JP2784870B2 - 部分結晶化シリカガラスおよびその製造方法 - Google Patents
部分結晶化シリカガラスおよびその製造方法Info
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- silica
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- glass
- ceramic
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性が高く、高温で
の粘度が高い部分結晶化シリカガラスおよびその製造方
法に関する。
の粘度が高い部分結晶化シリカガラスおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリカガラスは、高い純度を有
し、熱膨張率が極めて小さく耐急熱急冷性に優れるとこ
ろから半導体熱処理治具用材料として、また高圧水銀ラ
ンプ用バルブ、メタルハライドランプ用バルブ等の放電
管用バルブ材として用いられてきた。
し、熱膨張率が極めて小さく耐急熱急冷性に優れるとこ
ろから半導体熱処理治具用材料として、また高圧水銀ラ
ンプ用バルブ、メタルハライドランプ用バルブ等の放電
管用バルブ材として用いられてきた。
【０００３】ところが、従来のシリカガラスでは高温で
の粘度が不足し、このシリカガラスで作成した熱処理治
具では、最近の大型化し重量も増加したウエハーの熱処
理時に変形が起こる等の欠点があった。また、この従来
のシリカガラスでメタルハライドランプ用バルブを作成
し高温、高圧で発光させると、膨張変形したり、あるい
は封入金属ガスが外部に拡散する等の欠点があった。
の粘度が不足し、このシリカガラスで作成した熱処理治
具では、最近の大型化し重量も増加したウエハーの熱処
理時に変形が起こる等の欠点があった。また、この従来
のシリカガラスでメタルハライドランプ用バルブを作成
し高温、高圧で発光させると、膨張変形したり、あるい
は封入金属ガスが外部に拡散する等の欠点があった。
【０００４】上記の欠点を解消するため従来技術として
シリカガラスマトリックス中に微細なシリカ結晶を共存
させる手段が既に提案されているが、この粘度向上法で
は、核生成剤がガラス化時にシリカガラスと反応し、新
しい化合物を生成したり、あるいは前記微細シリカ結晶
含有ガラスを高温度下に置いた時、該核生成剤が不純物
として外部に拡散するという問題があった。そのため、
前記従来の微細シリカ結晶含有ガラスは、半導体熱処理
治具用材料としても、またメタルハライドランプ用バル
ブ材としても利用されていなかった。
シリカガラスマトリックス中に微細なシリカ結晶を共存
させる手段が既に提案されているが、この粘度向上法で
は、核生成剤がガラス化時にシリカガラスと反応し、新
しい化合物を生成したり、あるいは前記微細シリカ結晶
含有ガラスを高温度下に置いた時、該核生成剤が不純物
として外部に拡散するという問題があった。そのため、
前記従来の微細シリカ結晶含有ガラスは、半導体熱処理
治具用材料としても、またメタルハライドランプ用バル
ブ材としても利用されていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記事情に鑑み、本発
明者等は、高温で粘度が高く、熱安定性のよいシリカガ
ラスを提供すべく鋭意研究を重ねたところ、シリカガラ
スマトリックス中のシリカ結晶を非反応性セラミックス
核生成剤を用いて析出させることにより従来のシリカガ
ラス以上の粘度を有し、高純度で半導体材料の熱処理時
あるいはランプの発光時に熱変形や不純物の外部拡散の
ない安定した結晶化ガラスが得られることを発見し、本
発明を完成するに到ったものである。
明者等は、高温で粘度が高く、熱安定性のよいシリカガ
ラスを提供すべく鋭意研究を重ねたところ、シリカガラ
スマトリックス中のシリカ結晶を非反応性セラミックス
核生成剤を用いて析出させることにより従来のシリカガ
ラス以上の粘度を有し、高純度で半導体材料の熱処理時
あるいはランプの発光時に熱変形や不純物の外部拡散の
ない安定した結晶化ガラスが得られることを発見し、本
発明を完成するに到ったものである。
【０００６】すなわち、本発明は、従来のシリカガラス
以上の高温粘度を有し、かつ熱安定性の高い新規な部分
結晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
以上の高温粘度を有し、かつ熱安定性の高い新規な部分
結晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
【０００７】本発明は、熱処理時に熱変形を起こさない
大型シリコンウエハー用ボート部材として有用な部分結
晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
大型シリコンウエハー用ボート部材として有用な部分結
晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
【０００８】本発明は、外部からの不純物イオンからシ
リコンウエハーの汚染を防止できる炉芯管用部材として
有用な部分結晶化シリカガラスを提供することを目的と
する。
リコンウエハーの汚染を防止できる炉芯管用部材として
有用な部分結晶化シリカガラスを提供することを目的と
する。
【０００９】また、本発明は、高温、高圧下での発光時
にランプバルブの熱膨張や封入ガスの外部拡散が起こら
ないメタルハライドランプバルブ用材料として有用な部
分結晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
にランプバルブの熱膨張や封入ガスの外部拡散が起こら
ないメタルハライドランプバルブ用材料として有用な部
分結晶化シリカガラスを提供することを目的とする。
【００１０】さらに、本発明は、上記新規な部分結晶化
シリカガラスの製造方法を提供することを目的とする。
シリカガラスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、シリカガラスマトリックス中にセラミックス核生
成剤を核として成長した長さ１００μｍ以下のシリカ針
状結晶が存在することを特徴とする部分結晶化シリカガ
ラス、およびその製造方法に係る。
明は、シリカガラスマトリックス中にセラミックス核生
成剤を核として成長した長さ１００μｍ以下のシリカ針
状結晶が存在することを特徴とする部分結晶化シリカガ
ラス、およびその製造方法に係る。
【００１２】上記部分結晶化シリカガラスはシリカガラ
ス粉体またはシリカ結晶粉体に非反応性のセラミクス微
粒子を混合し、それを加熱溶融してガラス塊とし、次い
で１、０００℃以上の温度で約１〜１００時間加熱処理
して結晶を析出させることにより製造されるが、前記配
合された非反応性セラミックス微粒子は結晶析出後も変
質することがなく結晶核として存在する。前記シリカ針
状結晶の析出によりガラス構造が緻密化され、高温にお
ける粘度が向上するばかりでなく、非反応性セラミック
ス微粒子の存在により拡散速度の速い不純物イオンの移
動が抑制される。
ス粉体またはシリカ結晶粉体に非反応性のセラミクス微
粒子を混合し、それを加熱溶融してガラス塊とし、次い
で１、０００℃以上の温度で約１〜１００時間加熱処理
して結晶を析出させることにより製造されるが、前記配
合された非反応性セラミックス微粒子は結晶析出後も変
質することがなく結晶核として存在する。前記シリカ針
状結晶の析出によりガラス構造が緻密化され、高温にお
ける粘度が向上するばかりでなく、非反応性セラミック
ス微粒子の存在により拡散速度の速い不純物イオンの移
動が抑制される。
【００１３】上記シリカ針状結晶は、クオルツ、トリデ
イマイト、クリストバライト、コーザイトまたはステイ
ショバイトあるいは前記結晶系の複合鉱物からなるが、
とくに大気圧下での結晶成長では、クオルツ、トリデイ
マイト、クリストバライトのいずれかが主成分となる。
イマイト、クリストバライト、コーザイトまたはステイ
ショバイトあるいは前記結晶系の複合鉱物からなるが、
とくに大気圧下での結晶成長では、クオルツ、トリデイ
マイト、クリストバライトのいずれかが主成分となる。
【００１４】上記シリカ針状結晶を析出させるセラミッ
クス核生成剤の大きさは粒径が５０μｍ以下、好ましく
は５μｍ以下がよい。前記以上の大きさではシリカ針状
結晶の長さが１００μｍ以上となり、確かに高温におけ
る粘度は向上するものの粒界の発達が多くなり、それが
シリカ結晶とシリカガラスとの線膨張率差に起因する問
題点を顕著なものとし、シリカガラスを脆くし、サーマ
ルショック性を低下させ、急冷、急加熱時に多数のクラ
ックの発生を容易にする。また、シリカ針状結晶の析出
量は容量比で５〜５０ｖｏｌ％がよい。前記範囲以上で
は前記と同じように粒界が多く発達し、シリカガラスを
脆くし、また、前記範囲以下では粘度の向上がみられな
い。
クス核生成剤の大きさは粒径が５０μｍ以下、好ましく
は５μｍ以下がよい。前記以上の大きさではシリカ針状
結晶の長さが１００μｍ以上となり、確かに高温におけ
る粘度は向上するものの粒界の発達が多くなり、それが
シリカ結晶とシリカガラスとの線膨張率差に起因する問
題点を顕著なものとし、シリカガラスを脆くし、サーマ
ルショック性を低下させ、急冷、急加熱時に多数のクラ
ックの発生を容易にする。また、シリカ針状結晶の析出
量は容量比で５〜５０ｖｏｌ％がよい。前記範囲以上で
は前記と同じように粒界が多く発達し、シリカガラスを
脆くし、また、前記範囲以下では粘度の向上がみられな
い。
【００１５】シリカ針状結晶を折出させる刻生成剤とし
ては、溶融ガラス化時に安定でシリカガラスと反応溶融
して新しい化合物を作らない非反応性セラミックスがよ
く、特に、酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物の
セラミックスがよい。具体的には酸化物としてＡｌ
2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2が、
ホウ化物としてＺｒＢ2、ＨｆＢ2、ＴｉＢ2、ＬａＢ
6が、炭化物としてＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ
が、チッ化物としてＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＮ、ＴａＮが
有用である。前記セラミックスはいずれも融点が２００
０℃以上と、シリカガラス粉体をガラス化する温度であ
る約１７００〜２２００℃以上で、溶融ガラス化時に安
定である。これらのセラミックスからなる核性成剤はシ
リカガラス粉体あるいはシリカ結晶粉体に対し０．００
１〜２ｗｔ．％配合される。
ては、溶融ガラス化時に安定でシリカガラスと反応溶融
して新しい化合物を作らない非反応性セラミックスがよ
く、特に、酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物の
セラミックスがよい。具体的には酸化物としてＡｌ
2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2が、
ホウ化物としてＺｒＢ2、ＨｆＢ2、ＴｉＢ2、ＬａＢ
6が、炭化物としてＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ
が、チッ化物としてＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＮ、ＴａＮが
有用である。前記セラミックスはいずれも融点が２００
０℃以上と、シリカガラス粉体をガラス化する温度であ
る約１７００〜２２００℃以上で、溶融ガラス化時に安
定である。これらのセラミックスからなる核性成剤はシ
リカガラス粉体あるいはシリカ結晶粉体に対し０．００
１〜２ｗｔ．％配合される。
【００１６】本発明の部分結晶化シリカガラス中のＯＨ
基および塩素の含有量は各々１００ｗｔ．ｐｐｍ以下で
なければならない。前記不純物は、ガラスネットワーク
構造のターミネータとなりシリカガラスの粘度を低下さ
せる。
基および塩素の含有量は各々１００ｗｔ．ｐｐｍ以下で
なければならない。前記不純物は、ガラスネットワーク
構造のターミネータとなりシリカガラスの粘度を低下さ
せる。
【００１７】以下に実施例を示しさらに本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００１８】〈物性測定〉 １）粘度測定；ＡＳＴＭのＮｏ．Ｃ５９８に準じビーム
ベンデイング法により１１００℃における粘度を測定す
る。
ベンデイング法により１１００℃における粘度を測定す
る。
【００１９】２）構造解析；粉末Ｘ線回析法によりシリ
カ微細結晶の同定を行う。同定用データはＪｏｉｎｔ
Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｎ ＰｏｗｄｅｒＤｉｆｆｒａ
ｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ（以下ＪＣＰＤＳとい
う）に従う。
カ微細結晶の同定を行う。同定用データはＪｏｉｎｔ
Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｎ ＰｏｗｄｅｒＤｉｆｆｒａ
ｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ（以下ＪＣＰＤＳとい
う）に従う。
【００２０】
【実施例１〜３】純度９９．９９９ｗｔ．％以上の合成
シリカガラス粉体を作成し、粒度♯１００〜４００（タ
イラーメッシュ、１４９〜３７μｍ）に調整した。この
シリカガラス粉体のＯＨ基含有濃度は６０〜８０ｗｔ．
ｐｐｍ、塩素含有濃度は２０ｗｔ．ｐｐｍ以下であっ
た。
シリカガラス粉体を作成し、粒度♯１００〜４００（タ
イラーメッシュ、１４９〜３７μｍ）に調整した。この
シリカガラス粉体のＯＨ基含有濃度は６０〜８０ｗｔ．
ｐｐｍ、塩素含有濃度は２０ｗｔ．ｐｐｍ以下であっ
た。
【００２１】上記合成シリカガラス粉体に粒径５μｍ以
下の非反応性マグネシア（ＭｇＯ）をその割合が夫々
０．０１、０．１、１ｗｔ．％となるようにＶ型ミキサ
ーに入れ、均一混合し、次いで電気炉で２０００℃に加
熱し透明ガラス塊とした。
下の非反応性マグネシア（ＭｇＯ）をその割合が夫々
０．０１、０．１、１ｗｔ．％となるようにＶ型ミキサ
ーに入れ、均一混合し、次いで電気炉で２０００℃に加
熱し透明ガラス塊とした。
【００２２】次いで上記３種類のガラス塊を電気炉で夫
々１１５０℃で５０時間加熱処理し、シリカ針状結晶を
析出させた。その結果を表１に示す。表１中、Ｃｙはク
リストバライトを、Ｑｚはクオルツを表わす。
々１１５０℃で５０時間加熱処理し、シリカ針状結晶を
析出させた。その結果を表１に示す。表１中、Ｃｙはク
リストバライトを、Ｑｚはクオルツを表わす。
【００２３】 表１の実施例番号３のサンプを粉末Ｘ線回折法により解
折し、その回折図を図１として示す。同回折におけるＸ
線源としてＣｕＫα線を使用した。
折し、その回折図を図１として示す。同回折におけるＸ
線源としてＣｕＫα線を使用した。
【００２４】上記回折図に基づいてＪＣＰＤＳにより鉱
物同定したところ該部分結晶化シリカガラス中のシリカ
針状結晶は、クリストバライト（ＪＣＰＤＳ３９ー１４
２５）を主成分とし、クオルツ（ＪＣＰＤＳ３３ー１１
６１）を微量成分としていることがわかった。
物同定したところ該部分結晶化シリカガラス中のシリカ
針状結晶は、クリストバライト（ＪＣＰＤＳ３９ー１４
２５）を主成分とし、クオルツ（ＪＣＰＤＳ３３ー１１
６１）を微量成分としていることがわかった。
【００２５】さらに、表１の実施例番号１と実施例番号
３の部分結晶化シリカガラスの薄片顕微鏡写真を、図２
の（ａ），（ｂ）として示す。同図は、撮影をクロスニ
コル下で行っており、黒色部分はシリカガラスマトリッ
クスを、また白色針状体はシリカ針状結晶を表わす。同
図から明らかなように本発明の部分結晶化シリカガラス
中にはシリカ結晶が針状に多数存在することがわかる。
これらを測定したところ結晶の長さは約５０μｍ以下で
あり、またその存在量は実施例番号１では５〜２０ｖｏ
ｌ．％、実施例番号２では２０〜３０ｖｏｌ．％、実施
例番号３では３０〜４０ｖｏｌ．％であった。そして、
高温における粘度が著しく向上した。
３の部分結晶化シリカガラスの薄片顕微鏡写真を、図２
の（ａ），（ｂ）として示す。同図は、撮影をクロスニ
コル下で行っており、黒色部分はシリカガラスマトリッ
クスを、また白色針状体はシリカ針状結晶を表わす。同
図から明らかなように本発明の部分結晶化シリカガラス
中にはシリカ結晶が針状に多数存在することがわかる。
これらを測定したところ結晶の長さは約５０μｍ以下で
あり、またその存在量は実施例番号１では５〜２０ｖｏ
ｌ．％、実施例番号２では２０〜３０ｖｏｌ．％、実施
例番号３では３０〜４０ｖｏｌ．％であった。そして、
高温における粘度が著しく向上した。
【００２６】
【実施例４〜９】シリカガラス粉に配合する非反応性セ
ラミックスをＺｒＯ2、ＴｉＢ2、ＴａＣ，ＴｉＮとし、
実施例１に準じて部分結晶化シリカガラスを作成した。
得られた部分結晶化シリカガラスの物性を同じく測定
し、それを上記表１に示す。表１から明らかようにシリ
カ針状結晶を含有するシリカガラスは、高温における粘
度が著しく向上した。
ラミックスをＺｒＯ2、ＴｉＢ2、ＴａＣ，ＴｉＮとし、
実施例１に準じて部分結晶化シリカガラスを作成した。
得られた部分結晶化シリカガラスの物性を同じく測定
し、それを上記表１に示す。表１から明らかようにシリ
カ針状結晶を含有するシリカガラスは、高温における粘
度が著しく向上した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【比較例１〜１１】上記実施例と比較のため、核生成剤
の種類、および析出条件を変えてシリカ結晶を析出さ
せ、部分結晶化シリカガラスを作成した。その物性を測
定し、比較例として表２に示す。
の種類、および析出条件を変えてシリカ結晶を析出さ
せ、部分結晶化シリカガラスを作成した。その物性を測
定し、比較例として表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】 上記各実施例番号２、４、８および比較例番号３、４、
７、８、９の夫々のサンプルについ、高温度下における
核生成剤の外部拡散性の評価を行った。その結果、実施
例番号２、４、８では各々Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔａは検出され
ず、全て１ｗｔ．ｐｐｍ未満であった。しかし、比較例
３、４、７、８において夫々Ｎａ３０ｗｔ．ｐｐｍ、Ｃ
ｒ１２ｗｔ．ｐｐｍ、Ｆｅ１０ｗｔ．ｐｐｍおよびＧｅ
５ｗｔ．ｐｐｍが検出された。また、比較例９では、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｌｉ、ＣａおよびＭｇは各々０．１ｗｔ．ｐｐ
ｍ未満であり不純物は検出されなかった。
７、８、９の夫々のサンプルについ、高温度下における
核生成剤の外部拡散性の評価を行った。その結果、実施
例番号２、４、８では各々Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔａは検出され
ず、全て１ｗｔ．ｐｐｍ未満であった。しかし、比較例
３、４、７、８において夫々Ｎａ３０ｗｔ．ｐｐｍ、Ｃ
ｒ１２ｗｔ．ｐｐｍ、Ｆｅ１０ｗｔ．ｐｐｍおよびＧｅ
５ｗｔ．ｐｐｍが検出された。また、比較例９では、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｌｉ、ＣａおよびＭｇは各々０．１ｗｔ．ｐｐ
ｍ未満であり不純物は検出されなかった。
【００３１】上記評価は、サンプルを直径５０ｍｍ×厚
さ５ｍｍに加工し、その上に商品名Ｓｕｐｒａｓｉｌー
Ｐ３０のウエハー（直径５０ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を乗
せ、それを電気炉内において１１００℃で２００時間の
熱処理を行い、次いでＳｕｐｒａｓｉｌーＰ３０の不純
物分析を原子吸光光度法によりおこなうという評価法で
あった。
さ５ｍｍに加工し、その上に商品名Ｓｕｐｒａｓｉｌー
Ｐ３０のウエハー（直径５０ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を乗
せ、それを電気炉内において１１００℃で２００時間の
熱処理を行い、次いでＳｕｐｒａｓｉｌーＰ３０の不純
物分析を原子吸光光度法によりおこなうという評価法で
あった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の部分結晶化シリカガラスは、シ
リカガラスマトリックス中に存在するシリカ針状結晶を
非反応性のセラミックス微粒子を核生成剤として析出さ
せているため高温度下における粘度が高く、半導体の熱
処理やメタルハライドランプ発光時において安定であ
る。また、前記セラミックスは熱的安定性が高いと共
に、非反応性であるところから、この核生成剤がシリカ
ガラスの使用中に外部に拡散してくるところがなかっ
た。
リカガラスマトリックス中に存在するシリカ針状結晶を
非反応性のセラミックス微粒子を核生成剤として析出さ
せているため高温度下における粘度が高く、半導体の熱
処理やメタルハライドランプ発光時において安定であ
る。また、前記セラミックスは熱的安定性が高いと共
に、非反応性であるところから、この核生成剤がシリカ
ガラスの使用中に外部に拡散してくるところがなかっ
た。
【図１】部分結晶化シリカガラスの粉末Ｘ線回析図であ
る。
る。
【図２】部分結晶化シリカガラスの薄片顕微鏡写真であ
り、（ａ）はセラミックスを０．０１ｗｔ．％配合した
写真、（ｂ）はセラミックスを１ｗｔ．％配合した写真
である。
り、（ａ）はセラミックスを０．０１ｗｔ．％配合した
写真、（ｂ）はセラミックスを１ｗｔ．％配合した写真
である。
Claims (5)
- 【請求項１】 シリカガラスマトリックス中にセラミッ
クス核生成剤を核として成長した長さ１００μｍ以下の
シリカ針状結晶が存在することを特徴とする部分結晶化
シリカガラス。 - 【請求項２】 長さ１００μｍ以下のシリカ針状結晶が
５〜５０ｖｏｌ．％存在することを特徴とする請求項１
に記載の部分結晶化シリカガラス。 - 【請求項３】 セラミック核生成剤が、シリカガラスと
非反応性で融点が２０００℃以上の酸化物、ホウ化物、
炭化物、またはチッ化物の群から選ばれた１種類以上の
セラミックス微粒子であるを特徴とする請求項１に記載
の部分結晶化シリカガラス。 - 【請求項４】 シリカガラス粉体またはシリカ結晶粉体
に、融点２、０００℃以上の非反応性セラミック微粒子
を混合し、加熱溶融することによりセラミック粒子分散
シリカガラス塊を生成し、次いで１０００℃以上の温度
で熱処理してシリカ針状結晶を析出させることを特徴と
する部分結晶化シリカガラスの製造方法。 - 【請求項５】 非反応性セラミックス核生成剤をシリカ
ガラス粉体またはシリカ結晶粉体に対し０．００１〜２
ｗｔ．％配合することを特徴とする請求項４に記載の部
分結晶化シリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358042A JP2784870B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 部分結晶化シリカガラスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358042A JP2784870B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 部分結晶化シリカガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06191888A JPH06191888A (ja) | 1994-07-12 |
| JP2784870B2 true JP2784870B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18457242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358042A Expired - Fee Related JP2784870B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 部分結晶化シリカガラスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784870B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023091295A1 (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | Corning Incorporated | Methods for producing localized crystallization in glass articles and glass articles formed therefrom |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4358042A patent/JP2784870B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06191888A (ja) | 1994-07-12 |
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