JP2776207B2 - 光情報再生方法 - Google Patents

光情報再生方法

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JP2776207B2
JP2776207B2 JP5197058A JP19705893A JP2776207B2 JP 2776207 B2 JP2776207 B2 JP 2776207B2 JP 5197058 A JP5197058 A JP 5197058A JP 19705893 A JP19705893 A JP 19705893A JP 2776207 B2 JP2776207 B2 JP 2776207B2
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晃正 佐野
研一 笠澄
定夫 水野
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクあるいは光
カードなど、光記憶媒体上に記憶された光学情報を再生
する光情報再生方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】高密度・大容量の記憶媒体として、ピッ
ト状パターンを有する光ディスクを用いる光メモリ技術
は、ディジタルオーディオディスク(以下DADとす
る),ビデオディスク,文書ファイルディスク,さらに
はデータファイルディスクと用途を拡張しつつ、実用化
されてきている。ミクロンオーダに絞られた光ビームを
介して光ディスクへの情報の記録再生が高い信頼性のも
とに首尾よく遂行される光情報装置のメカニズムは、ひ
とえにその光学系である光ピックアップヘッド装置に因
っている。光ピックアップヘッド装置の基本的な機能
は、回折限界の微小スポットを形成する集光性、前記光
学系の焦点制御とトラッキング制御、及びピット信号検
出に大別される。これらは、目的、用途に応じて、各種
の光学系ならびに光電変換検出方式の組合せによって実
現されている。DADを例にとると、トラックピッチ
1.6μm、最短ピット長0.85μm、ピット幅0.
5μmの情報を読み取る為に、光源の波長λ=0.78
〜0.83μm、対物レンズのNA=0.45〜0.5
程度の光学系を用いて回折限界まで集光されたビームを
用いることが必要とされる。このとき、光記憶媒体の基
板の厚さは1.2mmである。光源としてコヒーレント
なレーザ光(位相がそろった波をもつ光)と高性能な集
光レンズを使うことにより、回折限界まで集光されたス
ポット径Sは約1μmとなる。スポット径Sは、光源の
波長λに比例し、NAに反比例した大きさとなる。回折
限界にまで集光された微小なビームを実現するために
は、光ピックアップヘッド装置の集光光学系全体の収差
を、0.07λ以下にする必要がある。この回折限界の
条件がマーシャル限界と呼ばれていることはよく知られ
ている。ビームを集光光学系で集光したときの特性につ
いては、例えばラジオ技術社出版の光ディスク技術pp
54〜62に詳しく記載されている。
【0003】近年、光源の波長を短く、例えばλ=0.
6〜0.7μm、対物レンズのNAを大きく、例えばN
A=0.6として、回折限界のスポットの大きさを小さ
くし、さらに高密度に情報を記録再生しようとする試み
がなされている。このとき、基板の厚み誤差や傾きに対
して、急激に光ピックアップヘッド装置で読み取った信
号の品質が劣化するので、基板の厚みを薄くする試みも
なされている。このときの基板の厚さは、例えば0.6
mmで、DADと比べて半分の厚みである。このとき、
光記憶媒体は、トラックピッチ0.7〜1.0μm、最
短ピット長0.4〜0.6μm、ピット幅0.3〜0.
4μm程度にまで高密度に記録された情報を読み取るこ
とが可能となる。
【0004】従来の光ピックアップヘッド装置の一例と
して、図16に光記憶媒体4上にビームを集光して光記
憶媒体4上に記録された情報を読み取る光ピックアップ
ヘッド装置27の構成を示す。光ピックアップヘッド装
置27は、半導体レーザ光源1、平行平板7、有限系対
物レンズ17、光検出器51、焦点制御用アクチュエー
タ91、トラッキング制御用アクチュエータ92からな
る。
【0005】半導体レーザ光源1から出射された直線偏
光を有する発散ビーム70は、平行平板7でで反射され
た後、有限系対物レンズ17を透過して光記憶媒体4の
情報記録面43上に集光される。光記憶媒体4の情報記
録面43で反射,回折されたビーム70は、再び対物レ
ンズ17を透過後、平行平板7に入射する。平行平板7
に入射したビーム70は、平行平板7を透過する際、非
点収差波面が与えられた後、光検出器51で受光され
る。光検出器51から出力される信号を用いて、焦点誤
差信号、トラッキング誤差信号、光記憶媒体に記録され
た情報の読み取り信号が得られる。焦点誤差信号及びト
ラッキング誤差信号は、それぞれ焦点制御用アクチュエ
ータ91及びトラッキング制御用アクチュエータ92に
供給されて、焦点制御用アクチュエータ91は、光ピッ
クアップヘッド装置27から出射されるビーム70が光
記憶媒体4上の所望のトラック上に焦点を結ぶように対
物レンズ17の焦点の位置を、トラッキング制御用アク
チュエータ92は、光ピックアップヘッド装置27から
出射されるビーム70が光記憶媒体4の所望のトラック
上を走査するように光記憶媒体4の情報記録面43内の
ビームの位置をそれぞれ制御する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、DADのよ
うに基板の厚さdが1.2mmの光記憶媒体と、高密度
に情報が記録された基板の厚さdが0.6mmの光記憶
媒体とを1つの光情報装置で再生しようとする概念はな
く、今までは、それぞれの基板の厚さに対して、それぞ
れ回折限界までビームが集光される光ピックアップヘッ
ド装置を有する光情報装置を用いて光記憶媒体上に記録
された情報を再生していた。
【0007】光情報装置に、それぞれの基板の厚さに対
して回折限界までビームが集光される複数の光ピックア
ップヘッド装置を設けた場合、その分、光情報装置は大
きくなってしまう。また、1つの光ピックアップヘッド
装置のビームを分割して、それぞれの基板の厚さに対し
て回折限界までビームが集光される複数の集光光学系を
設けた場合、その分、集光されるビームの光量が低下
し、読み取られる信号のSN比が低下する。また、複数
の集光光学系を有する光ピックアップヘッド装置は、複
雑な光学系を持つこととなり、光ピックアップヘッド装
置は高価になるという課題があった。
【0008】そこで本発明は、上記の課題に鑑み、異な
る基板の厚さを有する光記憶媒体に記録される情報を1
つの集光光学系を有する光ピックアップヘッド装置を用
いて再生可能にする光情報再生方法を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために、光源から出射されるコヒーレントビー
ムもしくは準単色のビームを集光光学系で受けて光記憶
媒体上へ微小スポットにビームを収束した後、前記光記
憶媒体で反射,回折したビームを光検出器で受け、前記
光記憶媒体上に記録された情報を再生する光情報再生方
法において、前記光源から出射されるビームの波長をλ
とし、前記光記憶媒体の光学的な厚さの最小及び最大を
それぞれd1及びd2とし、前記光記憶媒体の厚さがd
1のときに前記光記憶媒体上に記録されるトラック方向
もしくはトラックと直交する方向の情報の記録密度をj
1とし、前記光記憶媒体の厚さがd2のときに前記光記
憶媒体上に記録されるトラック方向もしくはトラックと
直交する方向の情報の記録密度をj2としたとき、j1
>j2であり、前記光記憶媒体の厚さがd1のとき前記
集光光学系で光記憶媒体上に集光されるビームの有する
波面収差の根2乗平均をw1とし、前記光記憶媒体の厚
さがd2のとき前記集光光学系で光記憶媒体上に集光さ
れるビームの有する波面収差の根2乗平均をw2とした
とき、w1<w2であり、w2>0.07λであり、前
記光学的な厚さがd1の光記憶媒体上に集光されるビー
ムの大きさは前記光学的な厚さがd1の光記憶媒体上に
記録される情報を読み取ることが可能な大きさとなるよ
うにする。
【0010】
【作用】上記光情報再生方法では、同一の集光光学系で
集光される1つのビームを用いて、光記憶媒体の基板の
厚さが薄く、光記憶媒体の情報記録面上に記録される情
報の記録密度が高いときには、光記憶媒体の基板の厚さ
が厚いときよりも、集光されるビームの有する波面収差
が小さく、光記憶媒体の情報記録面上に記録された情報
を再生することができる。
【0011】一方、光記憶媒体の厚さが厚いときには、
光記憶媒体の厚さが薄いときよりも、集光されるビーム
が有する波面収差は大きいが、光記憶媒体の情報記録面
上に記録される情報の記録密度が低く、光記憶媒体上に
記録された情報を再生することができる。
【0012】すなわち、光記憶媒体上に記録される情報
の記録密度及び光記憶媒体の基板の光学的な厚さが大き
く異なる光記憶媒体に記録された情報を、1つの集光ビ
ームを有する光ピックアップヘッド装置を用いて読み出
すことができる光情報再生方法となる。
【0013】
【実施例】以下、図1〜図15を参照しながら、本発明
による光情報再生方法の実施例について詳細に述べる。
なお、同一の構成要素を用いることが可能な場合には同
じ番号を付している。
【0014】(第1の実施例)本発明の一実施例とし
て、図1に光記憶媒体4の情報記録面4aもしくは4b
上にビームを集光して光記憶媒体4の情報記録面4aも
しくは4b上に記録された情報を読み取る光ピックアッ
プヘッド装置21の構成を示す。光ピックアップヘッド
装置21は、半導体レーザ光源1、コリメートレンズ
2、偏光ビームスプリッタ3、1/4波長板(以下λ/
4板とする)9、対物レンズ8、光検出器5、焦点制御
用アクチュエータ91、トラッキング制御用アクチュエ
ータ92からなる。
【0015】半導体レーザ光源1は、例えば波長λ=6
80nmのコヒーレントビームを出射する。半導体レー
ザ光源1から出射された直線偏光を有する発散ビーム7
0は、コリメートレンズ2を透過後平行ビームとなり、
偏光ビームスプリッタ3で反射される。偏光ビームスプ
リッタ3で反射されたビームは、λ/4板9を透過して
円偏光のビームとなり、対物レンズ8を透過して光記憶
媒体4の情報記録面4aもしくは4b上に集光される。
偏光ビームスプリッタ3は、光源1から出射されたビー
ム70と同じ偏光を有するビームに対しては100%反
射、光源1から出射されたビーム70と直交した偏光を
有するビームに対しては100%透過する特性を持たせ
ている。従って、光源1から出射されて光記憶媒体4に
向かうビーム70は全て透過することなく偏光ビームス
プリッタ3で反射する。光記憶媒体4で反射,回折され
たビーム70は、再び対物レンズ8を透過後、λ/4板
9を透過して光源1から出射したビームとは90度偏光
方向が異なる直線偏光のビームとなり、偏光ビームスプ
リッタ3に入射する。偏光ビームスプリッタ3に入射し
たビーム70は、全て透過した後、光検出器5で受光さ
れる。光検出器5から出力される信号を用いて、光記憶
媒体4上に記録された情報が再生される。
【0016】光記憶媒体4の基板の厚さの最小及び最大
をそれぞれd1及びd2としたとき、本実施例において
は、d1=0.6mm、d2=1.2mmとし、光記憶
媒体4の基板の有する屈折率nは、1.57としてい
る。基板の材料はポリカーボネイトである。光記憶媒体
4の情報記録面4aもしくは4b上にはマークもしくは
スペースで表されるデジタル情報を記録している。光記
憶媒体4の基板の厚さが厚い(1.2mm)とき、最短
マーク及びスペースの長さはそれぞれ0.85μm、ト
ラックピッチは1.6μmとし、光記憶媒体4の基板の
厚さが薄い(0.6mm)とき、最短マーク及びスペー
スの長さは0.5μm、トラックピッチは0.75μm
としている。すなわち、光記憶媒体4の基板の厚さが厚
いときの方が薄いときよりも、光記憶媒体4の情報記録
面上に記録される情報の記録密度を低くしている。
【0017】光ピックアップヘッド装置を構成する対物
レンズのNAは0.6としており、光記憶媒体の厚さが
薄い(0.6mm)ときには、光記憶媒体上に集光され
るビームの有する波面収差の根2乗平均w1が0.07
λ以下となるように設計した非球面レンズである。光記
憶媒体の厚さが厚い(1.2mm)ときには、光記憶媒
体上に集光されるビームの有する波面収差の根2乗平均
w2が0.07λ以上となる。このときの収差は、球面
収差が支配的である。
【0018】図2に光記憶媒体4の情報記録面4a及び
4b上に集光されたビーム70の様子を示す。光記憶媒
体4の厚さが薄い(d1=0.6mm)ときには、光記
憶媒体4の情報記録面4a上に集光されるビーム70の
有する波面収差の根2乗平均w1が0.07λ以下とな
るように対物レンズ8を設計しているので、情報記録面
4a上に形成されるビーム70の集光スポットは7aは
回折限界の大きさにまで絞られたスポットとなってい
る。光記憶媒体4の基板の厚さが薄い(d1=0.6m
m)ときには、最短マーク及びスペースの長さは0.5
μm、トラックピッチは0.75μm程度まで情報の記
録密度を高めているが、集光されたスポット7aは回折
限界まで絞られており、光源1の波長λ=680nm、
対物レンズ8のNA=0.6としているので、光記憶媒
体4上に記録された情報を読み取ることができる。
【0019】一方、光記憶媒体4の厚さが厚い(d2=
1.2mm)、ときには、光記憶媒体4の情報記録面4
b上に集光されるビーム70の有する波面収差の根2乗
平均w2が0.07λ以上となってしまうので、情報記
録面4b上に形成されるビーム70の集光スポットは回
折限界の大きさにまで絞られたスポットとはならない。
本発明の実施例では、さらに少しデフォーカスした状態
で集光スポット7bを光記憶媒体4の情報記録面4b上
に形成している。このとき、集光されたスポット7b全
体が有する波面収差は、集光点に位置するスポット7c
が有する波面収差よりも大きくなるが、光量は比較的中
心部に集中し、微小なマーク及びスペースとして記録さ
れた情報を読み取る際の応答特性は、集光スポット7c
よりも7bの方が良好となる。スポット7b、7c共、
0.07λよりも大きな球面収差と比較的大きなサイド
ロープを有している。光記憶媒体4の基板の厚さが厚い
(d2=1.2mm)ときには、最短マーク及びスペー
スの長さはそれぞれ0.85μm、トラックピッチは
1.6μm程度の記録密度としており、この記録密度
は、光源1の波長λ=680nm、対物レンズ8のNA
=0.6として読み取ることが可能な最高の記録密度と
比較すると小さく、光源1から出射されるビーム70は
光記憶媒体4の情報記録面4b上で回折限界にまで集光
されていないが、光記憶媒体4の情報記録面4b上に記
録された情報を読み取ることができる。
【0020】また、光記憶媒体4の情報記録面上に記録
される情報の記録密度が高いときは、光記憶媒体の光学
的な厚さが薄く(d1=0.6mm)、光記憶媒体上に
記録される情報の記録密度が低く、光記憶媒体の光学的
な厚さが厚い(d2=1.2mm)ときは、集光ビーム
が波面収差を有して実質的な集光光学系の開口数が小さ
くなるので、光記憶媒体の光学的な厚さがどの場合も、
光軸が傾いたときに発生する収差は小さく、光軸の傾き
を大きく許容できる光情報再生方法となる。
【0021】図3に光検出器5の様子を示す。光検出器
5は8つの受光部501〜508からなり、光記憶媒体
4で反射,回折したビーム70を受光する。光検出器5
の受光部を分割する分割線31は、ビーム70における
光記憶媒体4のトラックの写像と大略方向が一致するよ
うにしている。
【0022】本実施例においては、焦点誤差信号及びト
ラッキング誤差信号は、それぞれ位相差法により得てい
る。位相差法による焦点誤差信号及びトラッキング誤差
信号の検出方法は、いずれもよく知られており、詳しい
説明は省略する。焦点誤差信号は、受光部501,50
3,506,508から出力される信号の和を第1の信
号とし、受光部502,504,505,507から出
力される信号の和を第2の信号としたとき、第1の信号
と第2の信号の強度が変化するタイミングを比較するこ
とにより検出できる。一方、トラッキング誤差信号は、
受光部501,502,505,506から出力される
信号の和を第1の信号とし、受光部503,504,5
07,508から出力される信号の和を第2の信号とし
たとき、第1の信号と第2の信号の強度が変化するタイ
ミングを比較することにより検出できる。焦点誤差信号
及びトラッキング誤差信号は、それぞれ図1に示す光ピ
ックアップヘッド装置21の焦点制御用アクチュエータ
91及びトラッキング制御用アクチュエータ92に供給
されて、焦点制御用アクチュエータ91は、光ピックア
ップヘッド装置21から出射されるビーム70が光記憶
媒体4の情報記録面上の所望のトラック上に焦点を結ぶ
ように対物レンズ8の焦点の位置を、トラッキング制御
用アクチュエータ92は、光ピックアップヘッド装置2
1から出射されるビーム70が光記憶媒体4の情報記録
面上の所望のトラック上を走査するように光記憶媒体4
の情報記録面内のビームの位置をそれぞれ制御する。光
記憶媒体4の情報記録面上に記録された情報は、受光部
501〜508から出力される信号の総和により得られ
る。
【0023】(第2の実施例)本発明の別の実施例とし
て図4に光記憶媒体4の情報記録面上にビームを集光し
て光記憶媒体4の情報記録面上に記録された情報を読み
取る光ピックアップヘッド装置22の構成を示す。光記
憶媒体4は第1の実施例と同様である。光ピックアップ
ヘッド装置22は、半導体レーザ光源1、平行平板7、
有限系対物レンズ10、光検出器51、焦点制御用アク
チュエータ91、トラッキング制御用アクチュエータ9
2からなる。
【0024】半導体レーザ光源1から出射された直線偏
光を有する発散ビーム70は、平行平板7でで反射され
た後、有限系対物レンズ10を透過して光記憶媒体4の
情報記録面4aもしくは4b上に集光される。第1の実
施例では、偏光ビームスプリッタ3とλ/4板9を用い
て、光源1から出射されたビーム70が光記憶媒体4に
向かう往路と、光記憶媒体4で反射されたビーム70が
光検出器51に向かう復路を完全に効率よく分離してい
たが、本実施例では、平行平板7及び有限系対物レンズ
10を用いて光学系を簡素化している。平行平板7はハ
ーフミラーで透過率と反射率が各々50%となるように
しており、光源1から出射したビーム70が、光記憶媒
体4の情報記録面4aもしくは4bで反射された後、光
検出器51に入射する光の伝達効率は悪くなるが、偏光
ビームスプリッタ及びλ/4板を省略可能にしている。
また、対物レンズ10は有限系とすることによりコリメ
ートレンズを省略可能にしている。光記憶媒体4の情報
記録面4aもしくは4bで反射,回折されたビーム70
は、再び対物レンズ10を透過後、平行平板7に入射す
る。平行平板7に入射したビーム70は、平行平板7を
透過する際、非点収差波面が与えられた後、光検出器5
1で受光される。光検出器51から出力される信号を用
いて、光記憶媒体4上に記録された情報が再生される。
【0025】本実施例においても第1の実施例と同様
に、光ピックアップヘッド装置22を構成する対物レン
ズ10のNAは0.6としており、光記憶媒体4の基板
の厚さが薄い(d1=0.6mm)ときには、光記憶媒
体4の情報記録面4a上に集光されるビーム70の有す
る波面収差の根2乗平均w1が0.07λ以下となるよ
うに設計した非球面レンズである。光記憶媒体4の基板
の厚さが厚い(d2=1.2mm)ときには、光記憶媒
体4の情報記録面4b上に集光されるビーム70の有す
る波面収差の根2乗平均w2が0.07λ以上となる。
光記憶媒体4の情報記録面4aもしくは4b上に集光さ
れたビーム70の様子は、第1実施例の図2に示すビー
ム70の様子と同様である。本実施例の場合も、第1実
施例と同様に、光記憶媒体4の基板の厚さが薄い(d1
=0.6mm)ときも厚い(d2=1.2mm)ときも
1つの集光ビーム70を用いて光記憶媒体4の情報記録
面4aもしくは4b上に記録された情報を読み出すこと
ができる。
【0026】図5に光検出器51の様子を示す。光検出
器51は4つの受光部509〜512からなり、光記憶
媒体4で反射,回折したビーム70を受光する。光検出
器51の受光部を分割する分割線32は、ビーム70に
おける光記憶媒体4のトラックの写像と大略方向が一致
するようにしている。
【0027】本実施例においては、焦点誤差信号は非点
収差法により、トラッキング誤差信号はプッシュプル法
により、それぞれ得ている。非点収差法による焦点誤差
信号の検出方法は、例えば特開昭50−99561号公
報に、プッシュプル法によるトラッキング誤差信号の検
出方法は、例えば、特開昭49−60702号公報にそ
れぞれ開示されており、詳しい説明は省略する。焦点誤
差信号は、受光部509,511から出力される信号の
和を第1の信号とし、受光部510,512から出力さ
れる信号の和を第2の信号としたとき、第1の信号と第
2の信号を差動演算することにより検出できる。一方、
トラッキング誤差信号は、受光部509,512から出
力される信号の和を第1の信号とし、受光部510,5
11から出力される信号の和を第2の信号としたとき、
第1の信号と第2の信号を差動演算することにより検出
できる。光記憶媒体4上に記録された情報は、受光部5
09〜512から出力される信号の総和により得られ
る。
【0028】図6に、本実施例で得られる焦点誤差信号
を示す。横軸は対物レンズ10と光記憶媒体4との相対
的な距離、縦軸は焦点誤差信号の強度である。光記憶媒
体4の基板の厚さが薄い(d1=0.6mm)ときに
は、動作点D1に焦点制御がなされるようにオフセット
電圧は与えず、光記憶媒体4の基板の厚さが厚い(d2
=1.2mm)ときには、動作点D2に焦点制御がなさ
れるように焦点誤差信号にオフセット電圧Aを与えてい
る。光記憶媒体4の基板の厚さが厚い(d2=1.2m
m)とき、焦点誤差信号にオフセット電圧Aを与えるこ
とによって、光記憶媒体4の基板の厚さの違いによって
焦点誤差信号に発生するオフセットを補正し、さらに図
2に示すようなデフォーカス状態を集光スポットに与え
ることを可能にしている。
【0029】(第3の実施例)本発明の更に別の実施例
として、図7に光記憶媒体4の情報記録面上にビームを
集光して光記憶媒体4の情報記録面上に記録された情報
を読み取る光ピックアップヘッド装置23の構成を示
す。光記憶媒体4は第1の実施例と同様である。光ピッ
クアップヘッド装置23は、半導体レーザ光源1、コリ
メートレンズ2、偏光ビームスプリッタ3、対物レンズ
8、λ/4板9、ビームスプリッタ12、円柱レンズ1
3,14、集光レンズ15,16、光検出器51a,5
1b、焦点制御用アクチュエータ91、トラッキング制
御用アクチュエータ92からなる。
【0030】半導体レーザ光源1から出射されたビーム
70が、光記憶媒体4の情報記録面4aもしくは4b上
に集光され、光記憶媒体4で反射,回折されたビーム7
0が偏光ビームスプリッタ3を透過するところまでは、
第1の実施例と全く同様である。偏光ビームスプリッタ
3を透過したビーム70はビームスプリッタ12に入射
して、2つのビーム71,72に分割される。ビーム7
1は円柱レンズ13で非点収差波面が与えられた後、集
光レンズ15で集光されて光検出器51aで受光され
る。一方、ビーム72は円柱レンズ14で非点収差波面
が与えられた後、集光レンズ16で集光されて光検出器
51bで受光される。光検出器51a,52bはいずれ
も第2の実施例に示す光検出器51と同様である。本実
施例においても、第2実施例と同様に焦点誤差信号は非
点収差法により、トラッキング誤差信号はプッシュプル
法により、それぞれ得ている。
【0031】本実施例においても第1の実施例と同様
に、光ピックアップヘッド装置23を構成する対物レン
ズ8のNAは0.6としており、光記憶媒体の基板の厚
さが薄い(d1=0.6mm)ときには、光記憶媒体の
情報記録面4a上に集光されるビーム70の有する波面
収差の根2乗平均w1が0.07λ以下となるように設
計した非球面レンズである。光記憶媒体の基板の厚さが
厚い(d2=1.2mm)ときには、光記憶媒体4の情
報記録面4b上に集光されるビーム70の有する波面収
差の根2乗平均w2が0.07λ以上となる。本実施例
の場合も第1実施例と同様に、光記憶媒体4の基板の厚
さが薄い(d1=0.6mm)ときも厚い(d2=1.
2mm)ときも1つの集光ビーム70を用いて光記憶媒
体4の情報記録面4aもしくは4b上に記録された情報
を読み出すことができる。
【0032】図8に、本実施例で得られる焦点誤差信号
を示す。横軸は対物レンズ8と光記憶媒体4との相対的
な距離、縦軸は焦点誤差信号の強度である。焦点誤差信
号FE1は光検出器51aから出力される信号を用い
て、焦点誤差信号FE2は光検出器51bから出力され
る信号を用いて、それぞれ得ている。図7に示す集光レ
ンズ15,16は、各々の焦点誤差信号のゼロクロス点
に動作点D1,D2がくるように集光レンズ15,16
の焦点位置を調節している。
【0033】本実施例では、光記憶媒体4の基板の厚さ
が薄い(d1=0.6mm)ときには、焦点誤差信号F
E1を用いて焦点制御を行い、光記憶媒体4の基板の厚
さが厚い(d2=1.2mm)ときには、焦点誤差信号
FE2を用いて焦点制御を行う。複数の焦点誤差信号を
切り替えて用いることにより、光記憶媒体4の基板の厚
さの違いによって1つの焦点誤差信号に発生するオフセ
ットを補正し、さらに図2に示すようなデフォーカス状
態を集光スポットに与えることを可能にしている。本実
施例に示す光学系を用いた場合、焦点誤差信号にオフセ
ット電圧を加えないので、焦点制御範囲が広くとれ、外
乱が発生したとき等のプレイヤビリティーが向上する。
【0034】なお、第1〜3実施例では、焦点誤差信号
を位相差法及び非点収差法によって、トラッキング誤差
信号を位相差法及びプッシュプル法によって検出する方
法について述べたが、例えば、焦点誤差信号をスポット
サイズディテクション法やフーコー法等、また、トラッ
キング誤差信号を3ビーム法やウォブリング法等、いず
れの方式も全く問題なく本発明の光情報再生方法に適用
することができる。
【0035】また、光源についても半導体レーザ光源の
例について述べたが、非線形結晶を用いて第2高調波を
発生させて、より短波長のビームを得る光源等、他の様
々な光源を適用可能できる。勿論、ビームスプリッタや
焦点誤差信号の検出を可能にする波面を与える素子とし
て、ホログラム素子を用いることも何等問題ない。
【0036】また、光記憶媒体の基板の厚さの0.6m
mと1.2mmも一例に過ぎず、他の基板の厚さとして
も構わない。
【0037】本発明の主旨を変えない範囲で、様々な変
形を行うことができる。 (第4の実施例)本発明の更に別の実施例として図9に
光記憶媒体4の情報記録面にビームを集光して光記憶媒
体上に記録された情報を読み取る光ピックアップヘッド
装置24の構成を示す。光記憶媒体4は第1の実施例と
同様である。光ピックアップヘッド装置24は、半導体
レーザ光源1、コリメートレンズ2、偏光ビームスプリ
ッタ3、対物レンズ8、λ/4板9、ビームスプリッタ
12、光検出器5,52、集光レンズ16、焦点制御用
アクチュエータ91、トラッキング制御用アクチュエー
タ92からなる。
【0038】半導体レーザ光源1から出射されたビーム
70が、光記憶媒体4の情報記録面4aもしくは4b上
に集光され、光記憶媒体4で反射,回折されたビーム7
0が偏光ビームスプリッタ3を透過してビームスプリッ
タ12に入射し、ビーム70が2つのビーム71,72
に分割されるところまでは、第3の実施例と全く同様で
ある。ビーム71は光検出器5で受光される。一方、ビ
ーム72は、集光レンズ16で集光されて、光検出器5
2の受光面でビーム72が焦点を結ぶようにしてビーム
72を光検出器72で受光する。焦点誤差信号、トラッ
キング誤差信号の検出方法は第1の実施例と同様であ
る。光検出器52は受光面にアパーチャー60を有して
おり、集光レンズ16で集光されたビーム72と同程度
の大きさの開口を有している。光記憶媒体4の情報記録
面4aもしくは4b上に記録された情報は、光検出器5
2から出力される信号を用いて得られる。
【0039】光記憶媒体の厚さが厚い(d2=1.2m
m)ときには、光記憶媒体4の情報記録面4b上に集光
されるビームの有する波面収差の根2乗平均w2が0.
07λ以上と大きく、光記憶媒体4の情報記録面4b上
に集光されたビームは比較的大きなサイドロープを持つ
集光スポットとなるので、光記憶媒体4の情報記録面4
b上に記録された情報を読み取る際、クロストーク及び
符号間干渉が発生する。
【0040】本実施例においては、光検出器52の受光
面上にビーム72が焦点を結ぶように構成しているの
で、光源1と光記憶媒体4と光検出器52とがいわゆる
共焦点光学系となっており、クロストーク及び符号間干
渉の成分は、光検出器52の受光面に位置するアパーチ
ャー60によって遮断され、光検出器52から得られる
信号に含まれるクロストーク及び符号間干渉の成分は非
常に低減される。したがって、本実施例に示す光情報再
生方法では、光記憶媒体4の情報記録面4b上に記録さ
れた情報を非常に信頼性高く再生することが可能とな
る。
【0041】なお、本実施例では、光検出器52の受光
面にアパーチャー60を配置する例について述べたが、
例えば光検出器の受光部の大きさを予め小さく形成する
方法や、光検出器の受光面に非線形透過膜を配置する
等、実質的に光検出器に開口の制限がなされるような構
成の光検出器であれば、全く問題なく本発明の実施例に
示す光検出器52の代わりに適用することができる。本
発明において、光検出器の開口制限の構成方法に全く制
約を受けることがなく、光記憶媒体上に記録された情報
を非常に信頼性高く再生することが可能となる。
【0042】(第5の実施例)本発明の更に別の実施例
として図10にクロストークを低減する光情報装置の構
成を示す。光ピックアップヘッド装置25から出力され
る信号は、クロストーク低減手段61に入力されて、光
ピックアップヘッド装置25から出力される信号に含ま
れるクロストークが低減され、出力端子45からクロス
トークが低減された信号が出力される。
【0043】図11に光検出器53の構成を、図12に
クロストーク低減手段の構成を示す。例えば、光検出器
53を図4に示す光ピックアップヘッド装置22を構成
する光検出器51と交換することにより、光ピックアッ
プヘッド装置25を構成することができる。光検出器5
1の分割線32は光検出器53の分割線33に、光検出
器51の受光部509は光検出器53の受光部517,
518に、光検出器51の受光部510は光検出器53
の受光部519,520に、光検出器51の受光部51
1は光検出器53の受光部513,514に、光検出器
51の受光部512は光検出器53の受光部515,5
16に、それぞれ相当し、第2の実施例と同様に焦点誤
差信号及びトラッキング誤差信号が検出される。
【0044】光検出器53の受光部514,515,5
18,519から出力される信号の和を第1の信号と
し、受光部513,516,517,520から出力さ
れる信号の和を第2の信号として、それぞれクロストー
ク低減手段の入力端子46,47に入力する。入力端子
46に入力された信号は、利得調整手段80で増幅もし
くは減衰させられることによって、強度が調節される。
加算手段81は、入力端子47に加えられた信号及び利
得調整手段80から出力される信号を加算して、入力端
子46,47に入力される信号に含まれるクロストーク
を低減する。加算手段81から出力される信号は出力端
子45から得られる。
【0045】第4の実施例においては、光学的にクロス
トークを低減させていたが、本実施例においては、クロ
ストークを電気的に低減させている。本実施例に示す光
情報再生方法においても、第4の実施例と同様に光記憶
媒体上に記録された情報を非常に信頼性高く再生するこ
とが可能となる。
【0046】なお、本実施例では、クロストーク低減手
段を電気的に実現する一例について述べたが、例えば光
記憶媒体上に3つのビームを照射して実現する方法等、
他の構成のクロストーク低減手段を用いても全く問題な
く本発明の光情報装置に適用することができる。すなわ
ち、本発明においては、クロストーク低減手段の構成に
全く制約を受けることがなく、光記憶媒体の情報記録面
上に記録された情報を非常に信頼性高く再生することが
可能となる。
【0047】(第6の実施例)本発明の更に別の実施例
として図13に符号間干渉を低減する光情報装置の構成
を示す。光ピックアップヘッド装置26から出力される
信号は、符号間干渉を低減する波形等化手段62に入力
されて、光ピックアップヘッド装置26から出力される
信号に含まれる符号間干渉が低減され、出力端子44か
ら符号間干渉が低減された信号が出力される。
【0048】光ピックアップヘッド装置26は、どのよ
うな構成の光ピックアップヘッド装置でも構わず、例え
ば第1の実施例〜第5の実施例に示す光ピックアップヘ
ッド装置21〜25を何れも用いることができる。
【0049】図14に波形等化手段62の構成を示す。
入力端子48に入力された信号は、3つの信号に分けら
れる。1つは入力端子48に入力された信号と同じ信号
I1、1つは遅延手段82で遅延時間Tが与えられた信
号I2、1つは遅延手段82と83でそれぞれ遅延時間
Tが与えられて合計2Tの遅延時間が与えられた信号I
3である。信号I1及びI3は、利得調整加算手段84
で加算された後、増幅もしくは減衰させられることによ
って、強度が調節される。差動演算手段85は、信号I
2及び利得調整加算手段84から出力される信号を差動
演算して、入力端子48に入力される信号に含まれる符
号間干渉を低減する。差動演算手段85から出力される
信号は出力端子44から得られる。
【0050】本実施例においては、符号間干渉を電気的
に低減させており、この方法はトランスバーサルフィル
タと呼ばれており、一般によく知られている方法であ
る。本実施例に示す光情報再生方法においても、符号間
干渉を低減させることによって、第4〜5の実施例でク
ロストークを低減させたときと同様に光記憶媒体上に記
録された情報を非常に信頼性高く再生することが可能と
なる。
【0051】なお、本実施例では、波形等化手段を電気
的に実現するトランスバーサルフィルタの例について述
べたが、例えば第5の実施例に示すクロストーク低減手
段の光検出器を90度回して配置して実現する方法や、
光記憶媒体上に3つのビームを照射して実現する方法
等、他の構成の波形等化手段を用いても全く問題なく本
発明の光情報装置に適用することができる。すなわち、
本発明において、波形等化手段の構成に全く制約を受け
ることがなく、光記憶媒体の情報記録面上に記録された
情報を非常に信頼性高く再生することが可能となる。
【0052】(第7の実施例)本発明の更に別の実施例
として図15に、光ピックアップヘッド装置25から出
力される信号に対してクロストーク低減手段61と波形
等化手段62を両方用いる光情報装置のブロックダイア
グラムを示す。クロストーク低減手段61と波形等化手
段62を両方用いることによって、クロストーク及び符
号間干渉をどちらも低減させることにより、第4〜6の
実施例に示す光情報装置よりもさらに信頼性高く光記憶
媒体の情報記録面上に記録された情報を再生することが
可能となる。
【0053】
【発明の効果】以上述べたところから明かなように、本
発明は、光源から出射されるコヒーレントビームもしく
は準単色のビームを集光光学系で受けて光記憶媒体上へ
微小スポットにビームを収束した後、前記光記憶媒体で
反射,回折したビームを光検出器で受け、前記光記憶媒
体上に記録された情報を再生する光情報再生方法におい
て、前記光源から出射されるビームの波長をλとし、前
記光記憶媒体の光学的な厚さの最小及び最大をそれぞれ
d1及びd2とし、前記光記憶媒体の厚さがd1のとき
に前記光記憶媒体上に記録されるトラック方向もしくは
トラックと直交する方向の情報の記録密度をj1とし、
前記光記憶媒体の厚さがd2のときに前記光記憶媒体上
に記録されるトラック方向もしくはトラックと直交する
方向の情報の記録密度をj2としたとき、j1>j2で
あり、前記光記憶媒体の厚さがd1のとき前記集光光学
系で光記憶媒体上に集光されるビームの有する波面収差
の根2乗平均をw1とし、前記光記憶媒体の厚さがd2
のとき前記集光光学系で光記憶媒体上に集光されるビー
ムの有する波面収差の根2乗平均をw2としたとき、w
1<w2であり、w2>0.07λであり、前記光学的
な厚さがd1の光記憶媒体上に集光されるビームの大き
さは前記光学的な厚さがd1の光記憶媒体上に記録され
る情報を読み取ることが可能な大きさである光情報再生
方法とすることにより、光記憶媒体上に記録される情報
の記録密度及び光記憶媒体の光学的な厚さが大きく異な
る光記憶媒体に記録された情報を、1つの集光ビームを
用いて読み出すことができるようになる。したがって、
本発明の光情報再生方法によれば、光記憶媒体の基板の
厚さ,情報の記録密度等、異なる規格の光記憶媒体に記
録された情報を小型な光ピックアップヘッド装置を用い
て、再生することが可能となり、多機能を有する光情報
システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す光ピックアップヘッド
装置の構成図
【図2】本発明の動作を示す光記憶媒体と集光スポット
の関係を示す説明図
【図3】本発明の一実施例を示す光検出器の構成図
【図4】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
【図5】本発明の別の実施例を示す光検出器の構成図
【図6】本発明の動作を示す焦点誤差信号を示す波形図
【図7】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
【図8】本発明の動作を示す焦点誤差信号を示す波形図
【図9】本発明の別の実施例を示す光ピックアップヘッ
ド装置の構成図
【図10】本発明の別の実施例を示す光情報装置の構成
を示すブロック図
【図11】本発明の別の実施例を示す光検出器の構成図
【図12】本発明の別の実施例を示すクロストーク低減
手段の構成を示す回路図
【図13】本発明の別の実施例を示す光情報装置の構成
を示すブロック図
【図14】本発明の別の実施例を示す波形等化手段の構
成を示す回路図
【図15】本発明の別の実施例を示す光情報装置の構成
を示すブロック図
【図16】従来の光ピックアップヘッド装置の構成図
【符号の説明】
1 半導体レーザ光源 2 コリメートレンズ 3 偏光ビームスプリッタ 4 光記憶媒体 4a 情報記録面 4b 情報記録面 5 光検出器 7 平行平板 7a 集光スポット 7b 集光スポット 7c 集光スポット 8 対物レンズ 9 1/4波長板 10 有限系対物レンズ 12 ビームスプリッタ 13 円柱レンズ 14 円柱レンズ 15 集光レンズ 16 集光レンズ 17 対物レンズ 21 光ピックアップヘッド装置 22 光ピックアップヘッド装置 23 光ピックアップヘッド装置 24 光ピックアップヘッド装置 25 光ピックアップヘッド装置 26 光ピックアップヘッド装置 27 光ピックアップヘッド装置 31 分割線 32 分割線 33 分割線 43 情報記録面 44 出力端子 45 出力端子 46 入力端子 47 入力端子 48 入力端子 51 光検出器 51a 光検出器 51b 光検出器 52 光検出器 53 光検出器 60 アパーチャー 61 クロストーク低減手段 62 波形等化手段 70 ビーム 71 ビーム 72 ビーム 80 利得調整手段 81 加算手段 82 遅延手段 83 遅延手段 84 利得調整加算手段 85 差動演算手段 91 焦点制御用アクチュエータ 92 トラッキング制御用アクチュエータ 501 光検出部 502 光検出部 503 光検出部 504 光検出部 505 光検出部 506 光検出部 507 光検出部 508 光検出部 509 光検出部 510 光検出部 511 光検出部 512 光検出部 513 光検出部 514 光検出部 515 光検出部 516 光検出部 517 光検出部 518 光検出部 519 光検出部 520 光検出部 A オフセット電圧 d 光記憶媒体の基板の厚さ d1 光記憶媒体の基板の厚さ d2 光記憶媒体の基板の厚さ D1 動作点 D2 動作点 FE1 焦点誤差信号 FE2 焦点誤差信号 I1 信号 I2 信号 I3 信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 定夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−19836(JP,A) 特開 昭60−69842(JP,A) 特開 平5−225572(JP,A) 特開 昭62−76061(JP,A) 特開 平4−95224(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/00 G11B 7/135

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源から出射されるコヒーレントビームも
    しくは準単色のビームを集光光学系で受けて光記憶媒体
    上へ微小スポットにビームを収束した後、前記光記憶媒
    体で反射,回折したビームを光検出器で受け、前記光記
    憶媒体上に記録された情報を再生する光情報再生方法に
    おいて、前記光源から出射されるビームの波長をλと
    し、前記光記憶媒体の光学的な厚さをそれぞれd1また
    はd2とし、前記光記憶媒体の厚さがd1のときに前記
    光記憶媒体上に記録されるトラック方向もしくはトラッ
    クと直交する方向の情報の記録密度をj1とし、前記光
    記憶媒体の厚さがd2のときに前記光記憶媒体上に記録
    されるトラック方向もしくはトラックと直交する方向の
    情報の記録密度をj2としたとき、j1>j2であり、
    前記光記憶媒体の厚さがd1のとき前記集光光学系で光
    記憶媒体上に集光されるビームの有する波面収差の根2
    乗平均をw1とし、前記光記憶媒体の厚さがd2のとき
    前記集光光学系で光記憶媒体上に集光されるビームの有
    する波面収差の根2乗平均をw2としたとき、w1<w
    2であり、w2>0.07λである光情報再生方法。
  2. 【請求項2】光検出器から得られる信号を波形等化手段
    もしくはクロストーク低減手段に入力して符号間干渉も
    しくは隣接トラックからのクロストークを低減させて光
    記憶媒体上に記録された情報を再生する請求項1記載の
    光情報再生方法。
  3. 【請求項3】光源と光記憶媒体と光検出器とが共焦点光
    学系となるように配置して光記憶媒体上に記録された情
    報を再生する請求項1記載の光情報再生方法。
  4. 【請求項4】光記憶媒体の厚さがd1とd2とで異なる
    焦点誤差信号もしくは動作点を異ならせた焦点誤差信号
    を用いて集光光学系の焦点位置を制御して光記憶媒体上
    に記録された情報を再生する請求項1記載の光情報再生
    方法。
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