JP2736771B2 - 金 型 - Google Patents
金 型Info
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- JP2736771B2 JP2736771B2 JP61241293A JP24129386A JP2736771B2 JP 2736771 B2 JP2736771 B2 JP 2736771B2 JP 61241293 A JP61241293 A JP 61241293A JP 24129386 A JP24129386 A JP 24129386A JP 2736771 B2 JP2736771 B2 JP 2736771B2
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- thin film
- mold
- base material
- film
- hard thin
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金型とりわけ強度や耐摩耗性向上のための硬
質薄膜を有する金型に関するものである。 〔従来の技術とその問題点〕 半導体モジュールや樹脂、セラミックスの成形、抜き
打ち、曲げ等のための金型類においては、生産コストの
低減や高精度化の要求から、硬質化、熱伝導性、耐摩耗
性の向上を図ることが急務とされており、その対策とし
て、スパッタリングや真空蒸着により母材表面に雰囲気
として真空を利用した硬質薄膜を生成させる方法が注目
を集めている。 この薄膜コーティングは母材との密着性に優れ、化学
的に安定で強度も高いという性質がある。しかしなが
ら、通常の金属製品と異なり、金型は型合わせ（ダイス
ポッテイング）を行い、その当たり具合に応じて細部の
修正や調整を行ったり、型合わせ後実際に試し打ちやト
ライ成形を行い、さらに修正、調整を重ねることが不可
欠である。このような修正等を行うには、表面の薄膜コ
ーテイングを母材から剥離することが必要であるが、前
記のような膜特性から逆に母材から容易に剥離すること
ができないという問題があった。 すなわち、生成薄膜の強度が大きいため、これを機械
的に剥離するには極めて手間と時間がかかり、また薄膜
は化学的に安定しているため、この薄膜を剥離できるよ
うな強い薬液で処理すると母材や母地そのものも侵食、
損傷し、その結果折角加工した型が使用不能となり、金
型製作費の上昇をもたらす。 一方、修正の加わることを前提として、薄膜コーティ
ングを処理せず、母地ままで型合わせやトライを行い、
その後に薄膜を処理すると、その後の薄膜を均一に処理
することが困難となったり、膜厚の生成具合いかんでか
えって片当たりが生ずるなどの問題があり、この手法も
採用しがたい。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記のような問題点を解決するために研究し
て創案されたもので、その目的とするところは、成形、
打抜き曲げなどの使用時には表面に施した硬質薄膜の特
性を十分に発揮することができ、しかも硬質薄膜が不要
となったときには金型母材を損傷することなく、簡単に
硬質剥離することができ、修正や変更が容易な硬質薄膜
付き金型を提供することにある。 この目的を達成するため本発明は、金型母材の表面に
母材および硬質薄膜となじみがよくしかも酸類との反応
で剥離するめっき膜を形成し、該めっき膜の上に硬質薄
膜を形成し、金型修整時にめっき膜を酸類で溶解剥離す
ることで硬質薄膜を金型母材から除去するようにした構
成としたものである。 〔実 施 例〕 以下本発明の実施例を添付図面に基き説明する。 第１図と第1a図は本発明による金型の一実施例を示す
もので、ａ金型であり、所望の加工法により所要の形
状、寸法に作られている。１は金型母材、２はこの金型
母材１の全部または所要範囲に処理されためっき膜、た
とえば１〜３μｍの膜厚となっている。３はこのめっき
膜２の上に形成された真空方式による硬質薄膜で、たと
えば１〜５μｍの膜厚となっている。 硬質薄膜３は、具体的には高周波スパッタリング、３
極スパッタリング、イオンプレーテイングなどのスパッ
タリング法、抵抗加熱式または電子衝撃加熱式の真空蒸
着法など真空条件で生成される薄膜であり、代表的な材
質としてはTiN膜、TiC膜があるが、そのほかダイヤモン
ドカーボン膜など目的に応じた各種金属や非金属、化合
物が使用される。 めっき膜２は、金型母材１や前記硬質薄膜３となじみ
がよく、金型母材１の使用に際して影響を与えることが
なく、しかも薬液との反応で溶解剥離する性質を備えた
ものであり、代表的なものとしては、硬質クロムメッ
キ、硬質アルマイト、無電解ニッケル等の各種めっき膜
があり、それぞれ目的金型母材や硬質薄膜の材質に応じ
たものが組合せ使用される。鉄系金型の場合には、たと
えば硬質クロムメッキとTiN膜の組合せが好適であり、
これら両膜は密着性が良く、硬質クロムメッキ膜と金型
母材との密着性も優れており、下膜の硬度、耐摩耗性が
良好なため硬質薄膜３の特性を十分に発揮させることが
できる。その他、無電解ニッケル膜も好適である。 〔実施例の作用〕 本発明は上記のように金型母材１の表面に硬質薄膜３
を直接施すのでなく、めっき膜２を介在させて硬質薄膜
３を形成している。しかもこのめっき膜２は金型母材１
および硬質薄膜３となじみがよく、密着性が良いため、
かかる金型ａを樹脂やセラミックスの成形、打抜き、曲
げなどの加工具として使用したときには、強度、耐摩耗
性など硬質薄膜３の特徴を十分に発揮させることができ
る。 しかも、金型ａで型合わせやトライを行い、金型ａの
修正を行う必要が生じた場合には、第２図（ａ）のよう
に、まず、硬質薄膜３や金型母材１とは全く反応せずめ
っき膜２とだけ反応するかあるいは少なくともめっき膜
２との反応速度が硬質薄膜３や金型母材１との反応速度
に比べ著しく早くなるような成分組成又は／及び濃度に
調整した薬液４を用意して容器５に満たす。この薬液と
しては具体的には、酸類が挙げられる。めっき膜２が硬
質クロムメッキの場合は塩酸を、無電解ニツケルメッキ
の場合は硝酸を主成分とするものを用いる。 ついでこの薬液４に金型ａを所要時間浸漬する。硬質
薄膜３が金型母材全面に形成されている場合には、この
浸漬に先立って少なくとも一部の膜端面が露出するよう
に削ることが好ましい。この薬液４への浸漬により金型
母材１と硬質薄膜３の双方と結合していためっき膜２は
薬液４と接触反応を起こし、時間の経過と共に第２図
（ｂ）（ｃ）のように薬液４に徐々に溶解され始め、こ
の中間結合部材としてのめっき膜２の金型母材１および
硬質薄膜３からの消失現象（痩せ）により硬質薄膜３は
金型母材１から遊離され始まる。 そして、所定時間の浸漬でめっき膜２の全部が溶解消
失することにより硬質薄膜３は金型母材１から完全に独
立した膜あるいはかけらとして剥離される。硬質薄膜材
質によっては、剥離状態で薬液４と反応し溶解する。そ
のため、金型母材１に要求される精度、面粗度を何ら傷
めることなくして、強度が高く化学的に安定したコーテ
ィングを確実容易に除去でき、金型母材１に必要な修正
を迅速、的確に施すことができる。 なお、型合わせやトライが複数回必要な場合には、修
正後、再びめっき膜を処理し、その上に硬質薄膜を施せ
ばよく、規定のトライと修正の完了後はめっき膜の厚さ
分だけ膜厚を増して硬質薄膜を処理すればよい。 〔具体例〕 次に本発明の具体例を示す。 半導体モジュール金型に本発明を適用した。金型母材
はSKD−11、寸法100×200×30mmで、所定の機械加工
後、これの表面に厚さ１μｍの硬質クロムメッキを施
し、ついでそのうえにスパッタリングにより厚さ1.3μ
ｍのTiN膜を処理した。 硬質クロムメッキは、温度:50℃、浴組成:CrO3250g/
、H2SO42.5g/、電流密度:40A/dm2、処理時間:5min
の条件で形成した。 TiN膜はイオンプレーティング法を用い、処理条件
は、アルゴンガズによるスパッタ洗浄後、圧力:2×101P
a、高周波電圧:50V、蒸発源180℃でTi膜を生成後、窒素
ガスによりガス粒子をTi膜表面に散乱することで得た。
生成速度は0.15μm/minである。膜硬度はHv約2000であ
った。 この金型を装置に組込み、試験打ちを行ったところ修
正の必要が生じた。そこで、金型の必要でない角を削っ
て膜端面を一部表出させ、塩酸10wt％に腐食抑制剤とし
て界面活性剤を添加した組成を薬液として用い、これに
金型を常温で４時間浸漬した。その結果、TiN膜は金型
母材から完全に剥離され、金型母材は表面は機械加工ま
まの表面に戻された。 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によるときには、真空式による硬
質薄膜を金型母材の表面に直接形成するのでなく、金型
母材の表面に該金型母材および硬質薄膜となじみがよく
かつ酸類との反応で剥離するめっき膜を形成してから、
その上に硬質薄膜を形成しているので、金型としての使
用時には強度、耐摩耗性など硬質膜膜形成の特徴を発揮
させることができ、また、型合わせトライなどによって
金型修整の必要があるときには硬質薄膜と金型母材間に
介在しているめっき膜を溶解剥離することで修正加工時
にも金型母材を傷めずに、化学的に安定し強度の高い硬
質薄膜を簡単に剥離することができ、したがって精度の
良く耐久性もすぐれた金型とすることがきるなどの効果
が得られる。
質薄膜を有する金型に関するものである。 〔従来の技術とその問題点〕 半導体モジュールや樹脂、セラミックスの成形、抜き
打ち、曲げ等のための金型類においては、生産コストの
低減や高精度化の要求から、硬質化、熱伝導性、耐摩耗
性の向上を図ることが急務とされており、その対策とし
て、スパッタリングや真空蒸着により母材表面に雰囲気
として真空を利用した硬質薄膜を生成させる方法が注目
を集めている。 この薄膜コーティングは母材との密着性に優れ、化学
的に安定で強度も高いという性質がある。しかしなが
ら、通常の金属製品と異なり、金型は型合わせ（ダイス
ポッテイング）を行い、その当たり具合に応じて細部の
修正や調整を行ったり、型合わせ後実際に試し打ちやト
ライ成形を行い、さらに修正、調整を重ねることが不可
欠である。このような修正等を行うには、表面の薄膜コ
ーテイングを母材から剥離することが必要であるが、前
記のような膜特性から逆に母材から容易に剥離すること
ができないという問題があった。 すなわち、生成薄膜の強度が大きいため、これを機械
的に剥離するには極めて手間と時間がかかり、また薄膜
は化学的に安定しているため、この薄膜を剥離できるよ
うな強い薬液で処理すると母材や母地そのものも侵食、
損傷し、その結果折角加工した型が使用不能となり、金
型製作費の上昇をもたらす。 一方、修正の加わることを前提として、薄膜コーティ
ングを処理せず、母地ままで型合わせやトライを行い、
その後に薄膜を処理すると、その後の薄膜を均一に処理
することが困難となったり、膜厚の生成具合いかんでか
えって片当たりが生ずるなどの問題があり、この手法も
採用しがたい。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記のような問題点を解決するために研究し
て創案されたもので、その目的とするところは、成形、
打抜き曲げなどの使用時には表面に施した硬質薄膜の特
性を十分に発揮することができ、しかも硬質薄膜が不要
となったときには金型母材を損傷することなく、簡単に
硬質剥離することができ、修正や変更が容易な硬質薄膜
付き金型を提供することにある。 この目的を達成するため本発明は、金型母材の表面に
母材および硬質薄膜となじみがよくしかも酸類との反応
で剥離するめっき膜を形成し、該めっき膜の上に硬質薄
膜を形成し、金型修整時にめっき膜を酸類で溶解剥離す
ることで硬質薄膜を金型母材から除去するようにした構
成としたものである。 〔実 施 例〕 以下本発明の実施例を添付図面に基き説明する。 第１図と第1a図は本発明による金型の一実施例を示す
もので、ａ金型であり、所望の加工法により所要の形
状、寸法に作られている。１は金型母材、２はこの金型
母材１の全部または所要範囲に処理されためっき膜、た
とえば１〜３μｍの膜厚となっている。３はこのめっき
膜２の上に形成された真空方式による硬質薄膜で、たと
えば１〜５μｍの膜厚となっている。 硬質薄膜３は、具体的には高周波スパッタリング、３
極スパッタリング、イオンプレーテイングなどのスパッ
タリング法、抵抗加熱式または電子衝撃加熱式の真空蒸
着法など真空条件で生成される薄膜であり、代表的な材
質としてはTiN膜、TiC膜があるが、そのほかダイヤモン
ドカーボン膜など目的に応じた各種金属や非金属、化合
物が使用される。 めっき膜２は、金型母材１や前記硬質薄膜３となじみ
がよく、金型母材１の使用に際して影響を与えることが
なく、しかも薬液との反応で溶解剥離する性質を備えた
ものであり、代表的なものとしては、硬質クロムメッ
キ、硬質アルマイト、無電解ニッケル等の各種めっき膜
があり、それぞれ目的金型母材や硬質薄膜の材質に応じ
たものが組合せ使用される。鉄系金型の場合には、たと
えば硬質クロムメッキとTiN膜の組合せが好適であり、
これら両膜は密着性が良く、硬質クロムメッキ膜と金型
母材との密着性も優れており、下膜の硬度、耐摩耗性が
良好なため硬質薄膜３の特性を十分に発揮させることが
できる。その他、無電解ニッケル膜も好適である。 〔実施例の作用〕 本発明は上記のように金型母材１の表面に硬質薄膜３
を直接施すのでなく、めっき膜２を介在させて硬質薄膜
３を形成している。しかもこのめっき膜２は金型母材１
および硬質薄膜３となじみがよく、密着性が良いため、
かかる金型ａを樹脂やセラミックスの成形、打抜き、曲
げなどの加工具として使用したときには、強度、耐摩耗
性など硬質薄膜３の特徴を十分に発揮させることができ
る。 しかも、金型ａで型合わせやトライを行い、金型ａの
修正を行う必要が生じた場合には、第２図（ａ）のよう
に、まず、硬質薄膜３や金型母材１とは全く反応せずめ
っき膜２とだけ反応するかあるいは少なくともめっき膜
２との反応速度が硬質薄膜３や金型母材１との反応速度
に比べ著しく早くなるような成分組成又は／及び濃度に
調整した薬液４を用意して容器５に満たす。この薬液と
しては具体的には、酸類が挙げられる。めっき膜２が硬
質クロムメッキの場合は塩酸を、無電解ニツケルメッキ
の場合は硝酸を主成分とするものを用いる。 ついでこの薬液４に金型ａを所要時間浸漬する。硬質
薄膜３が金型母材全面に形成されている場合には、この
浸漬に先立って少なくとも一部の膜端面が露出するよう
に削ることが好ましい。この薬液４への浸漬により金型
母材１と硬質薄膜３の双方と結合していためっき膜２は
薬液４と接触反応を起こし、時間の経過と共に第２図
（ｂ）（ｃ）のように薬液４に徐々に溶解され始め、こ
の中間結合部材としてのめっき膜２の金型母材１および
硬質薄膜３からの消失現象（痩せ）により硬質薄膜３は
金型母材１から遊離され始まる。 そして、所定時間の浸漬でめっき膜２の全部が溶解消
失することにより硬質薄膜３は金型母材１から完全に独
立した膜あるいはかけらとして剥離される。硬質薄膜材
質によっては、剥離状態で薬液４と反応し溶解する。そ
のため、金型母材１に要求される精度、面粗度を何ら傷
めることなくして、強度が高く化学的に安定したコーテ
ィングを確実容易に除去でき、金型母材１に必要な修正
を迅速、的確に施すことができる。 なお、型合わせやトライが複数回必要な場合には、修
正後、再びめっき膜を処理し、その上に硬質薄膜を施せ
ばよく、規定のトライと修正の完了後はめっき膜の厚さ
分だけ膜厚を増して硬質薄膜を処理すればよい。 〔具体例〕 次に本発明の具体例を示す。 半導体モジュール金型に本発明を適用した。金型母材
はSKD−11、寸法100×200×30mmで、所定の機械加工
後、これの表面に厚さ１μｍの硬質クロムメッキを施
し、ついでそのうえにスパッタリングにより厚さ1.3μ
ｍのTiN膜を処理した。 硬質クロムメッキは、温度:50℃、浴組成:CrO3250g/
、H2SO42.5g/、電流密度:40A/dm2、処理時間:5min
の条件で形成した。 TiN膜はイオンプレーティング法を用い、処理条件
は、アルゴンガズによるスパッタ洗浄後、圧力:2×101P
a、高周波電圧:50V、蒸発源180℃でTi膜を生成後、窒素
ガスによりガス粒子をTi膜表面に散乱することで得た。
生成速度は0.15μm/minである。膜硬度はHv約2000であ
った。 この金型を装置に組込み、試験打ちを行ったところ修
正の必要が生じた。そこで、金型の必要でない角を削っ
て膜端面を一部表出させ、塩酸10wt％に腐食抑制剤とし
て界面活性剤を添加した組成を薬液として用い、これに
金型を常温で４時間浸漬した。その結果、TiN膜は金型
母材から完全に剥離され、金型母材は表面は機械加工ま
まの表面に戻された。 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によるときには、真空式による硬
質薄膜を金型母材の表面に直接形成するのでなく、金型
母材の表面に該金型母材および硬質薄膜となじみがよく
かつ酸類との反応で剥離するめっき膜を形成してから、
その上に硬質薄膜を形成しているので、金型としての使
用時には強度、耐摩耗性など硬質膜膜形成の特徴を発揮
させることができ、また、型合わせトライなどによって
金型修整の必要があるときには硬質薄膜と金型母材間に
介在しているめっき膜を溶解剥離することで修正加工時
にも金型母材を傷めずに、化学的に安定し強度の高い硬
質薄膜を簡単に剥離することができ、したがって精度の
良く耐久性もすぐれた金型とすることがきるなどの効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を適用した金型の断面図、第１図（ａ）
は同じくその局部拡大図、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）は
本発明の金型の使用法を模式的に示す説明図である。 １……金型母材、２……めっき膜、３……硬質薄膜、４
……薬液
は同じくその局部拡大図、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）は
本発明の金型の使用法を模式的に示す説明図である。 １……金型母材、２……めっき膜、３……硬質薄膜、４
……薬液
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．金型母材の表面に母材および硬質薄膜となじみが良
くしかも酸類との反応で剥離するめっき膜を形成し、該
めっき膜の上に硬質薄膜を形成し、金型修整時にめっき
膜を酸類で溶解剥離することで硬質薄膜を金型母材から
除去するようにしたことを特徴とする金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241293A JP2736771B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 金 型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241293A JP2736771B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 金 型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396280A JPS6396280A (ja) | 1988-04-27 |
| JP2736771B2 true JP2736771B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17072115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61241293A Expired - Lifetime JP2736771B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 金 型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736771B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5690759A (en) * | 1996-06-24 | 1997-11-25 | General Motors Corporation | Coated permanent mold having textured undersurface |
| DE59914591D1 (de) * | 1998-06-11 | 2008-02-07 | Oerlikon Trading Ag | Verfahren zum entschichten von hartstoffschichten |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811512B2 (ja) * | 1979-07-25 | 1983-03-03 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | パタ−ン形成方法 |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61241293A patent/JP2736771B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6396280A (ja) | 1988-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |