JP2719494B2 - 光ファイバ脱偏光装置 - Google Patents

光ファイバ脱偏光装置

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JP2719494B2 JP5346001A JP34600193A JP2719494B2 JP 2719494 B2 JP2719494 B2 JP 2719494B2 JP 5346001 A JP5346001 A JP 5346001A JP 34600193 A JP34600193 A JP 34600193A JP 2719494 B2 JP2719494 B2 JP 2719494B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、脱偏光装置に関し、特
に、光素子の偏光依存損失を測定するテスト装置内に組
み込まれる脱偏光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光増幅システムは光アイソレータ、光結
合装置および偏光依存損失のレベルを変化させるような
光装置を必要とする。偏光依存損失(Polarization Dep
endentLoss)は挿入損失の変化を光素子への入力信号の
偏光の関数として規定することができる。光素子を使用
するような光増幅システムにおいては、様々な光素子ま
たは装置の偏光依存損失は信号の劣化につながる。現在
光素子の偏光依存損失の測定は、0.01dBの精度ま
で得られる。光伝送システム内に存在する光素子に起因
する累積型偏光依存損失を最小にするために、様々な光
素子の偏光依存損失を正確に測定することが必要であ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光素子の偏光依存損失を測定することのできるシス
テムを提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の非ポンプエルビ
ウムドープ光ファイバはレーザにより生成されるような
受信した偏光エネルギーを長波長の非偏光増幅自然発光
に変換する。また本発明の光ファイバは、この受信した
偏光信号を吸収するのに十分な長さを有する。発明者の
理解するところでは、偏光した光を偏光していない光に
変換できるのは以下の理由によるものと考えられる。エ
ルビウム吸収バンド内の偏光光をある長さの非ポンプエ
ルビウムドープファイバで受光すると、この受光した光
は、ポンプとして機能し、エルビウムアトムを励起す
る。この励起されたアトムは、長波長を有する低いエネ
ルギーフォトンを放射することにより基底状態に戻る。
この放射フォトンがエルビウム吸収バンド内に依然とし
てある場合には、このプロセスは繰り返される。かくし
て、増幅した自然放射は次の長波長で形成され、そし
て、非ポンプドープ光ファイバは脱偏光装置となる。こ
の光ファイバが受信した信号を完全に吸収したのに十分
な程度長い距離のものであると、より長い波長の非偏光
増幅自然放射が形成される。
【0005】本発明の一実施例によれば、本発明の脱偏
光装置は、テスト装置内で用いられて、光素子の偏光依
存損失を正確に測定する。従来の受光光素子の偏光依存
損失を測定することは、測定装置内に存在する偏光依存
損失のために制限されていた。本発明の脱偏光装置を組
み込んたテスト装置では、測定装置の偏光依存損失は測
定結果に導入されることはない。
【0006】
【実施例】光伝送システムにおける光部品の偏光依存損
失は信号劣化の主要原因である。数kmのに及び、その
伝送パスに沿って、周期的に配置されるたくさんの光素
子を有する光伝送システムにおいては、1素子当たり
0.01dBの偏光依存損失は信号の品質に悪影響を及
ぼす。
【0007】偏光依存損失に影響されるのを最小にする
ような光伝送システムを提供するためには、伝送パス内
の光素子の各々は、最低の偏光依存損失を示すようなも
のでなけれなならない。
【0008】現在の光素子の偏光依存損失を正確に測定
する手法は、測定装置内に存在する偏光依存損失により
制限されている。それ故に、光素子の偏光依存損失を正
確に測定するためには、測定装置の偏光依存損失を除去
する必要がある。現在の測定装置における偏光依存損失
の増幅自然発光をおける偏光依存損失の主な原因には3
種類ある。第1はレーザの安定性である。その第2は手
動の偏光制御装置の調整に関連する曲げ損失である。そ
の第3は測定装置の偏光依存損失である。偏光依存損失
のこれらの3つの原因を取り除くことにより正確な測定
を可能となる。
【0009】図1において、本発明による光素子の偏光
依存損失を測定する装置が図示されている。信号源22
は、DFBレーザでテストされるべき光素子34の下流
とパワーメータ38の上流に配置されるエルビウムドー
プ光ファイバ36の吸収バンド幅内にある光エネルギー
を生成する。レーザの安定性は、テスト結果の正確さに
影響を及ぼす。安定した出力信号を生成するために、信
号源22は内蔵型冷却器を用い、変調器20に接続する
こともできる。この変調器20は、レーザを10MHz
でもって変調し、信号源22のコヒーレンス長さを減少
する。この装置においては、レーザの安定性は、2分間
隔で、0.002dB以下の変化である。このDFBレ
ーザである信号源22は、第1の光アイソレータ24に
スプライスされ(接合され)、この第1の光アイソレー
タ24は、1.5nmバンドパス角度同調干渉フィルタ
26にスプライスされる。この1.5nmバンドパス角
度同調干渉フィルタ26は、レーザからの増幅自然放射
を減少する。DFBレーザが長波長増幅自然放射を有さ
ないような場合には、1.5nmバンドパス角度同調干
渉フィルタ26を取り除くことができる。
【0010】この1.5nmバンドパス角度同調干渉フ
ィルタ26は、第2の光アイソレータ28にスプライス
され、この第2の光アイソレータ28は、2つの出力を
有する光タップ30がスプライスされる。この光タップ
30の出力はパワーメータ38に直接接続され、このパ
ワーメータ38は、Hewlett Packard 社製の8153A
パワーメータである。光タップ30から直接パワーメー
タ38に加えられる信号は基準信号である。パワーメー
タ38を用いた測定は、テスト装置の部品内の低速ドリ
フトを保証ような基準信号を用いた比率モードで行われ
る。光タップ30からの出力は、全光ファイバ手動偏光
制御装置32に接続される。全光ファイバ手動偏光制御
装置32の調整に伴う曲げ損失(ベンド損失)は、小モ
ードフィールド直径を有する光ファイバを使用すること
によって取り除くことができる。全光ファイバ手動偏光
制御装置32の出力は、テストされるべき光素子34に
スプライスされる。テストされるべき光素子34の出力
は、脱偏光装置として機能するエルビウムドープ光ファ
イバ36にスプライスされる。この脱偏光装置としての
脱偏光装置36の出力は、パワーメータ38に接続され
る。上記の要素からなる装置においては、全ての光ファ
イバの接続は溶融スプライスで行われ、反射を取り除
き、全ての光ファイバは測定に際し、様々な光ファイバ
の偏光状態が変化するのを阻止するよう固定される。
【0011】次に、上記のように構成した本発明の装置
の動作について述べる。脱偏光装置であるエルビウムド
ープ光ファイバ36は、受信した偏光信号を偏光してい
ない増幅自然放射に変換する。かくして、パワーメータ
38は、非偏光光を受信し、測定して、テストされるべ
き光素子の偏光依存損失を決定する。パワーメータ38
により受信された光が偏光していないと、パワーメータ
38の偏光依存損失は測定結果には影響を及ぼさない。
【0012】テスト装置のパワーメータ38による偏光
依存損失を取り除くために、脱偏光装置である脱偏光装
置36を使用することは、従来の装置に対する大きな改
良点である。本発明の脱偏光装置はエルビウムドープ光
ファイバ36である。
【0013】通常エルビウムドープの光ファイバは、光
伝送システムにおける光増幅器として用いられる。15
30と1565nmの間の信号の増幅は、エルビウムド
ープ光ファイバが1480nmまたは980nmの何れ
かでポンプされるときに発生する。入力信号がないと、
ポンプされたエルビウムドープ光ファイバは1500n
mから1600nmの広い範囲にわたって、非偏光増幅
自然放射を生成する。
【0014】テストでこのエルビウムドープ光ファイバ
による脱偏光装置の有効性が検査された。このテスト装
置は、まず脱偏光装置を具備していないものである。光
素子が接続されていない状態で、残留偏光依存損失は、
0.01dBであった。しかし、本発明の非ポンプエル
ビウムドープ光ファイバの脱偏光装置を具備したテスト
装置においては、その残留偏光依存損失は、0.001
dBであった。このような値を得るためには、光ファイ
バにおける僅かな曲げでも0.005dBの偏光依存損
失が発生するので、このテスト装置に光ファイバを組み
込むには十分な注意が必要である。この実施例において
は、1558nmと1480nmの両方で測定が行われ
たが、結果は同一であった。
【0015】エルビウム吸収バンド内の光がある長さの
エルビウムドープ光ファイバ36に入力されると、次の
ようなことが発生すると考えられる。まず、光がポンプ
として機能し、エルビウムアトムを励起する。この励起
されたアトムは、低エネルギー(長波長)のフォトンを
放射して基底状態に戻り、この放射されたフォトンがエ
ルビウム吸収バンド内に存在すると、このプロセスは理
解される。かくして、増幅した自然放射は、連続してよ
り長い波長で生成される。光ファイバが十分に長い場合
には、入力信号は完全に吸収されて、より長い波長の非
偏光増幅自然放射が形成される。例えば、1558nm
の偏光光は1600nmよりも長い波長の広バンド非偏
光増幅自然放射に変換される。図2において、偏光光信
号がエルビウムドープ光ファイバの短距離のエルビウム
ドープ光ファイバの非偏光増幅自然放射に変換される状
態を示す。図2において、鋭いスパイクは受信した偏光
信号で、カーブAは生成された増幅自然放射である。図
3において、受信した偏光光信号が、入力信号が完全に
脱偏光するようなある長さの非ポンプドープ光ファイバ
の非偏光増幅自然放射に変換されることが図示されてい
る。この図3においては、入力信号は完全に吸収される
ために、スパイク状の入力信号は存在しない。カーブA
は生成された増幅自然放射を表す。
【0016】図1に開示されたテスト装置の実施例にお
いては、エルビウムドープ光ファイバ36は、光素子偏
光依存損失を測定するテスト装置の脱偏光装置として示
されている。図1に開示された実施例においては、エル
ビウムドープ光ファイバ36は、脱偏光装置として示さ
れているが、この光ファイバは他の材料、例えば、ネオ
ディミウムのような材料でドープすることもでき、この
場合には、別の波長が用いられる。さらに、脱偏光装置
は光素子の挿入損失を測定するテスト装置とともに用い
られているが、非ポンプの光ファイバを、例えば、脱偏
光光を用いる光ファイバジャイロのような他の応用にお
ける脱偏光装置として使用することもできる。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の脱偏光装置
は信号の劣化に影響を及ぼす偏光依存損失の影響を取り
除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の脱偏光装置を用いた光素子
の偏光依存損失を測定するテスト装置のブロック図であ
る。
【図2】入力信号が完全には脱偏光化していない非ポン
プエルビウムドープ光ファイバの短い距離内の光信号を
表すグラフである。
【図3】入力信号が完全に脱偏光化した非ポンプエルビ
ウムドープ光ファイバの長さの中の光信号を表すグラフ
である。
【符号の説明】
20 変調器 22 信号源 24 第1の光アイソレータ 26 1.5nmバンドパス角度同調干渉フィルタ 28 第2の光アイソレータ 30 光タップ 32 全光ファイバ手動偏光制御装置 34 光素子 36 エルビウムドープ光ファイバ 38 パワーメータ
フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー ミシェル ウォルター アメリカ合衆国 07755 ニュージャジ ー、モンマウス カウンティー、オーク ホースト、デラウェア アヴェニュー、 191

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号から長波長の非偏光増幅自然発
    光を得るために、入力偏光信号を吸収するのに十分の長
    さのポンプ入力されていないドープ光ファイバ(36)
    からなる光ファイバ脱偏光装置。
  2. 【請求項2】 前記ドープ光ファイバは、入力信号を完
    全に吸収するのに十分な長さであることを特徴とする請
    求項1の装置。
  3. 【請求項3】 前記ドープ光ファイバは、エルビウムで
    ドープされていることを特徴とする請求項1の装置。
  4. 【請求項4】 前記ドープ光ファイバは、ネオディミウ
    ムでドープされていることを特徴とする請求項1の装
    置。
  5. 【請求項5】 光素子の偏光依存損失を測定するテスト
    装置において、 偏光信号を生成する信号源(22)と、 前記信号源からの信号を受信するよう接続された光アイ
    ソレータ(24)と、 光アイソレータからの光信号を第1信号と第2信号とに
    分割するよう接続された光タップ(30)と、 前記光タップから第1信号を受信するよう接続された偏
    光制御装置(36)と、 前記偏光制御装置からの第1信号を受信するよう接続さ
    れた非ポンプドープ光ファイバ(36)と、 前記非ポンプドープ光ファイバ(36)は、受信した第
    1信号を十分に吸収し、この受信した第1信号から長波
    長の脱偏光化増幅自然発光を生成するのに十分な長さを
    有し、 前記光タップ(30)から第2信号を、前記非ポンプド
    ープ光ファイバ(36)から非偏光増幅自然発光を受信
    するよう接続されたパワーメータ(38)と、 偏光制御装置(32)と非ポンプドープ光ファイバ(3
    6)との間で、その偏光依存損失を測定するように光素
    子(34)を配置する手段と、 からなることを特徴とする光素子の偏光依存損失を測定
    するテスト装置。
  6. 【請求項6】 前記非ポンプドープ光ファイバは、エル
    ビウムでドープされていることを特徴とする請求項5の
    装置。
  7. 【請求項7】 前記非ポンプドープ光ファイバは、ネオ
    ディミウムでドープされていることを特徴とする請求項
    5の装置。
  8. 【請求項8】 前記信号源は、レーザであることを特徴
    とする請求項6の装置。
  9. 【請求項9】 前記レーザを変調するよう接続された変
    調器(26)をさらに有することを特徴とする請求項8
    の装置。
  10. 【請求項10】 光アイソレータと光タップとの間に配
    置された干渉フィルタと、 前記干渉フィルタと光タップとの間に配置された第2の
    光アイソレータとをさらに有することを特徴とする請求
    項9の装置。
JP5346001A 1992-12-31 1993-12-24 光ファイバ脱偏光装置 Expired - Fee Related JP2719494B2 (ja)

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