JP2751814B2 - 波長多重面型発光素子の作製方法 - Google Patents
波長多重面型発光素子の作製方法Info
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- JP2751814B2 JP2751814B2 JP245594A JP245594A JP2751814B2 JP 2751814 B2 JP2751814 B2 JP 2751814B2 JP 245594 A JP245594 A JP 245594A JP 245594 A JP245594 A JP 245594A JP 2751814 B2 JP2751814 B2 JP 2751814B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は波長多重面型発光素子の
作製方法に関する。
作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光の並列性を生かした高密度かつ広帯域
な情報伝送において、二次元的に高密度に集積できる面
型発光素子が盛んに研究されている。一方、波長多重は
伝送帯域を拡大する方法として有望である。面型発光素
子の発光波長を多重する方法としては、エピタキシャル
成長中に意図的に膜厚を不均一にし、空間分布をもたせ
る方法が報告されている。これについては1991年発行の
雑誌アイトリプルイー・ジャーナル・オブ・カンタム・
エレクトロニクス（IEEE Journal of Quantum Electron
ics ）の1368頁から1376頁に掲載の論文「Multiple Wav
elength TunableSurface-Emitting Laser Arrays 」に
詳しく述べられている。例として分子線エピタキシー法
で成長中、基板回転機構を止めて、成長される膜厚を空
間的に不均一にし、ウェハ内に膜厚分布をもたせること
により、ウェハ上の位置によって発光波長が変化する結
果を得ている。
な情報伝送において、二次元的に高密度に集積できる面
型発光素子が盛んに研究されている。一方、波長多重は
伝送帯域を拡大する方法として有望である。面型発光素
子の発光波長を多重する方法としては、エピタキシャル
成長中に意図的に膜厚を不均一にし、空間分布をもたせ
る方法が報告されている。これについては1991年発行の
雑誌アイトリプルイー・ジャーナル・オブ・カンタム・
エレクトロニクス（IEEE Journal of Quantum Electron
ics ）の1368頁から1376頁に掲載の論文「Multiple Wav
elength TunableSurface-Emitting Laser Arrays 」に
詳しく述べられている。例として分子線エピタキシー法
で成長中、基板回転機構を止めて、成長される膜厚を空
間的に不均一にし、ウェハ内に膜厚分布をもたせること
により、ウェハ上の位置によって発光波長が変化する結
果を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成長中
に空間分布をつける方法では決まった方向に連続的に波
長が変化するために、周期的な変化や多重する場合の波
長間隔を厳密に制御することが困難である。
に空間分布をつける方法では決まった方向に連続的に波
長が変化するために、周期的な変化や多重する場合の波
長間隔を厳密に制御することが困難である。
【０００４】本発明は上記の欠点をなくし、任意の波長
間隔、多重波長数を厳密に設定可能な波長多重面型発光
素子の作製方法を提供することである。
間隔、多重波長数を厳密に設定可能な波長多重面型発光
素子の作製方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の波長多重面型発
光素子の作製方法は、まず、半導体基板上に屈折率の異
なる２種類の半導体を交互に積層した半導体多層膜反射
鏡と、電流注入によって光ゲインを生ずるpn接合構造を
この順にエピタキシャル成長した後、フォトリソグラフ
ィ及びエッチング工程によりこのpn接合構造のウェハに
少なくとも２種類の厚みの異なる部分を形成し、しかる
後に、その上に反射鏡を形成する。ここで、既pn接合構
造は最上部にエッチング方法の異なる２種類の半導体薄
膜を複数対積層した構造を含み、フォトリソグラフ及び
エッチングにより既半導体薄膜を部分的に除去する工程
を複数回繰り返すことにより、このpn接合構造の厚みを
変化させることを特徴としている。
光素子の作製方法は、まず、半導体基板上に屈折率の異
なる２種類の半導体を交互に積層した半導体多層膜反射
鏡と、電流注入によって光ゲインを生ずるpn接合構造を
この順にエピタキシャル成長した後、フォトリソグラフ
ィ及びエッチング工程によりこのpn接合構造のウェハに
少なくとも２種類の厚みの異なる部分を形成し、しかる
後に、その上に反射鏡を形成する。ここで、既pn接合構
造は最上部にエッチング方法の異なる２種類の半導体薄
膜を複数対積層した構造を含み、フォトリソグラフ及び
エッチングにより既半導体薄膜を部分的に除去する工程
を複数回繰り返すことにより、このpn接合構造の厚みを
変化させることを特徴としている。
【０００６】
【作用】従来の例ではウェハ上にできる膜厚分布は一方
向的、連続的に発光波長が変わるのみであるのに対し、
本発明ではエッチングにより膜厚に分布を設けるのが特
徴である。膜厚分布をつけるエッチング方法に関しては
精密に制御された薄膜を積層し、その積層構造にエッチ
ング方法の異なる２種類の半導体を用いることにより、
一層ずつ正確に除去することが可能であり、膜厚を制御
しながら膜厚分布をつけることができる。この上に再度
エピタキシャル成長で半導体多層膜反射鏡を形成するこ
とにより、エッチングによって設けた膜厚分布の通りに
共振波長が変化し、任意の場所の素子の発光波長を任意
に設定できる。
向的、連続的に発光波長が変わるのみであるのに対し、
本発明ではエッチングにより膜厚に分布を設けるのが特
徴である。膜厚分布をつけるエッチング方法に関しては
精密に制御された薄膜を積層し、その積層構造にエッチ
ング方法の異なる２種類の半導体を用いることにより、
一層ずつ正確に除去することが可能であり、膜厚を制御
しながら膜厚分布をつけることができる。この上に再度
エピタキシャル成長で半導体多層膜反射鏡を形成するこ
とにより、エッチングによって設けた膜厚分布の通りに
共振波長が変化し、任意の場所の素子の発光波長を任意
に設定できる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の作製方法によって作製され
た波長多重面型発光素子の実施例を示す図で、材料系と
して、基板にＧａＡｓ、発光層にＩｎＧａＡｓを用いた
場合を示している。ＩｎＧａＡｓの発光波長は９８０ナ
ノメートル付近である。
た波長多重面型発光素子の実施例を示す図で、材料系と
して、基板にＧａＡｓ、発光層にＩｎＧａＡｓを用いた
場合を示している。ＩｎＧａＡｓの発光波長は９８０ナ
ノメートル付近である。
【０００９】ＧａＡｓ基板１上にはまず、発光波長の１
／４の厚さのＧａＡｓ１１とＡｌＡｓ１２を２５周期積
層した多層膜反射鏡１０を形成し、その上にｎ形ＡｌＧ
ａＡｓ、アンドープのＩｎＧａＡｓ発光層、ｐ形ＡｌＧ
ａＡｓを集積した活性層構造１３と、各々厚さ数ナノメ
ートルのＧａＡｓ薄膜１４とＡｌＧａＡｓ薄膜１５の対
を複数対積層した薄膜積層構造１６を形成した。
／４の厚さのＧａＡｓ１１とＡｌＡｓ１２を２５周期積
層した多層膜反射鏡１０を形成し、その上にｎ形ＡｌＧ
ａＡｓ、アンドープのＩｎＧａＡｓ発光層、ｐ形ＡｌＧ
ａＡｓを集積した活性層構造１３と、各々厚さ数ナノメ
ートルのＧａＡｓ薄膜１４とＡｌＧａＡｓ薄膜１５の対
を複数対積層した薄膜積層構造１６を形成した。
【００１０】その後フォトリソグラフ及びエッチング工
程により素子３１部分についてＧａＡｓ１４とＡｌＧａ
Ａｓ１５を一対除去して薄膜積層構造１７を形成し、そ
の後、発光波長の１／４の厚さのｐ形ＡｌＡｓ２０とｐ
形ＧａＡｓ２１を１５周期積層した半導体多層膜反射鏡
２２を再度エピタキシャル成長によって形成した。
程により素子３１部分についてＧａＡｓ１４とＡｌＧａ
Ａｓ１５を一対除去して薄膜積層構造１７を形成し、そ
の後、発光波長の１／４の厚さのｐ形ＡｌＡｓ２０とｐ
形ＧａＡｓ２１を１５周期積層した半導体多層膜反射鏡
２２を再度エピタキシャル成長によって形成した。
【００１１】その後、フォトリソグラフ及びエッチング
工程により、素子３１と素子３２を分離し、半導体多層
膜反射鏡２２の上にアノード電極２３、エッチングした
部分にカソード電極２４を形成した。
工程により、素子３１と素子３２を分離し、半導体多層
膜反射鏡２２の上にアノード電極２３、エッチングした
部分にカソード電極２４を形成した。
【００１２】尚、素子からの発光はＧａＡｓ基板を鏡面
研磨した面から出射する。
研磨した面から出射する。
【００１３】半導体多層膜反射鏡１０および２２で挟ま
れた活性層構造１３と薄膜積層構造１６は、共振器構造
のスペーサ部分となる。活性層構造１３と薄膜積層構造
１６の合計の膜厚Ｔは発光波長λのＮ／２（Ｎは整数）
の厚みになるようにする。この厚みは最初に厳密に合わ
せる必要はなく、エッチング工程後、再度半導体多層膜
反射鏡２２をエピタキシャル成長する最初にＧａＡｓあ
るいはＡｌＧａＡｓを成長させて合わせる事ができる。
れた活性層構造１３と薄膜積層構造１６は、共振器構造
のスペーサ部分となる。活性層構造１３と薄膜積層構造
１６の合計の膜厚Ｔは発光波長λのＮ／２（Ｎは整数）
の厚みになるようにする。この厚みは最初に厳密に合わ
せる必要はなく、エッチング工程後、再度半導体多層膜
反射鏡２２をエピタキシャル成長する最初にＧａＡｓあ
るいはＡｌＧａＡｓを成長させて合わせる事ができる。
【００１４】ＧａＡｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５の膜厚
は、波長多重する波長の間隔に応じて設計される。本実
施例では、合計の膜厚Ｔを発光波長λの４．５倍（Ｎ＝
９）、波長間隔を２ナノメートルとして、ＧａＡｓ１４
とＡｌＧａＡｓ１５をそれぞれ３ナノメートルと設計し
た。
は、波長多重する波長の間隔に応じて設計される。本実
施例では、合計の膜厚Ｔを発光波長λの４．５倍（Ｎ＝
９）、波長間隔を２ナノメートルとして、ＧａＡｓ１４
とＡｌＧａＡｓ１５をそれぞれ３ナノメートルと設計し
た。
【００１５】ここで、ＧａＡｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５
は異なるエッチング方法で各々を選択的にエッチングで
きる材料の組合せである。ＧａＡｓの選択的なエッチン
グには、アンモニア、過酸化水素水、水の混合液を、Ａ
ｌＧａＡｓの選択的なエッチングには、塩酸と水の混合
液あるいはフッ酸、アンモニア、水の混合液等を使う。
は異なるエッチング方法で各々を選択的にエッチングで
きる材料の組合せである。ＧａＡｓの選択的なエッチン
グには、アンモニア、過酸化水素水、水の混合液を、Ａ
ｌＧａＡｓの選択的なエッチングには、塩酸と水の混合
液あるいはフッ酸、アンモニア、水の混合液等を使う。
【００１６】図２は複数の波長多重度を得るためのエッ
チング工程を示す実施例で、多重度が４の場合について
工程順に示してある。
チング工程を示す実施例で、多重度が４の場合について
工程順に示してある。
【００１７】一回目のフォトリソグラフ工程では図２
（ａ）に示すようにストライプ状のマスクによりエッチ
ングマスク５０を形成し、マスクされていない部分５１
のＧａＡｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５をそれぞれ選択的な
エッチングにより一対だけ除去する。
（ａ）に示すようにストライプ状のマスクによりエッチ
ングマスク５０を形成し、マスクされていない部分５１
のＧａＡｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５をそれぞれ選択的な
エッチングにより一対だけ除去する。
【００１８】一回目のエッチングにより、ウェハの断面
は図２（ｂ）の様になる。二回目のフォトリソグラフ工
程ではストライプマスク５２を一回目のストライプと直
交させて形成し、マスクされていない部分５３のＧａＡ
ｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５を２対除去する。
は図２（ｂ）の様になる。二回目のフォトリソグラフ工
程ではストライプマスク５２を一回目のストライプと直
交させて形成し、マスクされていない部分５３のＧａＡ
ｓ１４とＡｌＧａＡｓ１５を２対除去する。
【００１９】このようにして２回のエッチング工程を経
たウェハには膜厚の異なる４つの部分６０、６１、６
２、６３が周期的に形成されている。
たウェハには膜厚の異なる４つの部分６０、６１、６
２、６３が周期的に形成されている。
【００２０】図２（ｄ）から（ｇ）は周期膜厚分布６
３、６２、６１、６０の順にそれぞれの断面を示してい
る。なお、多重度が４以上についてはストライプマスク
形状の明暗の周期の異なるマスク複数用いることによ
り、上記の方法で実現できる。
３、６２、６１、６０の順にそれぞれの断面を示してい
る。なお、多重度が４以上についてはストライプマスク
形状の明暗の周期の異なるマスク複数用いることによ
り、上記の方法で実現できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハ上の膜厚分布を
精密に制御することができ、周期的に発光波長が多重で
きる面発光素子が実現できる。
精密に制御することができ、周期的に発光波長が多重で
きる面発光素子が実現できる。
【図１】本発明の実施例を示す図。
【図２】図２は本発明の製作工程を示す図。
【符号の説明】 １ ＧａＡｓ基板 １０、２２ 半導体多層膜反射鏡 １１ ｎ形ＧａＡｓ １２ ｎ型ＡｌＡｓ １３ pn接合活性層構造 １４ ｐ形ＧａＡｓ薄膜 １５ ｐ形ＡｌＧａＡｓ薄膜 １６ 薄膜積層構造 １７ 薄膜積層構造 ２０ ｐ形ＡｌＡｓ ２１ ｐ形ＧａＡｓ ２３ アノード電極 ２４ カソード電極 ３１、３２ 発光素子 ５０、５２ エッチングマスク部 ５１、５３ マスクされていない部分 ６０、６１、６２、６３ ウェハ上の周期膜厚分布
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に、屈折率の異なる２種類の
半導体を交互に積層した半導体多層膜反射鏡と、電流注
入によって光ゲインを生ずるpn接合構造をこの順にエピ
タキシャル成長した後、フォトリソグラフ及びエッチン
グ工程によりにより、前記pn接合構造が形成された半導
体基板に空間的に少なくとも２種類の厚みの異なる部分
を形成し、その上に反射鏡を形成し、その後メサエッチ
ングによる素子分離を行ない、電流注入電極形成を行う
ことを特徴とする波長多重面型発光素子の作製方法。 - 【請求項２】pn接合構造は最上部にエッチング方法の異
なる２種類の半導体薄膜を複数対積層した構造を含み、
フォトリソグラフ及びエッチングにより半導体薄膜を部
分的に除去する工程を複数回繰り返すことにより、pn接
合構造の厚みを変化させることを特徴とする請求項１記
載の波長多重面型発光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP245594A JP2751814B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 波長多重面型発光素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP245594A JP2751814B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 波長多重面型発光素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211986A JPH07211986A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2751814B2 true JP2751814B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=11529775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP245594A Expired - Lifetime JP2751814B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 波長多重面型発光素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751814B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012124821A1 (en) | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method |
| WO2013081176A1 (en) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator |
| EP2690725A2 (en) | 2012-07-23 | 2014-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser device and atomic oscillator |
| EP2808958A2 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-03 | Ricoh Company Ltd. | Surface-Emitting Laser Element and Atomic Oscillator |
| US9276378B2 (en) | 2011-07-07 | 2016-03-01 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser element and atomic oscillator |
| US9287682B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser device and atomic oscillator |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117699A (en) * | 1998-04-10 | 2000-09-12 | Hewlett-Packard Company | Monolithic multiple wavelength VCSEL array |
| JP2007214430A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチモード光通信システムおよび多波長面発光素子 |
| JP2016208049A (ja) * | 2011-03-17 | 2016-12-08 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
| JP2014022667A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
| JP6862658B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2021-04-21 | 株式会社リコー | 光増幅器、光増幅器の駆動方法及び光増幅方法 |
| JP2018073931A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP245594A patent/JP2751814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥ Ｊ．ＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣＴＲＯＮ．２７〜６！（１９９１）Ｐ．１３３２−１３４６ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012124821A1 (en) | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method |
| US9252567B2 (en) | 2011-03-17 | 2016-02-02 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method |
| US9276378B2 (en) | 2011-07-07 | 2016-03-01 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser element and atomic oscillator |
| WO2013081176A1 (en) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator |
| EP2690725A2 (en) | 2012-07-23 | 2014-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser device and atomic oscillator |
| US9287682B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser device and atomic oscillator |
| EP2808958A2 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-03 | Ricoh Company Ltd. | Surface-Emitting Laser Element and Atomic Oscillator |
| US9225149B2 (en) | 2013-05-31 | 2015-12-29 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser element and atomic oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07211986A (ja) | 1995-08-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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