板電極７が設けられてい
る。
Ｋセル10aから放出されたモノマー分子14は、多孔状
または網目状とされたグリッド電極８を通過して基板３
に形成された基板電極７上に到達することになるが、こ
のグリッド電極８から基板電極７までの間において、極
性がランダムな方向を向いていたモノマー分子14は、配
向されて基板電極７上に堆積する。すなわち、例えば10
μｍ〜5mmの間隙を有する基板電極７とグリッド電極８
との間には、例えば、100V〜1000KVの電圧Ｅが印加され
ていて、この基板電極７とグリッド電極８との間におけ
る電界によりモノマー分子14はその電界方向に配向して
基板電極７上に到達させられることになる。このとき、
例えば、真空チャンバの光照射窓13から基板３に対して
紫外線が照射され、基板３に形成された基板電極５上に
は極性の揃ったモノマー分子14の膜が作製されることに
なる。
または網目状とされたグリッド電極８を通過して基板３
に形成された基板電極７上に到達することになるが、こ
のグリッド電極８から基板電極７までの間において、極
性がランダムな方向を向いていたモノマー分子14は、配
向されて基板電極７上に堆積する。すなわち、例えば10
μｍ〜5mmの間隙を有する基板電極７とグリッド電極８
との間には、例えば、100V〜1000KVの電圧Ｅが印加され
ていて、この基板電極７とグリッド電極８との間におけ
る電界によりモノマー分子14はその電界方向に配向して
基板電極７上に到達させられることになる。このとき、
例えば、真空チャンバの光照射窓13から基板３に対して
紫外線が照射され、基板３に形成された基板電極５上に
は極性の揃ったモノマー分子14の膜が作製されることに
なる。
第４図（ｂ）は、本発明の有機非線形光学膜の作製方
法における他の実施例を示すものである。すなわり、第
４図（ｂ）の非線形光学膜は、基板３に形成した基板電
極７上に絶縁体または半導体のバッファー層16を形成し
たものである。このように、基板電極７上にバッファー
層16を形成することによって、非線形光学膜を構成して
いるモノマー分子14に対して基板電極７から電子等が直
接影響を及ぼさないように構成し、電子等によるモノマ
ー分子14の分解および変質を防止して非線形光学効果を
有効に発揮させるようになる。また、電極を基板背後に
設ける、あるいは基板背後の基板ホルダーに設けること
によっても同様の効果が得られる。
法における他の実施例を示すものである。すなわり、第
４図（ｂ）の非線形光学膜は、基板３に形成した基板電
極７上に絶縁体または半導体のバッファー層16を形成し
たものである。このように、基板電極７上にバッファー
層16を形成することによって、非線形光学膜を構成して
いるモノマー分子14に対して基板電極７から電子等が直
接影響を及ぼさないように構成し、電子等によるモノマ
ー分子14の分解および変質を防止して非線形光学効果を
有効に発揮させるようになる。また、電極を基板背後に
設ける、あるいは基板背後の基板ホルダーに設けること
によっても同様の効果が得られる。
第４図（ｃ）は、本発明の非線形光学膜の作製方法に
おけるさらに他の例を示すものである。すなわち、第４
図（ｃ）の有機膜は、基板３に形成した複数個の基板電
極７を所望の形状にパターニングし、その基板電極７の
パターニング形状に応じて非線形光学膜の配向部分（極
性が揃った部分）を選択的に形成するようにしたもので
ある。具体的には、基板３に対してパターニングされた
基板電極７が形成されていると、バッファー層16を介し
て形成される非線形光学膜は、基板電極７に対応する位
置のモノマー分子14が主として基板電極７とグリッド電
極８との間における電界の影響を受けて配向し、基板電
極７が存在しない部分に対応する位置のモノマー分子14
はその影響が少なく、配向度が弱い。これにより、例え
ば、基板電極７に対応する位置のモノマー分子14が大き
な二次の非線形光学特性を生じ、それ以外のモノマー14
は大きな二次の非線形光学特性を生じない。
おけるさらに他の例を示すものである。すなわち、第４
図（ｃ）の有機膜は、基板３に形成した複数個の基板電
極７を所望の形状にパターニングし、その基板電極７の
パターニング形状に応じて非線形光学膜の配向部分（極
性が揃った部分）を選択的に形成するようにしたもので
ある。具体的には、基板３に対してパターニングされた
基板電極７が形成されていると、バッファー層16を介し
て形成される非線形光学膜は、基板電極７に対応する位
置のモノマー分子14が主として基板電極７とグリッド電
極８との間における電界の影響を受けて配向し、基板電
極７が存在しない部分に対応する位置のモノマー分子14
はその影響が少なく、配向度が弱い。これにより、例え
ば、基板電極７に対応する位置のモノマー分子14が大き
な二次の非線形光学特性を生じ、それ以外のモノマー14
は大きな二次の非線形光学特性を生じない。
特にこの方法はポリマー内のドナー、アクセプター基
の配置を制御するのに適する。すなわち、第５図
（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に模式的に示したように、電
圧を一定の極性にして印加した場合、モノマーは一定の
方向に配向し、ドナー、アクセプター、ドナー、アクセ
プター、…の順に例えば配列する。
の配置を制御するのに適する。すなわち、第５図
（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に模式的に示したように、電
圧を一定の極性にして印加した場合、モノマーは一定の
方向に配向し、ドナー、アクセプター、ドナー、アクセ
プター、…の順に例えば配列する。
また第６図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に模式的に示し
たように、電圧の極性を反転させて製膜すると、それに
応じてモノマーの向きが反転し、例えばドナー、アクセ
プター、アクセプター、ドナー、ドナー、アクセプタ
ー、……の順に配列する。
たように、電圧の極性を反転させて製膜すると、それに
応じてモノマーの向きが反転し、例えばドナー、アクセ
プター、アクセプター、ドナー、ドナー、アクセプタ
ー、……の順に配列する。
更に第７図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に模式的に示す
ように、複数種類のモノマーを用いて、ドナーアプセプ
ター、ドナー、ドナー、ドナー、アクセプター……のよ
うな配列も可能である。
ように、複数種類のモノマーを用いて、ドナーアプセプ
ター、ドナー、ドナー、ドナー、アクセプター……のよ
うな配列も可能である。
更に、第８図に模式的に示したように、いくつかの共
役モノマーの分子14の時鎖を積層した後、絶縁性分子
（非電子正孔伝導性分子）の層15を挿入することによ
り、共役一次元ポリマーの量子井戸を形成することがで
きる。
役モノマーの分子14の時鎖を積層した後、絶縁性分子
（非電子正孔伝導性分子）の層15を挿入することによ
り、共役一次元ポリマーの量子井戸を形成することがで
きる。
以上のような手法により、任意のドナー、アクセプタ
ーの配置が実現でき、最適配置をとらせることにより、
非線形光学効果の大幅な向上が可能となる。
ーの配置が実現でき、最適配置をとらせることにより、
非線形光学効果の大幅な向上が可能となる。
また飛来させるモノマーは複数種が潜在していてもよ
い。また疎水処理、親水処理、ラビングなど基板処理を
行うこと、あるいは基板にｐ型又はｎ型半導体を用いる
ことにより、モノマーの基板上での吸着状態、基板と分
子の長軸とのなす角を調整できる。
い。また疎水処理、親水処理、ラビングなど基板処理を
行うこと、あるいは基板にｐ型又はｎ型半導体を用いる
ことにより、モノマーの基板上での吸着状態、基板と分
子の長軸とのなす角を調整できる。
以上説明したように、本発明によれば高性能の有機非
線形光学膜を基板上で重合させて製膜することができ、
またこの際に基板上に電場を印加することにより有機非
線形光学膜の配向性を制御することができる。
線形光学膜を基板上で重合させて製膜することができ、
またこの際に基板上に電場を印加することにより有機非
線形光学膜の配向性を制御することができる。
第１図は本発明に係る非線形光学膜の作製方法に使用さ
れる装置の一例を模式的に示す図面であり、 第２図は第１図の装置を用いて本発明に従って有機膜を
形成する状態を模式的に示す図面であり、 第３図は本発明の非線形光学膜の作製方法に使用される
装置の他の例を模式的に示す図面であり、 第４図〜第８図は第３図の装置を用いて本発明に従って
有機非線形光学膜を形成する、いくつかの例の状態を模
式的に示す図面である。 （符号の説明） １…有機膜作製装置、２…真空チャンバ、３…基板、４
…基板ホルダ、５…ヒータ、６…冷却器、７…基板電
極、８…グリッド電極、10a,10b,10c…Ｋセル、11a,11b
…固体ソース、11c…ガスソース、12a,12b,12c…シャッ
タ。
れる装置の一例を模式的に示す図面であり、 第２図は第１図の装置を用いて本発明に従って有機膜を
形成する状態を模式的に示す図面であり、 第３図は本発明の非線形光学膜の作製方法に使用される
装置の他の例を模式的に示す図面であり、 第４図〜第８図は第３図の装置を用いて本発明に従って
有機非線形光学膜を形成する、いくつかの例の状態を模
式的に示す図面である。 （符号の説明） １…有機膜作製装置、２…真空チャンバ、３…基板、４
…基板ホルダ、５…ヒータ、６…冷却器、７…基板電
極、８…グリッド電極、10a,10b,10c…Ｋセル、11a,11b
…固体ソース、11c…ガスソース、12a,12b,12c…シャッ
タ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/35
Claims (4)
- 【請求項１】共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空
中において基板に飛来させ、基板上に電場を印加してモ
ノマーを配向させながら光を照射してモノマーを重合さ
せ、基板上に有機非線形光学膜を作製する方法。 - 【請求項２】共役ポリマーを形成しうるモノマーを真空
中において基板に飛来させて光照射下に基板上に有機非
線形光学膜を作製するに際し、予じめ基板上に形成され
た基板電極または基板背後に設けられた電極と基板前面
に配置した電極との間に電場を印加して製膜する請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】基板前面の電極が多穴状または網目状であ
る請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】印加電圧の極性を製膜時に変化させる請求
項２又は３に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232704A JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232704A JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281033A JPH0281033A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2790146B2 true JP2790146B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=16943469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232704A Expired - Lifetime JP2790146B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 有機非線形光学膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2739411B2 (ja) * | 1993-03-26 | 1998-04-15 | 川崎重工業株式会社 | 紫外光レーザーによる有機薄膜の製造方法 |
| JP2739441B2 (ja) * | 1994-12-07 | 1998-04-15 | 川崎重工業株式会社 | 赤外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置 |
| TW550672B (en) | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160638A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機非線形光学材料 |
| JPS61210332A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子用材料及びパタ−ンの形成方法 |
| JPH0240243B2 (ja) * | 1986-08-07 | 1990-09-11 | Kogyo Gijutsu Incho | Bunshihaikoseihakumaku |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232704A patent/JP2790146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0281033A (ja) | 1990-03-22 |
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