JP2775965B2 - バンプ付きリードの接合方法 - Google Patents

バンプ付きリードの接合方法

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JP2775965B2 JP6081590A JP6081590A JP2775965B2 JP 2775965 B2 JP2775965 B2 JP 2775965B2 JP 6081590 A JP6081590 A JP 6081590A JP 6081590 A JP6081590 A JP 6081590A JP 2775965 B2 JP2775965 B2 JP 2775965B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、基板の電極部にバンプ付きリードを接合す
る接合方法に関する。
[従来の技術] 従来、半導体基板又は配線基板の電極部にリードを接
合するために、第5図に示すようにハンダや金などの軟
質金属を素材とするバンプ(突起)をリードに予め設
け、このバンプと配線電極とを接合する接合方法があ
る。
この方式において用いられるバンプ付きリードとし
て、第6図に示すようにリードの先端部を所定形状にエ
ッチングしてバンプを形成する例や、特開昭62−299241
号公報に開示されるようにリードをエッチングして形成
したバンプの接合面を筋目又は網目状に粗面化する例な
どが知られている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述したようなバンプ付きリードでは
リードの所定位置に微小なバンプを形成するために、溶
融金属液粒をリードに正確に付着させたりリードをエッ
チングしたりせねばならず、工程が複雑化しコストが増
大する欠点がある。特に、近時の液晶表示素子や半導体
基板などでは多電極化が進行しており、バンプ付きリー
ドによる電極とリードとの接続を簡単化、低コスト化す
ることが望まれている。また、従来技術ではバンプ形状
の変更が容易ではないという欠点もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、製
造及び接合が容易で、かつ、バンプ形状の変更が容易な
バンプ付きリードを提供することを、目的としている。
[課題を解決するための手段] 本発明では、基板の電極部に接合するためのバンプを
リードの所定位置に有するバンプ付きリードにおいて、
凸状押圧突起を有する押圧具により、前記リードを打ち
出すことによって、打ち出し突起よりなるバンプを形成
し、その後、前記押圧具を前記リードと接触させたまま
前記電極部に押圧するバンプ付きリードの接合方法を提
供するものである。また、前記バンプは、接合面が凸面
で反対面が凹面からなる椀状の打ち出し突起で構成され
ていることを特徴とする。
〔作用〕
本発明のパンプ付きリードの接合方法では、打ち出し
用の押圧具によりバンプを打ち出した後、この打ち出し
用の押圧具とバンプとを接触させたまま打ち出し用の押
圧具によりバンプを電極に圧接しているので、以下のよ
うな効果を有する。
バンプと電極との接合に際して、接合用の押圧具とバ
ンプとの位置合わせがいらない。
バンプと押圧具の位置ずれがない。
バンプ表面と押圧具表面の接触状態を従来より安定に
することができる。
さらに、上記より、押圧具からの熱や超音波など
の接合エネルギーの伝達を従来より安定にすることがで
きる。
また、バンプを電極に接合する場合、椀状の突起の凹
面側に接合用の押圧具をはめこむことができるので、接
合用の押圧具とバンプとの位置ずれがなく、押圧力を適
切に伝えることができる。
[実施例] (第1実施例) 本発明のバンプ付きリードの一実施例を一部切断して
第1図に示す。
このバンプ付きリードは、リード10の先端部に押圧具
によりリード主面と直角に打出された椀状の突起からな
るバンプ11を有している。ガラス基板2上には配線電極
3が設けられており、バンプ11の凸面は配線電極3の先
端部に圧接されている。
リード10は厚さ35μmの銅箔製であって表面に厚さ2
μmの金めっき層が形成されている。リード10の横幅は
125μmに設計されている。バンプ11は最大直径dが80
μm、接合前の突起高さが30μmになっている。
以下、第2図(a)〜(f)の順に、このバンプ付き
リードの製造方法及び接合方法を説明する。
まず、リード10の先端部と、押圧具4の凸部4a及びダ
イ5の穴部5aとを位置合わせする(第2図(a)参
照)。
次に、リード10を押圧具4の凸部4aによりダイ5の穴
部5aに押圧して陥没させ、打出し突起形状のバンプ11を
形成する(第2図(b)参照)。
次に、押圧具4の凸部4aとバンプ11が接触した状態
で、押圧具4及びバンプ11をダイ5から引き上げる(第
2図(c)参照)。
次に、ダイ5を押圧具4の直下から引き去ると同時
に、ブロック6に載せた基板2の電極部3aと押圧具4の
凸部4aとを位置合わせする(第2図(d)参照)。
次に、押圧具4を下降させて、配線電極3の先端部の
電極部3aにバンプ11を押し当てて、ボンディング(圧
着)する(第2図(e)参照)。このときの押圧力は20
〜80gf程度、加圧時間は0・1秒程度である。またブロ
ック6を加熱して、基板2は250℃程度に加熱されてい
る。押圧具4は基板と同程度の温度に加熱したり、0.2W
程度の超音波振動を加えて圧着力を向上させることも可
能である。
以上により、第3図(f)のごとく、リード10と電極
部3aとがバンプ11によって接続される。
したがって本発明によれば、従来よりバンプの形成が
簡単であり、しかも、押圧具4が打出し時と接合時に共
用できるので、バンプ形成から接続までが1台の機械上
で連続的に行なうことができ、コストが大幅に低減でき
る。
(第2実施例) 本発明の他の実施例を第3図に示す。
第3図(a)はリード10aの上面に厚さ20μmの熱軟
化性の樹脂層7を備えたリードを示す。
第3図(b)は、リード10aにバンプ11aを打出す工程
を示す。この場合、押圧具4の凸部4aの外周に溝4bを設
け、押圧具4を加熱したり超音波振動を加えて押圧する
ことにより、押圧具4の凸部4aの直下の樹脂層7は押圧
具4の溝部4bに押し出されるようになっており、これに
よってバンプ11aが形成されるリード部分全体の変形が
スムーズになる。つまり、安定した形状のバンプ11aが
形成できる。なお、このために押圧具4の凸部4aの先端
部を山形状にすることも有効である。
次に第3図(c)は、接続時の状態を示すが、接続の
ための基本的な因子は前述した第2図(e)と同様とす
ることができる。
(第3実施例) 本発明の他の実施例を第4図は示す。
このバンプ付きリードは、リード90の先端部に押圧具
によりリード主面と直角に打出された椀状の突起からな
るバンプ91を有している。半導体基板21上には層間絶縁
膜22とパッシベーション膜23との間にアルミコンタクト
電極30が設けられており、バンプ91に接続されている。
リード90は厚さ20μmの銅箔92に厚さ10μmのはんだ
層93を形成させた形状を有し、はんだ層93側がバンプ接
合面となっている。バンプ接合時には、押圧具及びアル
ミコンタクト電極30及びリード90を、はんだ層93が溶融
しない程度に加熱して、変形性に富んだ状態で実施する
ことが好ましい。もちろん、この場合も、超音波振動を
バンプ91に与えることも可能である。
この実施例によれば、リード90を銅箔92とはんだ箔93
との2層膜により構成しているので、接合時の押圧力を
強化しなくてもバンプ接合面の変形が可能となる。はん
だ箔93の代りに金箔やすず箔などの軟質の金属箔を設け
てもよい。また、銅箔92の代りにアルミ箔を用いること
も当然可能であり、銅箔92やアルミ箔の両側に軟質金属
箔を貼合わせることもでき、貼合せる代りにメッキ、真
空蒸着を採用することもできる。その他、リードの主部
よりその先端部を薄くしてもよい。
以上説明したバンプ付リードは、特に、半導体ベアチ
ップのフェースダウン実装に好適であり、また、TAB(t
ape automated bonding)に好適である。なお、アルミ
箔にはんだ箔をめっきするには、例えば、銀入りのはん
だ液を保持する噴流式はんだ槽中で超音波振動による泡
で酸化アルミ膜を破ってアルミ−銀−はんだの3層構造
を形成すればよい。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のバンプ付きリードは、椀
状の打出し突起からなるバンプを備えているので、簡単
な打出し工程により形成でき、余分の材料や複雑な工程
を必要とせず製造性に富む特徴を有している。
また、バンプを打出す押圧具形状の変更により、リー
ドに最適形状のバンプを簡単に形成することができる。
更に、押圧具によりバンプを打出した後、押圧具とバ
ンプとを接触させたまま押圧具によりバンプを電極に圧
接すれば、バンプと電極との接合に際して押圧具とバン
プとの位置合せがいらず、均一な押圧力でバンプと電極
とを接合させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のバンプ付きリードの一実施例を示す一
部切断斜視図、第2図及び第3図は本発明のバンプ付き
リードの製造方法及び接合方法を示す工程図、第4図は
本発明のバンプ付きリードの他の実施例を示す断面図、
第5図及び第6図は従来のバンプ付リードの断面図であ
る。 10……リード10 11……バンプ 2……ガラス基板(配線基板) 3……配線電極(電極部)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の電極部に接合するためのバンプをリ
    ードの所定位置に有するバンプ付きリードにおいて、 凸状押圧突起を有する押圧具により、前記リードを打ち
    出すことによって、打ち出し突起よりなるバンプを形成
    し、 その後、前記押圧具を前記リードと接触させたまま前記
    電極部に押圧することを特徴とするバンプ付きリードの
    接合方法。
  2. 【請求項2】前記基板は、半導体基板又は配線基板の少
    なくとも一方であることを特徴とする請求項1記載のバ
    ンプ付きリードの接合方法。
  3. 【請求項3】前記バンプは、接合面が凸面で反対面が凹
    面からなる椀状の打ち出し突起で構成されていることを
    特徴とする請求項1記載のバンプ付きリードの接合方
    法。
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