JP2763829B2 - レチクルまたはマスクの管理方法 - Google Patents

レチクルまたはマスクの管理方法

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルまたはマスク
の管理方法に関する。近年、半導体集積装置の設計技術
向上に伴って、カスタムICやASSP、PLDなど、
いわゆる特定用途向けIC(ASIC:application sp
ecific stan-dard circuit)の多様化・多品種化が著し
い。
【0002】ところで、露光装置上で使用されるレチク
ルやマスク(以下、レチクルで代表)は、半導体集積装
置の品種ごとに用意されるから、その数が上記多様化・
多品種化の傾向に伴って、ますます増大することにな
る。このため、レチクルの管理が必要不可欠になってき
ている。
【0003】
【従来の技術】任意のレチクルに附帯する管理情報とし
ては、例えば、半導体集積装置の品種名やレチクル製番
(あるいはシリアルナンバー)などのレチクル識別情報
およびシフト処理値やリダクション率などの露光パラメ
ータなどがあり、これらの管理情報は、半導体集積装置
の設計データからレチクル作成用のデータ(露光デー
タ)を作り出す際に得られる。
【0004】従来は、得られた情報をその都度あるいは
取りまとめて印字して台帳上で管理したり、若しくは、
磁気カードや磁気ディスク上に書き込んで電子的に管理
したりしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のレチクルまたはマスクの管理方法にあっては、露
光データと管理情報とが別々に管理されていたため、例
えば、作成されたレチクル上にパターン異常を発見した
場合、別途に管理されている情報を捜し出す作業が困難
で、情報取得が容易でないといった問題点があった。
【0006】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、露光データと管理情報とを一元化すること
により、情報取得の容易化を図ることを目的としてい
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理図を図1に示すように、情報ファイ
ルの中から任意のレチクルまたはマスクに附帯する管理
情報を取り出し、該取り出された管理情報の合成成箇所
が露光データの末端位置以降となるように前記管理情報
と当該レチクルまたはマスクの露光データとを合成して
新たな露光データを生成するとともに、該新たに生成さ
れた露光データを用いてレチクルまたはマスクを作成す
る際に、該露光データのデータ構造の末端位置以降に格
納された情報の露光位置をレチクルまたはマスクの露光
領域端に設定することを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明では、半導体集積装置の品種名やレチク
ル製番あるいはシリアルナンバーなどのレチクル識別情
報及びシフト処理値やリダクション率などの露光パラメ
ータといった管理情報を知りたい場合、いちいち手書き
の管理台帳を調べたり磁気カードや磁気ディスク上の情
報を検索したりせず、レチクルまたはマスクの露光領域
端を目視で確認するだけで、容易に必要な管理情報を知
ることができる。
【0009】また、管理情報の合成箇所を露光データの
末端以降とすれば、レチクルまたはマスクの露光領域端
に管理情報が書き込まれ、チップ形成領域との干渉が回
避されるので、好ましい。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
2〜図5は本発明に係るレチクルまたはマスクの管理方
法の一実施例を示す図である。
【0011】まず、構成を説明する。図2において、10
は半導体集積回路の設計データを格納した第1の記憶媒
体、11は設計データを取込むと共に、所定のパラメータ
指定に従ってこの設計データからレチクルまたはマスク
(以下、レチクルで代表)の露光データを生成するデー
タ処理部、12は上記のパラメータを入力するキーボード
等のパラメータ入力部、13は上記パラメータに対応した
管理情報を文字コード等の形で取り出すライブラリ、14
はデータ処理部11で生成した露光データを格納するデー
タファイル、15はデータファイル14内の露光データを取
込み、そのデータ順序の末端を検出するデータ末端検出
部、16は露光データの末端以降にライブラリ13から取り
出した管理情報を合成する合成部、17は合成後の露光デ
ータを格納する第2の記憶媒体である。
【0012】ここで、パラメータと管理情報の関係につ
いて説明する。管理情報は、従来の説明でも述べたよう
に、例えば、半導体集積装置の品種名やレチクル製番
(あるいはシリアルナンバー)などのレチクル識別情
報、および、シフト処理値やリダクション率などの露光
パラメータなどである。情報量はそれほどでもないが、
いちいち手入力するのは効率が悪い。そこで、管理情報
の各項目ごとに例えば短縮コードを設定し、このコード
を選択的に入力する。これにより、入力工数の削減を図
ることができる。また、メニュー方式で入力してもよ
い。何れの入力情報も、任意のレチクルに附帯する管理
情報に対応するパラメータである。なお、手間をいとわ
なければ、直接にキーボード等から管理情報を入力して
もよい。
【0013】次に、図3の処理フローを参照しながら本
実施例の作用を説明する。まず、ステップS10でデータ
処理に必要なパラメータを入力し、ライブラリ11から管
理情報を取り出して保存する。次いで、ステップS11
設計データをデータ処理して露光データを生成する。こ
のデータ処理では、入力パラメータによって指定された
例えばシフト処理値やリダクション率などの特定の露光
諸元を反映した露光データが生成される。
【0014】次に、生成された露光データをステップS
12で一旦データファイル14に落とした後、ステップS13
でデータファイル14内の露光データをそのデータ順序に
従って順次に読み込み、予め付されたデータ末端コード
(例えばテキストファイル等のEOF:End Of Fileマ
ークのようなもの)が検出されるまで、この読み込み動
作を継続する。
【0015】入力パラメータは、この場合、A、B、−
1、1234、のそれぞれに対応した例えば短縮コードにな
る。データ処理および管理情報の合成処理を完了した露
光データには、上記の層データ:A層、B層、シフト処
理値:−1μm、レチクル製番:1234が追加されてお
り、この露光データによって作成されるレチクル(また
はマスク)上に、これらの層データ、シフト処理値およ
びレチクル製番が目視可能な状態で露光形成される。
チクル(またはマスク)上における管理情報の露光形成
位置は、図4に示すように、本来の露光パターン(便宜
的にFの形をしている)と重ならない露光領域端であ
る。
【0016】図4はかかる一連の処理の概念図である。
任意の設計データは、例えばA層とB層のパターン図で
あり、そのシフト処理値が−1μm、レチクル製番が12
34であると仮定する。
【0017】入力パラメータは、この場合、A、B、−
1、1234、のそれぞれに対応した例えば短縮コードにな
る。データ処理および管理情報の合成処理を完了した露
光データには、上記の層データ:A層、B層、シフト処
理値:−1μm、レチクル製番:1234が追加されてお
り、この露光データによって作成されるレチクル(また
はマスク)上に、これらの層データ、シフト処理値およ
びレチクル製番が目視可能な状態で露光形成される。
【0018】図5は露光データと管理情報の具体例であ
る。露光データは多数のデータ列からなり、各列は、図
形(パターン)形状識別部a、パターンのX座標部b、
パターンのY座標部cおよびデータ末端フラグ部dを含
んでいる。フラグ部dが[1]のときに末端を表示す
る。すなわち、d=1を検出すると、そのフラグ列以降
に文字情報(管理情報)が追加される。
【0019】以上説明したように、本実施例では、任意
のレチクルの露光データに、そのレチクルに附帯する管
理情報を追加・合成したので、露光データと管理情報と
の一元化を図ることができ、その結果、例えば、レチク
ル上にパターン異常等を発見した場合、その同じレチク
ルから即座に正確な管理情報を知ることができる。これ
により、目的とする情報取得の容易化を図ることができ
る。
【0020】また、管理情報の合成箇所を露光データの
末端以降としたので、レチクルまたはマスクの露光領域
端に管理情報が書き込まれ、チップ形成領域との干渉が
回避されるので、好ましいものとすることができる。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、任意のレチクルまたは
マスクの露光データと当該レチクルまたはマスクに附帯
する管理情報とを一元化したので、当該露光データによ
って作成されたレチクルまたはマスク上から管理情報を
読み取ることができ、情報取得の容易化を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】一実施例のシステム構成図である。
【図3】一実施例の処理フロー図である。
【図4】一実施例の処理概念図である。
【図5】一実施例の具体的な処理概念図である。
【符号の説明】
10……第1の記憶媒体 11……データ処理部 12……パラメータ入力部 13……ライブラリ 14……データファイル 15……データ末端検出部 16……合成部 17……第2の記憶媒体
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 1/08 H01L 21/027

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】情報ファイルの中から任意のレチクルまた
    はマスクに附帯する管理情報を取り出し、 該取り出された管理情報の合成成箇所が露光データの末
    端位置以降となるように前記管理情報と当該レチクルま
    たはマスクの露光データとを合成して新たな露光データ
    を生成するとともに、 該新たに生成された露光データを用いてレチクルまたは
    マスクを作成する際に、該露光データのデータ構造の末
    端位置以降に格納された情報の露光位置をレチクルまた
    はマスクの露光領域端に設定 することを特徴とするレチ
    クルまたはマスクの管理方法。」
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