JP2746074B2 - アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JP2746074B2 JP2746074B2 JP5236080A JP23608093A JP2746074B2 JP 2746074 B2 JP2746074 B2 JP 2746074B2 JP 5236080 A JP5236080 A JP 5236080A JP 23608093 A JP23608093 A JP 23608093A JP 2746074 B2 JP2746074 B2 JP 2746074B2
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- amorphous silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉと記す）層に発生した光起電力の取り出
しのために該ａ−Ｓｉ層表面を覆う金属電極が設けられ
るａ−Ｓｉ太陽電池の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ａ−Ｓｉ太陽電池の電極としては、光の
入射側に透明導電膜からなる透明電極が全面に設けら
れ、それに対向する電極に金属電極が全面に設けられる
構成が一般的である。この種の金属電極としてはアルミ
ニウム電極あるいはアルミニウムとチタンの積層電極が
知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの電極を
ＡｌあるいはＴｉの蒸着により形成する場合、金属のス
プラッシュあるいは突沸により金属粒子がａ−Ｓｉ層に
衝突しａ−Ｓｉ層に損傷を与えることがしばしばあり、
太陽電池の製造歩留りを低下させる原因となっていた。 【０００４】本発明は、上述の欠点を除去してより安定
した製造技術により製作できるａ−Ｓｉ太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、透明絶縁基板上に透明導電膜を介してア
モルファスシリコン層を設け、該層を全面的に覆うよう
に金属電極を形成して、前記基板側からの入射光により
発電を行う太陽電池の製造方法において、前記アモルフ
ァスシリコン層の成膜後、該アモルファスンリコン層上
の金属電極形成領域全面に昇華性導電物質よりなる中間
層を２０〜１００ｎｍの厚さ成膜し、その後蒸着により
金属電極を形成することが有効である。 【０００６】 【作用】本発明はａ−Ｓｉ太陽電池の蒸着で成膜する金
属電極とａ−Ｓｉ層との間に２０〜１００ｎｍの厚さの
昇華性導電物質よりなる中間層が介在することによって
金属電極蒸着時のａ−Ｓｉ層に対する金属粒子の作用を
緩衝して上述の目的を達成する。昇華性導電物質として
はＩＴＯ（インジウム，すず酸化物）ＳｎＯ２が用いら
れる。 【０００７】 【実施例】図１は本発明の一実施例を示すもので、ａ−
Ｓｉ層３は、例えばシランのグロー放電分解により透明
絶縁基板、例えば１ｍｍの厚さのガラス板１の上に例え
ば２０〜２００ｎｍの厚さの透明導電膜からなる透明電
極２を介して成膜されている。ａ−Ｓｉ層３は例えば１
μｍの厚さを有し、その上の全面に蒸着により昇華性導
電物質として２０〜１００ｎｍの厚さのＩＴＯ、ＳｎＯ
２などの膜４が形成され、その上を従来と同様に蒸着法
により成膜されたＡｌあるいはＡｌ／Ｔｉの金属電極５
が覆っている。金属電極の厚さは、例えば１〜２μｍで
ある。 【０００８】 【発明の効果】本発明によれば、ａ−Ｓｉ太陽電池の製
造方法において、金属電極を蒸着で成膜する前に、ａ−
Ｓｉ層の上に緩衝材として２０〜１００ｎｍの厚さの昇
華性導電物質を成膜する。昇華性導電物質は蒸着時にス
プラッシュ、突沸等が少ないのでａ−Ｓｉ層に障害を与
えることがない。そして２０〜１００ｎｍの厚さの昇華
性導電物質とすることで、その上に金属電極を蒸着する
際にスプラッシュ、突沸等により衝突する金属粒子に対
してａ−Ｓｉ層を保護する役目をする。従ってａ−Ｓｉ
層の損傷による不良率は低下し、ａ−Ｓｉ太陽電池の安
定した製造技術が得られる。
（以下ａ−Ｓｉと記す）層に発生した光起電力の取り出
しのために該ａ−Ｓｉ層表面を覆う金属電極が設けられ
るａ−Ｓｉ太陽電池の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ａ−Ｓｉ太陽電池の電極としては、光の
入射側に透明導電膜からなる透明電極が全面に設けら
れ、それに対向する電極に金属電極が全面に設けられる
構成が一般的である。この種の金属電極としてはアルミ
ニウム電極あるいはアルミニウムとチタンの積層電極が
知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの電極を
ＡｌあるいはＴｉの蒸着により形成する場合、金属のス
プラッシュあるいは突沸により金属粒子がａ−Ｓｉ層に
衝突しａ−Ｓｉ層に損傷を与えることがしばしばあり、
太陽電池の製造歩留りを低下させる原因となっていた。 【０００４】本発明は、上述の欠点を除去してより安定
した製造技術により製作できるａ−Ｓｉ太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、透明絶縁基板上に透明導電膜を介してア
モルファスシリコン層を設け、該層を全面的に覆うよう
に金属電極を形成して、前記基板側からの入射光により
発電を行う太陽電池の製造方法において、前記アモルフ
ァスシリコン層の成膜後、該アモルファスンリコン層上
の金属電極形成領域全面に昇華性導電物質よりなる中間
層を２０〜１００ｎｍの厚さ成膜し、その後蒸着により
金属電極を形成することが有効である。 【０００６】 【作用】本発明はａ−Ｓｉ太陽電池の蒸着で成膜する金
属電極とａ−Ｓｉ層との間に２０〜１００ｎｍの厚さの
昇華性導電物質よりなる中間層が介在することによって
金属電極蒸着時のａ−Ｓｉ層に対する金属粒子の作用を
緩衝して上述の目的を達成する。昇華性導電物質として
はＩＴＯ（インジウム，すず酸化物）ＳｎＯ２が用いら
れる。 【０００７】 【実施例】図１は本発明の一実施例を示すもので、ａ−
Ｓｉ層３は、例えばシランのグロー放電分解により透明
絶縁基板、例えば１ｍｍの厚さのガラス板１の上に例え
ば２０〜２００ｎｍの厚さの透明導電膜からなる透明電
極２を介して成膜されている。ａ−Ｓｉ層３は例えば１
μｍの厚さを有し、その上の全面に蒸着により昇華性導
電物質として２０〜１００ｎｍの厚さのＩＴＯ、ＳｎＯ
２などの膜４が形成され、その上を従来と同様に蒸着法
により成膜されたＡｌあるいはＡｌ／Ｔｉの金属電極５
が覆っている。金属電極の厚さは、例えば１〜２μｍで
ある。 【０００８】 【発明の効果】本発明によれば、ａ−Ｓｉ太陽電池の製
造方法において、金属電極を蒸着で成膜する前に、ａ−
Ｓｉ層の上に緩衝材として２０〜１００ｎｍの厚さの昇
華性導電物質を成膜する。昇華性導電物質は蒸着時にス
プラッシュ、突沸等が少ないのでａ−Ｓｉ層に障害を与
えることがない。そして２０〜１００ｎｍの厚さの昇華
性導電物質とすることで、その上に金属電極を蒸着する
際にスプラッシュ、突沸等により衝突する金属粒子に対
してａ−Ｓｉ層を保護する役目をする。従ってａ−Ｓｉ
層の損傷による不良率は低下し、ａ−Ｓｉ太陽電池の安
定した製造技術が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の断面図
【符号の説明】
１ ガラス板
２ 透明電極
３ ａ−Ｓｉ層
４ 昇華性導電物質層
５ 金属電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 村松 義久
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(56)参考文献 特開 昭55−108780（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−121685（ＪＰ，Ａ)
特開 昭49−69088（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−36079（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−157578（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−152275（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．透明絶縁基板上に透明導電膜を介してアモルファス
シリコン層を設け、該層を全面的に覆うように金属電極
を形成して、前記基板側からの入射光により発電を行う
太陽電池の製造方法において、前記アモルファスシリコ
ン層の成膜後、該アモルファスンリコン層上の金属電極
形成領域全面に昇華性導電物質よりなる中間層を２０〜
１００ｎｍの厚さ成膜し、その後蒸着により金属電極を
形成することを特徴とするアモルファスシリコン太陽電
池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236080A JP2746074B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236080A JP2746074B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073183A Division JPS59198774A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342925A JPH06342925A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2746074B2 true JP2746074B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16995431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236080A Expired - Lifetime JP2746074B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746074B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2712854T3 (es) | 2002-06-19 | 2019-05-16 | Dsm Ip Assets Bv | Aceite microbiano y procedimientos para su procesamiento |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846074B2 (ja) * | 1979-03-12 | 1983-10-14 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP60041878B2 (en) * | 1979-02-14 | 1985-09-19 | Sharp Kk | Thin film solar cell |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5236080A patent/JP2746074B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06342925A (ja) | 1994-12-13 |
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