JP2774265B2 - 硫化物材料の乾式製錬のための浴機構 - Google Patents

硫化物材料の乾式製錬のための浴機構

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に非鉄硫化
物材料の乾式製錬処理に関し、より詳しくは、卑金属硫
化物材料を粗金属または高級マットに連続的または半連
続的に転換および/または製錬するための、低粉塵浴機
構および関連する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】卑金属硫化物材料用の多くの連続式また
は半連続式転換方法が提案されている。これらの方法は
おおまかに、浴およびフラッシュ転換製法に分類され
る。前者の群には、米国特許第5,281,252号、
第5,215,571号、および第5,180,423
号(Inco法)に記載されている様な硫化銅からセミブリ
スター銅への、および鉄含有卑金属材料から粗金属また
は高級材料への連続的(または半連続的)転換、および
カナダ特許第552,319号および第954,700
号(三菱法)に記載されている様な連続銅転換がある。
Inco法では固体の卑金属硫化物材料を転炉に供給するの
に対し、三菱法では溶融マットを転炉に供給する。Inco
法および三菱法の転換装置の両方で、ランスを使用して
酸化性ガスを溶融浴上に吹き付ける。後者の群には、In
coおよびKennecott-Outokumpu フラッシュ転換法があ
る。これらの両方の場合、細かく粉砕した高級銅マット
が溶融浴上の懸濁液中で酸化性ガスと反応する。
【0003】上記の方法はすべて、伝統的なPeirce-Smi
thバッチ転換法より大きく進歩しているが、これらの方
法にも欠点がある。三菱の連続転炉の運転は、溶融マッ
トの供給に依存しており、そのために、一次製錬が中断
すると、製造が完全に停止する。この方法に使用する非
常に攻撃的な石灰フェライトスラグによる転炉耐火物の
浸蝕および腐食も問題であるが、これは転炉の壁に水冷
式銅ブロックを集中的に使用することにより、ある程度
軽減されている。Incoの硫化銅浴転換法では、注入羽口
の摩耗により転炉の生産性が制限される。その上、米国
特許第5,180,423号に記載されている機構の特
殊な幾何学的構造により、容器の末端壁と排気出口の間
に比較的高い空間速度が生じ、その結果、細かく粉砕し
た材料を浴表面上に単純に落下させて供給することによ
り、大量の粉塵が発生する。その上、この幾何学的構造
により、吹込みランスの数が2個に制限され、鉄含有マ
ットを転換する場合、浴表面の適切な区域へ酸化性ガス
を効果的に供給することができず、そのためにスラグの
過剰酸化が起こることがある(米国特許第5,215,
571号)。著しい粉塵発生は、特に高級銅マット(ホ
ワイトメタル)を処理する場合、フラッシュ転換に固有
の問題である。
【0004】Noranda, El TenienteおよびVanyukov製法
の様な他の浴式連続または半連続製錬および転換法もあ
るが、これらは製錬または転換容器に酸化性ガスおよび
固体原料までも供給するための羽口を使用する。これら
の方式では、所望の製品、例えばブリスター銅、が同時
に高度に酸化されたスラグを生じる場合、スラグの発泡
が起こることがある。三菱の製錬炉および最近開発され
た、酸化性ガスを高速度で吹き込み、浴を強く攪拌する
ためのランスを使用するIsasmelt(AusmeltまたはSirosm
elt とも呼ばれる)製法もこれに関連している。耐火物
の摩耗およびランスの急速な消耗がこれらの方法に付随
する難点である。譲受人は、表面の下から浴を攪拌する
ために転炉中に多孔質のプラグを使用する方法を開発し
た。上吹き技術は、酸素含有ガスを多孔質プラグの真上
の区域に向けるために開発された(米国特許第5,18
0,423号および第5,215,571号)。しか
し、米国特許第5,281,252号に記載されている
様に、粉塵発生は依然として問題になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の非鉄硫化物材料の乾式製錬処理に伴う粉塵発生を著し
く軽減するための処理機構を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明において上吹き、
底部攪拌式の転換容器は、容器の基部に配置された多孔
質プラグを含む。多孔質プラグの影響により生じる円の
少なくとも1個の中心に向けて、またはその中に向け
て、浴の表面上に酸化性ガスを吹き付ける。多孔質プラ
グから上昇するガス流が、スラグ層を通して多孔質プラ
グの影響により生じる円または「バスアイ」(bath ey
e )を開き、その下にある新しいマットを露出させる。
原料は他の多孔質プラグの影響により生じる円の中に落
下し、粉塵発生が軽減される。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は、非鉄マットの連続転換に
有用な乾式製錬容器10の非限定的な例を示す。空の状
態で示す容器10は、好ましくは長方形の水平断面およ
び細長い円筒形の本体12を有する。容器10は、所望
により、従来の様式で、少なくとも1組の噛み合ったロ
ーラー14および16を使用して回転させることができ
る。ローラー14は本体12を取り囲むのに対し、ロー
ラー16はさらに支持体としても作用する。回転は標準
的な機械的手段によりローラー14および16に伝えら
れる。容器10は、実質的に連続したライニング20を
形成する耐火性材料、通常は緻密に配置されたレンガで
内張りされている。容器10の基部およびライニング2
0の中に配置された複数の耐火性多孔質プラグ18によ
り、最終製品を含む溶融浴の中に不活性攪拌ガスを注入
することができる。プラグ18から放出されて上昇する
ガスにより、浴は効果的に、均一に攪拌され、容器10
全体に熱および混合物が行き渡る。
【0008】本発明では、「バスアイの影響区域または
範囲」の表現を使用する。これらの表現は、浴を通って
上昇し、マットを露出する不活性ガスにより形成され
る、全体的に円形のバスアイおよびそれを取り巻く隣接
区域を意味する。バスアイの大きさおよび深さおよびそ
れに伴う影響範囲は、浴の粘度および浴を通って流れる
ガスの圧力、速度および体積により異なる。本発明の窮
極の目的は、原料、酸化性ガスおよび/またはバーナー
出力を影響区域に広く向けて、特にバスアイ自体の中に
直接向けることにある。
【0009】二酸化硫黄を含む処理排気は、屋根に開け
た容器中央の開口部22を通して排気ダクト24中に放
出し、さらに処理する。酸化性ガス、一般的に純粋な酸
素または酸素濃度の高い空気は、伸縮自在のランス26
により浴の表面上に吹き付けられる。ランス26は、多
孔質プラグ18の中心に向けて直接吹き付ける様に、屋
根に配置されている。あるいは、ランスは、多孔質プラ
グ18の影響区域または範囲の近くに吹き付けることも
できる。運転中、攪拌ガスは、浴を通って上昇してきた
時に、比較的厚いスラグ層を通してバスアイを開き、新
しいマット、つまり硫黄含有金属を酸化性ガスの作用に
さらす。したがって、ランスは、多孔質プラグ18の影
響区域の中に直接的または間接的に作用する様に配置す
るのが好ましい。これは、プラグ18の真上にランス2
6の狙いをつけ、それぞれの中心線を直接重ねることに
より、達成される。あるいは、ランス26が酸化性ガス
の少なくとも本質的な部分をバスアイの近傍に向ける様
に、ランスを中心から外すこともできる。これは、容器
10の屋根でランス26を適当な角度で傾斜させ、プラ
グ18から出て来るガス流に大体照準を合わせることに
より達成される。
【0010】ガスの体積および圧力は容器の幾何学的構
造、浴の深さ、処理している材料、等により異なる。反
応速度論(Kinetics)としては、浴が十分に攪拌される
が、激しく掻き乱されない様にする必要がある。ガス流
パラメータを注意深く選択することにより、バスアイが
開き、浴が攪拌され、フリーボード空間速度が最小に抑
えられる。
【0011】高級鉱石、濃縮、造粒または粉砕したマッ
ト、さらに所望によりフラックス、の1種または混合物
からなるものでよい、固体卑金属硫化物の様な原料の供
給は、吹込みランス26とそれぞれの末端壁の間に位置
し、容器の屋根を通して挿入された伸縮自在のパイプ3
0により、他の多孔質プラグ18の影響円の中心に直
接、またはその近傍に落下させて行う。本発明の好まし
い実施態様では、乾燥硫化物材料を容器に供給するが、
この機構は湿った原料も受け付ける。好ましくはオキシ
フュエル型のバーナー32が、容器10の各末端で屋根
に設置してあり、必要に応じて熱の不足を補償してい
る。バーナー32は、固体原料の急速融解を強化する様
に配置するのが有利である。
【0012】図に示す実施態様では、砂/フラックスの
供給源34および粉砕したマットの供給源36が共通の
供給ライン38を共用している。供給ライン38は、バ
ーナー32と直接関連していても、あるいはバーナー3
2の近くに配置されていてもよい。
【0013】ランス26と同様に、バーナー32と整列
していても、いなくてもよい供給パイプ30は、原料を
バスアイの中心またはその近くに直接落下させる。供給
パイプ30およびバーナー32をプラグ18の中央線
(対称軸)28と直接整列させるのが好ましい。
【0014】本発明の連続転換機構の特別な幾何学的構
造により、固体硫化物材料の供給点におけるガス空間速
度が非常に低くなるので、粉塵発生が最少に抑えられ
る。細かく粉砕した乾燥材料を供給する場合にも、粉塵
発生率は原料の1重量%程度であることが分かった。
【0015】「空間速度」(中空管空間速度とも呼ばれ
る)とは、容器の特定区域におけるガスの体積流量をそ
の断面積で割ったものとして定義される。従来の転炉で
は、空間速度が高く、細かい粒子を容器中に入れる時に
著しい粉塵発生問題を引き起こす。フリーボードにおけ
るガスの総運動エネルギーは、細かい粒子をすべて急速
に容器の周囲に吹き飛ばす程の大きさである。対照的
に、本機構で発生する空間速度は極端に低く、それに応
じて原料粒子に与えられる運動エネルギーも低い。浴は
底部で攪拌されているが、フリーボード中のガスの速度
は十分に低く、原料は妨害されずに滑らかにバスアイ中
へ落下し、面倒な粉塵発生もない。
【0016】本発明の別の実施態様では、硫化物原料
は、溶融した一次製錬マットだけからなるか、または部
分的にそれを含むことができる。樋を使用し、この材料
を提案する機構の浴の表面上に連続的に配送することが
できる。容器を回転させない場合、マットおよび/また
はスラグをトラフ40の中に排出するための栓42を設
ける。生じた排出物はフード44により、その後の処理
にまわされる。
【0017】金属製品の出湯およびスラグの垢取りは、
連続的または間欠的に行なうことができる。鉄を含まな
い硫化銅をブリスター銅に転換する場合、スラグは製造
されない。転炉が円筒形の傾斜型である場合、ブリスタ
ーを連続的にオーバーフローさせる、幾つかのバッチに
出湯させる、または排気開口部(口)22を通して注ぐ
こともできる。後者の場合、転炉の口は、吹込みラン
ス、供給パイプおよびバーナー開口部に溶融浴が侵入し
ない様に配置する。鉄を含む非鉄マットの転換でも、様
々な出湯および垢取り方法を選択することができる。ス
ラグおよび金属製品は同時に、および連続的に保持容器
にオーバーフローさせることができるが、その場合、ス
ラグの非常に薄い層が溶融浴の表面上に存在する。ある
いは、スラグ層は、スラグの連続的または間欠的なオー
バーフローが可能であり、酸化性ガスを配送するランス
の下になおマットアイを発生できる深さにまで達するこ
とができる。この場合、金属製品は連続的または間欠的
に出湯させることができる。
【実施例】
【0018】本発明者は、鉄分の低い(1%)ニッケル
−銅マットの分離により製造した、粉砕した鉄含有銅−
ニッケルマットおよび細かく粉砕したニッケル含有硫化
銅材料を使用して本発明の機構を試験した。この実験研
究から取った下記の2つの実施例は、本発明の本質およ
び利点を良く説明している。
【0019】実施例1:上吹き/底部攪拌によるバルク
ファーネスマットの連続的転換 269トンのバルク銅−ニッケル一次製錬マットを、In
coのパイロットプラントフラッシュ製錬反応器(FS
R)10で連続的に転換した。容器10の内部寸法は長
さが約25フィート(7.62m)で、直径が約5フィ
ート(1.52m)である。原料の導入に好ましい空間
速度は毎秒約0.05〜約0.5メートルである(12
50℃で)。比較のため、既存の低粉塵Incoフラッシュ
炉では、水平フリーボード中の空間速度は約1メートル
/秒である。本発明で使用する空間速度は、低粉塵発生
フラッシュ炉の約10分の1のオーダーである。
【0020】この試験ではFSR10に、底部窒素注入
用に5本の多孔質プラグ18および2本の垂直な水冷式
酸素ランス26、内径0.5”(1.27cm)を、図に
示す様に取り付けた。また、図1に示す様に、固体供給
パイプ30および2基の酸素−天然ガスバーナー32も
取り付けてある。供給パイプ30は、反応器10の屋根
と同じ高さに取り付けてある。バーナー32の一つは、
供給パイプ30の側に配置し、固体の融解を支援するの
が有利である。窒素注入用の多孔質プラグ18は、供給
パイプ30の下に1本、各酸素ランス26の下に1本ず
つ、吸い上げパイプ22の下に1本、および北(左)側
バーナー32の下に1本配置した。キャンペーンは、そ
れぞれ約10時間持続する14の連続転換加熱処理から
なる。平均試験条件および原料および生成物の分析結果
を、表1に示す。一次マットは100%-1/2”(1.2
7cm)に粉砕した。
【0021】定常状態の条件下では、供給パイプ30の
先端から浴までの間隔は95cmであった。原料、一次マ
ット、および必要なケイ砂フラックスは、供給パイプ3
0の下に位置する多孔質プラグ18を通して注入された
窒素によりスラグ層中に形成されたバスアイの上に落下
させた。連続転換は、2本の垂直ランス26を通して吹
き込んだ酸素により行なった。各酸素ジェットはそれぞ
れのバスアイに衝突した。酸素ランスの先端から浴表面
までの間隔は、25または50cmであった。溶融浴の温
度、すなわちマットに関しては約1250℃、スラグに
関しては1280〜1300℃、は、転換反応により発
生した熱および天然ガスバーナー32により供給される
熱により維持した。
【0022】FSR10の北(左)端壁に位置する栓4
2を使用し、加熱処理の大部分のマットおよびスラグを
連続的にオーバーフローさせた。この運転様式により、
スラグ層の深さは最小に抑えられ、供給パイプ30およ
び酸素ランス26の下にバスアイを形成し易くなった。
しかし、幾つかの加熱処理では、スラグはオーバーフロ
ーさせながら、マットを反応器20の北末端壁に位置す
る通路(図には示していない)を通して別に出湯した。
この方法により、スラグ層の深さは約11cmになった。
プラグ18から上昇する窒素により、この厚いスラグ層
にもバスアイが形成され、その酸素効率は、マットとス
ラグを組合せてオーバーフローさせる加熱処理で観察さ
れた効率と類似していた。
【0023】このキャンペーン中に立証された平均酸素
効率は、90%を超えていた。Feを4.2%しか含ま
ないが、スラグの良好な流動性を維持しているマットが
製造された。平均的な粉塵発生率は非常に低い、すなわ
ち供給マットの0.33重量%であった。供給パイプ3
0の下に未溶融固体はまったく蓄積しなかった。キャン
ペーンの最後に、壁上の、浴の高さより上の所に酸素ラ
ンス26の近くのはねかけにより生じた蓄積を除いて、
容器10はきれいに出湯した。
【0024】 表1 平均試験条件 マット供給速度(kg/h) 1990 サンドフラックス速度(kg/h) 160 浴と酸素ランスの間隔(cm) 25−50 転換O2 /マット重量比 0.184 多孔質プラグN2 率(L/分/プラグ) 20−30 原料と製品の分析結果(%) Cu Ni Co Fe S SiO2 一次マット 25.3 22.1 0.62 22.7 26.2 0.7 製品マット 37.1 33.3 0.55 6.3 21.7 - スラグ 1.6 2.1 0.60 49.9 0.9 23.0
【0025】実施例2:上吹き/底部攪拌による硫化銅
(Cu2 S)の連続的転換 Cu/NiBessemerマットから得た、MKと呼ばれる、
完全乾燥ニッケル含有Cu2 S濃縮物263トンをセミ
ブリスター、すなわち硫黄飽和銅に、Incoのパイロット
プラントFSR 10で連続的に転換した。組成の他
に、粒子径が、この材料と実施例1のバルク銅−ニッケ
ル濃縮物の主な相違点である。MKは極めて細かく、平
均粒子径1μmしかない。したがって、この試験の主な
目的の一つは、MKの粉塵発生率を測定することであ
る。容器の配置、すなわち多孔質プラグ、酸素ランス、
供給パイプおよびバーナーの位置は実施例1に記載する
配置と実質的に同じである。しかし、実施例2は、供給
パイプ30の末端が水冷区域にあり、FSR 10の中
に挿入することができるので、供給パイプ先端と浴との
間隔、すなわち落下距離、に対する粉塵発生の影響を研
究することができる。
【0026】それぞれ10〜12時間持続する12回の
連続転換加熱処理を行なった。このキャンペーンの各作
業に対する主要試験条件を、MK原料および製品セミブ
リスターの組成と共に、表2に示す。原料供給の際、先
端の空間速度2.8m/秒を確立するのに十分な、少量の
窒素をパイプ30に流した。この窒素流により、FSR
フリーボードから遮断され、材料供給が円滑になった。
表2に示す様に、供給パイプの先端から浴までの距離は
25cmから95cmに変化した。長い距離では、パイプの
先端はFSR 10の屋根と同じ高さにあった。いずれ
の場合も粉塵発生率は非常に低く、0.9〜1.8重量
%であり、原料が落下する高さに無関係であった。
【0027】浴温度は、転換反応で発生した熱および天
然ガスバーナーによる補足により約1300℃に維持し
た。転換中の酸素効率は約80%であった。MKの融解
および消化に問題はなかった。
【0028】 表2 硫化銅の転換 試験条件 1週 2週 3週 濃縮物供給速度(kg/h) 1700 1700 1700 酸素ランスと浴の距離(cm) 50 50 50 転換O2 /原料重量比 0.19 0.22 0.22 供給パイプと浴の距離(cm) 25 50 95 多孔質プラグN2 率(L/分/プラグ) 20−30 原料および製品の分析結果(%) Cu Ni S 濃縮物 71−76 2.4−3.5 20−23 セミブリスター 91−94 3.3−4.0 1.2−1.6
【0029】まとめると、本発明は、多孔質プラグ発泡
装置、吹き込みランス、供給パイプおよびバーナーを容
器内に配置した上吹き、底部攪拌機構により、溶融浴を
効率的に、一様に攪拌し、それによって熱および混合物
の移動を強化し、酸化性ガスを吹き込むランスの下およ
び固体原料を落下させるパイプの下に、比較的厚いスラ
グ層を通して新しい金属相のバスアイを形成し、原料供
給区域におけるガスの空間速度を低くし、それによって
細かく粉砕した乾燥材料を粉塵発生を最少に抑えて落下
させることができる方式を開示する。さらに、溶融浴中
に浸漬した状態で不活性ガスを通過させる必要がある多
孔質プラグだけを除いて、攪拌、吹込みおよび供給装置
は、互いに独立して、個別に効率的に作動または停止さ
せることができる。
【0030】法律の規定にしたがって、本発明の具体的
な実施態様を例示し、説明したが、当業者には明らかな
様に、請求項により規定される本発明の形態内で変形が
可能であり、本発明のある特徴は、他の特徴を対応して
使用せずに、有利に使用できることがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施態様を示す部分的な断面図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントニー、エドワード、エム.ワーナ ー カナダ国オンタリオ州、バーリントン、 オークウッド、コート、304 (72)発明者 ジョフレー、エドウィン、オズボーン カナダ国オンタリオ州、アールアール 1、ウェランド、ライオンズ、クリー ク、ロード、9710 (56)参考文献 特開 平6−306498(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C22B 5/02 C22B 15/06

Claims (29)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】内部に中央室を限定する本体を含む容器を
    含んでなり、前記容器が溶融材料を保持するための下側
    部分、容器の下側部分の上に位置する屋根、および2つ
    の対向する末端壁、溶融材料中に少なくとも1個のバス
    アイを形成する様に設計された、容器の下側部分を通っ
    て伸びる、溶融材料中にガスを注入するための手段、バ
    スアイの影響により生じた円に向けて酸化性ガスを放出
    するために溶融材料の上に配置された酸化性ガスラン
    ス、およびバスアイの影響により生じた円に向けて原料
    を放出するために溶融材料の上に配置された、容器中に
    原料を供給するための手段を含むことを特徴とする乾式
    製錬機構。
  2. 【請求項2】溶融材料の上にバーナーが配置され、バス
    アイの影響により生じる円に向けられている、請求項1
    に記載の乾式製錬機構。
  3. 【請求項3】バーナーが、ガス注入手段の真上に配置さ
    れている、請求項2に記載の乾式製錬機構。
  4. 【請求項4】酸化性ガスランスが伸縮自在である、請求
    項1に記載の乾式製錬機構。
  5. 【請求項5】酸化性ガスランスが、容器内に配置された
    溶融浴のすぐ上で、ガス注入手段の真上に配置されてい
    る、請求項1に記載の乾式製錬機構。
  6. 【請求項6】酸化性ガスランスおよびガス注入手段の中
    心線が同一線上にある、請求項6に記載の乾式製錬機
    構。
  7. 【請求項7】バーナーおよび原料供給手段の両方が、ガ
    ス注入手段の真上にある、請求項3に記載の乾式製錬機
    構。
  8. 【請求項8】バーナーおよび原料供給手段が、共通の、
    容器への入り口を共有している、請求項7に記載の乾式
    製錬機構。
  9. 【請求項9】入り口が注入手段と同一線上にある、請求
    項8に記載の乾式製錬機構。
  10. 【請求項10】容器中の空間速度が0.05〜0.5メ
    ートル/秒である、請求項1に記載の乾式製錬機構。
  11. 【請求項11】溶融材料中にバスアイを含む、請求項1
    に記載の乾式製錬機構。
  12. 【請求項12】容器の底部に配置された多孔質プラグを
    含み、前記多孔質プラグがガス供給部に接続されてい
    る、請求項1に記載の乾式製錬機構。
  13. 【請求項13】ガス注入手段の真上に配置された排気手
    段を含む、請求項1に記載の乾式製錬機構。
  14. 【請求項14】容器を回転させる手段を含む、請求項1
    に記載の乾式製錬機構。
  15. 【請求項15】容器内にある溶融材料を取り出す手段を
    含む、請求項1に記載の乾式製錬機構。
  16. 【請求項16】溶融した非鉄材料の製錬および/または
    転換を、低粉塵発生で行なう方法であって、 a.底部、屋根、対向する末端壁、およびこの末端壁間
    にある室を有する反応容器を用意し、 b.底部を通して室の中にガスを注入することにより、
    浴中に少なくとも1個のバスアイを形成し、 c.浴の上から、バスアイの影響により生じた円に向け
    て酸化性ガスを導入し、 d.浴の上から、バスアイの影響により生じた円に向け
    て原料を導入し、 e.バスアイの影響により生じた円に向けてバーナーの
    出力を放射し、 f.容器から溶融した材料を取り出す ことを特徴とする非鉄材料の製錬方法。
  17. 【請求項17】硫化銅をセミブリスター銅に連続的に転
    換する、請求項16に記載の方法。
  18. 【請求項18】溶融材料の少なくとも一部を出湯するこ
    とを含む、請求項16に記載の方法。
  19. 【請求項19】銅−ニッケルマットを連続的に転換する
    ことを含む、請求項16に記載の方法。
  20. 【請求項20】酸化性ガスランスが、屋根と同じ高さか
    ら、浴上の予め決められた距離まで移動し得る、請求項
    16に記載の方法。
  21. 【請求項21】不活性ガスが原料を包み込む、請求項1
    6に記載の方法。
  22. 【請求項22】不活性ガスが、容器の底部の中に配置さ
    れた多孔質プラグを通して浴中に注入される、請求項1
    6に記載の方法。
  23. 【請求項23】処理中に発生したガスが、マットアイの
    真上の、屋根に取り付けた容器出口を通して排出され
    る、請求項16に記載の方法。
  24. 【請求項24】原料が、ガスバーナーと同時に、同一線
    上で容器の中に容器中に導入される、請求項16に記載
    の方法。
  25. 【請求項25】容器の空間速度が0.05〜0.5メー
    トル/秒である、請求項16に記載の方法。
  26. 【請求項26】原料が、硫化物鉱石、濃縮物、マットお
    よびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項
    16に記載の方法。
  27. 【請求項27】酸化性ガスをバスアイの中に直接導入す
    ることを含む、請求項16に記載の方法。
  28. 【請求項28】原料をバスアイの中に直接導入すること
    を含む、請求項16に記載の方法。
  29. 【請求項29】バーナーの出力をバスアイの中に直接放
    射することを含む、請求項16に記載の方法。
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