JP2758896B2 - 再活性可能なマーカを用いる電子式物品監視装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子式物品監視装置に関し、特に少なくと
も単一の周波数で共振する誘導性・容量性回路を含むマ
ーカを、上記共振周波数の範囲で動作する無線周波の電
磁界に関連して利用し、これにより前記誘導性・容量性
回路に発振を起こさせ、この発振が遠隔的に検出される
ようにした電子式物品監視装置に関する。このような装
置は、特に万引き防止、その他制御されるべき物品が監
視領域を通過するのを検出するのに使用される。 ［従来技術とその問題点］ 引用した上記型式の監視装置において、マーカは、一
般に単一の態様を有するもの、すなわち、再使用が効か
ない、すなわち繰り返し不活性化し、その後に再活性化
して使用することができないものであつた。このような
制約があるために、販売時など物品の検出をもはや望ま
なくなつたときにはマーカを物品から物理的に除去する
ことになり、この結果このような利用が制限されてい
た。また、溶解して回路の一部を開く溶けやすいリンク
などによつて、マーカ内の共振回路を物理的に修復でき
ないように破壊又は変更する方法も提案されている（米
国特許第3,810,147号参照）。このような方式のもの
は、回路が修復不能に破壊又は変更された後はマーカが
使用不能になるので、マーカの費用が高価になるという
理由で商業的には受容されない。 マーカに使用される共振回路は近接して置かれた導電
薄板の作用を容易に受けるので、このような薄板、すな
わちアルミニウム箔をマーカに隣接して配置することに
よつてマーカを選択的に不活性化することも知られてい
る。たとえば、このようなマーカは、万国製品コード
（UPC）ラベルの中又は貸出しカードが挿入される図書
のポケツトの底に隠すことができる。この場合、貸出し
カード内又は個別の貼付ラベル内に隠された導電薄板が
用意される。このような方式は、明らかに、分離した形
の不活性化要素を必要とし、多くの状況において実用的
ではない。 不活性化・再活性化無線周波数マーカを提供するため
の一つの提案が、米国特許第3,493,955号に開示されて
いる。この特許においては、フエライトなどのような小
形かつ非導電性であつて磁化可能な要素を、このマーカ
内のコイル上に又はこれに近接して置くことが提案され
ている。この特許によれば、フエライトは正規には非磁
性状態にあつてマーカの動作に作用を及ぼさないが、マ
ーカを不活性化したいときには、フエライトは磁性状態
に置かれ、これによつてその近傍の無線周波数の電磁界
に干渉し、マーカの動作を効果的に防止する。フエライ
トを磁性状態と非磁性状態との間で往復的に切り換える
ために大形磁石を使用することが提案されている。この
ような構想は、未だ成功裡に利用されたということは聞
いていない。 米国特許第4,063,229号は、他の型式の電子式物品監
視装置を記載しており、この装置においてはダイオード
の如き電気的に非線形な要素を含むマーカ又はタグ（ta
g）を使用して、代表的には100MHz又は915MHzの伝送マ
イクロ波信号の高調波を発生する。この場合、高調波、
代表的には200MHz又は1830MHz程度の第二調波が検出さ
れる。このようなマーカは固有共振周波数を持ち合わせ
ず、ダイオードは伝送周波数に同調するアンテナを与え
られ、これによつてエネルギー吸収及び高調波の伝送を
助長せしめる。この特許（コラム18,47ff行、及び第10
図、第11図）は、また、次のように提案している。すな
わち、反転バイアスダイオードなどの非線形コンデンサ
を介して接合された内側アンテナループ及び外側アンテ
ナループに隣接して２層のフエライト層を配置すること
によつてマーカを不活性化できる。第一フエライト層40
7は高保磁力であつて永久磁化可能なフエライトで作ら
れており、一方第二フエライト層は軟磁性の低保磁力フ
エライトで作られている。マーカは、第一フエライト層
を磁気飽和させることによつて活性化される。第一フエ
ライト層からの磁束は第二フエライト層を通るので第二
フエライト層もこれによつて磁気飽和させられ、このた
めアンテナループのインダクタンスは全体的として作用
を受けない。マーカを活性化するためには第一フエライ
ト層を減磁する。この結果、第二フエライト層は高透磁
率を帯びてアンテナループのインダクタンスをそれ以前
の値の約２倍に増大させ、その結果反動電界を検出レベ
ルより低い値に低減させる。 米国特許第4,063,229号の第15図と第16図及びその説
明（コラム20、12〜24行）は、装置の基本周波数で共振
する単一の同調閉回路が使用され、かつ非線形要素を含
んでいない不活性化マーカを提案している。同特許の第
10図と第11図に示された実施例は、第一フエライト層40
7と第二フエライト層408を備えている。この実施例は、
うず電流の発生を通して印加された基本周波数の電界を
ひずませるに充分な導電性の製品が存在せず、それ故選
択性が問題とならない応用に採用し得ることを、提案し
ている。このようなダイオードを含むマーカとこれに関
連するマイクロ波伝送装置とによつて収められた合理的
な商業上の成功にもかかわらず、米国特許第4,063、229
号に記載された不活性化マーカは実用的なものであると
現在まで認められていない。 上述とは全体的に異なる他の型式の電子式物品監視装
置において、磁気的に不活性化かつ再活性化されるマー
カが数年にわたつて採用され成功を収めている。たとえ
ば、米国特許第3,665,449号を参照されたい。このよう
な装置では、マーカ自体が磁性体でありかつ高透磁率で
あつて低保磁力であるフエリ磁性材料の細長い帯を含む
マーカが利用され、このマーカに隣接して高保磁力の永
久磁化可能な材料の少くとも１片が配置されている。こ
のようなフエリ磁性材料の帯中の磁化が調査領域に発生
させられた低周波数の交番電磁界によつて反転させられ
たとき、その周波数の検出可能高調波が発生させられ
る。米国特許第4,063,229号のマーカとは正反対に、こ
のような磁気マーカは高保磁力の永久磁化可能材料を磁
化することによつて不活性化される。磁化された材料
は、低保磁力材料を磁気的にバイアスし、その内部の磁
化が調査領域に存在する交番磁界によつて反転させられ
るのを防止し、このようにしてその検出を防止する。す
なわち、これを不活性化する。このようにして得られる
不活性化性が大いに貢献したためにこの種の装置はここ
10年にわたつて商業的に顕著な成功を収めてきた。一
方、他の装置には実用的な可逆的不活性化能力に欠けて
いるためこれらの装置の使用される分野はかなり制約さ
れ、それゆえ、その商業上の成功を狭めてきた。 米国特許第3,665,449号に記載されたような装置に採
用されている磁気不活性化・再活性化原理によつて得ら
れる利点にかかわらず、また無線周波数の電子的物品監
視装置に使用されるために不活性化・再活性化マーカを
得たいという長年の待望にかかわらず、このような無線
周波数マーカについていままでになされた提案は米国特
許第3,493,955号及び米国特許第4,063,229号によるもの
のみであり、これらの提案が実用的であるとは認められ
ていない。これに対して、本発明は、このような待望の
不活性化・再活性化マーカをはじめて提供するものであ
り、磁気の原理をうまく利用して所望の成果を収めてい
る。 ［問題点を解決するための手段及びその作用］ 本発明のマーカは、シャープに同調された回路の共振
の鋭さＱが所定値を超えたとき同調回路からの発振を検
出する受信器を有する電子式物品監視装置に使用され
る。マーカ自体がこのような共振回路を含み、この共振
回路は多巻回数誘導要素を有し、活性化状態のとき所定
値より大きな値をとり、また不活性化状態のとき所定値
より小さな値をとるＱを有する。周知のように、このよ
うな回路は、少なくとも所与の単一周波数で共振する回
路を完成するための容量性要素を含む。さらにマーカ
は、誘導要素の少なくとも一部を実質的に囲う磁気回路
を形成する少なくとも一片の磁気材料と、この磁気材料
を制御可能に磁気的にバイアスする磁気バイアス装置と
を含む。磁気バイアス装置は、永久磁化可能部材を含
む。磁気バイアスを取り去ると、Ｑが所定値より小さく
なり、共振回路を不活性化する。 本発明においては、磁気材料片の存在それ自体によつ
て、Ｑを、磁気材料片がなかつたとしたときの値よりも
小さい値に下げ、この小さい値ではマーカを公称上検出
できないようにすることが判明した。さらに、変化しな
い磁界（不変磁界）が磁気材料片に印加されるときには
Ｑの値に関し顕著な減少が観測されないことが判明して
いる。このような不変磁界は、永久磁化材料片を前記の
第一磁気材料に隣接して置くことによつて容易に得られ
る。 Ｑの減少が観測されるのは、一般に、第一磁気材料が
誘導要素に与える装荷効果によると信じられている。Ｑ
の減少は不変磁界の印加によつて制御可能であることが
判明しているから、装荷効果は第一磁気材料におけるヒ
ステリシス損によるものであつてヒステリスス損は共振
回路のＱに結合しておりかつＱに直接作用すると仮定す
るのが合理的であると思われる。ヒステリシス損は第一
磁気材料片の磁化の変化に関連し、磁化変化が減少すれ
ばヒステリシス損を減少させ、それ故Ｑの減少を防止す
る。上に指摘したように、本発明においては、磁化の変
化の減少は、不変磁界で第一磁気材料片を磁気的にバイ
アスすることによつて達成される。 しかしながら、ヒステリシス損を起こすためには、第
一磁気材料の磁化に変化を起こさせることが第一に必要
である。磁化の変化が大きいほど多くのヒステリシス損
を起こさせ、それ故Ｑの大きな減少を招く。したがつ
て、制御可能な磁化変化を最大ならしめるのが望まし
い。このため、マーカの誘導性・容量性共振回路に隣接
して置かれた第一磁気材料の磁化をいかに変化させるこ
とができるかを考察しなければならない。まず認められ
るのは、電子的物品監視装置の調査領域に印加される交
番磁界がマーカの共振回路内に含まれる誘導要素に共振
電流を生じさせることである。さらに注目したいのは、
共振電流が相当する局部発振磁界を発生すること、及び
この磁界が隣接して置かれた磁気材料に対し作用しかつ
この磁気材料によつて作用を受けるということである。
この作用は第一磁気材料片の磁化状態を変化させ、変化
した磁化状態及びこの磁化状態に関連するヒステリシス
損の各作用が磁界からエネルギーを取り出す、すなわ
ち、磁界を一層「損失的」なものとして現わし、この作
用が終局的にＱの減少となつて現れる。 これとは対称的に、第一磁気材料が一方向にバイアス
されたときは、局部発振磁界が、磁化状態を明かに変化
させるほど充分な強さを持たない。したがつて、ヒステ
リシス損は、有効と認められる程度のエネルギーを取り
出さない。このため、Ｑは磁気材料の存在によつて実質
的に影響を受けず、所定値より大きな値を維持し、それ
故マーカは活性化され、たとえば、検出可能となる。 好ましくは、前掲のように、磁気バイアス装置は永久
磁化可能部材を含む。この部材は第一磁気材料片の近傍
に不変外部磁界を発生し、この磁界はマーカの共振回路
の誘導要素内の振動電流によつて生じる局部発振磁界よ
りも強いと考えられる。このような単方向バイアス磁界
は磁気材料を効率的に飽和し、これによつて局部発振磁
界が磁気材料の磁化状態を実質的に変化させるのを防止
する。磁化状態が変化しないので、ヒステリシス損は最
小になり、またヒステリシス損がなければ、実効的なＱ
は所定値を超えた大きさを維持する。したがつて、マー
カは活性化され検出可能である。 ［実施例］ （実施例１） 第１図は本発明のマーカの好適実施例の平面図を示
し、第２図はその一部断面図を示す。基本的マーカ10は
電気回路を備え、この電気回路は少くとも１個のインダ
クタと１個のコンデンサを少なくとも単一周波数で共振
するように組合せて有する。このような構成は、電子式
物品監視装置のマーカとして直接使用可能である。図示
されていないが、使用者識別情報を印刷した外層あるい
は保護されるべき対象にマーカを固定できる感圧接着層
を付加すること等によつて、上記構成をさらに変更する
ことも可能である。 第１図及び第２図に示された実施例では、基本的マー
カ10は可撓性誘電体薄板12を有し、その両面に導電金属
層が付着されており、これらの最上金属層14のみが図示
されている。最上金属層14は、多数の部分に分かれた形
状になつていることが示され、これらの部分をさらに識
別すると、実質的に方形の多巻回数螺旋通路がインダク
タ16を形成していることが判かる。最上金属層はさらに
実質的に三角形領域18と20を有し、これらはコンデンサ
パツドとして働く。層状のもの（図示されていない）が
誘電体薄板12の図と反対側面上に次のように固定されて
いる。すなわち、領域18と20に対向して反対側の三角形
領域が表側の三角形領域と協調してこれらの間に誘電体
薄板をサンドイツチ状に挟みデイスクリートなコンデン
サを形成している。この層状のものも、また他の多巻回
数インダクタを含み、そのそれぞれの枝路はインダクタ
16の対応する各枝路に対向して正確に位置決めされ、ま
たこれらの間に誘電体薄板をサンドイツチ状に挾むこと
によつて分布容量効果に基づきこの回路に静電容量を追
加する。 誘電体薄板12は、好適には、所望の誘電特性はもとよ
り他の所望の特性、すなわち、それ自身と、最上金属層
14、外側紙カバー、接着層等とに容易に接着するなどの
特性を有する熱可塑性材料の薄膜である。この薄板とし
ては、ポリエステル薄板、たとえば、厚さ0.023mmのも
のが特に好ましいと判明している。このような材料は低
熱消散率、高絶縁耐力を有しかつポリエステル担体上に
直接押出し可能であるからである。このようなポリエス
テル薄板の露出面はまた容易に薄い金属層に接着され
る。第１図に示されたマーカは、予形成品から形成され
るのが一層望ましく、この場合、ポリエステルはマーカ
の片側面上にのみ固定されており、金属層は二つの部分
に形成され、その一つは実質的に他の鏡像である。この
ような予形成品を二つに折り畳み、金属層の二つの部分
を互に反対側の外面に残し、またポリエステルの内側面
を互に接着して元の薄板の２倍の厚さの誘電体層を作り
出す。望むならば、互に反対側の金属層どうしを接続タ
ブ22、24を設けることによりこれを経由して接続し、こ
れらのタブを、折られた縁を周回させて延設する。 金属層14は、好ましくは銅又はアルミニウムのような
高導電金属の薄膜で形成され、当業者にとつて既知の多
様な技術を利用して形成される。特に、金属層14の形状
は標準印刷回路技術によつて形成されるのが好ましく、
この場合において元になるステンシル図形は耐腐食性イ
ンキを使つて金属層上にスクリーン印刷され、インク被
覆されない部分はその後腐食によつて取り去られる。こ
れに類似の、当業者に既知の他の技術も同様に利用可能
である。 各縁の長さが約5cm寸法であり、両側の金属層がポリ
エチレン薄板の二重の厚さで隔てられ、その間の距離が
約0.046mmあり、この中において各螺旋部分に６巻回数
が施こされ、各枝路が約1mm幅で枝路間隔が約0.75mmの
構成であると、約4.5MHzの基本共振周波数を発すること
が判明している。 本発明の重要な点は、磁気要素26によつて、マーカの
可逆的不活性化・再活性化を実現する機能が付け加えら
れるということである。この要素26は、第２図の断面図
に詳細に示されているように、マーカの一端のまわりを
包んだ多層サンドイツチ構成を含み、これによつて誘電
体薄板12と多巻回数インダクタを部分的に包み、その包
みの端はマーカの中心と多重巻回インダクタの一端を超
えて延びている。第２図の断面図において、インダクタ
16の枝路28は誘電体薄板12の反対側のインダクタの枝路
30と並置されている。多巻回数インダクタの枝路28と30
から外側に対称に拡がる磁気要素26は、まず、絶縁層32
を含み、この絶縁層32はインダクタそれぞれの枝路を次
に述べる後続の導電層によつて短絡されるのを防止す
る。絶縁層32は、ポリエチレンその他の重合体ウエブ又
はクラフト紙等従来用いられている絶縁材料なら何でも
よく、さらにこの層32を所定位置に維持する接着剤も含
む。 絶縁層32から外側に延びるパーマロイ等の高透磁率低
保磁力材料層36が形成されている。このような材料は、
また、典型的には導電性であるので、絶縁層32が必要で
あることは明らかである。高透磁率低保磁力材料層36
は、多巻回数インダクタの枝路28と30のまわりに少くと
も１本の完全な磁気回路を生じるように配置されると共
に、これらの枝路はこの閉磁気回路を通して延びる。第
２図に示されるように、高透磁率低保磁力材料層36はイ
ンダクタの枝路の外側端のまわりを包み、これらの枝路
の端を超えてマーカの内側部分に向けて延び、ここで層
36の両端は並置されることによつて隣接するこれらの層
の間の磁気結合で磁気回路を完成する。 高透磁率低保磁力材料層36からさらに外側に向けて延
び、かつ感圧層38によつてこの高透磁率低保磁力材料層
に接着された比較的高保磁力永久磁化可能材料層40,42
が設けられ、磁気バイアス磁界を作る。このような材料
は、好適には、ヴイカロイ、高ケイ素鋼、バリウムフエ
ライト、又は可撓性ゴム接着磁石構造等である。好適な
構成にあつては、高透磁率低保磁力材料層をこれらの磁
化材料層と交互配置するように追加される。第２図の断
面図に示される実施例においては、絶縁接着層44を介し
て、追加の高透磁率低保磁力材料層46、高保磁力永久磁
化可能材料層48,50が付け加えられ、高透磁率材料によ
つて作られる閉磁気回路と永久磁化可能材料層によつて
作られる磁気バイアスの効率を向上する。 このように構成されるので、高保磁力永久磁化可能材
料層40,42,48,50が磁化されていないとき、したがつて
磁気バイアス磁界が存在しないとき、枝路28,30のイン
ダクタンスに誘導される電流に関連する局部交番磁界は
高透磁率低保磁力材料層36,46の磁気状態を反転させ
る。この結果生じるヒステリシス損は、エネルギーを局
部交番磁界から引き出しかつ実効Ｑを所定値より低め
る。したがつてマーカは不活性化され、その検出が防止
される。これと反対に、高保磁力永久磁化可能材料層4
0,42,48,50が磁化されているとき、高透磁率低保磁力材
料層36,46は局部交番磁界によつて生じるよりも強い不
変単方向バイアス磁界を受ける。このバイアス磁界は、
高透磁率低保磁力材料層36,46の磁気状態の反転を防止
する。したがつて、ヒステリシス損は起こらず、Ｑの減
少は見られず、それ故マーカは活性化され、検出可能と
なる。 第１図及び第２図に示す好適実施例の構成は、厚さ15
μｍ、幅6.3mmのパーマロイの帯で以つてインダクタの
再内側の枝路の内側に向けて約6.3mm延びる二つの包み
を利用して、約6.4mm²の重り合い領域を作り出す。隣接
するヴイカロイの高保磁力永久磁化可能材料層を永久磁
化することによつて活性化されたとき、この構成は、3M
型式ET2000などの典型的な電子式物品監視装置の送信ア
ンテナから100cmの距離を超えて検出されることが判明
している。これに照して、同じマーカでも不活性化要素
を備えない場合約107cmの距離を超えて通常検出可能で
ある。 （実施例2,3） 第１図及び第２図に示されたマーカの一縁上の枝路の
異なる数に対する作用の理解を深めるために、第１図及
び第２図のいくつかの変更実施例が構成され、ここで
は、いずれも同じ量のパーマロイを存在させた幅6.3mm
の２層が使用された。ただし、ここでは、パーマロイの
この量は幅12.6mmの１層の折畳み層として与えられるか
（実施例２）、又は各々が幅6.3mmの４層の折畳み層を
互に重ね合せたものとして与えられた（実施例３）。幅
12.6mmの単一の包みを含むマーカ（実施例:2）は僅か約
7.6cmの距離から検出可能であり、また幅6.3mmの四つの
包みを有するマーカは約104cmの距離から検出可能であ
ることが判明した。したがつて、４層以上を有するマー
カは単一態様マーカから得られるものと実質的に同じ性
能を有し、したがつて、これより少い層数のマーカの製
造の場合の費用よりも製造が高く付くという点を踏まえ
ても、充分に商取引上の採算が見込まれる。 （実施例４） この変更実施例においては、第１図及び第２図に示さ
れたヴイカロイの永久磁化可能材料層が、厚さ25μｍの
介在されたパーマロイ層と同じ長さのAISI型301圧延ス
テンレス鋼に置換された。これらはインダクタの最内側
の枝路を超えて延びかつマーカの中心に向けて延びる高
透磁率材料層を分割している。ステンレス鋼層が永久磁
化されると、これによつてパーマロイ層の磁気状態のい
かなる変化も防止し、この結果、マーカは活性化状態に
維持され、上述したような試験時に送信アンテナから84
cmまでの距離を置いて検出可能であることが判明した。
高透磁率層に隣接して磁化バリウムフエライトゴム接着
磁石の高保磁力永久磁化可能材料層を置くことなどによ
つて、バイアス磁界をさらに強くすると、僅かに改善さ
れた結果が観測された。すなわち、このマーカはアンテ
ナから89cmまでの距離を置いて検出可能であつた。これ
は、ステンレス鋼層は第１図及び第２図において論じた
ヴイカロイ層ほど有効でなかつたことを教示している。 （実施例５） 第１図及び第２図に関連してこれまでに論じられてき
た実施例においては、磁気部材がマーカの一縁をとりま
いて折り畳まれかつ多巻回数インダクタの最内側の枝路
を超えて延びこれらの磁気部材の重ね合せを作ることに
よつて閉回路を完成させた。第３図及び第４図に示され
るように、これと類似の構成が磁気部材を折り畳むこと
なく得られる。これらの図から判るように、マーカ52
は、前と同じような折り畳まれかつ重ね合された多巻回
数インダクタ並びに第１図に示されたように反対側の多
巻回数インダクタによつて与えられるコンデンサパツド
と分布静電容量によつて構成される。しかしながら、第
３図及び第４図の実施例は、磁気要素54がマーカの全幅
を横切つて延び、これによつて、２本の分離した閉磁気
回路を作り、これで両側の多巻回数インダクタの対向す
る枝路を囲うということにおいて、第１図の場合と異な
る。第４図の断面図において詳細に示されているよう
に、実施例５においては、誘電体薄板56はその両面に先
に述べた実施例と同じように多巻回数インダクタ58と60
を積層させている。しかしながら、この実施例において
は、パーマロイの幅6.3mmの単一の高透磁率材料層62と6
4が絶縁層66と68を挟んで多巻回数インダクタ58と60の
互に遠い方の面にそれぞれ接着されている。好適実施例
においては、絶縁層66と68は、厚さ50μｍの感圧転写接
着層である。それぞれのパーマロイの高透磁率材料層6
2,64の外側には、ヴイカロイなどのような高保磁力永久
磁化可能材料層70と72が配置され、これらの層はさらに
転写接着層74と76を介して接着される。パーマロイの高
透磁率材料層62と64は、誘電体薄板56の外側部分とイン
ダクタ58と60の最外側枝路を超えて延び、その延びた部
分内においてパーマロイの高透磁率材料層が絶縁層66と
68によつてのみ分離されて、充分に近寄り合つて実質的
に閉磁気回路を作るようになつている。パーマロイの高
透磁率材料層がインダクタの最内側枝路を超えて内側に
延びたところでは、これらの高透磁率層は同じく近寄つ
て一緒になりこの領域に閉磁気回路を作つている。 （実施例６） 第５図は、本発明の再活性化可能のさらに他の実施例
の、その一縁に沿う断面を示す。基本マーカ78は誘電体
薄板80を含み、その両側に、第１図から第４図に関連し
て説明されたように、多巻回数インダクタ82と84が並置
される。活性化と不活性化を交番的に可能にする磁気要
素86は、薄い絶縁層84によつてインダクタ82と84から電
気的に絶縁される。しかしながら、この実施例は、パー
マロイの高透磁率材料層90と92が高保磁力材料層によつ
て分離されないということにおいて、実施例１から実施
例４（第１図及び第２図）と異なつている。むしろ、パ
ーマロイの高透磁率材料層は、薄い接着層94によつての
み互に分離されている。磁気回路内のヒステリシス損が
信頼性を持つてマーカを不活性化するように充分に近い
磁気抵抗を持つた磁気回路を作るためには、所与の厚さ
の所与の量の高透磁率材料が望まれる。もし薄い材料を
使用するならば、総体的に材料の量を少くする必要があ
る。この材料は、好適には、厚さ15〜25μｍのパーマロ
イ層などのような、複数枚の薄層内に分布されるのが望
ましい。第５図に示された実施例においては、最終的
に、高保磁力永久磁化可能材料層96と98が最外側のパー
マロイの高透磁率低保磁力材料層92の両側面に接着され
る。単一の層96又は98が各片側に示されているけれど
も、これらの層はバルカロイ等の１層又は２層以上を含
むことができ、これによつてパーマロイの高透磁率材料
層内の磁気状態の反転を防止するのに充分な強さの単方
向磁界を発生させる。 （実施例７） 第６図の断面図において、さらに他の変更実施例が示
されており、ここで、誘電体薄板100と多巻回数インダ
クタ102、104は、これまでの付図のものと同じである。
第６図に示されるように、磁気要素106はマーカの一縁
の両側面上にそれぞれ固定され、かつインダクタの最内
側枝路と最外側枝路を超えて延び閉磁気回路を完成させ
ている。第６図に示されるように、２層の高透磁率低保
磁力材料層108と110が多巻回数インダクタ102の片側面
上に配置され、一方、２層の高透磁率低保磁力材料層11
2と114が対向する多巻回数インダクタ104の反対側面上
に配置される。前と同じように、インダクタとこれらの
層との間に薄い絶縁層が介在させられる。前と同様に、
磁気要素106全体は、それぞれの高透磁率低保磁力材料
層108,110,112,114とヴイカロイなどのような高透磁率
永久磁化可能材料層116,118,120,122との間に介在させ
られた薄い絶縁接着層によつて一緒に接着される。この
ような構成は、第１図及び第２図に示された実施例のそ
れと実質的に同じ性能を有するが、しかし、製造が容易
であるためにある種の応用には好適であることが、判明
している。 （実施例８） 第７図に示された変更実施例のマーカ124は誘電体薄
板126を有し、この薄板は、その両側面上に、これまで
の付図に示されたと同じように、多巻回数インダクタ12
8と130を有する。磁気要素131において、高透磁率低保
磁力材料層132,134,136,138が多巻回数インダクタ128と
130の外側面上に配置されている。高透磁率低保磁力材
料層132と134の間又は同じく層136と138の間に介在し
て、高保磁力永久磁化可能材料層140,142がそれぞれあ
る。前と同様に、磁気要素全体は、薄い絶縁接着層（図
示されていない）によつて一緒に接着される。したがつ
て、この実施例は、高保磁力永久磁化可能材料層の１層
のみがマーカの各側に配置されているという点が実施例
７（第６図）と異なる。 それ故、第５図におけるように高保磁力永久磁化可能
材料層が最外側層として配置されるか、第６図における
ように磁気要素の対向する層間に介在させられるか、又
は第７図におけるように要素の各側に１層だけ配置され
るかどうかは大して重要なことではないことが認められ
る。高保磁力永久磁化可能材料層の配置にとつての唯一
の制約は、この層が高透磁率低保磁力材料層に可能な限
り近くに置かれ、その結果、高保磁力永久磁化可能材料
層と高透磁率低保磁力材料層との間に効率的な磁気結果
を作る、ということである。 （実施例９、10） これまでに述べてきた実施例は、全て、高透磁率低保
磁力材料としてパーマロイ層を利用して構成されてい
た。本発明においては、他の高透磁率材料も同様に使用
され得る。 実施例９においては、第１図及び第２図に示された折
畳みパーマロイ層が他の高透磁率材料、すなわち、３％
のケイ素Siを含む軟質磁性鋼合金の約厚さ25μｍ、幅4.
8mm、長さ1.1cmの折畳み層によつて置換されており、こ
の合金は冷間圧延とその後の処理によつて圧延方向に最
適の磁気特性を生じたものである。マーカが含むこの種
の材料層の数に応じて、それぞれのマーカはパーマロイ
を使つた場合と実質的に同程度に不活性化されることが
判明している。同様に、実施例10においては、鉄Fe12.4
％、モリブデンMo2.1％、ニオブNbとチタンTi各4.2％、
残りニツケルNiが占める組成を有する高透磁率合金の層
数をいろいろと変えたものでパーマロイ層が置換され
た。この場合もまた、実質的に前と同程度の活性化と不
活性化が観察された。 同様に、このほかにも各種の高保磁力永久磁化可能材
料がこれらを永久磁化した際に変更マーカを再活性化さ
せるのに充分であることが判明している。 （実施例11〜14） 基本マーカ内に存在する共振回路のＱに依存して高透
磁率低保磁力材料層の量を変化させることが、完全な不
活性化を保証する上で望ましい。実施例11においては、
アルミニウムではなくて腐食処理された銅層で形成さ
れ、典型的にきわめて高いＱ値を持つ多巻回数インダク
タは、ヒステリシス損がＱを検出を防止するに充分に低
下させるために多量の高透磁率材料の存在を必要とする
ことが判明している。第１図に示されたように配置構成
され、しかも変更されない状態においてかつ前に指定し
たよう電子的物品監視装置内で評価されたマーカは、送
信アンテナから124cmの距離を超えて検出されることが
判明している。第２図に示されたようなマーカの一縁の
まわりを包んだ二つの包みの厚さ25μｍのパーロマイ層
の幅をいろいろに変えたときのこれらの包みの作用は、
次のようであった。 もし高透磁率低保磁力材料の存在する量が少な過ぎる
ならば、完全な不活性化は得られず、一方、その存在す
る量が多過ぎると、活性化マーカを検出可能範囲が障害
作用を受ける結果、不活性化という見地からすれば何ら
益するところがない。 マーカの信頼性ある不活性化のために、与えたらよい
パーロマイのような高透磁率低保磁力材料の相対量は、
また、無線周波数検出装置を使つた次のような試験から
検証される、この検出装置は低感度検出を行えるように
調節されており、すなわち、実施例１に挙げた変更され
ない基本マーカを送信アンテナから102cmの距離を置い
て検出できるように調節されており、これに対して検出
装置が高感度のとき、107cmの距離から検出可能であ
る。このようなマーカが多巻回数インダクタの１本の枝
路のまわりを完全に包む幅4.8mm、厚さ25μｍのパーロ
マイの単一層を持つように変更されたとき、この変更マ
ーカはその不活性化状態においてアンテナから19cmの距
離において依然として検出可能であつた。したがつて、
パーマロイの存在量がなお充分でないことが表示され
る。厚さ25μｍ、長さ2.5cm、幅4.8mmのパーマロイの１
層又は２層をマーカの片側面上にのみ配置してもなお受
容れ可能の配置構成は結果的に得られなかつた。このよ
うな配置構成の結果、マーカは依然としてアンテナから
63cmの程度の距離で検出可能であつた。これに照して、
同じく長さ2.5cm、幅4.8mmのパーマロイ層がマーカの各
側面上に置かれてその端をインダクタの枝路を超えて延
ばし互に実質的に磁気接触させて閉磁気回路を完成させ
た場合、このマーカはアンテナから約33cmの距離になつ
たときはじめて検出可能であつた。このような長さ2.5c
m、幅4.8mmのパーマロイの２層がマーカの各側面上に置
かれるとさらに好適であつて、マーカはアンテナの一隅
に直かに接したときにのみ検出可能であつた。長さ5.0c
m、幅4.8mmのパーマロイの２層でマーカの一縁のまわり
を包み、したがつてインダクタの枝路の両側にパーマロ
イの２層を配置すると、マーカは全体的に検出不能であ
つた。 （実施例15） これまでの実施例において不活性化を行うのに使用さ
れたパーマロイのような高透磁率低保磁力材料を、これ
と類似の非結晶性のアモルフアス材料によつても置換す
ることができる。実施例15において、実施例１に使用さ
れたと同寸法の高透磁率層であるが、しかし、鋳物状態
で焼鈍されたアモルフアス金属であつて原子百分率で約
コバルトCo66％、鉄Fe4％、ケイ素Si15％、ホウ素B13
％、モリブデンMo2％の組成を有するものから作られた
層を用いた場合のマーカは完全に検出不能であり、それ
故前述のパーマロイを使つた構成より僅かに性能が優れ
ていることが観察された。事実、この材料のパーマロイ
層と同形同寸の１層だけが使用されたときでも、性能は
パーマロイの２層を使つたときよりかろうじて劣つただ
けであつた。さらに、アモルフアス材料は焼鈍されたと
き、これによつてその透磁率を増して特定の応用に対す
るその性質を増長したが、しかしこの場合、ある程度の
高保磁力を生じ、この焼鈍材料の折り畳み２層を有する
マーカは送信アンテナから33cmの距離で検出可能なこと
が判明した。同様に、このような折り畳み３層を持つマ
ーカはアンテナから25cmの距離でなお検出可能であつ
た。これらの結果は、高透磁率材料を有することは望ま
しいが、その磁気材料が調査領域に存在するときマーカ
内に誘導された低局部発振磁界によつてその磁気状態を
容易に変更することのできるようなきわめて低保磁力を
有することも、おそらく、同じように重要であることを
示している。 アモルフアス系低保磁力材料の効率のさらに別の試験
においては、各種の他のアモルフアス組成の層で変更さ
れたマーカがパーマロイを持つたマーカ及び前段で指定
されたアモルフアス合金で変更されたマーカと比較され
た。実施例16から18において、原子百分率で鉄Fe41％、
ニツケルNi39.7％、モリブデンMo2.7％、ホウ素16.7％
の組成を有する非焼鈍合金の層がダウングレイン方向に
切り取られ（実施例16）、原子百分率でコバルトCo68.5
％、鉄Fe4.2％、ニツケルNi3.4％、モリブデンMo1.5
％、ケイ素Si10.1％、ホウ素B12.4％の組成を有する他
の合金の層が非焼鈍状態においてかつダウングレイン方
向に切り取られ（実施例17）または焼鈍状態においてク
ロスグレイン方向に切り取られ（実施例18）て、それぞ
れ試験された。 この試験条件の下において、不変更マーカすなわち基
本マーカは送信アンテナから約114cmの距離において検
出可能であつた。各種の材料の層は、全て一定の断面積
0.0012cm²、（たとえば、厚さ25μｍ×幅4.8mm）を有
し、閉磁気回路を作ることなく、単にマーカの一縁上に
置かれた。パーマロイの単一層は、送信アンテナから約
30.5cmの距離においてなお検出される程度にのみマーカ
を不活性化することが判明した。上に挙げたうちの一番
目のアモルフアス合金は、これよりもいくらか広い範囲
にわたつて不活性化され、送信アンテナから約25cmの距
離に近ずいてはじめて検出可能であつた、また実施例16
から18のマーカはこれより僅かに狭い範囲で検出され、
これらのマーカは送信アンテナから56cmを超える距離に
おいてなお検出可能であつた。 上掲の材料が同じ断面積であるが、しかし実施例１に
おけるように折り畳まれることによつて閉磁気回路を作
るように配置されたとき、パーマロイ変更マーカは送信
アンテナから4.4cmの距離において依然検出可能であつ
た。上に挙げた一番目のアモルフアス材料で変更された
マーカはいかなる条件の下でも検出可能ではなく、ま
た、実施例17と18に使用された組成で変更されたマーカ
は送信アンテナから12.5cmから25cmの距離において依然
検出可能であつた、さらにまた実施例16に使用された組
成で変更されたマーカは46cmの距離で検出可能であつ
た。２層又は３層以上の重なり合う層に折り畳むなどに
よつて、これらの材料の量をさらに増加すると、その結
果のマーカは、全体的に検出不能であつた。 上に論じたように、本発明の好適構成においては、高
透磁材料が比較的薄い層内に存在させられると共に、複
数のこれらの層がひとまとめにサンドウイツチ配置され
る。 たとえば、実施例１におけるようにマーカの一縁のま
わりに折り畳まれた幅4.8mmのパーマロイの２層は、そ
の各層が厚さ6.3μｍの場合、同じ長さと幅であるが厚
さが3.17μｍの４層（すなわち、両方の場合とも12.7μ
ｍの同じ全体厚さ）とほぼ同等の効果があり、両構成と
もマーカを完全に不活性化する能力があることが判明し
ている。これに照して、各厚さ12.7μｍの２層及び各厚
さ25.4μｍの３層が、完全な不活性化を達成するために
必要なことが判明している。 高透磁率材料の比較的薄い層の使用がこのように望ま
しい一方、同時に完全な不活性化を可能にするために充
分な量の磁気材料を含む必要があるので、材料のこのよ
うな量を分配することのできる多様な配置構成が判定さ
れている。したがつて、たとえば、材料のこのような量
を、積層としてではなく、多巻回数インダクタの大部分
を覆つて延び、互に隣接する１層又はそれより多い数の
層として配置することも可能である。しかしながら、積
層構成の方が好適であることが判明している。マーカを
不活性化するのに必要な材料の量から生じる種々の構成
間に小さな差があるけれども、マーカが永久磁化可能材
料の存在によつて活性化されるとき、狭い幅の積層で形
成された再活性化マーカは大きな距離を超えて検出可能
である。 （実施例19） 本発明はこれまで印刷回路型マーカに関して説明され
たけれども、本発明は他の種々のマーカ構成配置にも同
様に有効である。したがつて、たとえば、第８図に示さ
れているように、基本マーカ144は多巻回数の変圧器巻
線であつて、その両端をコンデンサチツプ148に固定し
たもので形成されたインダクタ146を有する共振回路を
含む。マーカ144は、同様に、上に論じたような磁気要
素150によつて可逆的活性化と不活性化ができるように
変更可能である。したがつて、実施例19においては、高
透磁率材料152の１つまたは２つ以上の完全な包みに隣
接する層と層の間に高保磁力永久磁化可能材料の小さな
方形部分が配置されたものが使用されたが、他のこれに
類似した構成配置も使用可能である。 （実施例20） 同様にして、第９図は、他の構成配置の基本マーカ15
6の平面図を示し、この場合は印刷回路の多巻回数螺旋
インダクタ158は誘電体薄板160の片面上に固定された導
電薄板に従来の腐食技術を使つて形成される。このマー
カにおいて、多巻回数インダクタは比較的広い離散領域
162と164に終端している。誘電体薄板160の両面上の導
電薄板は、互に対向する導電領域166と168と共に互に対
向するコンデンサパツドを作るように形成される。第９
図に示される実施例においては、誘電体薄板166は領域1
70を切り取られる結果、これを貫通する開口を設けら
れ、これによつて磁気要素172が、第８図に示されたと
同じ具合に、多巻回数インダクタ158の１枝路のまわり
を完全に包むことができるようにする。 要素172の断面図が第10図に示され、基本マーカは誘
電体薄板174を含み、この薄板はその片面上に多巻回数
インダクタ176を固定していることが判かる。磁気要素
がインダクタ176を短絡するのを防止するため、従来の
クラフト紙等の絶縁層178がまずこのインダクタのまわ
りに巻かれ、ついでこの絶縁層が上に説明されたように
高透磁率材料180の一つ又は二つ以上の包みによつてさ
らに覆われる。最終的に高保磁力永久磁化可能材料の１
層又は２層以上の層182が施される。全構成は、保護被
覆内に納められ、かつこれに感圧接着層が付け加えられ
ることによつてマーカを保護すべき製品に固定可能とす
る。この接着層は、さらに、低接着性リリーズライナ18
6で一時的に覆われる。 （実施例21） さらに他の変更実施例の構成の平面図が第11図に示さ
れており、この図で判かるように基本マーカ188は誘電
体薄板の両側上の金属螺旋層インダクタを有し、その金
属螺旋層インダクタ190の１層が見えている。このよう
な構成配置は、米国特許第4,482,874号に記載されたダ
イススタンピング技術によつて容易に作られる。多巻回
数金属螺旋層インダクタの内側上の誘電体薄板の部分は
ダイススタンピング操作中に容易に除去されるので、前
に論じたような磁気要素192は多巻回数金属螺旋層イン
ダクタの１枝路のまわりに容易に巻き付けられ、この結
果、可逆的活性化と不活性化を可能にする。 （実施例22） いままでに論じた実施例に加えて、ここでは、高透磁
率材料の単一層が多巻回数インダクタの１枝路に沿つて
その巻回数の全てのまわりに折り畳まれるか又はこれを
包むけれども、多巻回数インダクタの各巻回数のまわり
に離散した高透磁率材料層を折り畳むかこれを包むこと
も本発明の範囲に含まれる。このような構成配置におい
ては、離散した高保磁力材料層もまた個々の高透磁率材
料層のまわりを包む。これに代えて、単一層の高保磁力
材料層が、高透磁率材料層の折り畳み又は包みの全てに
隣接して配置されてもよい。 第12図及び第13図に示された実施例22においては、代
替的マーカ191が、誘電体薄板193を含み、この薄板の片
面上に多巻回数インダクタ194が形成されていること
が、示されている。第13図の断面図にさらに詳細に示さ
れているように、マーカ191は誘電体薄板193の片側上に
単一の多巻回数インダクタを含むと共に、共振回路の残
りの部分は図に示されていないデイスクリートなコンデ
ンサによつて形成されている。磁気要素196は、第13図
の断面図においては、高透磁率材料層198を含んで示さ
れ、この層は多巻回数インダクタ194の各巻回数を完全
に取り囲んでいる。誘電体薄板193の反対側面上には、
単一層の高保磁力材料層200が固定されている。高透磁
率材料層198は、連続めつき技術によつて容易に作られ
る。このような層を形成するに当つては、適当な誘電体
薄板上に鉄−ニツケル合金などの高透磁率材料の第一層
を作り、さらにこの上に銅又はアルミニウムなどの良導
電金属層を作る。こうしてできた二重積層を腐食処理す
ることによつて多巻回数インダクタが形成されると共
に、各良導電金属層の下に残留している高透磁率層によ
つて多巻回数を形成する。 これに続いて、同様の高透磁率材料が蒸着、電気めつ
き又はこれに類似の技術によつてさらに付加され、これ
によつて閉磁気回路を完成する。 （実施例23） 第13図に示されたものの変更実施例が第14図に示され
ており、この図に示されるようにめつき処理集合体は誘
電体薄板202を含み、この誘電体薄板はその表面上に次
の順序の層を有する。すなわち、高透磁率材料層204、
良導電材料層206、第二高透磁率層208、一番上側の高保
磁力材料層210から成る層である。この多重積層は、従
来技術を使つて腐食処理され、これによつてこれら４層
全ての不要な部分を除去しながら多巻回数インダクタを
形成する。その後、高透磁率材料212をめつき又は蒸着
により残された多巻回数インダクタの両側に被覆するこ
とによつて磁気回路を完成する。 この高透磁率材料層を制御可能に磁気的にバイアスす
る装置は、この高透磁率材料層に隣接して永久に固定さ
れている高透磁率永久磁化可能材層以外のものである
が、これも本発明の範囲に属する。したがつて、たとえ
ば、第15図の部分断面図に示されるように、マーカ214
の含む誘電体薄板216はその両側面上に対向する多巻回
数螺旋インダクタ218、220をそれぞれ有するとともに、
対向する導電路で分布コンデンサを形成し、これらが共
振回路を完成している。マーカ214の両側面上には、高
透磁率材料層222と224が配置され、これらは多巻回数イ
ンダクタ218と220の１枝路を取り囲む。高透磁率材料層
222と224の部分は、誘電体薄板216の端を超えて延びて
磁気的に互に結合されることによつて閉磁気回路を形成
する。しかしながら、層222と224が重なり合い領域にお
いてできるだけ互に近づき合うのではなくて、これらの
層が永久的に分離されていて、高保磁力永久磁化可能材
料片226を取外し可能に両層の間に作られるギヤツプ内
にそう入できるようにされている。それ故、マーカを活
性化するとき、高保磁力永久磁化可能材料片226をギヤ
ツプ内にそう入する。これによつて、発生したバイアス
磁界が高透磁率材料層222と224の磁気状態の変化を防止
し、したがつてヒステリシス損は起こらず、マーカ内回
路のＱは低減せず、故にマーカは検出可能となる。一
方、マーカを不活性化するとき、片226を取り外し、こ
れによつて対向する高透磁率材料層222と224の間の磁気
結合を許容する。この結果成立した閉磁気回路がマーカ
内回路のＱを検出可能点より下に低減させる。なお、こ
こで、注目したいのは、活性化用の取外し可能磁化材料
片226はギヤツプ内に嵌込みできるような形状を必ずし
も持たなくてよい、ということである。このような磁化
可能片は高透磁率材料層に隣接してこれらを置く余地さ
えあればそこに配置されてこの片でこの高透磁率材料層
をマーカを検出するに充分に飽和させるのである。 変更実施例においては、活性化・不活性化マーカにフ
エライト材料片を具備し、この片を多巻回数インダクタ
の少くとも１枝路に隣接して置くようにしている。それ
故、またたとえば、多巻回数インダクタ全体に重なり合
うに充分な大きさの低保磁力フエライト層がマーカを完
全に不活性化するに充分であることが判明しており、な
おまたゴム接着バリウムフエライトのような上記と同じ
ような大きさの永久磁化材料層をマーカに隣接して置く
ことによつてこれを再活性化できる。このようなフエラ
イト材料は、非導電性であり、マーカ内回路のＱに認め
られるようなしやへい作用又は有害作用を与えないこと
が、検証されている。しかしながら、このような構成配
置はフエライト材料片について論じた前者の実施例ほど
には望ましくない。それはフエライト材料がこれと同量
のパーマロイ材料より高価であるからである。フエライ
ト材料を使用する好適実施例は、パーマロイ材料の包み
によつた実施例と同じように多巻回数インダクタの１枝
路の両側の２枚の小さなフエライト材料片を利用するも
のである。この構成配置で約9.5mm²のフエライト材料片
を利用したとき、マーカは完全に不活性化されまたマー
カに隣接して置かれたゴム接着フエライト材料の永久磁
化材料片でマーカを活性化したとき104cmの距離を置い
てこれを検出可能であつた。 不活性化・活性化マーカの使用が望まれる本発明によ
る電子式物品監視装置の斜視図が第16図に示されてい
る。これで判るように、監視装置230は、隣り合う壁234
と236によつて区画された出口内のような調査領域232を
規定するように設置されるのが望ましい。壁234に隣接
してアンテナパネル237が据えられ、この中に送信アン
テナと受信アンテナが置かれる。これらのアンテナは、
送信回路238、受信回路240にそれぞれ接続される。送信
回路238は電磁信号を発射し、この信号は送信パネル237
内の送信アンテナを経由して調査領域232内に無線周波
数の電磁界を発生する。本発明のマーカ244が付設され
た物品242の調査領域通過の際、マーカはその活性化状
態にある場合励起されてその回路が共振周波数で発振を
生じる。この発振はアンテナパネル237内の受信アンテ
ナで受信され、受信振動は受信回路240に送られ、この
中の検出回路が受信信号を他の電磁雑音から区別してこ
れを拾い、受信信号が適当なときには、警報信号を発す
る。不活性化・活性化装置246は勘定場内などのように
調査領域に隣接した便利な場所に配置される。不活性化
・活性化装置246は、好適には、単方向又は双方向いず
れかに制御される磁界を発生する装置を有する。マーカ
内に含まれる永久磁化可能部材を磁化したい場合には、
装置246によつて単方向磁界を発生しこれによつてマー
カを活性化する。一方、マーカを不活性化したい場合に
は、装置246によつて交番磁界を発生し、この結果、マ
ーカが装置246から次第に遠ざかるに従つて、マーカ内
の永久磁化可能部材が次第に強度を減少する交番磁界に
晒され、同部材は最終的には減磁状態に維持される。こ
れに代えて、当業者に明かなように、交番磁界そのもの
の強度を次第に減少させていつても、磁化可能部材を減
磁状態に維持することができる。 ［発明の効果］ 電子式物品監視装置に使用されるものであつて無線周
波数共振回路を含んだマーカに、高透磁率低保磁力材料
と高保磁力磁化可能材料の各薄層を組合せた磁気要素を
付加することによつて、電磁気理論と作用を巧みに利用
して、外部から遠隔的に印加する磁界を制御することに
よつて信頼性ある不活性化すなわち検出不能状態と再活
性化すなわち検出可能状態との間のスイツチングが可能
な、製造が容易、経済的、かつ機能・構成・寸法上実用
的なマーカを提供することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明によるマーカの一実施例の平面図、 第２図は第１図に示す実施例の線２−２に沿う断面図、 第３図は本発明によるマーカの他の実施例の平面図、 第４図は第３図に示す実施例の線３−３に沿う断面図、 第５図は本発明によるマーカのさらに他の実施例の断面
図、 第６図は本発明によるマーカのさらに他の実施例の断面
図、 第７図は本発明によるマーカのさらに他の実施例の断面
図、 第８図は離散的コンデンサと多巻回数巻線を巻いたイン
ダクタを利用する本発明によるマーカのさらに他の実施
例の平面図、 第９図は印刷回路構成を利用する本発明によるマーカの
さらに他の実施例の平面図、 第10図は第９図に示す実施例の線10−10に沿う断面図、 第11図は本発明によるマーカのさらに他の実施例の平面
図、 第12図はインダクタの各巻線を覆う個々の磁気材料片を
利用する本発明のマーカのさらに他の実施例の部分平面
図、 第13図は第12図に示された実施例の線13−13に沿う断面
図、 第14図は本発明によるマーカの第12図及び第13図に示す
ものと類似の実施例の断面図、 第15図は取外し可能永久磁化可能材料片を利用する本発
明のマーカのさらに他の実施例の部分断面図、 第16図は本発明によるマーカを使用する電子式物品監視
装置の斜視図である。 ［記号の説明］ 10……マーカ 12……誘電体薄板 14……金属層 16……インダクタ 26……磁気要素 28,30……インダクタの枝路 32……絶縁層 36……高透磁率低保磁力層 38……感圧層 40,42……高保磁力永久磁化材料層 44……絶縁接着層 46……高透磁率低保磁力層 48,50……高保磁力永久磁化可能材料層 52……マーカ 54……磁気要素 56……誘電体薄板 58,60……インダクタ 62,64……高透磁率材料層 70,72……高保磁力永久磁化可能材料層 78……マーカ 80……誘電体薄板 82,84……インダクタ 86……磁気要素 90,92……高透磁率材料層 96,98……高保磁力永久磁化可能材料層 100……誘電体薄板 102,104……インダクタ 106……磁気要素 108,110,112,114……高透磁率低保磁力材料層 116,118,120,122……高透磁率低保磁力材料層 124……マーカ 126……誘電体薄板 128,130……インダクタ 131……磁気要素 132,134,136,138……高透磁率低保磁力材料層 140,142……高保磁力永久磁化可能材料層 144……マーカ 146……インダクタ 150……磁気要素 152……高透磁率材料 156……マーカ 158……インダクタ 160……誘電体薄板 172……磁気要素 174……誘電体薄板 176……インダクタ 180……高透磁率材料 182……高保磁力永久磁化可能材料層 188……マーカ 190……インダクタ 191……マーカ 192……磁気要素 193……誘電体薄板 194……インダクタ 196……磁気要素 198……高透磁率材料層 200……高保磁力材料層 202……誘電体薄板 204……高透磁率材料層 206……良導電材料層 208……高透磁率材料層 210……高保磁力材料層 212……高透磁率材料層 214……マーカ 216……誘電体薄板 218,220……インダクタ 222,224……高透磁率材料層 226……磁化材料片 230……電子式物品監視装置 232……調査領域 238……送信回路 240……受信回路 246……不活性化・活性化装置

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．同調用共振回路のＱの値が所定値を越えたとき前記
   同調用共振回路の発振を検出する受信装置を備えた電子
   式物品監視装置に使用されるマーカであって、前記共振
   回路は誘導性要素及び容量性要素を有して、活性状態に
   おいて発振を生じるための前記所定値より大きいＱの値
   を持って、また不活性化状態では発振を生じないように
   前記所定値より小さくされたＱの値を持つ前記共振回路
   と；前記誘導性要素は１又は１より多い巻回数の巻部か
   ら成っており、該巻部の少なくとも一部分をとりまく磁
   気回路を形成する磁気材料から成る少なくとも１つの部
   材と、前記活性化状態又は不活性化状態を生じるために
   前記磁気材料を磁気的にバイアス状態又は非バイアス状
   態にするための磁気バイアス手段とを包含することを特
   徴とするマーカ。 ２．特許請求の範囲第１項記載のマーカにおいて、前記
   磁気バイアス手段は前記磁気材料に隣接して永久磁化可
   能材料を含むことを特徴とするマーカ。 ３．特許請求の範囲第２項記載のマーカにおいて、前記
   磁気材料は印加磁界によって飽和するような磁化可能な
   フエリ磁性材料を含むことと、前記永久磁化可能材料は
   磁化状態において前記磁気材料を飽和するに充分な強さ
   の外部磁界を前記磁気材料上に発生させる材料を含むこ
   とを特徴とするマーカ。 ４．電子式物品監視装置であって、 ａ）調査領域内に無線周波数の電磁界を発生させる電磁
   界発生手段と、 ｂ）所定値より大きいＱの値を持って所定周波数で発振
   する同調用共振回路であって前記電磁界に応答して前記
   所定周波数でエネルギーを吸収して放射するための前記
   共振回路を含むマーカ手段と、 ｃ）前記マーカ手段内の実効Ｑの値が前記所定値を超え
   たとき前記マーカ手段からの放射エネルギーを受信しか
   つ前記エネルギーに応答して出力を供給する受信手段と
   を包含し： 前記共振回路は誘導性要素及び容量性要素を有して、活
   性状態において発振を生じるための前記所定値より大き
   いＱの値を持って、また不活性化状態では発振を生じな
   いように前記所定値より小さくされたＱの値を持つ前記
   共振回路と；前記誘導性要素は１又は１より多い巻回数
   の巻部から成っており、該巻部の少なくとも一部分をと
   りまく磁気回路を形成する磁気材料から成る少なくとも
   １つの部材と、前記活性化状態又は不活性化状態を生じ
   るために前記磁気材料を磁気的にバイアス状態又は非バ
   イアス状態にするための磁気バイアス手段とを前記マー
   カ手段が有することを特徴とする電子式物品監視装置。 ５．特許請求の範囲第４項記載の電子式物品監視装置に
   おいて、前記バイアス手段は前記磁気材料に隣接して置
   かれた永久磁化可能材料を含むことを特徴とする電子式
   物品監視装置。