JP2732973B2 - 真空バルブの接点材料の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は真空バルブの接点材料の
製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の溶浸法による真空バルブの接点材
料の製法は、耐火成分のスケルトンの空隙に、たとえば
ＣｕやＡｇなどの導電成分を溶かし込むものであり、溶
浸時に用意される導電成分の量は、溶浸材中に巣を残さ
ないため空隙の量より若干多目である。

【０００３】また、その具体的な製法は、スケルトンの
上、下または横などに溶浸用の導電成分材料を配し、導
電成分の融点以上にすることで、スケルトン中に導電成
分を溶かし込むものである。

【０００４】この際、図５に示すように溶浸材中に巣を
存在させないため、溶かし込む導電成分は、スケルトン
の空隙の量よりも若干多く使用し、加熱により溶浸を行
なっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、前記従来
の溶浸法でえられた溶浸材中には巣の存在が無く、した
がって同成分を焼結法で製造した材料と比較すると、機
械的強度が高いものとなり、溶着時の引き外し力が高く
なるという問題がある。

【０００６】また、特開平１−９３０１８号公報に記載
の真空バルブ用接点材料は、製造時に機械加工（型プレ
ス加工）を施す必要があるため、空隙の均一性（特性の
バラツキ）、コストに問題があり、また、本発明の材料
と比較すると遮断性能が劣るため、同じ性能を出そうと
すると接点ならびにそれを納める真空バルブを大きくせ
ざるをえないという問題がある。

【０００７】本発明は、前記のような問題点を解決する
ためになされたもので、溶浸法によって製造した溶着引
き外し力の低い接点材料を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、溶浸法による
真空バルブの接点材料の製法であって、Ｍｏに対して５
〜３０体積％のＮｂおよび（または）Ｔａを含有し、そ
の体積率が４０〜６０体積％の耐火成分のスケルトンに
対して、前記スケルトンの空隙量の３〜２０体積％の巣
が存在するようにＣｕおよび（または）Ａｇを溶浸させ
ることにより真空バルブの接点材料を製造する方法に関
する。

【０００９】

【作用】本発明の真空バルブの接点材料の製法による
と、えられた溶浸材中には巣が存在し、機械的強度が巣
が存在しないばあいに比べて低い。したがって、溶着時
の引き外し力が低減する。

【００１０】また耐火成分の組成がＭｏに対して５〜３
０％（体積％、以下同様）のＮｂおよび（または）Ｔａ
を含有し、その体積率が４０〜６０％のスケルトンに対
して、スケルトンの空隙量の３〜２０％の巣が存在する
ようにＣｕおよび（または）Ａｇを溶浸させるため、え
られた溶浸材の遮断性能、耐圧性能の劣化をまねくこと
なく溶着引き外し力が低減される。

【００１１】

【実施例】

［実施例１］以下、本発明の製法の一実施例を図１に基
づいて説明する。

【００１２】図１において、１はトレー、２は耐火成分
のスケルトン、３は溶浸用の導電成分、４は溶浸材、５
は溶浸材中の巣である。

【００１３】本発明で用いられる耐火成分のスケルトン
は、Ｍｏを主成分とし、その他にＮｂおよび（または）
Ｔａを含有し、その体積率は４０〜５０％程度のもので
ある。

【００１４】前記スケルトンの形状は、通常は円板（デ
ィスク）状であるが、溶浸残りの導電成分がないため
（機械加工しやすいため）コンタクトの形状であっても
よい。

【００１５】スケルトンの空隙に溶浸する溶浸用の導電
成分の具体例としては、たとえばＣｕ、Ａｇ、ＣｕとＡ
ｇの合金などがあげられる。

【００１６】導電成分の溶浸は、導電成分を1000〜1250
℃で溶融させ、スケルトンに溶浸することにより行な
う。

【００１７】本実施例では、導電成分をスケルトンの上
に置くことにより、前記溶浸を行なっている。このと
き、溶浸用導電成分材料をスケルトンの空隙量より少な
い量とするため溶浸したのちも溶浸材中に巣が存在す
る。

【００１８】図２は、Ｎｂを10％含有する体積率50％ス
ケルトンにＣｕを溶浸したばあいのスケルトン空隙中の
巣の量と溶浸材の引張り強度の関係を示すグラフであ
る。

【００１９】図２からわかるように、溶浸材の機械的強
度は、巣の存在量が増加するにしたがい低下する。溶着
時の引き外し力は、材料の機械的強度に依存するため、
巣の存在量の増加とともに低くなる。ただし巣があまり
多く存在すると遮断性能、耐圧性能などの劣化をまねく
おそれがある。

【００２０】また、スケルトンの組成が、Ｍoに対して
５〜30％のＮｂおよび（または）Ｔａを含有し、その体
積率が40〜60％の耐火成分のスケルトンを用いるばあ
い、スケルトンの空隙量の３〜20％の巣が存在するよう
に、Ｃｕおよび（または）Ａｇを溶浸するのが好まし
い。空隙量の20％より多くの巣が存在すると遮断性能お
よび耐圧性能に劣化の傾向がみられ、一方、空隙量の３
％より少ない巣の量であれば、溶着力の低減の効果が顕
著にえられない。したがって、耐火成分のスケルトン空
隙量の３〜20％に巣を存在させることで真空遮断性能、
耐圧性能の劣化をまねくことなく溶着引き外し力の低減
が図れる。

【００２１】［実施例２］実施例１では、溶浸用の導電
成分材料をスケルトンの上に配したが、図３または図４
のごとくスケルトンの下や、横に配し、実施例１と同様
に加熱することによっても同様の溶浸材がえられる。

【００２２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、溶浸材中
に巣を存在させたため機械的強度が低下し、えられた溶
浸材を真空バルブの接点材料として使用した際、溶着引
き外し力を軽減できる効果がある。

【００２３】さらに、耐火成分のスケルトンの組成が、
Ｍｏに対して５〜30％のＮｂおよび（または）Ｔａを含
有し、その体積率が40〜60％の耐火成分のスケルトンに
対して、スケルトン中にスケルトン空隙量の３〜20％の
巣を存在するようにＣｕおよび（または）Ａｇを溶浸し
たばあい、真空バルブの接点材料として使用した際、遮
断性能、耐圧性能の劣化をまねくことなく溶着力の低減
の効果がえられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製法の一実施例を示す説明図である。

【図２】耐火成分のスケルトン空隙中の巣の量と溶浸材
の引張り強度の関係を示すグラフである。

【図３】本発明の製法の一実施例を示す説明図である。

【図４】本発明の製法の一実施例を示す説明図である。

【図５】従来の真空バルブの接点材料の製法を示す説明
図である。

【符号の説明】

２ 耐火成分のスケルトン ３ 導電成分 ４ 溶浸材 ５ 巣

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶浸法による真空バルブの接点材料の製
   法であって、Ｍｏに対して５〜３０体積％のＮｂおよび
   （または）Ｔａを含有し、その体積率が４０〜６０体積
   ％の耐火成分のスケルトンに対して、前記スケルトンの
   空隙量の３〜２０体積％の巣が存在するようにＣｕおよ
   び（または）Ａｇを溶浸させることにより真空バルブの
   接点材料を製造する方法。