JP2754803B2 - イメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
イメージセンサおよびその製造方法Info
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- JP2754803B2 JP2754803B2 JP1301714A JP30171489A JP2754803B2 JP 2754803 B2 JP2754803 B2 JP 2754803B2 JP 1301714 A JP1301714 A JP 1301714A JP 30171489 A JP30171489 A JP 30171489A JP 2754803 B2 JP2754803 B2 JP 2754803B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ、デジタル複写機等の入力部
において、原稿情報を高解像度で読み取るための、長尺
状イメージセンサとその製造方法に関する。
において、原稿情報を高解像度で読み取るための、長尺
状イメージセンサとその製造方法に関する。
従来の技術 近年、イメージセンサはインテリジェントなOA化、FA
化に伴い、ファクシミリ、デジタルコピー、コンピュー
タへの画像入力装置等として開発が進められている。特
に、画像の高品位な読み取りに対する要望は、非常に強
まっている。このためにはイメージセンサの材料とし
て、単結晶シリコンを用いるのが性能的に優位である。
化に伴い、ファクシミリ、デジタルコピー、コンピュー
タへの画像入力装置等として開発が進められている。特
に、画像の高品位な読み取りに対する要望は、非常に強
まっている。このためにはイメージセンサの材料とし
て、単結晶シリコンを用いるのが性能的に優位である。
一方、密着型イメージセンサは、原稿サイズに等しい
長さの読み取り幅が必要であるのに対し、１チップの取
み取り幅は、シリコンのウエハサイズで規制されるた
め、複数個のイメージセンサチップを連続的に配置しな
ければならない。その一例を第12図に示す。21は基板で
あり、22はイメージセンサチップ群である。ここで、こ
れらのイメージセンサチップ22を、主走査方向に一列に
いかに高精度に位置決めを行うかが高品位な読み取りの
必要条件である。このために、イメージセンサチップ22
の両端を各両端の受光部と最小限の間隔を残して高精度
ダイシングを行い、そのチップ群を主走査方向に一列に
チップ端がちょうど接触するような機械精度で位置合わ
せを行う製造方法が開発されている。
長さの読み取り幅が必要であるのに対し、１チップの取
み取り幅は、シリコンのウエハサイズで規制されるた
め、複数個のイメージセンサチップを連続的に配置しな
ければならない。その一例を第12図に示す。21は基板で
あり、22はイメージセンサチップ群である。ここで、こ
れらのイメージセンサチップ22を、主走査方向に一列に
いかに高精度に位置決めを行うかが高品位な読み取りの
必要条件である。このために、イメージセンサチップ22
の両端を各両端の受光部と最小限の間隔を残して高精度
ダイシングを行い、そのチップ群を主走査方向に一列に
チップ端がちょうど接触するような機械精度で位置合わ
せを行う製造方法が開発されている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のように、イメージセンサチップ
22の位置決めを機械的精度で行う製造方法では第13図ａ
のようなイメージセンサチップ22間での位置ずれによる
読み取りラインの急激な空間的とび23、または第13図ｂ
のようなイメージセンサチップ22の直線性からのずれに
よる読み取りラインの漸近的なゆがみ24等が生じるた
め、読み取り品位を著しく劣化させるという問題点を有
していた。
22の位置決めを機械的精度で行う製造方法では第13図ａ
のようなイメージセンサチップ22間での位置ずれによる
読み取りラインの急激な空間的とび23、または第13図ｂ
のようなイメージセンサチップ22の直線性からのずれに
よる読み取りラインの漸近的なゆがみ24等が生じるた
め、読み取り品位を著しく劣化させるという問題点を有
していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、イメージセンサチップ
の位置決めを高精度にかつ簡便に行うことを可能にした
イメージセンサおよびその製造方法を提供するものであ
る。
の位置決めを高精度にかつ簡便に行うことを可能にした
イメージセンサおよびその製造方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、本発明のイメージセンサ
は、透明基板上の主走査方向にほぼ連続して一列に配置
した複数個のイメージセンサチップの透明基板側に受光
部および互いに所定の間隔だけ離れた位置に複数個の位
置合わせ用受光部を設け、透明基板のイメージセンサチ
ップ配置部側には位置合わせ用受光部に対応した位置に
受光部用遮光部とその周囲に受光部用透光部を有する受
光部用位置合わせマークを設けたものである。
は、透明基板上の主走査方向にほぼ連続して一列に配置
した複数個のイメージセンサチップの透明基板側に受光
部および互いに所定の間隔だけ離れた位置に複数個の位
置合わせ用受光部を設け、透明基板のイメージセンサチ
ップ配置部側には位置合わせ用受光部に対応した位置に
受光部用遮光部とその周囲に受光部用透光部を有する受
光部用位置合わせマークを設けたものである。
作用 本発明は上記の構成により、透明基板の遮光部とは反
対側から入射した光を位置合わせ用受光部で検出し、こ
の検出レベルをもとにイメージセンサチップを可動させ
ることにより位置合わせを光学的精度で行うことが可能
となる。
対側から入射した光を位置合わせ用受光部で検出し、こ
の検出レベルをもとにイメージセンサチップを可動させ
ることにより位置合わせを光学的精度で行うことが可能
となる。
実施例 以下、本発明の一実施例のイメージセンサについて図
面を参照しながら説明する。第１図は、本発明の第１の
実施例におけるイメージセンサチップの平面図であり、
第２図は透明基板の平面図である。１はイメージセンサ
チップ、２は受光部、３は位置合わせ用受光部である。
また４は透明基板、５は受光部用位置合わせマーク、６
は導体層である。受光部２は原稿の情報を光電変換する
読み取り用である。位置合わせ用受光部３は互いに所定
の間隔離れた位置に複数個設ければよいが、位置精度を
向上させるにはできるだけ間隔をあけ、例えば第１図の
ように、イメージセンサチップ１の端近くに設けるとよ
りよい。また位置合わせ用受光部３の大きさはあまり小
さいと、感度が低くなり、精度悪化の原因となるので、
読み取り用受光部の１つと同じ程度の大きさにするのが
望ましい。
面を参照しながら説明する。第１図は、本発明の第１の
実施例におけるイメージセンサチップの平面図であり、
第２図は透明基板の平面図である。１はイメージセンサ
チップ、２は受光部、３は位置合わせ用受光部である。
また４は透明基板、５は受光部用位置合わせマーク、６
は導体層である。受光部２は原稿の情報を光電変換する
読み取り用である。位置合わせ用受光部３は互いに所定
の間隔離れた位置に複数個設ければよいが、位置精度を
向上させるにはできるだけ間隔をあけ、例えば第１図の
ように、イメージセンサチップ１の端近くに設けるとよ
りよい。また位置合わせ用受光部３の大きさはあまり小
さいと、感度が低くなり、精度悪化の原因となるので、
読み取り用受光部の１つと同じ程度の大きさにするのが
望ましい。
一方、透明基板４上には、導体層６と位置合わせマー
ク５を形成している。
ク５を形成している。
第３図に位置合わせマークの拡大図を示す。７は受光
部用遮光部、８は受光部用透光部である。受光部用遮光
部７はイメージセンサチップ１の位置合わせ用受光部３
に対応した位置にあり、その周囲には受光部用透光部８
を設ける。受光部用遮光部７は位置合わせ用受光部３と
ほぼ同じ形であればよいが、製造方法のより簡略化のた
めには、受光部２に平行な方向および垂直な方向に対称
線をもつ長方形もしくは正方形が望ましい。また受光部
用遮光部７の大きさは位置合わせ用受光部３と同じ大き
さもしくは最大でも位置合わせ許容誤差分だけ大きいも
のである必要がある。
部用遮光部、８は受光部用透光部である。受光部用遮光
部７はイメージセンサチップ１の位置合わせ用受光部３
に対応した位置にあり、その周囲には受光部用透光部８
を設ける。受光部用遮光部７は位置合わせ用受光部３と
ほぼ同じ形であればよいが、製造方法のより簡略化のた
めには、受光部２に平行な方向および垂直な方向に対称
線をもつ長方形もしくは正方形が望ましい。また受光部
用遮光部７の大きさは位置合わせ用受光部３と同じ大き
さもしくは最大でも位置合わせ許容誤差分だけ大きいも
のである必要がある。
つぎに第４図にイメージセンサチップ１と透明基板４
との高精度の位置合わせの方法を示している。まず、イ
メージセンサチップ１の受光部２および位置合わせ用受
光部３を作り込んでいる面と透明基板４の導体層６およ
び位置合わせマーク５の受光部用遮光部７を作り込んで
いる面を向かい合わせ、大まかな位置合わせを行う。こ
れはイメージセンサチップ１のボンディングパッド９と
導体層６が電気的に接続できる程度の位置合わせ精度で
よい。次に、電気的接続がとれるまで、イメージセンサ
チップ１を加圧する。この電気的接続がとれると、位置
合わせ用受光部３の信号出力を検出することができる。
そこで、透明基板４の受光部用遮光部７とは反対の側か
ら位置検出用入射光10を位置合わせ用受光部３に入射さ
せる。この入射光は透明基板４の面に垂直に近い平行光
線が高い位置精度を得るためには望ましい。
との高精度の位置合わせの方法を示している。まず、イ
メージセンサチップ１の受光部２および位置合わせ用受
光部３を作り込んでいる面と透明基板４の導体層６およ
び位置合わせマーク５の受光部用遮光部７を作り込んで
いる面を向かい合わせ、大まかな位置合わせを行う。こ
れはイメージセンサチップ１のボンディングパッド９と
導体層６が電気的に接続できる程度の位置合わせ精度で
よい。次に、電気的接続がとれるまで、イメージセンサ
チップ１を加圧する。この電気的接続がとれると、位置
合わせ用受光部３の信号出力を検出することができる。
そこで、透明基板４の受光部用遮光部７とは反対の側か
ら位置検出用入射光10を位置合わせ用受光部３に入射さ
せる。この入射光は透明基板４の面に垂直に近い平行光
線が高い位置精度を得るためには望ましい。
第５図では、位置合わせ用受光部３と受光部用遮光部
７との相対位置Δｘに対してその検知出力電圧Ｖの関係
を示している。例えば大まかな位置合わせにより一例と
して第６図ａのようにΔx2だけずれた位置まで位置が合
ったとする。この時、位置合わせ用受光部３の出力はV2
だけ出力される。つぎにΔx1だけずれた位置にもってく
ると出力はV1まで小さくなる。最後に第６図Ｃのよう
に、相対位置が０に近ずくと、入射光10は受光部用遮光
部７でさえぎられ、位置合わせ用受光部３の出力も小さ
くなり、最小値V0に近づく。したがって位置合わせ用受
光部３の検知出力を最小にする方向にイメージセンサチ
ップ１を動かすことにより、光学精度で透明基板４との
位置合わせを行うことができる。その後、さらにイメー
ジセンサチップ１を透明基板４に加圧して、十分な電気
的接続をとればよい。このような順次、全てのイメージ
センサチップ１で位置合わせを行い、電気的接続をとる
ことにより、高精度に実装された、読み取り品位の高い
イメージセンサを得ることができる。
７との相対位置Δｘに対してその検知出力電圧Ｖの関係
を示している。例えば大まかな位置合わせにより一例と
して第６図ａのようにΔx2だけずれた位置まで位置が合
ったとする。この時、位置合わせ用受光部３の出力はV2
だけ出力される。つぎにΔx1だけずれた位置にもってく
ると出力はV1まで小さくなる。最後に第６図Ｃのよう
に、相対位置が０に近ずくと、入射光10は受光部用遮光
部７でさえぎられ、位置合わせ用受光部３の出力も小さ
くなり、最小値V0に近づく。したがって位置合わせ用受
光部３の検知出力を最小にする方向にイメージセンサチ
ップ１を動かすことにより、光学精度で透明基板４との
位置合わせを行うことができる。その後、さらにイメー
ジセンサチップ１を透明基板４に加圧して、十分な電気
的接続をとればよい。このような順次、全てのイメージ
センサチップ１で位置合わせを行い、電気的接続をとる
ことにより、高精度に実装された、読み取り品位の高い
イメージセンサを得ることができる。
つぎに本発明の第２の実施例について説明する。第７
図は本発明の第２の実施例におけるイメージセンサチッ
プの平面図であり、第８図は透明基板の平面図である。
同図において、第１図，第２図と同等部分には同一番号
を付し説明を省略する。11は位置合わせ用反射部、12は
反射部用位置合わせマークである。位置合わせ用反射部
11は反射率の高い物質でイメージセンサチップ１上に作
り込んだものである。例えば、アルミニウムで形成する
と簡単に作り込むことができる。またこの位置合わせ用
反射部11を設ける位置、大きさ等は、位置合わせ用受光
部３と同様とするのが望ましい。
図は本発明の第２の実施例におけるイメージセンサチッ
プの平面図であり、第８図は透明基板の平面図である。
同図において、第１図，第２図と同等部分には同一番号
を付し説明を省略する。11は位置合わせ用反射部、12は
反射部用位置合わせマークである。位置合わせ用反射部
11は反射率の高い物質でイメージセンサチップ１上に作
り込んだものである。例えば、アルミニウムで形成する
と簡単に作り込むことができる。またこの位置合わせ用
反射部11を設ける位置、大きさ等は、位置合わせ用受光
部３と同様とするのが望ましい。
一方、反射部用位置合わせマーク12の拡大図を第９図
に示す。13は反射部用透光部、14は反射部用遮光部であ
る。反射部用透光部13はイメージセンサチップ１の位置
合わせ用反射部11に対応した位置にあり、その周囲には
反射部用遮光部14を設ける。反射部用透光部13は位置合
わせ反射部11とほぼ同じ形であればよい。しかし、製造
方法の簡略化のためには、受光部２に平行な方向および
垂直な方向に対称線をもつ、長方形または正方形が望ま
しい。また反射部用透光部13の大きさは位置合わせ用反
射部11と同じ大きさまたは最小でも、位置合わせ許容誤
差分だけ小さいものが必要である。
に示す。13は反射部用透光部、14は反射部用遮光部であ
る。反射部用透光部13はイメージセンサチップ１の位置
合わせ用反射部11に対応した位置にあり、その周囲には
反射部用遮光部14を設ける。反射部用透光部13は位置合
わせ反射部11とほぼ同じ形であればよい。しかし、製造
方法の簡略化のためには、受光部２に平行な方向および
垂直な方向に対称線をもつ、長方形または正方形が望ま
しい。また反射部用透光部13の大きさは位置合わせ用反
射部11と同じ大きさまたは最小でも、位置合わせ許容誤
差分だけ小さいものが必要である。
つぎに第10図にイメージセンサチップ１と透明基板４
との高精度の位置合わせの方法を示す。第４図と異なる
所は以下の点である。すなわち、既述と同様の大まかな
位置合わせを行った後、透明基板４上のイメージセンサ
チップ配置部側と反対側から位置検出用入射光15を入射
させる。反射部用透光部13を通った光が位置合わせ用反
射部11にあたり、その反射光16が再び反射部用透光部13
を通って、透明基板外に出射される。これを外部光検知
器17において、検知する。
との高精度の位置合わせの方法を示す。第４図と異なる
所は以下の点である。すなわち、既述と同様の大まかな
位置合わせを行った後、透明基板４上のイメージセンサ
チップ配置部側と反対側から位置検出用入射光15を入射
させる。反射部用透光部13を通った光が位置合わせ用反
射部11にあたり、その反射光16が再び反射部用透光部13
を通って、透明基板外に出射される。これを外部光検知
器17において、検知する。
第11図に位置合わせ用反射部11と反射部用透光部13と
の相対位置に対する、検知出力の関係を示す。第５図と
異なり、相対位置が０に近づくと、検知出力も大きくな
り最大値に近づく。したがって位置合わせ用反射部11か
らの反射光16の検知出力を最大にする方向にイメージセ
ンサチップ１を動かすことにより、高精度な位置合わせ
を行うことができる。そのあとイメージセンサチップ１
を透明基板４に加圧して十分な電気的接続をとればよ
い。このように、順次全てのイメージセンサチップ１で
位置合わせを行い、電気的接続をとることにより、高精
度な実装が可能となる。
の相対位置に対する、検知出力の関係を示す。第５図と
異なり、相対位置が０に近づくと、検知出力も大きくな
り最大値に近づく。したがって位置合わせ用反射部11か
らの反射光16の検知出力を最大にする方向にイメージセ
ンサチップ１を動かすことにより、高精度な位置合わせ
を行うことができる。そのあとイメージセンサチップ１
を透明基板４に加圧して十分な電気的接続をとればよ
い。このように、順次全てのイメージセンサチップ１で
位置合わせを行い、電気的接続をとることにより、高精
度な実装が可能となる。
発明の効果 以上のように本発明は、透明基板上の主走査方向にほ
ぼ連続して一列に配置した複数個のイメージセンサチッ
プの透明基板側に受光部および互いに所定の間隔離れた
位置に複数個の位置合わせ用受光部を設け、透明基板の
イメージセンサチップ配置部側には位置合わせ用受光部
に対応した位置に受光部用遮光部とその周囲に受光部用
透光部を有する受光部用位置合わせマークを設けること
により、高精度に実装された読み取り品位の高いイメー
ジセンサを得ることができる。
ぼ連続して一列に配置した複数個のイメージセンサチッ
プの透明基板側に受光部および互いに所定の間隔離れた
位置に複数個の位置合わせ用受光部を設け、透明基板の
イメージセンサチップ配置部側には位置合わせ用受光部
に対応した位置に受光部用遮光部とその周囲に受光部用
透光部を有する受光部用位置合わせマークを設けること
により、高精度に実装された読み取り品位の高いイメー
ジセンサを得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるイメージセンサ
チップの平面図、第２図はそのイメージセンサチップを
配置する透明基板の平面図、第３図は第２図の受光部用
位置合わせマークの拡大平面図、第４図は本発明の第１
の実施例におけるイメージセンサの製造方法を説明する
ための図、第５図は位置合わせ誤差に対する位置合わせ
用受光部の検知出力電圧の特性図、第６図a,b,cは第５
図の代表的な位置における位置合わせ誤差を説明するた
めの図、第７図は本発明の第２の実施例におけるイメー
ジセンサチップの平面図、第８図はそのイメージセンサ
チップを配置する透明基板の平面図、第９図は第８図の
位置合わせマークの拡大平面図、第10図は本発明の第２
の実施例におけるイメージセンサの製造方法を説明する
ための図、第11図は位置合わせ誤差に対する位置合わせ
用反射部からの反射光の検知出力電圧の特性図、第12図
は従来のイメージセンサの斜視図、第13図a,bは従来の
イメージセンサの位置ずれに伴う読み取りラインの歪を
示す図である。 １……イメージセンサチップ、２……受光部、３……位
置合わせ用受光部、４……透明基板、５……受光部用位
置合わせマーク、６……導体層、７……受光部用遮光
部、８……受光部用透光部、９……ボンディングパッ
ド、10……位置検出用入射光、11……位置合わせ用反射
部、12……反射部用位置合わせマーク、13……反射部用
透光部、14……反射部用遮光部、15……位置検出用入射
光、16……位置検出用反射光、17……外部光検知器。
チップの平面図、第２図はそのイメージセンサチップを
配置する透明基板の平面図、第３図は第２図の受光部用
位置合わせマークの拡大平面図、第４図は本発明の第１
の実施例におけるイメージセンサの製造方法を説明する
ための図、第５図は位置合わせ誤差に対する位置合わせ
用受光部の検知出力電圧の特性図、第６図a,b,cは第５
図の代表的な位置における位置合わせ誤差を説明するた
めの図、第７図は本発明の第２の実施例におけるイメー
ジセンサチップの平面図、第８図はそのイメージセンサ
チップを配置する透明基板の平面図、第９図は第８図の
位置合わせマークの拡大平面図、第10図は本発明の第２
の実施例におけるイメージセンサの製造方法を説明する
ための図、第11図は位置合わせ誤差に対する位置合わせ
用反射部からの反射光の検知出力電圧の特性図、第12図
は従来のイメージセンサの斜視図、第13図a,bは従来の
イメージセンサの位置ずれに伴う読み取りラインの歪を
示す図である。 １……イメージセンサチップ、２……受光部、３……位
置合わせ用受光部、４……透明基板、５……受光部用位
置合わせマーク、６……導体層、７……受光部用遮光
部、８……受光部用透光部、９……ボンディングパッ
ド、10……位置検出用入射光、11……位置合わせ用反射
部、12……反射部用位置合わせマーク、13……反射部用
透光部、14……反射部用遮光部、15……位置検出用入射
光、16……位置検出用反射光、17……外部光検知器。
Claims (6)
- 【請求項１】透明基板と、その透明基板上の主走査方向
に一列に配置した複数個のイメージセンサチップを備
え、前記イメージセンサチップの前記透明基板側に受光
部および互いに所定間隔はなれた位置に複数個の位置合
わせ用受光部を設け、前記透明基板のイメージセンサチ
ップ配置部側には前記位置合わせ用受光部に対応した位
置に受光部用遮光部とその周囲に受光部用透光部を有す
る受光部用位置合わせマークを設けたイメージセンサ。 - 【請求項２】受光部用遮光部が位置合わせ用受光部とほ
ぼ同じ形で同じ大きさまたは最大でも位置合わせ許容誤
差分だけ大きくした請求項１記載のイメージセンサ。 - 【請求項３】請求項１または２記載のイメージセンサの
透明基板上のイメージセンサチップ配置部側と反対の側
から光を入射させ、透明基板上に形成された受光部用遮
光部にて減光した入射光をイメージセンサチップ上に形
成された位置合わせ用受光部で検出し、この検出レベル
をもとにイメージセンサチップを可動させてイメージセ
ンサチップの位置合わせをするイメージセンサの製造方
法。 - 【請求項４】透明基板と、その透明基板上の主走査方向
に一列に配置した複数個のイメージセンサチップを備
え、前記イメージセンサチップの前記透明基板側に受光
部および互いに所定の間隔はなれた位置に複数個の位置
合わせ用反射部を設け、前記透明基板のイメージセンサ
チップ配置部側には前記位置合わせ用反射部に対応した
位置に反射部用透光部とその周囲に反射部用遮光部を有
する反射部用位置合わせマークを設けたイメージセン
サ。 - 【請求項５】反射部用透光部が位置合わせ用反射部とほ
ぼ同じ形で同じ大きさまたは最小でも位置合わせ許容誤
差分だけ小さくした請求項４記載のイメージセンサ。 - 【請求項６】請求項４または５記載のイメージセンサの
透明基板上のイメージセンサチップ配置部側と反対の側
から光を入射させて前記イメージセンサチップの位置合
わせ用反射部にあて、この反射部からの反射光を再び反
射部用透光部を通して透明基板外に出射させ、その出射
光を検出してこの検出レベルをもとにイメージセンサチ
ップを可動させてイメージセンサチップの位置合わせを
するイメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301714A JP2754803B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301714A JP2754803B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161969A JPH03161969A (ja) | 1991-07-11 |
| JP2754803B2 true JP2754803B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17900271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1301714A Expired - Fee Related JP2754803B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754803B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011182302A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsubishi Electric Corp | イメージセンサ用基板 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1301714A patent/JP2754803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03161969A (ja) | 1991-07-11 |
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