JP2783242B2

JP2783242B2 - 回転検出装置

Info

Publication number: JP2783242B2
Application number: JP8042674A
Authority: JP
Inventors: 浩史芳賀; 藤男奥村
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 1998-08-06
Anticipated expiration: 2016-02-29
Also published as: JPH09236449A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回転検出装置に係
り、特に小型で安価な光学式回転検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学式回転検出装置は、回転量を
電気パルスに変換し、機器制御等を目的として用いられ
ている。この光学式回転検出装置は、その構造から、透
過型と反射型との２種類に分類されている。

【０００３】透過型の光学式回転検出装置としては、例
えば１９９０年７月発行の「センサ技術」第１０巻第８
号の２６〜３０頁によると、図１２に示すように、軸４
２に中心部が貫通固定されている円盤状のロータリープ
レート４３の周辺部に、所定幅のスリット４４が所定間
隔で断続的に形成されている。このスリット４４を透過
する位置には、光源４５と受光素子４６が対向配置され
ており、さらに、ロータリープレート４３と受光素子４
６の間にはスリット４４と同じ寸法を持つ、スリット４
４’を有するインデックススケール４７が配置されてい
る。

【０００４】回転の検出は、図１３に示すように、ロー
タリープレート４３のスリット４４とインデックススケ
ール４７のスリット４４’が一致した場合と、それ以外
の時の受光素子の出力レベルの比で行われる。

【０００５】一方、従来の反射型の光学式回転検出装置
としては、例えば特開平５−１４１９９１号公報記載の
ものが知られている。この光学式回転検出装置は、図１
４に示すように、光源５０と受光素子５１を横に並べて
配置する構成とされており、無反射部を形成するロータ
リープレート５２の移動方向に所定長の反射部５３を所
定間隔で断続的に形成し、反射部５３で反射された光源
５０からの光を受光素子５１により受光する構成であ
る。なお、この従来の回転検出装置では、図示を省略し
たマスクが受光素子５１の受光面上に設けられ、ギャッ
プ変動に伴う受光素子５１への受光量の変動を抑制して
いる。

【０００６】また、クロストークを防ぐため図１４に示
すように、マスク５４をロータリープレート５２と光源
５０及び受光素子５１の間に設けることが特開昭６２−
５８７２８号公報に記載されている。

【０００７】更に、機能の点から、光学式回転検出装置
を分類すると、「センサ技術」１９９１年臨時増刊号４
２−４６頁に示されるように、インクリメンタル型とア
ブソリュート型とに分類されている。

【０００８】インクリメンタル型は、例えば、図１２に
示すように、ロータリープレート４３が回転し、スリッ
ト４４の通過毎に、受光素子４６での光の強弱を検出し
パルスを生成する構成である。また、受光素子を２つ以
上設け、その出力に位相差が生じるように、受光素子の
位置を設定することにより、回転方向を検出することが
できる。

【０００９】一方、アブソリュート型の構造は図１５に
示すように、回転ディスク６０に符号化した絶対位置情
報が穴６１によって刻んである。回転ディスク６０の目
盛りは、外周部で細かく、軸中心に近づくに従い粗くな
っていく。回転ディスク６０は複数の発光素子６２と複
数の受光素子６３の間に設けられている。また、回転デ
ィスク６０と発光素子６２の間にはアブソリュート用ス
リット６４が穿設された固定板６５が固定されている。

【００１０】このアブソリュート型の回転検出装置で
は、発光素子６２から出射された光がそれぞれアブソリ
ュート用スリット６４を透過し、更に回転している回転
ディスク６０の穴６１がその光路中に来たときのみその
穴を通過して、回転ディスク６０の半径方向に並ぶ複数
の受光素子６３により受光される。これにより、受光素
子６３が光電変換してビット情報を出力する。最外周部
の受光素子からＬＳＢ信号、最内周部の受光素子からＭ
ＳＢ信号を検出できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
の透過型回転検出装置の場合、回転の検出は、図１３に
あるように、ロータリープレート４３のスリット４４と
インデックススケール４７のスリット４４’が一致した
場合と、それ以外の時の受光素子の出カレベルの比で行
われるため、ロータリープレート４３およびインデック
ススケール４７をはさんで光源４５と受光素子４６の光
軸を精度良く設定する必要がある。また、実際の組立の
場合、光源４５や受光素子４６は個別部品を用いるた
め、その位置合わせが難しく、組み立て性が非常に悪い
という不都合を生じていた。

【００１２】さらに、光源４５や受光素子４６は、ロー
タリープレート４３の周辺部に配置されるため、中心部
等には無駄な空間が存在する。回転検出装置の径方向の
サイズは、分解能によるスリットサイズによるものの
他、光源４５や受光素子４６のサイズによって決まる。
すなわち、小型化に際して不都合な構成である。従来の
反射型の光学式回転検出装置も透過型同様に光源５０や
受光素子５１は個別部品を隣接配置するため、そのサイ
ズは大きくなる。

【００１３】このような、精度、サイズといった問題
は、アブソリュート型回転検出装置を作成する場合特に
問題となる。アブソリュート型では、図１５と共に説明
したとおり、多数の発光素子６２、受光素子６３及び多
数の穴のあいた回転ディスク６０及び多数のスリット６
４を有する固定板６５が必要であり、これらを光軸方向
に沿って精度良く並べ、組み上げなければならない。イ
ンクリメンタル型においても、回転方向を検出する機能
を設ける場合、同様の問題があり、組立性を悪くし、小
型化を困難にしている。

【００１４】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
小型で精度が良く、しかも組立の際の光学素子間の精密
な位置出し調整を軽減し得る回転検出装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１５】また、本発明の他の目的は、電気的なノイ
ズや塵埃に強い回転検出装置を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、開口部を持つ受光素子が表面に形成され
た受光素子基板と、受光素子基板の裏面に配置された光
源と、受光素子基板の表面に対向離間配設された、部分
的に反射部が形成された回転基板とを有し、回転基板の
回転軸延長線上に光源を配置し、光源から出た光を受光
素子基板の開口部を通過して回転基板上に照射し、回転
基板の回転により変化する、反射部からの反射光の光強
度の強弱を、受光素子によって検出する構成としたもの
である。

【００１７】この発明では、受光素子が表面に形成され
た受光素子基板を薄膜半導体プロセスで形成でき、それ
を組立に用いることができる。また、受光素子は開口部
を有し、光源から出た光をこの開口部を透過させる構成
であるため、開口部により従来のスリットに相当する機
能を果たすことができる。

【００１８】また、本発明における回転基板は反射部が
一定間隔で放射状に配置されており、受光素子は反射部
の有無と等しい間隔で、複数の開口部を備えた一つの受
光素子である構成としたため、複数の反射部からの反射
光をまとめて一つの受光素子で受光できるため、光の利
用効率を高くすることができる。

【００１９】また、本発明における回転基板は、複数の
同心円上に互いに異なるピッチで反射部が形成されてお
り、受光素子は、回転基板の複数の各同心円の円周上の
任意位置に対応するようにそれぞれ開口部が配置された
複数の受光素子からなること構成としたものである。こ
の発明では、アブソリュート型の回転検出装置を構成す
る場合に従来は多数並べる必要があった受光素子を一つ
の受光素子基板上に形成することができる。

【００２０】更に、本発明は、受光素子を開口部の位置
がそれぞれ回転基板に規則的に設けた反射部のピッチの
相と異なる複数の受光素子からなる構成とすることによ
り、回転基板の回転方向の検出もできる。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２２】図１は本発明になる回転検出装置の第１の
実施の形態の分解斜視図を示す。同図において、受光素
子基板３をはさみ、一方の側に光源２が配置され、他方
の側にロータリープレート７が配置される。ロータリー
プレート７の中心部には回転軸９の一端が固定され、回
転軸９の他端は軸受け８によって、筐体（図２の１）に
支えられている。図では離して描いてあるが、受光素子
基板３とロータリープレート７は、その間隔がおよそ５
０μｍになるよう調整されている。

【００２３】図２は図１の回転検出装置を組み立てた状
態の断面図を示す。光源２、受光素子基板３、軸受け８
は筐体１に固定され、回転軸９の回転により、ロータリ
ープレート７が回転するようになっている。

【００２４】光源２は、例えば発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）であり、光線の指向性、平行性を出すため樹脂レン
ズ１８が光源２の前方に取り付けられている。この光源
２と樹脂レンズ１８からなる光学部品は市販品でよく、
例えば三洋電機株式会社製のＳＬＰ−８３５Ａ−３７を
用いることができ、その径は３．４ｍｍである。また、
光源２は図２から明らかなように、回転軸９の延長線上
に配置されている。

【００２５】図３は図１の受光素子基板３の一例の正面
図を示す。受光素子基板３は、透明基板であるガラス基
板上の縦方向の直線上に２つの受光素子５が形成されて
いる基板である。このガラス基板の受光素子５の中心に
対応する位置に、光を通すために、開口部１０が設けら
れており、それ以外のところは、ガラス基板上の受光素
子５の下部電極によって遮光する構成としているため、
裏面からの照明光は開口部１０のみを通り抜けることに
なる。

【００２６】図４は図１中の一つの受光素子５の一例の
断面図を示す。ここに示す受光素子５はｐ−ｉ−ショッ
トキータイプのフォトダイオードである。図４に示すよ
うに、受光素子５は、透明基板である受光素子基板３上
に遮光体兼カソード電極４、水素化アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層１１、アノード電極１２、透明電
極１３及び絶縁膜１４からなる構造で、アノード電極１
２は配線１５を介して図３に示したパッド１６に接続さ
れている。なお、図３のパッド１７は図４に示した遮光
体兼カソード電極４が、受光素子基板３を正面から見た
ときに露出している部分である。

【００２７】受光素子５の形成方法は、例えば、透明基
板である受光素子基板３上に保護膜である二酸化シリコ
ンを、化学気相成長（ＣＶＤ）法で成膜する。次に下部
電極であるカソード電極４をスパッタ法とフォトリソグ
ラフィ法でクロムにより形成する。この下部電極（カソ
ード電極）４は遮光体であり、受光素子基板の開口部１
０を除いて受光素子基板３の全面を覆うこととなる。開
口部１０のサイズは、今回５０μｍ×２００μｍとし
た。

【００２８】次に、水素化アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ：Ｈ）によるｉ層を成膜し、その上層部をＰ⁺層に
した層１１を形成する。その後、上部電極であるアノー
ド電極１２をクロムで形成し、ＩＴＯを成膜することで
透明電極１３を形成した後、パターニングを行う。受光
窓部のサイズは、１５０μｍ×３００μｍとした。

【００２９】次に、絶縁膜１４として二酸化シリコンを
成膜した後、アノード電極１２とのコンタクトホールを
絶縁膜１４の所定位置に形成する。続いて、アルミニウ
ムで配線１５を形成し、最後に保護膜である窒化シリコ
ン膜を成膜し、パッド１７を露出させる。そして、ダイ
ジングソーで切断することにより、４ｍｍ角の受光素子
基板を得る。角に設けたパッド１７と、ワイヤボンディ
ング法等で電気的接続をとり使用する。

【００３０】図５は図１中のロータリープレート７の一
例の正面図を示す。このロータリープレート７は、ガラ
ス基板７ａ上に、放射状に所定のピッチでアルミニウム
をパターニングした構成である。アルミニウムの部分が
反射部７ｂ、アルミニウムの無いガラス基板７ａの部分
が非反射部となる。分解能は３２Ｐ／Ｒである。

【００３１】図３に示した受光素子基板３の受光面と、
このロータリープレート７を、中心を合わせ、向かい合
わせると図６に示すような構造になる。すなわち、図６
は受光素子の開口部１０と、ロータリープレート７の円
周方向の断面図を示す。開口部１０付近での反射部７ｂ
の幅は１５０μｍである。

【００３２】次にこの回転検出装置の動作について説明
する。光源２から出た光は、樹脂レンズ１８を通り光束
を揃えられ、受光素子基板３の裏面を一様に照射する。
受光素子基板３は開口部１０を除き、受光素子５内に設
けたカソード電極４によって遮光されている。そのた
め、開口部１０からのみ、光が受光素子基板３を通り抜
け、ロータリープレート７に到達する。

【００３３】ロータリープレート７は、回転軸９の回転
によって回転する。ここで、開口部１０に対向する位置
に反射部７ｂがある場合、開口部１０を透過した光は反
射部７ｂで反射し、開口部１０の近傍にある受光素子５
にその反射光が入射する。一方、開口部１０に対向する
位置にロータリープレート７の非反射部がある場合、こ
の非反射部は図５に示したガラス基板７ａであるため、
開口部１０を透過した光はガラス基板７ａを殆ど反射す
ることなく透過するため、開口部１０の近傍の受光素子
５には反射光が受光されない。

【００３４】従って、ロータリープレート７の回転によ
り、その回転速度に応じた周期で開口部１０に対向する
位置に断続的に反射部７ｂが位置することとなるため、
受光素子５に達する反射光に上記回転速度に応じた周期
で光強度の強弱が生じ、受光素子５に流れる電流が反射
光の光強度の強弱に応じて増減する。従って、この受光
素子５の出力電流レベルを、所定のしきい値で二値化す
ることにより、ロータリープレート７の回転速度に応じ
た周期のパルス列を検出できる。

【００３５】この第１の実施の形態によれば、受光素子
５が表面に形成された受光素子基板３が薄膜半導体プロ
セスで形成でき、それを組立に用いることができるた
め、個別部品を用いて組み立てていた従来装置に比し、
組立性を向上できる。また、受光素子５は開口部１０を
有し、光源２から出た光をこの開口部１０を透過させる
ことにより、開口部１０を従来のスリットに相当する機
能を果たすようにしているため、従来必要であった光源
−スリット−回転板−受光素子間の位置合わせが不要と
なる。

【００３６】また、この実施の形態によれば、従来個別
部品である光源２は回転軸９の軸方向に一致する中心部
に配置し、受光素子５は受光素子基板３上に形成される
ため、空間的な無駄を減らすことができて小型に構成で
きる。

【００３７】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。

【００３８】上記の第１の実施の形態では図６に示した
ように、１個の受光素子５に対して１個の開口部１０が
形成されているため、光の利用効率が良いとは言えない
し、また、受光素子５からの信号も大きいとは言えな
い、更に、塵や電気的ノイズにも強いとは言えない。

【００３９】そこでこれらの問題を解決するために、こ
の第２の実施の形態では、受光素子基板を図７の斜視図
に２０で示すように、１つの大きなドーナツ状の受光素
子２１に、複数の開口部２２を一定角度間隔で設けたも
のである。

【００４０】この開口部２２の間隔（ピッチ）は、図８
の受光素子基板２０とロータリープレート７の円周方向
の断面図に示すように、図５に示したロータリープレー
ト７の反射部７ｂと同じピッチである。この複数の開口
部２２を設けた受光素子２１の形状、開口部２２の形
状、精度は薄膜半導体プロセスにおけるパターン精度で
あるため、サブミクロン単位での制御が行える。

【００４１】次に、この第２の実施の形態の動作につい
て説明する。図８において、図示しない光源から出た光
が受光素子基板２０の複数の開口部２２を通って、ロー
タリープレート７に達する。ここで、開口部２２の間隔
（ピッチ）は、ロータリープレート７の反射部７ｂと同
じピッチであるため、ロータリープレート７の回転によ
り、複数の開口部２２のうちのどの開口部を通った光で
も、一斉にロータリープレート７の反射部７ｂに当たる
か、一斉に非反射部に当たる。

【００４２】反射部７ｂで反射して得られた反射光は、
ドーナツ状の一つの受光素子２１によってまとめて検出
されるため、受光素子２１により光電変換されて得られ
る信号量は、開口部２２のサイズが第１の実施の形態の
開口部１０と同じであれば、第１の実施の形態の数十倍
から数百倍に達する。この受光素子２１の出力信号レベ
ルを、所定のしきい値で二値化することにより、ロータ
リープレート７の回転速度に応じた周期のパルス列を検
出できる。

【００４３】この第２の実施の形態によれば、第１の実
施の形態に比べて光の利用効率を高くできるため、受光
素子２１の出力信号量を増加させることができ、電気的
ノイズに対して強い回転検出装置を構成することがで
き、また、多くの反射部７ｂからの反射光を得るため、
たとえ塵や傷によっていくつかの反射部が不良となって
も、良好な回転検出信号（パルス列）が得られる。

【００４４】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。

【００４５】図９（Ａ）は本発明の回転検出装置の第３
の実施の形態の受光素子基板の正面図、同図（Ｂ）はロ
ータリープレートの正面図を示す。図９（Ａ）に示すよ
うに、受光素子基板２５には、複数の受光素子２６が同
心円と直線の交点に配設されており、複数の受光素子２
６のそれぞれに対応するパッド２８が形成されている。
各受光素子２６には他の実施の形態と同様に開口部２７
が設けてある。

【００４６】一方、ロータリープレート３０は、図９
（Ｂ）に示すように、ガラス基板３１ａ上の半径の異な
る同心円上に、符号化した絶対位置情報の各ビット情報
に応じて配列された反射部３１ｂが断続して形成されて
いる。この反射部３１ｂが配置された同心円に対応する
ように前記受光素子２６が形成されている。

【００４７】ロータリープレート３０の、同心円周上に
配置された反射部３１の間隔は、外周側に行くほど細か
く（短く）、軸中心に近づくに従い粗く（長く）なるよ
うに形成されている。

【００４８】この受光素子基板２５とロータリープレー
ト３０を図１に示した受光素子基板３とロータリープレ
ート７の代わりに用い、第１の実施の形態のように装置
を構成することにより、前記の説明から明らかに類推で
きるように、複数の受光素子２６によりそれぞれ対応す
る同心円上に配置された反射部３１ｂで反射された反射
光が受光され、その結果、複数の受光素子２６から出力
される出力信号は、全体として受光素子２６の数のビッ
ト数の回転検出信号を構成し、２進数で絶対位置が得ら
れる。この場合、最外周の同心円上の受光素子からはＬ
ＳＢの信号が得られ、最内周の同心円状の受光素子から
はＭＳＢの信号が得られることとなる。

【００４９】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。

【００５０】図１０は本発明になる回転検出装置の第４
の実施の形態における受光素子基板の正面図を示す。こ
の受光素子基板３５は光を透過する基板上に２個の独立
した受光素子３６、３７が、それらの出力信号位相が相
対的に９０度ずれるように所定回転角度ずらして配置さ
れている。また、受光素子３６、３７はそれぞれ中心部
に楕円形状の開口部３８、３９を有している。更に、基
板の四隅にはパッド４０が形成されている。

【００５１】また、この実施の形態では、ロータリープ
レートは、図５に示したインクリメンタル型を使用す
る。この受光素子基板３５を図１に示した受光素子基板
３の代わりに用い、第１の実施の形態のように装置を構
成することにより、図１１の波形図に示す信号が得られ
る。

【００５２】図１１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれロータリ
ープレートの正回転時に、受光素子３６、３７の出力信
号を所定のしきい値で２値化して得られた回転検出信号
で、ロータリープレートの反射部からの反射光を受光す
るタイミングが、受光素子３７の方が受光素子３６より
も９０度遅く受光するため、受光素子３７の出力信号は
受光素子３６の出力信号の位相よりも位相が９０度遅れ
る。

【００５３】図１１（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれロータリ
ープレートの逆回転時に、受光素子３６、３７の出力信
号を所定のしきい値で２値化して得られた回転検出信号
で、ロータリープレートの逆回転時には上記とは逆に受
光素子３７の出力信号は受光素子３６の出力信号の位相
よりも位相が９０度進む。従って、例えば受光素子３６
の出力信号の立ち上がりの時に、受光素子３７の出力信
号レベルを参照することにより、ロータリープレートの
回転方向が分かることとなる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
受光素子が表面に形成された受光素子基板が薄膜半導体
プロセスで形成でき、それを組立に用いることができる
ため、個別部品を用いて組み立てていた従来装置に比
し、組立性を向上できる。

【００５５】また、本発明によれば、受光素子は開口部
を有し、光源から出た光をこの開口部を透過させること
により、開口部により従来のスリットに相当する機能を
果たすようにしたため、従来必要であった光源−スリッ
ト−回転板−受光素子間の位置合わせが不要となる。受
光素子間の相対位置精度は、薄膜半導体プロセスにおけ
る精度であるため、サブミクロン単位で制御できる。そ
のため、本発明によれば、従来位置合わせが難しかっ
た、アブソリュート型や回転方向が検出できる回転検出
装置を容易に構成できる。

【００５６】また、本発明によれば、従来個別部品であ
る光源は中心部に配置し、受光素子は受光素子基板上に
形成されるため、空間的な無駄を減らすことができて小
型に構成できる。

【００５７】また、本発明によれば、複数の反射部から
の反射光をまとめて一つの受光素子で受光できる構成と
することにより、光の利用効率を高くすることができる
ため、受光素子の出力信号量を増加させることができ、
電気的ノイズに対して強い回転検出装置を構成すること
ができる。また、多くの反射部からの反射光から回転検
出信号を得るため、たとえ塵や傷によっていくつかの反
射部が不良となっても、良好な回転検出信号が得られ
る。

【００５８】また、本発明によれば、アブソリュート型
の回転検出装置を構成する場合に従来は多数並べる必要
があった受光素子を一つの受光素子基板上に形成するこ
とができるため、小型な構成とすることができる。更
に、本発明によれば、受光素子を開口部の位置がそれぞ
れ回転基板に規則的に設けた反射部のピッチの相と異な
る複数の受光素子からなる構成とすることにより、回転
基板の回転方向の検出もできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す分解斜視図で
ある。

【図２】図１の回転検出装置を組み立てた状態の断面図
である。

【図３】図１の受光素子基板の正面図である。

【図４】図１の受光素子の断面図である。

【図５】図１のロータリープレートの正面図である。

【図６】図２の受光素子開口部とロータリープレートの
円周方向の断面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態の受光素子基板の斜
視図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態の受光素子とロータ
リープレートの円周方向の断面図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態の受光素子基板及び
ロータリープレートの正面図である。

【図１０】本発明の第４の実施の形態の受光素子基板の
正面図である。

【図１１】図１０の受光素子基板から得られる出力信号
を示す波形図である。

【図１２】従来の回転検出装置の一例の構成図である。

【図１３】図１２のスリットの円周方向の断面図であ
る。

【図１４】従来装置の他の例を示す構成図である。

【図１５】従来装置の更に他の例を示す構成図である。

【符号の説明】

１筐体２光源３、２０、２５、３５受光素子基板４遮光体兼カソード電極５、２１、２６、３６、３７受光素子７、３０ロータリープレート７ａ、３１ａガラス基板７ｂ、３１ｂ反射部８軸受け９回転軸１０、２２、２７、３８、３９開口部１１ａ−Ｓｉ：Ｈ層１２アノード電極１３透明電極１４絶縁膜１５配線１６、１７、２８、４０パッド１８樹脂レンズ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】開口部を持つ受光素子が表面に形成され
た受光素子基板と、前記受光素子基板の裏面に配置さ
れた光源と、前記受光素子基板の表面に対向離間配設された、部分的
に反射部が形成された回転基板とを有し、前記回転基板
の回転軸延長線上に前記光源を配置し、前記光源から出
た光を前記受光素子基板の前記開口部を通過して前記回
転基板上に照射し、前記回転基板の回転により変化す
る、前記反射部からの反射光の光強度の強弱を、前記受
光素子によって検出することを特徴とする回転検出装
置。
【請求項２】前記回転基板は前記反射部が一定間隔で
放射状に配置されており、前記受光素子は前記反射部の
有無と等しい間隔で、複数の開口部を備えた一つの受光
素子であることを特徴とする請求項１記載の回転検出装
置。
【請求項３】前記回転基板は、複数の同心円上に互い
に異なるピッチで反射部が形成されており、前記受光素
子は、前記回転基板の複数の各同心円の円周上の任意位
置に対応するようにそれぞれ前記開口部が配置された複
数の受光素子からなることを特徴とする請求項１記載の
回転検出装置。
【請求項４】前記回転基板上の複数の同心円上に形成
されたそれぞれ異なるピッチの反射部は、符号化した絶
対位置情報の各ビット情報に応じて配設されており、該
反射部のピッチは該回転基板の外周方向の同心円上に配
設される反射部ほど小であることを特徴とする請求項３
記載の回転検出装置。
【請求項５】前記受光素子は、開口部の位置がそれぞ
れ前記回転基板に規則的に設けた反射部のピッチの相と
異なる複数の受光素子からなることを特徴とする請求項
１記載の回転検出装置。