JP2788888B2 - ガス感知装置及び感知方法 - Google Patents

ガス感知装置及び感知方法

Info

Publication number
JP2788888B2
JP2788888B2 JP8036961A JP3696196A JP2788888B2 JP 2788888 B2 JP2788888 B2 JP 2788888B2 JP 8036961 A JP8036961 A JP 8036961A JP 3696196 A JP3696196 A JP 3696196A JP 2788888 B2 JP2788888 B2 JP 2788888B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
voltage
current
gas sensing
sensing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8036961A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08261970A (ja
Inventor
童鉉 尹
哲▲漢▼ 權
圭晶 李
炯基 洪
▲ヒョン▼洙 朴
鉉雨 申
成泰 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ERU JII DENSHI KK
Original Assignee
ERU JII DENSHI KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ERU JII DENSHI KK filed Critical ERU JII DENSHI KK
Publication of JPH08261970A publication Critical patent/JPH08261970A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2788888B2 publication Critical patent/JP2788888B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/122Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス感知装置に関
し、特に、加熱装置(heater) を別に設けることなし
に、感知膜の電流−電圧特性を用いて感知動作が行われ
る低電力の常温動作型ガス感知装置及び感知方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】通常、ガス感知装置では、直接ガスを感
知するガス感知素子内にヒータが装着されている。従っ
て、ヒータに電圧を加えるとヒータより熱が発生し、こ
の熱が感知素子の感知膜を高温(200〜500℃)に
加熱する。
【0003】このようにガス感知素子内にヒータを設置
して感知膜を加熱する理由は、次の通りである。ガス感
知素子の感知膜は、酸化物半導体を主原料とするが、前
記酸化物半導体SnO2にPt、Au、Ag等の金属触
媒が添加される物質で構成され、酸化物半導体のガスに
対する電気伝導度の変化を測定することにより感知動作
が行われる。このような酸化物半導体は、常温で比較的
高い抵抗(数MΩ以上)をもっているが、200℃以上
の比較的高い温度に加熱される場合、数十〜数百KΩの
抵抗を持つことになり、周囲空気中に存在する色々な還
元性ガスと敏感に反応する。このように、ガスと敏感に
反応するようにして、電気伝導度変化率を高くするため
にヒータが設置される。
【0004】以下、このような従来のガス感知素子及び
ガス感知装置を添付図面を参照して説明する。図1は、
従来のガス感知素子の構造断面図であり、図2は、従来
のガス感知素子の構造平面図である。
【0005】従来のガス感知素子において、まず、アル
ミナAl23基板1に、スクリーン印刷(Screen Printi
ng)法によって感知膜を加熱するためのヒータ3と、感
知膜の電気伝導度の変化を測定するための2個の電極2
が形成される。そして、前記2個の電極2にわたって、
ガスを感知するための感知膜4が形成され、ガス感知素
子が製造される。感知膜4は、SnO2にPt、Au、
Ag等の金属触媒が添加された酸化物半導体で形成され
る。ここで、ヒータ3は、図1に示されるように、アル
ミナ基板1の裏面に位置するか、或いは、図2に示され
るように電極と同じくアルミナ基板1上に位置する。
【0006】前記構成を有する従来のガス感知素子を備
えている、ガスを感知する従来のガス感知装置について
説明する。
【0007】図3は、従来のガス感知装置の構成ブロッ
ク図である。従来のガス感知装置は、前記図1及び図2
で説明したガス感知素子11と、前記ガス感知素子11
のヒータ3を駆動するためのヒータ駆動部12と、前記
ガス感知素子11の電極2に電圧を供給するための電圧
供給部13と、前記ガス感知素子11がガスを感知する
にしたがって変化する電流を検出するための電流検出部
14と、前記電圧供給部13及びヒータ駆動部12を制
御し、前記電流検出部14からの電流値の入力を受けて
ガスを判断する制御及び判断部15とから構成される。
【0008】次に、このように構成される従来のガス感
知装置の動作を説明する。制御及び判断部15は、電圧
供給部13及びヒータ駆動部12の動作を制御すること
により、電圧供給部13でガス感知素子11の電極2に
電圧が供給されるようにし、ヒータ駆動部12でガス感
知素子11のヒータ3に電源を供給して感知膜4が20
0℃以上の高温に加熱されるようにする。このような状
態で、ガス感知素子は、ガスを感知し、感知膜4の抵抗
値を変化させる。
【0009】この際、感知膜4がガス中に露出して反応
すると、空気中における感知膜4の抵抗値より一層低い
抵抗値に変化するので、電圧供給部13でガス感知素子
11に一定の電圧を供給していても、電流は高いレベル
で出力される。電流検出部14は、前記感知膜4に流れ
る電流を検出して、制御及び判断部15に入力する。制
御及び判断部15は、前記電流検出部14から入力され
た電流を比較して、ガス感知素子11の感知膜4の電気
伝導度を測定することによりガスを感知する。つまり、
従来では、電圧供給部13で一定電圧を供給し、電流検
出部14で検出された電流値によってガス感知を行って
いた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
従来のガス感知装置には、次のような問題点がある。
【0011】1.感知膜を適正温度に加熱するためのヒ
ータとヒータ駆動部を別途に設けなければならないの
で、ガス感知装置の構成が複雑である。従って、生産性
が低下し、コストが上昇する。
【0012】2.感知膜を高温に加熱しなければならな
いので、電力消費が増加するばかりではなく、熱衝撃に
よるガス感知素子の亀裂現象のため、ガス感知素子の信
頼性が低下する。
【0013】3.従来のガス感知装置では、ガスの濃度
を感知することができるが、ガスの種類を判断すること
ができない。
【0014】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは、加熱装置(ヒー
タ)を設置せず、ガスと反応する感知膜の電流−電圧特
性を用いて、低電力にて常温でガスを感知するガス感知
装置及び感知方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明によるガス感知装
置は、印加される電圧によってそれ自身が発熱し、ガス
との反応に応じて抵抗変化量が変化することによって、
ガスを感知するガス感知素子と、該ガス感知素子に電圧
を変化させながら供給する電圧供給部と、該ガス感知素
子がガスを感知するにしたがって変化する電流を検出す
る電流検出部と、該電圧供給部を制御して、該ガス感知
素子に供給される電圧の変化値を制御し、該電流検出部
から出力した電流値を受けて、電圧−電流特性を用いて
ガスの種類及びガスの濃度を判断する制御及び判断部
と、を備えており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【0016】ある実施形態では、前記ガス感知素子は、
基板と、該基板に形成され、印加される電圧によってそ
れ自身が発熱して、ガスと反応する感知膜と、該感知膜
の両側に接続され、該感知膜へ電圧を供給し、且つ電流
を出力する電極と、を備えている。
【0017】ある実施形態では、前記ガス感知素子は、
基板上にPtペーストで形成される2つの電極と、該2
つの電極上にわたって形成され、SnO2及びWO3粉末
と有機化合物とを含む材料から形成される感知膜と、を
備えている。
【0018】ある実施形態では、前記感知膜のSnO2
とWO3粉末の混合比は、95:5wt%である。
【0019】ある実施形態では、前記ガス感知素子にお
いて、前記電圧供給部から供給される電圧によって、感
知膜自身が発熱する。
【0020】本発明によるガス感知方法は、印加される
電圧によって、それ自身が発熱してガスと反応する感知
膜を備えているガス感知素子を用いて、ガスを感知する
ガス感知方法において、ガスの種類及び濃度に応じた電
流−電圧特性データを格納するステップと、該ガス感知
素子へ電圧を線形的に変化させながら供給し、この時の
電流値を検出するステップと、該供給される電圧とその
時検出される電流値から電流−電圧特性を求め、予め格
納された電流−電圧特性データと比較してガスを感知す
るステップと、を包含しており、そのことにより上記目
的が達成される。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、添付する図面を参照して、
本発明のガス感知装置及び感知方法をより詳細に説明す
る。図4は、本発明によるガス感知素子のレイアウト図
であり、図5は、図4のA−A’線における構造断面図
である。
【0022】本発明によるガス感知素子において、外部
からヒータを介して、感知物質である酸化物半導体を加
熱しなくても、感知膜自身は、電気伝導度の変化を測定
するために感知膜に印加される電圧によって発熱する。
感知膜の発熱した部分が、ガスに敏感に反応して、ガス
感知素子として動作する。つまり、本発明によるガス感
知素子は、アルミナ基板20の一定の領域に形成される
2個の電極21と、前記2個の電極21上にわたって形
成され、外部のガスと反応する感知膜22とから構成さ
れる。
【0023】前記のように構成される本発明のガス感知
素子の製造方法は、まず、アルミナ基板20上に、Pt
ペーストを用いて、スクリーン印刷法で2個の電極21
をパターニングする。感知されるガスを完全に酸化する
ように、感知膜の表面を活性化し、センシング感度を向
上させる。前記パターニングされた2個の電極21を1
100℃の温度で1時間にわたり焼成工程を行う。
【0024】次に、前記電極21上に、95:5wt%
の比率で混合されたSnO2及びWO3粉末と有機化合物
とを含む材料から形成される感知膜ペーストをスクリー
ン印刷して、感知膜22を形成する。そして、前記感知
膜22を600℃で1時間焼成した後、電極21パッド
に、リード線(Lead Wire)を接続して、パッケージング
(packaging)工程を行う。
【0025】以下、このようなガス感知素子を備えた本
発明のガス感知装置を説明する。図6は、本発明のガス
感知装置の構成図である。本発明のガス感知装置は、図
6に示すように、ヒータが設置されていないガス感知素
子31と、前記ガス感知素子31に電圧を可変させなが
ら供給する電圧供給部32と、前記ガス感知素子31が
ガスを感知するにしたがって変化する電流を検出する電
流検出部33と、前記電圧供給部32を制御してガス感
知素子31に供給される電圧の変化値を制御し、前記電
流検出部33から出力する電流値を受けて、電圧−電流
特性を用いてガスの種類とガスの濃度を判断する制御及
び判断部34とからなる。
【0026】このような本発明のガス感知装置の動作
は、次に示すようである。まず、本発明のガス感知素子
の電圧−電流特性を説明する。図7(a)、(b)及び
図8は、本発明のガス感知装置の動作特性図である。図
7(a)は、ガス感知素子に供給される電圧を変化させ
て、ガス感知素子を空気及びガス(200ppmの濃度を
有するC25OHガス、及び300ppmの濃度を有する
25OHガス)中に露出させる場合の、検出される電
流値を示す。図7(b)は、30Vの電圧が印加される
状態で、ガス感知素子をエチルアルコール(200pp
m)に露出させる場合の、時間と検出される電流値とを
比較したものである。図8は、COガスに対する電流−
電圧特性図である。
【0027】ヒータが設置されていないガス感知素子を
用いて、ガスを感知する方法を説明する。制御及び判断
部34は、電圧供給部32を制御して、ガス感知素子に
供給される電圧を線形的に変化させ、この時点に検出さ
れた電流を判断する。このように、ガス感知素子に供給
される電圧を変化させ、そのときの電流を検出して、電
流変化量/電圧変化量からガスの種類及びガスの濃度を
判断する。即ち、印加電圧が高くなるほど、ガス感知素
子31の感知膜22では高い発熱が生じる。感知膜22
に高い発熱が生ずるほど、感知膜22の抵抗は低くなる
ので、検出される電流は供給電圧に比例して増加する。
【0028】ところが、空気中では、電圧の変動量と電
流の変動量はほとんど一定である。これに対して、エチ
ルアルコールC25OH雰囲気では、空気中における特
性と対照的な特性を示す。つまり、低電圧(0〜15
V)では、空気中での特性と類似するが、20V以上で
は急激な電流の増加現象が現れる。このような現象は、
低電圧では、感知膜自身の発熱が大きくないので、アル
コールとの反応性が低く、高電圧では、感知膜自身の発
熱が大きくなるので、アルコールとの反応性が高いため
である。
【0029】同じ種類のガスといっても、その濃度によ
って、電流の増加量は異なる。即ち、感知膜が、300
ppmのエチルアルコールと反応する場合は、200ppmの
エチルアルコールと反応する場合より電流増加量はさら
に大きい。このような電圧−電流特性を用いてガスを感
知することができる。
【0030】一方、図7(b)に示すように、供給電圧
を30Vに一定し、空気中もしくはガスにガス感知素子
を露出させる場合を考える。空気中では約5mA程度の
電流が流れるが、ガス感知素子を200ppmのエチルア
ルコールに露出させる場合、30mAまでに電流が急激
に増加する。さらに、前記エチルアルコールを除去した
場合、ガス感知素子は、もとの状態に回復して、再び正
常に動作する。このようにガス感知素子の電流−電圧特
性は、ガス感知素子31の感知膜22の厚さ及び電極間
の距離等の影響を受けず、いつも同様に現れる(印加さ
れる電圧と電流の絶対値だけが変化する)。
【0031】本発明のガス感知素子の還元性ガスに対す
る電流−電圧特性は、図8に示される。図8は、COの
例を示すものであり、エチルアルコールの場合と異な
る。即ち、15V付近で急激な電流の増加が示される
が、20V以上の高電圧ではかえって電流が小幅に減少
することがわかる。これは、低電圧では電圧が増加する
にともなって発熱が増加して、温度が高くなるとともに
COとの反応性が高くなることにより、電流が急激に増
加するが、高電圧では発熱が多くなってCOとの反応性
がかえって低減するためである。このような特性は、C
Oガスと感知膜22との反応性は低温(300〜400
℃以下)では温度の上昇に伴って高くなり、高温では低
減するという一般的な原理と一致することが分かる。
【0032】上記のようなシミュレーション結果のデー
タを制御及び判断部34に予め格納し、上述した方法
で、ガス感知素子に供給される電圧の変化量と、その時
ガス感知素子で検出された電流の変化量を認識し、予め
格納したシミュレーションデータと比較して、ガスの種
類及びガスの濃度を判断する。
【0033】
【発明の効果】本発明のガス感知装置及び感知方法によ
って、次の効果が得られる。
【0034】1.本発明のガス感知素子は、感知膜に供
給される電圧を用いて感知膜自身を発熱させるので、ヒ
ータ及びヒータ駆動部等が不要である。従って、システ
ム設計を単純化し、低電力の感知素子を実現することが
でき、しかも、生産性を向上し、生産コストを減少する
ことができる。
【0035】2.ヒータを使用しないので熱衝撃による
エラーがなくなり、素子の信頼性を向上することができ
る。
【0036】3.感知膜の電流−電圧特性がガスの種類
によって異なることを用いて、色々な種類のガスを感知
できるだけではなく、ガスの濃度も感知することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のガス感知素子の構造断面図である。
【図2】従来のガス感知素子の構造平面図である。
【図3】従来のガス感知装置の構成ブロック図である。
【図4】本発明のガス感知素子のレイアウト図である。
【図5】図4のA−A’線における構造断面図である。
【図6】本発明のガス感知装置の構成図である。
【図7】(a)及び(b)は、本発明のガス感知装置の
動作特性図である。
【図8】本発明のガス感知装置の動作特性図である。
【符号の説明】
20 アルミナ基板 21 電極 22 感知膜 31 ガス感知素子 32 電圧供給部 33 電流検出部 34 制御及び判断部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 洪 炯基 大韓民國,京畿▲道▼,果川市,富林 洞,41,主公エイピーティ.903−105 (72)発明者 朴 ▲ヒョン▼洙 大韓民國,ソウル市,永登浦區,大林2 洞,1057−31 (72)発明者 申 鉉雨 大韓民國,京畿▲道▼,果川市,富林 洞,41,主公エイピーティ.805−708 (72)発明者 金 成泰 大韓民國,ソウル市,恩平區,應岩2 洞,242−6 (56)参考文献 特開 昭49−11392(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01N 27/12

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 印加される電圧によってそれ自身が発熱
    し、ガスとの反応に応じて抵抗変化量が変化することに
    よって、ガスを感知するガス感知素子と、 該ガス感知素子に電圧を変化させながら供給する電圧供
    給部と、 該ガス感知素子がガスを感知するにしたがって変化する
    電流を検出する電流検出部と、 該電圧供給部を制御して、該ガス感知素子に供給される
    電圧の変化値を制御し、該電流検出部から出力した電流
    値を受けて、電圧−電流特性を用いてガスの種類及びガ
    スの濃度を判断する制御及び判断部と、を備えているガ
    ス感知装置。
  2. 【請求項2】 前記ガス感知素子は、 基板と、 該基板に形成され、印加される電圧によってそれ自身が
    発熱して、ガスと反応する感知膜と、 該感知膜の両側に接続され、該感知膜へ電圧を供給し、
    且つ電流を出力する電極と、を備えている請求項1に記
    載のガス感知装置。
  3. 【請求項3】 前記ガス感知素子は、 基板上にPtペーストで形成される2つの電極と、 該2つの電極上にわたって形成され、SnO2及びWO3
    粉末と有機化合物とを含む材料から形成される感知膜
    と、を備えている請求項1に記載のガス感知装置。
  4. 【請求項4】 前記感知膜のSnO2とWO3粉末の混合
    比は、95:5wt%である、請求項3に記載のガス感
    知装置。
  5. 【請求項5】 前記ガス感知素子において、前記電圧供
    給部から供給される電圧によって、感知膜自身が発熱す
    る、請求項1に記載のガス感知装置。
  6. 【請求項6】 印加される電圧によって、それ自身が発
    熱してガスと反応する感知膜を備えているガス感知素子
    を用いて、ガスを感知するガス感知方法において、 ガスの種類及び濃度に応じた電流−電圧特性データを格
    納するステップと、 該ガス感知素子へ電圧を線形的に変化させながら供給
    し、この時の電流値を検出するステップと、 該供給される電圧とその時検出される電流値から電流−
    電圧特性を求め、予め格納された電流−電圧特性データ
    と比較してガスを感知するステップと、を包含するガス
    感知方法。
JP8036961A 1995-02-24 1996-02-23 ガス感知装置及び感知方法 Expired - Fee Related JP2788888B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950003681A KR960031987A (ko) 1995-02-24 1995-02-24 가스(gas) 센싱소자의 구조 및 제조방법
KR1995-3681 1995-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08261970A JPH08261970A (ja) 1996-10-11
JP2788888B2 true JP2788888B2 (ja) 1998-08-20

Family

ID=19408735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8036961A Expired - Fee Related JP2788888B2 (ja) 1995-02-24 1996-02-23 ガス感知装置及び感知方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5627305A (ja)
JP (1) JP2788888B2 (ja)
KR (1) KR960031987A (ja)
CN (1) CN1141433A (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9802940D0 (en) * 1998-02-11 1998-04-08 Cbl Ceramics Ltd Gas sensor
KR20030021612A (ko) * 2001-09-07 2003-03-15 박진성 이종접합 후막센서 및 그의 제조 방법
US7193187B2 (en) * 2004-02-09 2007-03-20 Advanced Technology Materials, Inc. Feedback control system and method for maintaining constant resistance operation of electrically heated elements
US7737700B2 (en) * 2005-11-23 2010-06-15 Ust Umweltsensortechnik Gmbh Arrangement and method for detecting air ingredients
US7827852B2 (en) * 2007-12-20 2010-11-09 General Electric Company Gas sensor and method of making
GB2464516A (en) * 2008-10-17 2010-04-21 Alireza Salehi Self heated carbon monoxide sensor
DE102010001624A1 (de) * 2010-02-05 2011-08-11 Robert Bosch GmbH, 70469 Verfahren zur Detektion von zwei oder mehr Gasspezies
TWI445958B (zh) 2012-02-09 2014-07-21 Ind Tech Res Inst 氣體檢測系統、裝置及方法
US20140260545A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Infineon Technologies Ag Sensor and sensing method
DE102015200217A1 (de) * 2015-01-09 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung und Verfahren zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten sowie Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung
DE102016201193A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Technische Universität München Gedruckte Sensorvorrichtung zum Detektieren von Medien
CN105928981A (zh) * 2016-04-27 2016-09-07 上海翰临电子科技有限公司 一种全天候空气质量监测方法及监测设备
CN106018497B (zh) * 2016-07-18 2019-02-19 哈尔滨理工大学 一种半导体气体传感器低频温度调制检测方法
US10329022B2 (en) * 2016-10-31 2019-06-25 Honeywell International Inc. Adjustable sensor or sensor network to selectively enhance identification of select chemical species
CN107941895A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 中国人民解放军陆军防化学院 离子迁移谱检测仪
CN109682858B (zh) * 2018-12-19 2021-09-17 苏州慧闻纳米科技有限公司 一种利用气体传感器实时检测气体浓度的方法
KR102641207B1 (ko) * 2019-03-26 2024-02-28 엘지전자 주식회사 센서 모듈
CN113511646A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 中国石油化工股份有限公司 自加热气体传感器、气敏材料及其制备方法和应用
TWI800751B (zh) * 2020-09-18 2023-05-01 國立陽明交通大學 氣體感測方法及氣體感測系統
US20240159700A1 (en) * 2022-11-10 2024-05-16 Tdk Corporation Metal oxide semiconductor gas sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4553424A (en) * 1982-03-23 1985-11-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for detecting an oxygen concentration and a method for controlling an air-to-fuel ratio based on the detected oxygen concentration
US4587104A (en) * 1983-12-21 1986-05-06 Westinghouse Electric Corp. Semiconductor oxide gas combustibles sensor
EP0199761A4 (en) * 1984-10-29 1987-03-09 Commw Scient Ind Res Org SENSORS AND METHOD FOR MEASURING PARTIAL PRESSURES OF OXYGEN IN HOT GASES.
US4706493A (en) * 1985-12-13 1987-11-17 General Motors Corporation Semiconductor gas sensor having thermally isolated site
US4770027A (en) * 1986-03-24 1988-09-13 Katuo Ehara Method of measuring concentrations of odors and a device therefor
US4911892A (en) * 1987-02-24 1990-03-27 American Intell-Sensors Corporation Apparatus for simultaneous detection of target gases
JP2542643B2 (ja) * 1987-10-31 1996-10-09 株式会社東芝 センサの製造方法
JPH01131444A (ja) * 1987-11-17 1989-05-24 Katsuo Ebara ニオイ識別装置
US5047214A (en) * 1989-03-08 1991-09-10 New Cosmos Electric Co., Ltd. Smell sensing element and smell sensing device
US5045285A (en) * 1989-09-05 1991-09-03 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Gaseous component identification with polymeric film sensor
US5402665A (en) * 1993-05-11 1995-04-04 Hart; Russell F. Monitoring gaseous oxygen concentration

Also Published As

Publication number Publication date
CN1141433A (zh) 1997-01-29
KR960031987A (ko) 1996-09-17
JPH08261970A (ja) 1996-10-11
US5627305A (en) 1997-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2788888B2 (ja) ガス感知装置及び感知方法
EP3051280A1 (en) Metal oxide based gas sensor with pulsed heating
US4397888A (en) Thick film sensor for hydrogen and carbon monoxide
EP0751383B1 (en) Sensor with output correcting function
JPH10213470A (ja) 薄膜式抵抗体及びその製造方法、流量センサ、湿度センサ、ガスセンサ、温度センサ
Kim et al. Propane/butane semiconductor gas sensor with low power consumption
EP0056339B1 (en) A method of producing a stannic oxide type gas-detecting device
JP2004037402A (ja) 薄膜ガスセンサ
KR20050081691A (ko) 접촉연소식 소형 가스센서 제조방법 및 접촉연소식 소형가스센서를 이용한 가스센서
JP4900319B2 (ja) 薄膜ガスセンサ、ガス漏れ警報器、薄膜ガスセンサ設定調節装置および薄膜ガスセンサ設定調節方法
JPH1082755A (ja) 炭化水素ガスセンサ並びにその製造方法
JP3903181B2 (ja) 抵抗型酸素センサとそれを使った酸素センサ装置及び空燃比制御システム
JP2002286668A (ja) ガス検知出力補正方法およびガス検知装置
GB2234074A (en) Gas sensor
KR0141771B1 (ko) 가스센서 및 그의 가스 검지방법
JP4205601B2 (ja) 一酸化炭素ガスセンサ、及びp型半導体の製造方法
KR100257317B1 (ko) 피티시 소자를 이용한 가스 센서 및 그 제조방법
KR100511268B1 (ko) 가스센서 제조 방법
JP2946090B2 (ja) アンモニアガスセンサの製造方法
JP2949898B2 (ja) ガス漏れ警報器
JPH04256851A (ja) ガス検知装置
US11852603B2 (en) Gas sensing method and gas sensing system
JP2955583B2 (ja) ガスセンサ用検知素子
KR100279578B1 (ko) 반도체형 가스센서
JPS58102144A (ja) ガスセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980525

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090605

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees