JP2779853B2 - Manufacturing method of connection intermediate between inner lead and electronic component - Google Patents

Manufacturing method of connection intermediate between inner lead and electronic component

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JP2779853B2
JP2779853B2 JP1317219A JP31721989A JP2779853B2 JP 2779853 B2 JP2779853 B2 JP 2779853B2 JP 1317219 A JP1317219 A JP 1317219A JP 31721989 A JP31721989 A JP 31721989A JP 2779853 B2 JP2779853 B2 JP 2779853B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子部品をプリント配線板のインナーリー
ドに電気的に接続するために使用され、それ自体が電気
的接続用のバンプを有する接続中間体の製造方法に関す
るものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention is used for electrically connecting an electronic component to an inner lead of a printed wiring board, and has a connection itself having a bump for electrical connection. The present invention relates to a method for producing an intermediate.

(従来の技術) 電子部品をプリント配線板に実装する技術としては種
々なものがあるが、例えばプリント配線板としてフレキ
シブル基材を使用した場合には、導体回路の一部をフレ
キシブル基材に形成したデバイス穴内に集中した状態で
突出させてインナーリードとし、このインナーリードと
電子部品の外部接続端子とハンダ等により接続する方法
が採用されている。このようなインナーリードと電子部
品の接続端子とを接続する方法においては、一般に、第
6図または第7図に示すように、インナーリード側また
は電子部品側に例えばハンダを材料としたバンプを形成
しておき、このバンプをインナーリードと電子部品の接
続端子の間に介在させた状態で一旦溶融させて、インナ
ーリードと電子部品との接続を行うようにしている。
(Prior Art) There are various techniques for mounting electronic components on a printed wiring board. For example, when a flexible base material is used as a printed wiring board, a part of a conductor circuit is formed on the flexible base material. In this case, a method is employed in which the inner lead is made to protrude in a concentrated state in the device hole to form an inner lead, and the inner lead is connected to an external connection terminal of an electronic component by solder or the like. In such a method of connecting the inner lead and the connection terminal of the electronic component, generally, as shown in FIG. 6 or 7, a bump made of, for example, solder is formed on the inner lead side or the electronic component side. The bumps are once melted while being interposed between the inner lead and the connection terminal of the electronic component, so that the inner lead is connected to the electronic component.

ところで、上記のような従来の方法では、電子部品の
高密度化に伴って、次のような不具合が生ずるようにな
ってきている。
By the way, in the conventional method as described above, the following inconvenience has been caused with the increase in the density of electronic components.

電子部品が高密度化してくると、その外部接続端子間
のピッチ、従ってインナーリード間のピッチも小さくな
ってきており、現状ではそのピッチ間隔は場合によって
80μm以下にもなってきている。このような小さな間隔
のインナーリードや電子部品の接続端子にそれぞれ独立
した状態でハンダバンプを形成することは非常に困難に
なってきている。
As the density of electronic components increases, the pitch between external connection terminals, and therefore the pitch between inner leads, also decreases.
It has become smaller than 80 μm. It is very difficult to form solder bumps independently on the inner leads and the connection terminals of electronic components at such small intervals.

各インナーリード等にたとえハンダバンプを形成した
としても、これを溶融して接続した場合に、溶融ハンダ
が他の部分に流れてショートを引き起こすことがあり、
このことはインナーリード等のピッチが小さくなればな
る程顕著なものとなる。
Even if solder bumps are formed on each inner lead etc., if this is melted and connected, the molten solder may flow to other parts and cause a short circuit,
This becomes more remarkable as the pitch of the inner leads and the like becomes smaller.

特に、ピッチ間隔の小さなインナーリードの一本一本
に、ハンダによるバンプを形成する場合、このインナー
リードが折れたり曲がったりしないようにしなければな
らないが、そのための工程は非常に複雑にならざるを得
ない。例えば各インナーリードのハンダバンプを形成す
べき箇所のみを露出させるために、ハンダレジストをプ
リント配線板に貼付し、バンプ形成後はこれを除去する
等の工程が必要になるのであり、これらの工程中にイン
ナーリードを保護しておかなければならないからであ
る。
In particular, when bumps are formed by solder on each of the inner leads with a small pitch interval, it is necessary to prevent the inner leads from being bent or bent, but the process for that must be very complicated. I can't get it. For example, in order to expose only the portions of each inner lead where solder bumps are to be formed, it is necessary to apply a solder resist to the printed wiring board, and remove the bumps after forming the bumps. This is because the inner lead must be protected.

そこで、本発明者等は、特にファイン化されたインナ
ーリードと電子部品の接続端子とを確実かつ容易に接続
するためにはどうしたらよいかについて種々研究を重ね
てきた結果、両者の接続のためのバンプを別部材に形成
しておくことが良い結果をもたらすことに気付き、本発
明を完成したのである。
Therefore, the present inventors have conducted various studies on how to reliably and easily connect particularly the fine inner lead and the connection terminal of the electronic component. The inventors have found that forming the bumps on a separate member has a good result, and have completed the present invention.

(発明の解決しようとする課題) 本発明は、以上のような経緯に基づいてなされたもの
で、その解決しようとする課題は、ファイン化されたイ
ンナーリードと電子部品の接続端子との確実な接続であ
る。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made on the basis of the above-described background, and the problem to be solved is a reliable connection between a fine inner lead and a connection terminal of an electronic component. Connection.

そして、本願発明の目的とするところは、ファイン化
されたインナーリードと電子部品の外部接続端子との接
続を確実かつ容易に行うことのできる接続中間体を確実
に製造することのできる方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method capable of reliably manufacturing a connection intermediate capable of reliably and easily connecting the fine inner lead and an external connection terminal of an electronic component. Is to do.

(課題を解決するための手段及び作用) 本願発明に係る接続中間体(10)は、実施例において
使用する符号を付して説明すると、 インナーリード(30)と電子部品(40)の接続端子と
の間に配置されてこれらを電気的に接続するための接続
中間体(10)であって、 この接続中間体(10)を、絶縁性を有する支持基材
(11)と、この支持基材(11)に形成されてインナーリ
ード(30)とこれに対応する接続端子との間に位置する
支持穴(12)と、この支持穴(12)に支持したバンプ
(13)とにより構成されている。
(Means and Actions for Solving the Problems) The connection intermediate (10) according to the present invention will be described with reference numerals used in the embodiments. The connection intermediate (10) is a connection terminal between the inner lead (30) and the electronic component (40). A connection intermediate (10) for electrically connecting them, the connection intermediate (10) comprising: a supporting base material (11) having an insulating property; It is composed of a support hole (12) formed in the material (11) and located between the inner lead (30) and the corresponding connection terminal, and a bump (13) supported in the support hole (12). ing.

すなわち、インナーリード(30)や電子部品(40)と
は完全に別体のものとして形成されるとともに、この接
続中間体(10)自体がインナーリード(30)と電子部品
(40)とを接続するためのバンプ(13)を有しているも
のであり、次のようにして使用される。つまり、この接
続中間体(10)は、第2図に示すように、電子部品(4
0)とこれに接続されるべき電子部品(40)の図示しな
い接続端子間に配置されるものであり、この接続中間体
(10)の各バンプ(13)に電子部品(40)とこれに対応
する電子部品(40)の接続端子とを当接させた状態で各
バンプ(13)を溶融させることにより、インナーリード
(30)と電子部品(40)との電気的接続を行なうもので
ある。以上のように、この接続中間体(10)は、インナ
ーリード(30)と電子部品(40)とを所定の位置に配置
するとともに、これらの間に位置決めして前述のような
インナーリード(30)と電子部品(40)との接続を行う
ようにして使用されることは勿論、予めインナーリード
(30)側または電子部品(40)側に接続しておいてから
他のものを接続するようにして使用することもある。
That is, the inner lead (30) and the electronic component (40) are formed completely separately from each other, and the connection intermediate (10) itself connects the inner lead (30) and the electronic component (40). And has a bump (13) for use as follows. That is, as shown in FIG. 2, this connection intermediate (10)
0) and a connection terminal (not shown) of an electronic component (40) to be connected to the electronic component (40). The electrical connection between the inner lead (30) and the electronic component (40) is performed by melting each bump (13) in a state where the connection terminal of the corresponding electronic component (40) is in contact with the corresponding connection terminal. . As described above, this connection intermediate (10) arranges the inner lead (30) and the electronic component (40) at predetermined positions, and positions the inner lead (30) and the electronic component (40) between them to position the inner lead (30) as described above. ) And the electronic component (40), and of course, connect it to the inner lead (30) or the electronic component (40) before connecting other components. Sometimes used.

以上のようにして接続中間体(10)を使用すれば、イ
ンナーリード(30)側や電子部品(40)側に接続のため
のバンプを形成しておく必要はなくなる。従って、イン
ナーリード(30)または電子部品(40)側にバンプを形
成するための工程を省略することが可能となっているの
である。特にインナーリード(30)側にバンプを形成す
る従来の方法に比較すると、この接続中間体(10)を使
用する場合のインナーリード(30)にはバンプを形成す
るためのマスクの形成・加工・剥離の工程は全く不要と
なるから、インナーリード(30)の保護を十分行えるの
である。
If the connection intermediate (10) is used as described above, it is not necessary to form bumps for connection on the inner lead (30) side or the electronic component (40) side. Therefore, it is possible to omit a step for forming a bump on the inner lead (30) or the electronic component (40) side. In particular, in comparison with the conventional method of forming a bump on the inner lead (30) side, when the connection intermediate (10) is used, a mask for forming a bump is formed on the inner lead (30). Since the peeling step is not required at all, the inner lead (30) can be sufficiently protected.

そして、特に重要なことは、インナーリード(30)と
電子部品(40)の接続端子とを接続するためのバンプ
(13)を、インナーリード(30)や電子部品(40)とは
完全に独立した接続中間体(10)の支持穴(12)内に保
持させているから、このバンプ(13)は、これが溶融さ
れたとき、この支持穴(12)内に表面張力によって保持
されるのであり、外部には流れにくくなるのである。こ
のため、インナーリード(30)間及び電子部品(40)の
各接続端子間のピッチが小さなものとなったとしても、
溶融したバンプ(13)が隣接するインナーリード(30)
や接続端子に接触することがなく、一つのインナーリー
ド(30)に対して別の接続端子がショートすることはな
いのである。従って、この接続中間体(10)を使用する
ことにより、インナーリード(30)及び電子部品(40)
の接続端子のファイン化を十分達成し得るのである。
What is particularly important is that the bump (13) for connecting the inner lead (30) to the connection terminal of the electronic component (40) is completely independent of the inner lead (30) and the electronic component (40). Because the bumps (13) are retained in the support holes (12) by surface tension when they are melted, the bumps (13) are retained in the support holes (12) of the connection intermediate (10). It is difficult to flow to the outside. Therefore, even if the pitch between the inner leads (30) and between the connection terminals of the electronic component (40) becomes smaller,
Inner lead (30) adjacent to the molten bump (13)
And no connection terminal is contacted, and one connection terminal is not short-circuited to one inner lead (30). Therefore, by using this connection intermediate (10), the inner lead (30) and the electronic component (40)
This can sufficiently achieve the fine connection terminal.

以上のような作用を有する接続中間体(10)を製造す
るために、第一請求項に係る発明の採った手段は、 「絶縁性を有する支持基材(11)と、この支持基材
(11)に形成されてインナーリード(30)とこれに対応
する電子部品(40)側の接続端子との間に位置する支持
穴(12)と、この支持穴(12)に支持したバンプ(13)
とにより構成されて、電子部品(40)をインナーリード
(30)に電気的に接続する接続中間体(10)を、次の工
程により製造する方法。
In order to produce the connection intermediate (10) having the above-described effects, the means according to the first aspect of the present invention includes: a supporting base material (11) having insulating properties; A support hole (12) formed between the inner lead (30) and the corresponding connection terminal on the electronic component (40) side, and a bump (13) supported by the support hole (12). )
A method of manufacturing a connection intermediate (10) for electrically connecting an electronic component (40) to an inner lead (30) by the following steps.

(1)支持基材(11)に支持穴(12)を形成する工程; (2)この支持穴(12)を形成した支持基材(11)を導
電基材(20)上に一体化する工程; (3)この導電基材(20)に通電しながら、その支持基
材(11)側の面に電気メッキを施して、各支持穴(12)
内にバンプ(13)を形成する工程; (4)導電基材(20)を支持基材(11)から剥離または
溶解によって除去する工程」である。
(1) a step of forming a support hole (12) in the support substrate (11); (2) integrating the support substrate (11) having the support hole (12) formed on the conductive substrate (20) Step: (3) While energizing the conductive base material (20), electroplating is performed on the surface of the support base material (11) side, and each support hole (12)
(4) a step of removing the conductive substrate (20) from the supporting substrate (11) by peeling or dissolving.

すなわち、この方法においては、絶縁性を有してイン
ナーリード(30)や電子部品(40)とは完全に独立した
状態にある支持基材(11)に対して、第4図の(a)に
て示すように、複数の支持穴(12)を形成する必要があ
る。これらの支持穴(12)は、ファイン化されたインナ
ーリード(30)間のピッチに対応するピッチによって形
成するのであるから、その径が非常に小さいだけでなく
ピッチも非常に小さいものである。従って、これらの支
持穴(12)を形成すべき支持基材(11)はこれに対応で
きる材料のものを使用しなければならないが、例えば露
光、現象によって支持穴(12)を形成することができる
もの、あるいはレーザー加工によって支持穴(12)が形
成できるもの等を採用するとよい。つまり、支持穴(1
2)は、感光性材料を露光、現象するか、あるいはレー
ザー加工によって形成されるのである。
That is, in this method, the supporting base material (11) which has insulation properties and is completely independent of the inner leads (30) and the electronic components (40) is applied to the supporting base material (11) of FIG. As shown by, it is necessary to form a plurality of support holes (12). Since these support holes (12) are formed with a pitch corresponding to the pitch between the fined inner leads (30), not only the diameter but also the pitch is very small. Therefore, the support base material (11) on which the support holes (12) are to be formed must be made of a material that can cope with the support base material (11). It is preferable to employ a material that can be formed, or a material that can form the support hole (12) by laser processing. In other words, the support holes (1
In 2), the photosensitive material is exposed, developed, or formed by laser processing.

以上のように複数の支持穴(12)を形成した支持基材
(11)の片面に、第4図の(b)にて示すように、導電
基材(20)を一体化するのである。この導電基材(20)
は、これに通電することにより、これに電気メッキを施
すことができるようにするものであり、第4図の(c)
にて示すように、この導電基材(20)に支持基材(11)
の支持穴(12)を通して電気メッキを施すことによりバ
ンプ(13)を形成するのである。このバンプ(13)は、
支持基材(11)の表面から多少突出していた方がインナ
ーリード(30)または電子部品(40)の接続端子に接触
させ易いから、前述の電気メッキは比較的十分に行なう
とよい。また、このバンプ(13)の材料としては、導電
基材(20)を構成している金属とは異なる材料のものを
採用するとよい。その理由は、後述の工程で、このバン
プ(13)を導電基材(20)から剥がれ易くさせることが
できるとともに、導電基材(20)をエッチング等の溶解
手段によって除去する場合に導電基材(20)のみをエッ
チングするエッチャントを使用することができるからで
ある。
As shown in FIG. 4B, the conductive base material (20) is integrated with one surface of the support base material (11) in which the plurality of support holes (12) are formed as described above. This conductive substrate (20)
FIG. 4 (c) shows that by applying a current to this, it can be electroplated.
As shown in the figure, the supporting base material (11)
The bumps (13) are formed by electroplating through the support holes (12). This bump (13)
The above-mentioned electroplating should be performed relatively satisfactorily, since it is easier for the protruding part to protrude from the surface of the supporting base material (11) to the inner lead (30) or the connection terminal of the electronic component (40). Further, as the material of the bump (13), a material different from the metal constituting the conductive base material (20) may be used. The reason is that the bumps (13) can be easily peeled off from the conductive base material (20) in a step described later, and the conductive base material (20) can be easily removed by a dissolving means such as etching. This is because an etchant for etching only (20) can be used.

そして、この製造方法においては、第4図の(d)に
て示すように接続中間体(10)を構成しない導電基材
(20)を除去するのであるが、この導電基材(20)の除
去方法は大別して二つの方法がある。第一の方法は、導
電基材(20)を支持基材(11)から単に剥離するもので
ある。各バンプ(13)は、非常に小さな支持穴(12)内
に保持されているから、この導電基材(20)を剥離する
際にはバンプ(13)は支持穴(12)内にてしっかりと支
持されている。従って、導電基材(20)を支持基材(1
1)から剥離する際に、各バンプ(13)が導電基材(2
0)側に付着した状態で剥離されてしまうことはないの
であり、特に各バンプ(13)の図示上部を支持基材(1
1)上に突出させた場合には各バンプ(13)は支持基材
(11)側に保持されたままの状態にある。導電基材(2
0)自体の除去をそのエッチング等の溶解によって行な
う第二の方法の場合には、各バンプ(13)の支持穴(1
2)に対する機械的支持には影響を与えないが、この場
合には、前述した通り、導電基材(20)とともにバンプ
(13)も溶解されないような材料及びエッチャントを選
択する必要はある。
In this manufacturing method, as shown in FIG. 4 (d), the conductive base material (20) that does not constitute the connection intermediate (10) is removed. There are roughly two removal methods. The first method is to simply peel the conductive substrate (20) from the supporting substrate (11). Each bump (13) is held in a very small support hole (12), so when peeling this conductive substrate (20), the bump (13) should be firmly held in the support hole (12). It is supported. Therefore, the conductive substrate (20) is
When peeled from 1), each bump (13) becomes conductive base material (2
The bumps (13) are not separated from the support base material (1).
1) When protruding upward, each bump (13) is in a state of being held on the supporting substrate (11) side. Conductive substrate (2
0) In the case of the second method of removing itself by dissolution such as etching, the support holes (1) of each bump (13) are removed.
It does not affect the mechanical support for 2), but in this case, as described above, it is necessary to select a material and an etchant that do not dissolve the bumps (13) together with the conductive substrate (20).

なお、第4図に示した実施例においては、多数の接続
中間体(10)を同時に形成すべく大きな支持基材(11)
を採用したので、これを第4図の(e)にて示すように
個別の接続中間体(10)とする加工を行っている。ま
た、メッキによるバンプ(13)では、これを溶融してイ
ンナーリード(30)及び電子部品(40)を接続するには
量的に不十分な場合には、この接続中間体(10)全体を
溶融ハンダ槽内に浸積するハンダディップによって、第
4図の(f)にて示すように、各バンプ(13)の表面に
更にハンダを付着させるとよい。
In the embodiment shown in FIG. 4, a large supporting base material (11) is used to simultaneously form a large number of connection intermediates (10).
Therefore, as shown in FIG. 4 (e), this is processed into individual connecting intermediates (10). In the case of a bump (13) formed by plating, if the quantity is insufficient to melt and connect the inner lead (30) and the electronic component (40), the entire connection intermediate (10) is removed. As shown in FIG. 4 (f), solder may be further adhered to the surface of each bump (13) by a solder dip immersed in the molten solder tank.

また、接続中間体(10)を製造するために、第二請求
項に係る発明の採った手段は、 「絶縁性を有する支持基材(11)と、この支持基材(1
1)に形成されてインナーリード(30)とこれに対応す
る電子部品(40)側の接続端子との間に位置する支持穴
(12)と、この支持穴(12)に支持したバンプ(13)と
により構成されて、電子部品(40)をインナーリード
(30)に電子的に接続する接続中間体(10)を、次の工
程により製造する方法。
Further, in order to manufacture the connection intermediate (10), the means adopted in the invention according to the second claim includes: a supporting base material (11) having an insulating property;
A support hole (12) formed between the inner lead (30) and the corresponding connection terminal on the electronic component (40) side, and a bump (13) supported by the support hole (12). ), Wherein a connection intermediate (10) for electronically connecting the electronic component (40) to the inner lead (30) is manufactured by the following steps.

(1)支持基材(11)に支持穴(12)を形成する工程; (2)少なくともこの支持穴(12)内に補助メッキ(1
4)を施す工程; (3)この補助メッキ(14)に対してハンダメッキを施
すか、あるいは支持基材(11)の全体を溶融ハンダ槽内
に浸積して、補助メッキ(14)を核とするハンダによる
バンプ(13)を形成する工程」 であるが、この第二請求項の方法の第一請求項における
それと異なる点は導電基材(20)を使用しないでバンプ
(13)を形成することにある。
(1) a step of forming a support hole (12) in the support base material (11); (2) an auxiliary plating (1) at least in the support hole (12).
(3) Applying solder plating to this auxiliary plating (14), or immersing the whole of the supporting substrate (11) in a molten solder tank to apply the auxiliary plating (14). A step of forming a bump (13) using solder as a core. However, the difference from the method of the first claim of the second claim is that the bump (13) is formed without using the conductive base material (20). Is to form.

すなわち、この第二請求項の方法においては第5図の
(イ)に示すように、支持基材(11)に必要な支持穴
(12)を形成するところまでは第一請求項のそれと同様
であるが、このバンプ(13)内に補助メッキ(14)を形
成するところが異なる。つまり、このバンプ(13)内の
補助メッキ(14)は、第一請求項の発明における導電基
材(20)と同様に、バンプ(13)の核となるべきもので
ある。この補助メッキ(14)は、所謂スルーホールメッ
キを行なう場合と同様な方法によって形成されるもので
ある。
That is, in the method of the second claim, as shown in FIG. 5 (a), up to the point where the necessary support holes (12) are formed in the support base material (11), it is the same as that of the first claim. However, the difference is that the auxiliary plating (14) is formed in the bump (13). That is, the auxiliary plating (14) in the bump (13) should be a core of the bump (13), like the conductive base material (20) in the first aspect of the invention. This auxiliary plating (14) is formed by a method similar to the case where so-called through-hole plating is performed.

以上のようにして、支持穴(12)内に補助メッキ(1
4)を形成した支持基材(11)は、これを化学メッキ槽
内に浸積することにより、第5図の(ハ)及び(ニ)に
て示すように、各補助メッキ(14)を核とする化学メッ
キを施して、これら各補助メッキ(14)を中心とするバ
ンプ(13)を形成するのである。このバンプ(13)は、
化学メッキの量を調整することにより、第5図の(ハ)
にて示したようなドーナツ状のものとすることができ、
あるいは第5図の(ニ)にて示したような中実状のもの
とすることができるものである。
As described above, the auxiliary plating (1
The supporting base material (11) on which 4) is formed is immersed in a chemical plating tank to form each auxiliary plating (14) as shown in (c) and (d) of FIG. A bump (13) centering on each of these auxiliary platings (14) is formed by performing chemical plating as a nucleus. This bump (13)
By adjusting the amount of chemical plating, (c) in FIG.
Can be made into a donut shape as shown in,
Alternatively, it can be a solid one as shown in FIG. 5 (d).

なお、各バンプ(13)を第5図の(ハ)にて示したド
ーナツ状のものとした場合には、これを溶融してインナ
ーリード(30)と電子部品(40)とを接続する際に、余
分なバンプ(13)を支持穴(12)内に流入させて外方へ
は流れでないようにできるから、ファイン化されたイン
ナーリード(30)と電子部品(40)の接続端子との接続
をより確実にするものである。
When each of the bumps (13) has a donut shape shown in (c) of FIG. 5, the bumps (13) are melted to connect the inner lead (30) to the electronic component (40). In addition, since the extra bumps (13) can be made to flow into the support holes (12) so that they do not flow outward, the connection between the fine inner leads (30) and the connection terminals of the electronic components (40) can be made. This is to make the connection more secure.

(実施例) 次に接続中間体(10)を製造するための第一及び第二
請求項に係る発明について説明する。
(Example) Next, the invention according to the first and second claims for producing the connection intermediate (10) will be described.

実施例1 第4図には、第一請求項に係る製造方法の各工程が順
を追って示してある。この製造方法においては、まず第
4図の(a)にて示したように、支持基材(11)のバン
プ(13)を形成すべき位置に支持穴(12)を形成するの
であるが、この支持基材(11)としては接続中間体(1
0)を多数個取りできるように大き目のものを使用して
いる。また、この支持基材(11)としては、これを露光
・現象することにより支持穴(12)を形成するために、
本実施例においては所謂ドライフィルムを採用している
が、レーザー加工の可能な材料を採用してもよいもので
ある。さらに、接続中間体(10)として第1図に示した
平板状のものとする場合には、この支持基材(11)に支
持穴(12)以外の加工をする必要はないが、第3図に示
すような中心に開口(15)を有する接続中間体(10)を
形成する場合には、支持基材(11)にこの開口(15)を
予め形成しておくものである。
Embodiment 1 FIG. 4 shows the steps of the manufacturing method according to the first claim in order. In this manufacturing method, first, as shown in FIG. 4A, a support hole (12) is formed at a position where a bump (13) is to be formed on a support substrate (11). As the supporting base material (11), a connection intermediate (1
The larger one is used so that many 0) can be obtained. In order to form a support hole (12) by exposing and developing this support base material (11),
In this embodiment, a so-called dry film is used, but a material that can be laser-processed may be used. Further, in the case where the connecting intermediate (10) is a flat plate as shown in FIG. 1, it is not necessary to process the supporting base material (11) other than the supporting hole (12). When forming the connection intermediate (10) having the opening (15) at the center as shown in the figure, the opening (15) is formed in the support base material (11) in advance.

このように必要な支持穴(12)を形成した支持基材
(11)の裏面側に、第4図の(b)にて示したように導
電基材(20)を貼付する。この導電基材(20)はその表
面に電気メッキを施す必要があるから、これ自身が導電
性を有しているとともに、一体的なものである。そし
て、この導電基材(20)を利用して、第4図の(c)に
て示したように、導電基材(20)の図示上側に支持基材
(11)の支持穴(12)を通して電気メッキを施すことに
より、必要なバンプ(13)を形成するのである。
A conductive base material (20) is attached to the back surface of the support base material (11) having the necessary support holes (12) formed thereon as shown in FIG. 4 (b). Since the conductive substrate (20) needs to be electroplated on its surface, it has conductivity and is integral with itself. Then, using the conductive base material (20), as shown in FIG. 4C, the support holes (12) of the support base material (11) are provided above the conductive base material (20). Then, the necessary bumps (13) are formed by electroplating.

次いで、第4図の(d)にて示したように、導電基材
(20)を支持基材(11)から除去するのである。この除
去方法としては、導電基材(20)を単に剥離する方法、
あるいはこの導電基材(20)をエッチング等の手段によ
って溶解する方法等が採用される。
Next, as shown in FIG. 4D, the conductive base material (20) is removed from the support base material (11). The removal method includes a method of simply peeling the conductive substrate (20),
Alternatively, a method of dissolving the conductive substrate (20) by means such as etching or the like is adopted.

以上の工程は一個の支持基材(11)に対して個別に行
なうように実施してもよいが、本実施例においては接続
中間体(10)を多数個取りするようにしているので、第
4図の(e)にて示すように、支持基材(11)を切断す
ることによりそれぞれ分離して第1図または第2図に示
したような接続中間体(10)とするのである。なお、各
バンプ(13)が量的に不足するものである場合には、各
接続中間体(10)を溶融ハンダ槽内に浸積することによ
り、第4図の(f)にて示したように大きなバンプ(1
3)を形成すればよい。
The above steps may be performed individually for one support base material (11). However, in this embodiment, since a large number of connection intermediates (10) are taken, As shown in FIG. 4 (e), the support base material (11) is cut and separated to obtain a connection intermediate (10) as shown in FIG. 1 or FIG. In the case where each of the bumps (13) is insufficient in quantity, each connection intermediate (10) is immersed in a molten solder tank, and is shown in FIG. 4 (f). So big bump (1
3) may be formed.

実施例2 第5図には第二請求項に係る製造方法が示してある
が、この製造方法においては、第5図の(ロ)にて示し
たように、第一請求項に係る製造方法において採用した
導電基材(20)の代わりに、各支持穴(12)内に形成し
た補助メッキ(14)を使用するものである。これら各補
助メッキ(14)は、スルーホールメッキを行うときの一
般的な手段によって形成されるものであるが、中実状態
にならない程度のものとするとよい。
Embodiment 2 FIG. 5 shows a manufacturing method according to the second claim. In this manufacturing method, as shown in FIG. The auxiliary plating (14) formed in each support hole (12) is used in place of the conductive base material (20) employed in (1). Each of these auxiliary platings (14) is formed by a general means when performing through-hole plating, but it is preferable that the auxiliary plating (14) be of such an extent that it does not become a solid state.

そして、以上のようにした支持基材(11)をメッキ槽
内に浸積して化学メッキを施すか、あるいは支持基材
(11)を溶融ハンダ槽内に浸積することによって、第5
図の(ハ)または(ニ)にて示したように、各補助メッ
キ(14)を核とするバンプ(13)を形成するのである。
Then, the support base material (11) as described above is immersed in a plating tank and subjected to chemical plating, or the support base material (11) is immersed in a molten solder tank to form the fifth base material.
As shown in (c) or (d) of the figure, a bump (13) having each auxiliary plating (14) as a nucleus is formed.

(発明の効果) 以上詳述した通り、本発明においては、ファイン化さ
れたインナーリードと電子部品の外部接続端子との接続
を確実かつ容易に行うことのできる接続中間体を確実か
つ簡単に製造することができるという効果を奏するもの
である。
(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, a connection intermediate that can reliably and easily perform connection between a fine inner lead and an external connection terminal of an electronic component is reliably and easily manufactured. This has the effect of being able to do so.

すなわち、この接続中間体(10)によれば、ファイン
化されたインナーリード(30)や電子部品(40)の接続
端子にバンプを形成する必要がないから、インナーリー
ド(30)と電子部品(40)との接続のための加工を非常
に簡単なものとすることができるのであり、しかもこの
接続中間体(10)自体の構造も非常に簡単なものとする
ことができるのである。また、この接続中間体(10)を
使用すれば、インナーリード(30)と電子部品(40)と
の接続を容易に行うことができるだけでなく、従来イン
ナーリード(30)または電子部品(40)側に形成してい
たバンプを使用する接続方法に比較すれば、両者間に生
ずるショートを極力避けることができるのである。さら
に、インナーリード(30)にバンプを形成する従来の方
法においては、各電子部品(40)を曲げないようにしな
がらこれにバンプを形成しなければならなかったが、こ
の接続中間体(10)を使用すれば、そのような注意を全
くする必要がないだけでなく、インナーリード(30)を
曲げる危険性を非常に少なくすることができるのであ
る。
In other words, according to the connection intermediate (10), it is not necessary to form a bump on the connection terminal of the fine inner lead (30) or the electronic component (40), so that the inner lead (30) and the electronic component ( Processing for connection with 40) can be made very simple, and the structure of the connection intermediate (10) itself can be made very simple. The use of this connection intermediate (10) not only facilitates the connection between the inner lead (30) and the electronic component (40), but also allows the conventional inner lead (30) or electronic component (40) to be connected. Compared to the connection method using the bump formed on the side, it is possible to avoid the short circuit between them as much as possible. Furthermore, in the conventional method of forming a bump on the inner lead (30), the bump had to be formed on each electronic component (40) without bending it. The use of a wrench not only eliminates the need for such precautions, but also greatly reduces the risk of bending the inner lead (30).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本願発明により製造された接続中間体の拡大斜
視図、第2図はこの接続中間体を使用してインナーリー
ドと電子部品とを接続する状態を示す拡大断面図、第3
図は他の実施例に係る接続中間体の斜視図、第4図は第
一請求項に係る製造方法の各工程を順を追って示した部
分拡大断面図、第5図は第二請求項に係る製造方法を示
す部分拡大断面図、第6図及び第7図のそれぞれは従来
の接続方法を示す部分拡大断面図である。 符号の説明 10…接続中間体、11…支持基材、12…支持穴、13…バン
プ、14…補助メッキ、15…開口、20…導電基材、30…イ
ンナーリード、40…電子部品。
FIG. 1 is an enlarged perspective view of a connection intermediate manufactured by the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a state in which an inner lead and an electronic component are connected using the connection intermediate, and FIG.
FIG. 4 is a perspective view of a connection intermediate according to another embodiment, FIG. 4 is a partially enlarged sectional view showing each step of the manufacturing method according to the first claim in order, and FIG. 5 is a second claim. FIGS. 6 and 7 are partially enlarged sectional views showing the manufacturing method, and FIGS. 6 and 7 are partially enlarged sectional views showing a conventional connection method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Connection intermediate, 11 ... Support base material, 12 ... Support hole, 13 ... Bump, 14 ... Auxiliary plating, 15 ... Opening, 20 ... Conductive base material, 30 ... Inner lead, 40 ... Electronic component.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−502511(JP,A) 特開 平3−97237(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-502511 (JP, A) JP-A-3-97237 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/60

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】絶縁性を有する支持基材と、この支持基材
に形成されてインナーリードとこれに対応する電子部品
側の接続端子との間に位置する支持穴と、この支持穴に
支持したバンプとにより構成されて、前記電子部品を前
記インナーリードに電気的に接続する接続中間体を、次
の工程により製造する方法。 (1)前記支持基材に前記支持穴を形成する工程; (2)この支持穴を形成した前記支持基材を導電基材上
に一体化する工程; (3)この導電基材に通電しながら、その支持基材側の
面に電気メッキを施して、前記各支持穴内に前記バンプ
を形成する工程; (4)前記導電基材を前記支持基材から剥離または溶解
によって除去する工程。
1. A supporting base material having an insulating property, a supporting hole formed on the supporting base material and located between an inner lead and a corresponding connection terminal on an electronic component side, and a supporting hole supported by the supporting hole. A method of manufacturing a connection intermediate, which is constituted by the bumps and electrically connects the electronic component to the inner leads, by the following steps. (1) a step of forming the support hole in the support base; (2) a step of integrating the support base in which the support hole is formed on a conductive base; (3) energizing the conductive base. A step of forming the bumps in each of the support holes by electroplating the surface on the side of the support base while (4) removing the conductive base from the support base by peeling or dissolving.
【請求項2】絶縁性を有する支持基材と、この支持基材
に形成されてインナーリードとこれに対応する電子部品
側の接続端子との間に位置する支持穴と、この支持穴に
支持したバンプとにより構成されて、前記電子部品を前
記インナーリードに電気的に接続する接続中間体を、次
の工程により製造する方法。 (1)前記支持基材に前記支持穴を形成する工程; (2)少なくともこの支持穴内に補助メッキを施す工
程; (3)この補助メッキに対してハンダメッキを施すか、
あるいは前記支持基材の全体を溶融ハンダ槽内に浸積し
て、前記補助メッキを核とするハンダによる前記バンプ
を形成する工程。
2. A supporting base having an insulating property, a supporting hole formed in the supporting base and located between an inner lead and a corresponding connection terminal on an electronic component side, and a supporting hole supported by the supporting hole. A method of manufacturing a connection intermediate, which is constituted by the bumps and electrically connects the electronic component to the inner leads, by the following steps. (1) a step of forming the support hole in the support base material; (2) a step of applying an auxiliary plating at least in the support hole; (3) a step of applying a solder plating to the auxiliary plating;
Alternatively, a step of immersing the whole of the supporting base material in a molten solder bath to form the bumps with solder having the auxiliary plating as a core.
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JP2758053B2 (en) * 1988-02-05 1998-05-25 レイケム・リミテッド Use of a single-shaft electrically conducting part
JP2780375B2 (en) * 1989-09-11 1998-07-30 新日本製鐵株式会社 Method of connecting TAB tape to semiconductor chip and bump sheet used therefor

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