JP2782675B2 - 非接触測定装置 - Google Patents
非接触測定装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非接触測定装置に係り、
特に測定物の外径寸法等をレーザ光等の光線の走査に基
づいて測定する非接触測定装置に関する。
特に測定物の外径寸法等をレーザ光等の光線の走査に基
づいて測定する非接触測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の非接触測定装置には、レーザ光の
投光部と受光部との間に測定物（以下「ワーク」と称
す）を介在させ、そのワークの外径寸法をレーザ光の走
査に基づいて測定するものがある。この非接触測定装置
は図６に示すように、半導体レーザ１００から発振され
たレーザ光を半導体レーザ１００内のレンズで平行光線
１０２にし、この平行光線１０２を一定速度で回転する
多面のポリゴンミラー１０４で反射させる。反射した平
行光線１０２は、コリメータレンズ１０６で屈折されて
ワーク１０８の中心線上であってコリメータレンズ１０
６の焦点距離で焦点を結ぶ。また、コリメータレンズ１
０６で屈折した光線は、コリメータレンズ１０６の光軸
に対し平行光線となり、受光用レンズ１１０を介して受
光素子１１２に導かれる。
投光部と受光部との間に測定物（以下「ワーク」と称
す）を介在させ、そのワークの外径寸法をレーザ光の走
査に基づいて測定するものがある。この非接触測定装置
は図６に示すように、半導体レーザ１００から発振され
たレーザ光を半導体レーザ１００内のレンズで平行光線
１０２にし、この平行光線１０２を一定速度で回転する
多面のポリゴンミラー１０４で反射させる。反射した平
行光線１０２は、コリメータレンズ１０６で屈折されて
ワーク１０８の中心線上であってコリメータレンズ１０
６の焦点距離で焦点を結ぶ。また、コリメータレンズ１
０６で屈折した光線は、コリメータレンズ１０６の光軸
に対し平行光線となり、受光用レンズ１１０を介して受
光素子１１２に導かれる。
【０００３】受光素子１１２には、焦点を結んだレーザ
光の立ち上がり光線と立ち下がり光線とが加えられる。
そして、受光素子１１２は、前記立ち上がり光線と立ち
下がり光線とを光電流変換し、光電流変換して得られた
電流信号をエッヂ検出回路１１４の電流／電圧変換器
（以下、「Ｉ／Ｖ変換器」と称す）１１６に入力する。
Ｉ／Ｖ変換器１１６は、前記電流信号を電圧信号に変換
して得た図７に示す電圧信号１１８を、図６に示したエ
ッヂ検出回路１１４の演算増幅器１２０に出力する。
尚、図７に示した電圧信号１１８は、ポリゴンミラー１
０４の１面、即ち１走査で検出された電圧変化に対応す
る波形であり、その横軸はレーザ光の走査時間を示し、
縦軸は電圧を示している。
光の立ち上がり光線と立ち下がり光線とが加えられる。
そして、受光素子１１２は、前記立ち上がり光線と立ち
下がり光線とを光電流変換し、光電流変換して得られた
電流信号をエッヂ検出回路１１４の電流／電圧変換器
（以下、「Ｉ／Ｖ変換器」と称す）１１６に入力する。
Ｉ／Ｖ変換器１１６は、前記電流信号を電圧信号に変換
して得た図７に示す電圧信号１１８を、図６に示したエ
ッヂ検出回路１１４の演算増幅器１２０に出力する。
尚、図７に示した電圧信号１１８は、ポリゴンミラー１
０４の１面、即ち１走査で検出された電圧変化に対応す
る波形であり、その横軸はレーザ光の走査時間を示し、
縦軸は電圧を示している。
【０００４】前記演算増幅器１２０は、図７に示した電
圧信号１１８を図８に示すオフセット電圧ｖ1 （固定
値）で減算する。そして、コンパレータ１２２は、演算
増幅器１２０から出力された電圧信号を０クロスコンパ
レートして二値化信号１１８Ａを作成し、この二値化信
号１１８Ａを図６に示すコントローラ部１２４に出力す
る。
圧信号１１８を図８に示すオフセット電圧ｖ1 （固定
値）で減算する。そして、コンパレータ１２２は、演算
増幅器１２０から出力された電圧信号を０クロスコンパ
レートして二値化信号１１８Ａを作成し、この二値化信
号１１８Ａを図６に示すコントローラ部１２４に出力す
る。
【０００５】前記コントローラ部１２４は、前記二値化
信号１１８Ａからレーザ光遮断時間ｔ1 の時間を演算
し、そして演算して求めたｔ1 と前記ポリゴンミラー１
０４の回転速度からワーク１０８の直径寸法を測定す
る。尚、ワーク１０８の直径寸法は、レーザ光を複数回
走査してその平均値をとることにより測定されている。
信号１１８Ａからレーザ光遮断時間ｔ1 の時間を演算
し、そして演算して求めたｔ1 と前記ポリゴンミラー１
０４の回転速度からワーク１０８の直径寸法を測定す
る。尚、ワーク１０８の直径寸法は、レーザ光を複数回
走査してその平均値をとることにより測定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
非接触測定装置は、ポリゴンミラー１０４の各ミラーの
反射率の違いでコンパレータ１２２に出力される電圧信
号のレベルが１走査毎に変化するので、コンパレータ１
２２は１走査毎にレベルの異なる二値化信号をコントロ
ーラ部１２４に出力する。従って、コントローラ部１２
４は、例えば図９で実線で示す二値化信号１１８Ａと二
点鎖線で示す二値化信号１１８Ｂとも基づいてワーク１
０８の寸法を測定した場合、これらの二値化信号１１８
Ａ、１１８Ｂの各ｔ1 に数％のズレを含んだ状態でｔ1
の平均値をとるので、ワーク１０８の寸法を精度良く測
定できないという欠点がある。
非接触測定装置は、ポリゴンミラー１０４の各ミラーの
反射率の違いでコンパレータ１２２に出力される電圧信
号のレベルが１走査毎に変化するので、コンパレータ１
２２は１走査毎にレベルの異なる二値化信号をコントロ
ーラ部１２４に出力する。従って、コントローラ部１２
４は、例えば図９で実線で示す二値化信号１１８Ａと二
点鎖線で示す二値化信号１１８Ｂとも基づいてワーク１
０８の寸法を測定した場合、これらの二値化信号１１８
Ａ、１１８Ｂの各ｔ1 に数％のズレを含んだ状態でｔ1
の平均値をとるので、ワーク１０８の寸法を精度良く測
定できないという欠点がある。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補
正してワークの測定精度を上げる非接触測定装置を提供
することを目的とする。
もので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補
正してワークの測定精度を上げる非接触測定装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、発光部と、該発光部から発振された光線を反
射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反射し
た光線を入射して平行光線に変えるコリメータレンズ
と、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光量
に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴン
ミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧を
出力するオフセット電圧作成手段と、前記電圧信号を前
記オフセット電圧でオフセットするオフセット手段と、
該オフセット手段でオフセットされた電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化する比較手段と、該比較手
段で二値化された二値化信号に基づいて測定物の寸法を
測定する手段と、から成るコントローラ部と、を備えた
ことを特徴とする。
する為に、発光部と、該発光部から発振された光線を反
射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反射し
た光線を入射して平行光線に変えるコリメータレンズ
と、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光量
に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴン
ミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧を
出力するオフセット電圧作成手段と、前記電圧信号を前
記オフセット電圧でオフセットするオフセット手段と、
該オフセット手段でオフセットされた電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化する比較手段と、該比較手
段で二値化された二値化信号に基づいて測定物の寸法を
測定する手段と、から成るコントローラ部と、を備えた
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、測定部から出力される電圧信
号と、オフセット電圧作成手段で出力されるポリゴンミ
ラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧と
を、オフセット手段でオフセットする。そして、このオ
フセットした電圧信号を、比較手段で所定の基準レベル
と比較して二値化する。これにより、測定部から出力さ
れるレベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号
にすることができるので、ポリゴンミラーの各ミラーの
反射率の違いを補正することができる。従って、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。
号と、オフセット電圧作成手段で出力されるポリゴンミ
ラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧と
を、オフセット手段でオフセットする。そして、このオ
フセットした電圧信号を、比較手段で所定の基準レベル
と比較して二値化する。これにより、測定部から出力さ
れるレベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号
にすることができるので、ポリゴンミラーの各ミラーの
反射率の違いを補正することができる。従って、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。
【００１０】また、測定部から出力される前記電圧信号
を、基準レベル作成手段で出力されるポリゴンミラーの
各ミラーの反射率に対応した基準レベルと比較して二値
化しても、測定部から出力されるレベルの異なる電圧信
号を同一レベルの二値化信号にすることができる。従っ
て、この場合も同様に、ワークの測定精度を、従来の非
接触測定装置と比較して上げることができる。
を、基準レベル作成手段で出力されるポリゴンミラーの
各ミラーの反射率に対応した基準レベルと比較して二値
化しても、測定部から出力されるレベルの異なる電圧信
号を同一レベルの二値化信号にすることができる。従っ
て、この場合も同様に、ワークの測定精度を、従来の非
接触測定装置と比較して上げることができる。
【００１１】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る非接触測
定装置の好ましい実施例について詳説する。図１には、
本発明に係る非接触測定装置の全体構成図が示されてい
る。同図に於いて、この非接触測定装置は測定部１０、
エッヂ検出回路１２、及びコントローラ部１４とから成
る。前記測定部１０は半導体レーザ１６、ポリゴンミラ
ー１８、及びコリメータレンズ２０から成る投光手段
と、受光用レンズ２２及び受光素子２４から成る受光手
段とから構成されている。
定装置の好ましい実施例について詳説する。図１には、
本発明に係る非接触測定装置の全体構成図が示されてい
る。同図に於いて、この非接触測定装置は測定部１０、
エッヂ検出回路１２、及びコントローラ部１４とから成
る。前記測定部１０は半導体レーザ１６、ポリゴンミラ
ー１８、及びコリメータレンズ２０から成る投光手段
と、受光用レンズ２２及び受光素子２４から成る受光手
段とから構成されている。
【００１２】前記半導体レーザ１６から発振されたレー
ザ光は、半導体レーザ１６内のレンズで平行光線２６に
され、この平行光線２６は一定速度で回転する多面のポ
リゴンミラー１８で反射された後、コリメータレンズ２
０で屈折されてワーク２８の中心線上であってコリメー
タレンズ２０の焦点距離で焦点を結ぶ。焦点を結んだレ
ーザ光は、受光用レンズ２２を介して受光素子２４に集
光され、ここで光電流変換される。従って、所定の走査
領域内にワーク２８を位置させると、そのワーク２８の
外径形状に応じてレーザ光が遮断され、受光素子２４か
ら光の明暗に応じたパルス波形の電流信号が前述したエ
ッヂ検出回路１２のＩ／Ｖ変換器３０に出力される。
ザ光は、半導体レーザ１６内のレンズで平行光線２６に
され、この平行光線２６は一定速度で回転する多面のポ
リゴンミラー１８で反射された後、コリメータレンズ２
０で屈折されてワーク２８の中心線上であってコリメー
タレンズ２０の焦点距離で焦点を結ぶ。焦点を結んだレ
ーザ光は、受光用レンズ２２を介して受光素子２４に集
光され、ここで光電流変換される。従って、所定の走査
領域内にワーク２８を位置させると、そのワーク２８の
外径形状に応じてレーザ光が遮断され、受光素子２４か
ら光の明暗に応じたパルス波形の電流信号が前述したエ
ッヂ検出回路１２のＩ／Ｖ変換器３０に出力される。
【００１３】前記エッヂ検出回路１２は受光素子３２及
びピークホールド回路３４等から成るオフセット電圧作
成手段と、演算増幅器３８及びコンパレータ４０から成
る比較手段とから構成される。前記受光素子３２は、ポ
リゴンミラー１８で反射した半導体レーザ１６からのレ
ーザ光を受光可能な位置に取り付けられている。また、
前記コントローラ部１４は、前記コンパレータ４０の出
力端に接続されており、このコンパレータ４０から後述
する二値化信号が出力される。そして、コントローラ部
１４は前記二値化信号に基づいて、レーザ光遮断時間ｔ
1 を演算し、演算して求めた時間とポリゴンミラー１８
の回転速度から前記ワーク２８の直径寸法を測定する。
びピークホールド回路３４等から成るオフセット電圧作
成手段と、演算増幅器３８及びコンパレータ４０から成
る比較手段とから構成される。前記受光素子３２は、ポ
リゴンミラー１８で反射した半導体レーザ１６からのレ
ーザ光を受光可能な位置に取り付けられている。また、
前記コントローラ部１４は、前記コンパレータ４０の出
力端に接続されており、このコンパレータ４０から後述
する二値化信号が出力される。そして、コントローラ部
１４は前記二値化信号に基づいて、レーザ光遮断時間ｔ
1 を演算し、演算して求めた時間とポリゴンミラー１８
の回転速度から前記ワーク２８の直径寸法を測定する。
【００１４】次に、前記エッヂ検出回路１２による二値
化信号作成方法について説明する。先ず、受光素子２４
からＩ／Ｖ変換器３０に出力された電流信号は、Ｉ／Ｖ
変換器３０で電圧信号４２（図２参照）に変換されてパ
ルス波形となり、演算増幅器３８の＋入力側に出力され
る。尚、図２の横軸はレーザ光の走査時間（Ｔ）を示
し、縦軸は電圧（Ｖ）を示している。
化信号作成方法について説明する。先ず、受光素子２４
からＩ／Ｖ変換器３０に出力された電流信号は、Ｉ／Ｖ
変換器３０で電圧信号４２（図２参照）に変換されてパ
ルス波形となり、演算増幅器３８の＋入力側に出力され
る。尚、図２の横軸はレーザ光の走査時間（Ｔ）を示
し、縦軸は電圧（Ｖ）を示している。
【００１５】演算増幅器３８の−入力側には、前述した
オフセット電圧作成手段から以下述べる信号が前記電圧
信号４２と同期して出力される。即ち、オフセット電圧
作成手段の受光素子３２が、ポリゴンミラー１８で反射
したレーザ光を光電流変換し、この光電流変換した電流
信号をＩ／Ｖ変換器４４で電圧信号に変換する。そし
て、この電圧信号のピークをピークホールド回路３４で
保持する。そして、ピークで保持した電圧を、抵抗４
６、４８で分圧してオフセット電圧信号５０（図３参
照）を作成する。このオフセット電圧信号５０が、前記
演算増幅器３８の−入力側に出力される。
オフセット電圧作成手段から以下述べる信号が前記電圧
信号４２と同期して出力される。即ち、オフセット電圧
作成手段の受光素子３２が、ポリゴンミラー１８で反射
したレーザ光を光電流変換し、この光電流変換した電流
信号をＩ／Ｖ変換器４４で電圧信号に変換する。そし
て、この電圧信号のピークをピークホールド回路３４で
保持する。そして、ピークで保持した電圧を、抵抗４
６、４８で分圧してオフセット電圧信号５０（図３参
照）を作成する。このオフセット電圧信号５０が、前記
演算増幅器３８の−入力側に出力される。
【００１６】次に、演算増幅器３８は、図２に示した電
圧信号４２と図３に示したオフセット電圧信号５０とを
減算する。そして、演算増幅器３８は図４に示すよう
に、ｖ 1 レベル下がった電圧信号４２Ａを作成し、この
電圧信号４２Ａをコンパレータ４０に主力する。次い
で、コンパレータ４０は、前記電圧信号４２Ａを０クロ
スコンパレートする。これにより、図５に示す二値化信
号５２がコンパレータ４０によって作成される。この二
値化信号５２は、前述したようにコントローラ部１４に
出力されるそして、コントローラ部１４は、この二値化
信号５２に基づいてレーザ光遮断時間ｔ1 を演算する。
圧信号４２と図３に示したオフセット電圧信号５０とを
減算する。そして、演算増幅器３８は図４に示すよう
に、ｖ 1 レベル下がった電圧信号４２Ａを作成し、この
電圧信号４２Ａをコンパレータ４０に主力する。次い
で、コンパレータ４０は、前記電圧信号４２Ａを０クロ
スコンパレートする。これにより、図５に示す二値化信
号５２がコンパレータ４０によって作成される。この二
値化信号５２は、前述したようにコントローラ部１４に
出力されるそして、コントローラ部１４は、この二値化
信号５２に基づいてレーザ光遮断時間ｔ1 を演算する。
【００１７】このように、本実施例の演算増幅器１２で
は、投光部１０に設けた受光素子２４からの電圧信号４
２を、オフセット電圧作成手段からのオフセット電圧信
号５０でオフセットし、このオフセットした電圧信号を
コンパレータ４０で０クロスコンパレートして二値化信
号５２を作成するようにした。これにより、測定部１０
から出力されるレベルの異なる電圧信号を、同一レベル
の二値化信号にすることができるので、ポリゴンミラー
の各ミラーの反射率の違いを補正することができる。従
って、ワークの測定精度を、従来の非接触測定装置と比
較して上げることができる。
は、投光部１０に設けた受光素子２４からの電圧信号４
２を、オフセット電圧作成手段からのオフセット電圧信
号５０でオフセットし、このオフセットした電圧信号を
コンパレータ４０で０クロスコンパレートして二値化信
号５２を作成するようにした。これにより、測定部１０
から出力されるレベルの異なる電圧信号を、同一レベル
の二値化信号にすることができるので、ポリゴンミラー
の各ミラーの反射率の違いを補正することができる。従
って、ワークの測定精度を、従来の非接触測定装置と比
較して上げることができる。
【００１８】一方、他の実施例として、前記電圧信号４
２を、ポリゴンミラー１８の各ミラーの反射率に対応し
たオフセット電圧信号５０と比較して二値化しても、レ
ベルの異なる電圧信号４２を同一レベルの二値化信号に
することができる。従って、この場合も同様に、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。
２を、ポリゴンミラー１８の各ミラーの反射率に対応し
たオフセット電圧信号５０と比較して二値化しても、レ
ベルの異なる電圧信号４２を同一レベルの二値化信号に
することができる。従って、この場合も同様に、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る非接触
測定装置によれば、測定部で出力された電圧信号を、ポ
リゴンミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット
電圧でオフセットし、このオフセット電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化信号を作成するようにし
た。これにより、測定部から出力されるレベルの異なる
電圧信号を同一レベルの二値化信号にすることができる
ので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補正
することができる。従って、ワークの測定精度を、従来
の非接触測定装置と比較して上げることができる。
測定装置によれば、測定部で出力された電圧信号を、ポ
リゴンミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット
電圧でオフセットし、このオフセット電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化信号を作成するようにし
た。これにより、測定部から出力されるレベルの異なる
電圧信号を同一レベルの二値化信号にすることができる
ので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補正
することができる。従って、ワークの測定精度を、従来
の非接触測定装置と比較して上げることができる。
【００２０】また、測定部で出力された前記電圧信号
を、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率に対応した基準
レベルと比較して二値化しても、測定部から出力される
レベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号にす
ることができる。従って、この場合も同様に、ワークの
測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げるこ
とができる。
を、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率に対応した基準
レベルと比較して二値化しても、測定部から出力される
レベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号にす
ることができる。従って、この場合も同様に、ワークの
測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げるこ
とができる。
【図１】本発明に係る非接触測定装置の全体構成図
【図２】エッヂ検出回路のＩ／Ｖ変換器から演算増幅器
に出力される電圧信号
に出力される電圧信号
【図３】エッヂ検出回路のインバータから演算増幅器に
出力されるオフセット電圧
出力されるオフセット電圧
【図４】エッヂ検出回路の演算増幅器からコンパレータ
に出力される電圧信号
に出力される電圧信号
【図５】演算増幅器からコンパレータに出力された電圧
信号を０レベルで比較して得た二値化信号
信号を０レベルで比較して得た二値化信号
【図６】従来の非接触測定装置の全体構成図
【図７】エッヂ検出回路のＩ／Ｖ変換器から演算増幅器
に出力される電圧信号
に出力される電圧信号
【図８】電圧信号にオフセット電圧を減算した電圧信号
【図９】電圧信号にオフセット電圧を減算した電圧信号
【符号の説明】 １０…投光部 １２…エッヂ検出回路 １４…コントローラ部 １６…半導体レーザ １８…ポリゴンミラー ２０…コリメータレンズ ２２…受光用レンズ ２４、３２…受光素子 ３４…ピークホールド回路 ３８…演算増幅器 ４０…コンパレータ
Claims (2)
- 【請求項１】 発光部と、該発光部から発振された光線
を反射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反
射した光線を入射して平行光線に変えるコリメータレン
ズと、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光
量に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、 前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴンミラ
ーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧を出力
するオフセット電圧作成手段と、前記電圧信号を前記オ
フセット電圧でオフセットするオフセット手段と、該オ
フセット手段でオフセットされた電圧信号を所定の基準
レベルと比較して二値化する比較手段と、該比較手段で
二値化された二値化信号に基づいて測定物の寸法を測定
する手段と、から成るコントローラ部と、 を備えたことを特徴とする非接触測定装置。 - 【請求項２】 発光部と、該発光部から発振された光線
を反射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反
射した光線を入射して平行光線に変えるコリメータレン
ズと、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光
量に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、 前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴンミラ
ーの各ミラーの反射率に対応した基準レベルを出力する
基準レベル作成手段と、前記電圧信号を前記基準レベル
と比較して二値化する比較手段と、該比較手段で二値化
された二値化信号に基づいて測定物の寸法を測定する手
段と、から成るコントローラ部と、 を備えたことを特徴とする非接触測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510992A JP2782675B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 非接触測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510992A JP2782675B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 非接触測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160027A JPH06160027A (ja) | 1994-06-07 |
| JP2782675B2 true JP2782675B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=15598800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15510992A Expired - Fee Related JP2782675B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 非接触測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782675B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11132730A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Anritsu Corp | 寸法測定装置 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15510992A patent/JP2782675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06160027A (ja) | 1994-06-07 |
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