JP2712259B2 - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
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- JP2712259B2 JP2712259B2 JP7955788A JP7955788A JP2712259B2 JP 2712259 B2 JP2712259 B2 JP 2712259B2 JP 7955788 A JP7955788 A JP 7955788A JP 7955788 A JP7955788 A JP 7955788A JP 2712259 B2 JP2712259 B2 JP 2712259B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ産業上の利用分野 Ｂ発明の概要 Ｃ従来の技術（第６図及び第７図） Ｄ発明が解決しようとする問題点（第６図〜第８図） Ｅ問題点を解決するための手段（第１図〜第５図） Ｆ作用（第１図〜第５図） Ｇ実施例 （G1）第１の実施例（第１図） （G2）第２の実施例（第２図及び第３図） （G3）第３の実施例（第４図及び第５図） （G4）他の実施例 Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は光ピツクアツプ装置に関し、特に光磁気デイ
スク用の光ピツクアツプ装置に適用して好適なものであ
る。
スク用の光ピツクアツプ装置に適用して好適なものであ
る。
Ｂ発明の概要 本発明は、第１の偏光反射率が低く設定されたエンハ
ンスタイプのビームスプリツタを用いて往路及び復路の
レーザ光を分割するようになされた光磁気デイスク用の
光ピツクアツプ装置において、偏光手段を用いて復路の
レーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第２
の偏光透過率を低くして、サーボ用光デイテクタに入射
するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等し
くするようにしたことにより、サーボ用光デイテクタか
ら確実にサーボ信号を得ることができる。
ンスタイプのビームスプリツタを用いて往路及び復路の
レーザ光を分割するようになされた光磁気デイスク用の
光ピツクアツプ装置において、偏光手段を用いて復路の
レーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第２
の偏光透過率を低くして、サーボ用光デイテクタに入射
するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等し
くするようにしたことにより、サーボ用光デイテクタか
ら確実にサーボ信号を得ることができる。
Ｃ従来の技術 従来、この種の光磁気デイスク装置に用いられる光ピ
ツクアツプ装置においては、レーザ光源から光磁気デイ
スクに向かうレーザ光の往路と、光磁気デイスクから光
デイテクタに向かうレーザ光の復路とを分割するビーム
スプリツタとして、復路のレーザ光に含まれるＰ偏光及
びＳ偏光成分のうち、Ｐ偏光成分の偏光反射率を低く選
定したいわゆるエンハンスタイプのビームスプリツタを
用い、これにより信号検出用光デイテクタから得られる
再生信号のC/Nを向上するようになされたものが提案さ
れている。
ツクアツプ装置においては、レーザ光源から光磁気デイ
スクに向かうレーザ光の往路と、光磁気デイスクから光
デイテクタに向かうレーザ光の復路とを分割するビーム
スプリツタとして、復路のレーザ光に含まれるＰ偏光及
びＳ偏光成分のうち、Ｐ偏光成分の偏光反射率を低く選
定したいわゆるエンハンスタイプのビームスプリツタを
用い、これにより信号検出用光デイテクタから得られる
再生信号のC/Nを向上するようになされたものが提案さ
れている。
すなわち例えば第６図に示すように、このような光ピ
ツクアツプ装置１において、レーザ光源として半導体レ
ーザ２から射出されたレーザ光L0は、コリメータレンズ
３を介して平行光束L1に変換されて第１のビームスプリ
ツタ４を透過した後、対物レンズ５によつて光磁気デイ
スク６上にレーザービームL2として集光され、その反射
光L3が対物レンズ５を介して平行光束L4に変換され、そ
の光路が第１のビームスプリツタ４において90゜折り曲
げられ、1/2波長板７を通じて第２のビームスプリツタ
８に入射する。
ツクアツプ装置１において、レーザ光源として半導体レ
ーザ２から射出されたレーザ光L0は、コリメータレンズ
３を介して平行光束L1に変換されて第１のビームスプリ
ツタ４を透過した後、対物レンズ５によつて光磁気デイ
スク６上にレーザービームL2として集光され、その反射
光L3が対物レンズ５を介して平行光束L4に変換され、そ
の光路が第１のビームスプリツタ４において90゜折り曲
げられ、1/2波長板７を通じて第２のビームスプリツタ
８に入射する。
この第２のビームスプリツタ８は、Ｐ偏光透過率TP0
が100％、Ｓ偏光反射率RS0が100％に選定されて検光子
を構成しており、入射光L5を透過して直進する透過光L6
及び90゜折り曲げて反射する反射光L7に分割し、それぞ
れ第１及び第２の光デイテクタ９及び10に入射させる。
が100％、Ｓ偏光反射率RS0が100％に選定されて検光子
を構成しており、入射光L5を透過して直進する透過光L6
及び90゜折り曲げて反射する反射光L7に分割し、それぞ
れ第１及び第２の光デイテクタ９及び10に入射させる。
これによりそれぞれ第１及び第２の光デイテクタ９及
び10から得られる受光出力の総量SOUT1及びSOUT2の差分
をとることにより、光磁気デイスク６上の記録情報を再
生した再生信号SM0を形成するようになさている。
び10から得られる受光出力の総量SOUT1及びSOUT2の差分
をとることにより、光磁気デイスク６上の記録情報を再
生した再生信号SM0を形成するようになさている。
ここで、半導体レーザ２から射出されるレーザ光L
0は、Ｐ偏光の直線偏光で光磁気デイスク６上に集光さ
れ、これに対して光磁気デイスク６からの反射光L3に
は、Ｐ偏光の直線偏光に加えて光磁気デイスク６上の記
録情報（すなわち磁化方向）に応じて所定のカー回転角
だけ偏光方向が回転したＳ偏光成分が含まれている。
0は、Ｐ偏光の直線偏光で光磁気デイスク６上に集光さ
れ、これに対して光磁気デイスク６からの反射光L3に
は、Ｐ偏光の直線偏光に加えて光磁気デイスク６上の記
録情報（すなわち磁化方向）に応じて所定のカー回転角
だけ偏光方向が回転したＳ偏光成分が含まれている。
このため、この光ピツクアツプ装置１においては、第
１のビームスプリツタ４としてＰ偏光反射率RP1が20
％、Ｓ偏光反射率RS1が100％に設定されたエンハンスタ
イプのビームスプリツタが用いられていることにより、
第１のビームスプリツタ４で反射された反射光L41に含
まれるＳ偏光成分のカー回転角が見かけ上大きくなるよ
うになされており、これにより第１及び第２の光デイテ
クタ９及び10を通じて得られる再生信号SM0のC/Nを向上
するようになされている。
１のビームスプリツタ４としてＰ偏光反射率RP1が20
％、Ｓ偏光反射率RS1が100％に設定されたエンハンスタ
イプのビームスプリツタが用いられていることにより、
第１のビームスプリツタ４で反射された反射光L41に含
まれるＳ偏光成分のカー回転角が見かけ上大きくなるよ
うになされており、これにより第１及び第２の光デイテ
クタ９及び10を通じて得られる再生信号SM0のC/Nを向上
するようになされている。
なお第１のビームスプリツタ４で反射された反射光L
41は、1/2波長板７において第２のビームスプリツタ８
に対する信号振幅が最大になるように、その偏光方向が
所定角だけ回転される。
41は、1/2波長板７において第２のビームスプリツタ８
に対する信号振幅が最大になるように、その偏光方向が
所定角だけ回転される。
またこの光ピツクアツプ装置１の場合、第１の光デイ
テクタ９は第７図に示すように、４分割の受光素子9A、
9B、9C、9Dでなり、第１〜第４の受光素子9A〜9Dから得
られる受光出力の和を演算することにより、再生信号S
M0の演算に用いる第１の光デイテクタ９の受光出力S
OUT1を得ると共に、対角線上に配された第１及び第３の
受光素子9A及び9Cから得られる受光出力と、第２及び第
４の受光素子9B及び9Dから得られる受光出力との差を演
算することにより、非点収差法に基づいてフオーカスエ
ラー信号SFEを得るようになされている。
テクタ９は第７図に示すように、４分割の受光素子9A、
9B、9C、9Dでなり、第１〜第４の受光素子9A〜9Dから得
られる受光出力の和を演算することにより、再生信号S
M0の演算に用いる第１の光デイテクタ９の受光出力S
OUT1を得ると共に、対角線上に配された第１及び第３の
受光素子9A及び9Cから得られる受光出力と、第２及び第
４の受光素子9B及び9Dから得られる受光出力との差を演
算することにより、非点収差法に基づいてフオーカスエ
ラー信号SFEを得るようになされている。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで近来、光磁気デスク装置１に用いられる光磁
気デイスク６としては、保護膜が例えばポリカーボネイ
ト等の透明樹脂部材で形成されたものが主流であり、こ
のためレーザ光L1が光磁気デイスク６上で反射する際に
復屈折が生じるおそれがあつた。
気デイスク６としては、保護膜が例えばポリカーボネイ
ト等の透明樹脂部材で形成されたものが主流であり、こ
のためレーザ光L1が光磁気デイスク６上で反射する際に
復屈折が生じるおそれがあつた。
ところがかかる構成の光ピツクアツプ装置１において
は、レーザ光L1が光磁気デイスク６上で反射する際に復
屈折が生じ、光磁気デイスク６からの反射光L3、L41、L
5、L6及びL7に復屈折成分が含まれると、例えば対物レ
ンズ５がジヤストフオーカス状態に制御されているとき
に、第１の光デイテクタ９上に入射する反射光L6は、第
７図に点線で示すように、正しい円形を有し、第１〜第
４の受光素子9A〜9Dに均等に分布するのに対し、第１及
び第３の受光素子9A及び9Cの光量分布と第２及び第４の
受光素子9B及び9Dの光量分布との間にずれが生じること
により、フオーカスエラー信号SFEに直流電圧成分が重
畳され、これにより対物レンズ５がデフオーカス状態に
制御されてしまうという問題があつた。
は、レーザ光L1が光磁気デイスク６上で反射する際に復
屈折が生じ、光磁気デイスク６からの反射光L3、L41、L
5、L6及びL7に復屈折成分が含まれると、例えば対物レ
ンズ５がジヤストフオーカス状態に制御されているとき
に、第１の光デイテクタ９上に入射する反射光L6は、第
７図に点線で示すように、正しい円形を有し、第１〜第
４の受光素子9A〜9Dに均等に分布するのに対し、第１及
び第３の受光素子9A及び9Cの光量分布と第２及び第４の
受光素子9B及び9Dの光量分布との間にずれが生じること
により、フオーカスエラー信号SFEに直流電圧成分が重
畳され、これにより対物レンズ５がデフオーカス状態に
制御されてしまうという問題があつた。
この問題を解決する光ピツクアツプ装置としては、従
来第６図との対応部分に同一符号を付した第８図に示す
ように、Ｐ偏光反射率RP2及びＳ偏光反射率RS2がそれぞ
れ10％に設定されたビームスプリツタ21を用いて、光磁
気デイスク６からの反射光L3の10％の光量分を90゜折り
曲げて反射し、この反射光L20を例えば非点収差法のフ
オーカスサーボ用の光デイテクタ22に入射するようにな
された光ピツクアツプ装置20が提案されている。
来第６図との対応部分に同一符号を付した第８図に示す
ように、Ｐ偏光反射率RP2及びＳ偏光反射率RS2がそれぞ
れ10％に設定されたビームスプリツタ21を用いて、光磁
気デイスク６からの反射光L3の10％の光量分を90゜折り
曲げて反射し、この反射光L20を例えば非点収差法のフ
オーカスサーボ用の光デイテクタ22に入射するようにな
された光ピツクアツプ装置20が提案されている。
このようにするとフオーカスサーボ用の光デイテクタ
22に入射する反射光L20に含まれるＰ偏光及びＳ偏光成
分を等しくすることができ、これにより光磁気デイスク
６上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折によるデ
フオーカスを生じないようにし得る。
22に入射する反射光L20に含まれるＰ偏光及びＳ偏光成
分を等しくすることができ、これにより光磁気デイスク
６上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折によるデ
フオーカスを生じないようにし得る。
なおこの光ピツクアツプ装置20の場合、ビームスプリ
ツタ21の透過光すなわち光磁気デイスク６からの反射光
L3の90％の光量分は、Ｐ偏光反射率RP3が80％、Ｓ偏光
反射率RS3が100％に選定されたビームスピリツタ23にお
いて90゜折り曲げられて反射され、第６図と同様の構成
でなり、第１の光デイテクタ９が４分割構成の受光素子
に代え、１個の受光素子で構成された光デイテクタ24を
用いるようになされた再生信号検出用光学系25に導かれ
るようになされている。
ツタ21の透過光すなわち光磁気デイスク６からの反射光
L3の90％の光量分は、Ｐ偏光反射率RP3が80％、Ｓ偏光
反射率RS3が100％に選定されたビームスピリツタ23にお
いて90゜折り曲げられて反射され、第６図と同様の構成
でなり、第１の光デイテクタ９が４分割構成の受光素子
に代え、１個の受光素子で構成された光デイテクタ24を
用いるようになされた再生信号検出用光学系25に導かれ
るようになされている。
ところがこのような構成の光ピツクアツプ装置20は、
全体として光学系が大型化するという問題があり、結局
解決策としては未だ不十分なものであつた。
全体として光学系が大型化するという問題があり、結局
解決策としては未だ不十分なものであつた。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、全体と
して簡易な構成で復屈折によるデフオーカスが生じない
ようにした光ピツクアツプ装置を提案しようとするもの
である。
して簡易な構成で復屈折によるデフオーカスが生じない
ようにした光ピツクアツプ装置を提案しようとするもの
である。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、レー
ザ光源２から光磁気デイスク６に向かうレーザ光L0、
L1、L2、L20の往路及び光磁気デイスク６から光デイテ
クタ10、22、24、47、52に向かうレーザ光L3、L4、L60
の復路を分割すると共に、復路のレーザ光L3、L4、L60
に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第１の偏光反
射率RP1が低く選定されたビームスプリツッタ４を用い
る光磁気デイスク６用の光ピツクアツプ装置30、40、50
において、光デイテクタ10、22、24、47、52のうちサー
ボ信号を得るサーボ用光デイテクタ22、45に復路のレー
ザ光L3、L4、L60に含まれる第１及び第２の偏光成分の
うち第２の偏光透過率TSを低くする偏光手段32、48を配
し、サーボ用光デイテクタ22、45に入射するレーザ光に
含まれる第１及び第２の偏光成分を等しくするようにし
た。
ザ光源２から光磁気デイスク６に向かうレーザ光L0、
L1、L2、L20の往路及び光磁気デイスク６から光デイテ
クタ10、22、24、47、52に向かうレーザ光L3、L4、L60
の復路を分割すると共に、復路のレーザ光L3、L4、L60
に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第１の偏光反
射率RP1が低く選定されたビームスプリツッタ４を用い
る光磁気デイスク６用の光ピツクアツプ装置30、40、50
において、光デイテクタ10、22、24、47、52のうちサー
ボ信号を得るサーボ用光デイテクタ22、45に復路のレー
ザ光L3、L4、L60に含まれる第１及び第２の偏光成分の
うち第２の偏光透過率TSを低くする偏光手段32、48を配
し、サーボ用光デイテクタ22、45に入射するレーザ光に
含まれる第１及び第２の偏光成分を等しくするようにし
た。
Ｆ作用 偏光手段32、48を用いて、復路のレーザ光L3、L4、L
60に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第２の偏光
透過率TSを低くして、サーボ用光デイテクタ22、45に入
射するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等
しくするようにしたことにより、光磁気デイスク６上で
生じる復屈折の影響を排除して、サーボ用光デイテクタ
22、45から確実にサーボ信号を得ることができる。
60に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第２の偏光
透過率TSを低くして、サーボ用光デイテクタ22、45に入
射するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等
しくするようにしたことにより、光磁気デイスク６上で
生じる復屈折の影響を排除して、サーボ用光デイテクタ
22、45から確実にサーボ信号を得ることができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
（G1）第１の実施例 第６図及ひ第８図との対応部分に同一符号を付して示
す第１図において、30は全体として本発明の第１の実施
例による光ピツクアツプ装置を示し、光磁気デイスク６
からの反射光L3は対物レンズ５を介して平行光束L4に変
換され、その光路がエンハンスタイプの第１のビームス
プリツタ４（この実施例の場合、Ｐ偏光反射率RP1＝20
％、Ｓ偏光反射率RS1＝100％に選定されている）におい
て90゜折り曲げられ、反射光L41として第２のビームス
プリツタ31に入射する。
す第１図において、30は全体として本発明の第１の実施
例による光ピツクアツプ装置を示し、光磁気デイスク６
からの反射光L3は対物レンズ５を介して平行光束L4に変
換され、その光路がエンハンスタイプの第１のビームス
プリツタ４（この実施例の場合、Ｐ偏光反射率RP1＝20
％、Ｓ偏光反射率RS1＝100％に選定されている）におい
て90゜折り曲げられ、反射光L41として第２のビームス
プリツタ31に入射する。
この第２のビームスプリツタ31は、Ｐ偏光反射率RP4
及びＳ偏光反射率RS4がそれぞれ10％に選定されてお
り、これにより入射する反射光L41は透過して直進する
透過光L31及び90゜折り曲げられて反射する反射光L32に
分割され、その透過光L31は第８図と同様の構成でなる
再生信号検出用光学系25に導かれて再生信号SM0を得る
ようになされている。
及びＳ偏光反射率RS4がそれぞれ10％に選定されてお
り、これにより入射する反射光L41は透過して直進する
透過光L31及び90゜折り曲げられて反射する反射光L32に
分割され、その透過光L31は第８図と同様の構成でなる
再生信号検出用光学系25に導かれて再生信号SM0を得る
ようになされている。
これに対してその反射光L32は、例えば透明樹脂板に
誘電多層膜を蒸着してなり、Ｐ偏光透過率TPが100％、
Ｓ偏光透過率TSが20％に選定された偏光板32を介して第
８図と同様の構成でなくフオーカスサーボ用の光デイテ
クタ22に入射するようになされている。
誘電多層膜を蒸着してなり、Ｐ偏光透過率TPが100％、
Ｓ偏光透過率TSが20％に選定された偏光板32を介して第
８図と同様の構成でなくフオーカスサーボ用の光デイテ
クタ22に入射するようになされている。
以上の構成において、光磁気デイスク６からの反射光
L3に含まれるＰ偏光成分は、第１のビームスプリツタ４
においてその20％が反射されて、第２のビームスプリツ
タ31においてさらにその10％が反射され、全体として反
射光L3に含まれるＰ偏光成分の２％がフオーカスサーボ
用の光デイテクタ22に入射する。
L3に含まれるＰ偏光成分は、第１のビームスプリツタ４
においてその20％が反射されて、第２のビームスプリツ
タ31においてさらにその10％が反射され、全体として反
射光L3に含まれるＰ偏光成分の２％がフオーカスサーボ
用の光デイテクタ22に入射する。
これに対して、反射光L3に含まれるＳ偏光成分は、第
１のビームスプリツタ４においてその100％が反射され
て、第２のビームスプリツタ31においてさらにその10％
が反射され、さらにこれに加えて偏光板32においてその
20％が透過され、これにより全体として反射光L3に含ま
れるＳ偏光成分の２％、すなわちＰ偏光成分と等しいＳ
偏光成分がフオーカスサーボ用の光デイテクタ22に入射
する。
１のビームスプリツタ４においてその100％が反射され
て、第２のビームスプリツタ31においてさらにその10％
が反射され、さらにこれに加えて偏光板32においてその
20％が透過され、これにより全体として反射光L3に含ま
れるＳ偏光成分の２％、すなわちＰ偏光成分と等しいＳ
偏光成分がフオーカスサーボ用の光デイテクタ22に入射
する。
このようにして、偏光板32を設けて光磁気デイスク６
からの反射光L3に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光成分の
それぞれ２％をフオーカスサーボ用の光デイテクタ22に
入射するようにしたことにより、光磁気デイスク６上で
生じる復屈折の影響を排除して、復屈折によるデフオー
カスの発生を未然に防止し得る。
からの反射光L3に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光成分の
それぞれ２％をフオーカスサーボ用の光デイテクタ22に
入射するようにしたことにより、光磁気デイスク６上で
生じる復屈折の影響を排除して、復屈折によるデフオー
カスの発生を未然に防止し得る。
以上の構成によれば、エンハンスタイプのビームスプ
リツタを用いて、往路及び復路のレーザ光を分割するよ
うになされた光ピツクアツプ装置において、フオーカス
サーボ用光デイテクタの前方に偏光板を設けて、光磁気
デイスクからの反射光に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光
成分のそれぞれ等しい比率の偏光成分をフオーカスサー
ボ用光デイテクタに導くようにしたことにより、従来と
同様の光学的構成で、光磁気デイスク上で生じる復屈折
の影響を排除して、復屈折によるデフオーカスの発生を
未然に防止し得る光ピツクアツプ装置を実現できる。
リツタを用いて、往路及び復路のレーザ光を分割するよ
うになされた光ピツクアツプ装置において、フオーカス
サーボ用光デイテクタの前方に偏光板を設けて、光磁気
デイスクからの反射光に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光
成分のそれぞれ等しい比率の偏光成分をフオーカスサー
ボ用光デイテクタに導くようにしたことにより、従来と
同様の光学的構成で、光磁気デイスク上で生じる復屈折
の影響を排除して、復屈折によるデフオーカスの発生を
未然に防止し得る光ピツクアツプ装置を実現できる。
さらに上述の実施例によれば、光学系で光磁気デイス
ク上で生じる復屈折の影響を排除することができること
により、再生信号検出回路等において復屈折の影響を補
正する必要がなくなり、これにより全体として信頼性を
格段的に向上し得る。
ク上で生じる復屈折の影響を排除することができること
により、再生信号検出回路等において復屈折の影響を補
正する必要がなくなり、これにより全体として信頼性を
格段的に向上し得る。
（G2）第２の実施例 第１図との対応部分に同一符号を付して示す第２図に
おいて、40は全体として本発明の第２の実施例による光
ピツクアツプ装置を示し、光磁気デイスク６からの反射
光L3は対物レンズ５を介して平行光束L4に変換され、そ
の光路がエンハンスタイプのビームスプリツタ４におい
て90゜折り曲げられて反射光L41として、特願昭61−272
416号に提案されている３ビームウオラストンプリズム4
1を用いた再生信号検出用光学系42に導かれている。
おいて、40は全体として本発明の第２の実施例による光
ピツクアツプ装置を示し、光磁気デイスク６からの反射
光L3は対物レンズ５を介して平行光束L4に変換され、そ
の光路がエンハンスタイプのビームスプリツタ４におい
て90゜折り曲げられて反射光L41として、特願昭61−272
416号に提案されている３ビームウオラストンプリズム4
1を用いた再生信号検出用光学系42に導かれている。
すなわち、この３ビームウオラストンプリズム41に入
射した反射光L41は、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を含み
反射光L41の光路を直進する第１の光ビームL51、Ｐ偏光
成分でなり第１の光ビームL51に対して所定角だけ屈折
されて上方に射出される第２の光ビームL52、Ｓ偏光成
分でなり第１の光ビームL51に対して所定角だけ屈折さ
れて下方に射出される第３の光ビームL53に分離され、
各々共通の集光レンズ43を介して、上下に直列に配され
た第１、第２及び第３の受光部44、45及び46を有する光
デイテクタ47に集光される。
射した反射光L41は、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を含み
反射光L41の光路を直進する第１の光ビームL51、Ｐ偏光
成分でなり第１の光ビームL51に対して所定角だけ屈折
されて上方に射出される第２の光ビームL52、Ｓ偏光成
分でなり第１の光ビームL51に対して所定角だけ屈折さ
れて下方に射出される第３の光ビームL53に分離され、
各々共通の集光レンズ43を介して、上下に直列に配され
た第１、第２及び第３の受光部44、45及び46を有する光
デイテクタ47に集光される。
ここで第３図に示すように、この光デイテクタ47にお
いて、上下の第１及び第３の受光部44及び46は、それぞ
れ１個の受光素子でなり、その出力の差分を演算するこ
とにより光磁気デイスク６の再生信号SM0を得るように
なされており、また中央の第２の受光部45は、４分割構
成の受光素子でなり非点収差法によりフオーカスエラー
信号SFEを得るようになされている。
いて、上下の第１及び第３の受光部44及び46は、それぞ
れ１個の受光素子でなり、その出力の差分を演算するこ
とにより光磁気デイスク６の再生信号SM0を得るように
なされており、また中央の第２の受光部45は、４分割構
成の受光素子でなり非点収差法によりフオーカスエラー
信号SFEを得るようになされている。
なお中央の第２の受光部45上には、偏光板32（第１
図）と同様の構成でなり、それぞれＰ偏光成分及びＳ偏
光成分に対して、Ｐ偏光透過率TPが100％、Ｓ偏光透過
率TSが20％に選定された偏光板48が、例えば紫外線硬化
樹脂等を用いて貼着されており、光磁気デイスク６から
の反射光L3に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光成分のそれ
ぞれ２％の等しい偏光成分をフオーカスサーボ用の光デ
イテクタでなる第２の受光部45に入射するようにしたこ
とにより、光磁気デイスク６上で生じる復屈折の影響を
排除して、復屈折によるデフオーカスの発生を未然に防
止し得るようになされている。
図）と同様の構成でなり、それぞれＰ偏光成分及びＳ偏
光成分に対して、Ｐ偏光透過率TPが100％、Ｓ偏光透過
率TSが20％に選定された偏光板48が、例えば紫外線硬化
樹脂等を用いて貼着されており、光磁気デイスク６から
の反射光L3に含まれるＰ偏光成分及びＳ偏光成分のそれ
ぞれ２％の等しい偏光成分をフオーカスサーボ用の光デ
イテクタでなる第２の受光部45に入射するようにしたこ
とにより、光磁気デイスク６上で生じる復屈折の影響を
排除して、復屈折によるデフオーカスの発生を未然に防
止し得るようになされている。
以上の構成によれば、再生信号検出用光学系が３ビー
ムウオラストンプリブムで構成された光ピツクアツプ装
置において、フオーカスサーボ用光デイテクタ上に偏光
板を貼着し、光磁気デイスクからの反射光に含まれるＰ
偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ等しい比率の偏光成
分をフオーカスサーボ用光デイテクタに導くようにした
ことにより、全体として小型かつ簡易な構成で、光磁気
デイスク上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折に
よるフオーカスの発生を未然に防止し得る光ピツクアツ
プ装置を実現できる。
ムウオラストンプリブムで構成された光ピツクアツプ装
置において、フオーカスサーボ用光デイテクタ上に偏光
板を貼着し、光磁気デイスクからの反射光に含まれるＰ
偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ等しい比率の偏光成
分をフオーカスサーボ用光デイテクタに導くようにした
ことにより、全体として小型かつ簡易な構成で、光磁気
デイスク上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折に
よるフオーカスの発生を未然に防止し得る光ピツクアツ
プ装置を実現できる。
（G3）第３の実施例 第２図との対応部分に同一符号を付して示す第４図に
おいて、50は全体として本発明の第３の実施例による光
ピツクアツプ装置を示し、半導体レーザ２から射出され
るレーザ光L0はコリメータレンズ３を介して平行光束L1
に変換された後、回折格子51を介して光磁気デイスク６
上に、３個のレーザスポツトを形成するようになされて
おり、さらにその反射光L60が３ビームウオラストンプ
リズム41を用いた再生信号検出用光学系42に導かれて、
光デイテクタ52上に９個の反射光スポツトを形成するよ
うになされている。
おいて、50は全体として本発明の第３の実施例による光
ピツクアツプ装置を示し、半導体レーザ２から射出され
るレーザ光L0はコリメータレンズ３を介して平行光束L1
に変換された後、回折格子51を介して光磁気デイスク６
上に、３個のレーザスポツトを形成するようになされて
おり、さらにその反射光L60が３ビームウオラストンプ
リズム41を用いた再生信号検出用光学系42に導かれて、
光デイテクタ52上に９個の反射光スポツトを形成するよ
うになされている。
この実施例の場合、光デイテクタ52は第５図に示すよ
うに、第２の実施例の光デイテクタ47と同様の構成に加
えて、フオーカスサーボ用の第２の受光部45の左右に、
トラツキングサーボ用の第４及び第５の受光部53及び54
が設けられ、これによりトラツキングエラー信号を得る
ようになされている。
うに、第２の実施例の光デイテクタ47と同様の構成に加
えて、フオーカスサーボ用の第２の受光部45の左右に、
トラツキングサーボ用の第４及び第５の受光部53及び54
が設けられ、これによりトラツキングエラー信号を得る
ようになされている。
また、第２の受光部45上には、偏光板48が貼着されて
おり、光磁気デイスク６からの反射光L30に含まれるＰ
偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ２％の等しい偏光成
分を入射するようになされたことにより、光磁気デイス
ク６上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折による
デフオーカスの発生を未然に防止し得るようになされて
いる。
おり、光磁気デイスク６からの反射光L30に含まれるＰ
偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ２％の等しい偏光成
分を入射するようになされたことにより、光磁気デイス
ク６上で生じる復屈折の影響を排除して、復屈折による
デフオーカスの発生を未然に防止し得るようになされて
いる。
以上の構成によれば、光磁気デイスク上に３個のレー
ザスポツトを形成すると共に、再生信号検出用光学系が
３ビームウオラストンプリズムで構成された光ピツクア
ツプ装置において、フオーカスサーボ用光デイテクタ上
に偏光板を貼着し、光磁気デイスクからの反射光に含ま
れるＰ偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ等しい比率の
偏光成分をフオーカスサーボ用光デイテクタに導くよう
にしたことにより、全体として小型かつ簡易な構成で、
光磁気デイスク上で生じる復屈折の影響を排除して、復
屈折によるデフオーカスの発生を未然に防止し得る光ピ
ツクアツプ装置を実現できる。
ザスポツトを形成すると共に、再生信号検出用光学系が
３ビームウオラストンプリズムで構成された光ピツクア
ツプ装置において、フオーカスサーボ用光デイテクタ上
に偏光板を貼着し、光磁気デイスクからの反射光に含ま
れるＰ偏光成分及びＳ偏光成分のそれぞれ等しい比率の
偏光成分をフオーカスサーボ用光デイテクタに導くよう
にしたことにより、全体として小型かつ簡易な構成で、
光磁気デイスク上で生じる復屈折の影響を排除して、復
屈折によるデフオーカスの発生を未然に防止し得る光ピ
ツクアツプ装置を実現できる。
（G4）他の実施例 （１） 上述の第１の実施例においては、本発明をＰ偏
光透過率TP0が100％、Ｓ偏光反射率RS0が100％に選定さ
れたビームスプリツタを用いて、Ｐ偏光成分及びＳ偏光
成分を分離する再生信号検出用の光学系を有する光ピツ
クアツプ装置に適用したが、本発明はこれに限らず、例
えばウオラストンプリズム等他の検光子を用いてＰ偏光
成分及びＳ偏光成分を分離するようになされた再生信号
検出用の光学系を有する光ピツクアツプ装置にも適用し
得る。
光透過率TP0が100％、Ｓ偏光反射率RS0が100％に選定さ
れたビームスプリツタを用いて、Ｐ偏光成分及びＳ偏光
成分を分離する再生信号検出用の光学系を有する光ピツ
クアツプ装置に適用したが、本発明はこれに限らず、例
えばウオラストンプリズム等他の検光子を用いてＰ偏光
成分及びＳ偏光成分を分離するようになされた再生信号
検出用の光学系を有する光ピツクアツプ装置にも適用し
得る。
（２） 上述の第１の実施例においては、偏光板をフオ
ーカスサーボ用の光デイテクタ上に配置した場合を示し
たが、本発明はこれに限らず、第２のビームスプリツタ
及びフオーカスサーボ用の光デイテクタの光路間であれ
ば、例えば第２のビームスプリツタ側に配置するように
しても、上述の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
ーカスサーボ用の光デイテクタ上に配置した場合を示し
たが、本発明はこれに限らず、第２のビームスプリツタ
及びフオーカスサーボ用の光デイテクタの光路間であれ
ば、例えば第２のビームスプリツタ側に配置するように
しても、上述の実施例と同様の効果を得ることができ
る。
（３） 上述の第３の実施例においては、フオーカスサ
ーボ用の中央の受光部にのみ偏光板を貼着した場合につ
いて述べたが、これに加えてトラツキングサーボ用の左
右の受光部にも偏光板を貼着するようにしても良い。因
みにこのようにすれば、光磁気デイスク上で生じる復屈
折の影響がトラツキングエラー信号に含まれるおそれを
未然に防止し得、さらに一段と信頼性を向上した光ピツ
クアツプ装置を実現できる。
ーボ用の中央の受光部にのみ偏光板を貼着した場合につ
いて述べたが、これに加えてトラツキングサーボ用の左
右の受光部にも偏光板を貼着するようにしても良い。因
みにこのようにすれば、光磁気デイスク上で生じる復屈
折の影響がトラツキングエラー信号に含まれるおそれを
未然に防止し得、さらに一段と信頼性を向上した光ピツ
クアツプ装置を実現できる。
（４） 上述の第３の実施例においては、光デイテクタ
上に形成される９個の光スポツトのうち、上下に形成さ
れるそれぞれ３個の光スポツトの中央の光スポツトから
得られる受光出力の差分を演算することにより光磁気デ
イスクの再生信号を得るようにしたが、これに代え、上
下に形成されるそれぞれ３個の光スポツトから得られる
受光出力の総量の差分を演算することにより光磁気デイ
スクの再生信号を得るようにしても良い。
上に形成される９個の光スポツトのうち、上下に形成さ
れるそれぞれ３個の光スポツトの中央の光スポツトから
得られる受光出力の差分を演算することにより光磁気デ
イスクの再生信号を得るようにしたが、これに代え、上
下に形成されるそれぞれ３個の光スポツトから得られる
受光出力の総量の差分を演算することにより光磁気デイ
スクの再生信号を得るようにしても良い。
（５） 上述の実施例においては、偏光手段としての偏
光板を透明樹脂板に誘電多層膜を蒸着したものを用いた
場合について述べたが、本発明による偏光手段としては
これに限らず、例えばポリビニールアルコール等他の偏
光手段を用いても良く、さらにその偏光手段の特性とし
て、ビームスプリツタのエンハンス特性（Ｐ偏光反射率
RP1が20％、Ｓ偏光反射率RS1が100％）に応じて、Ｐ偏
光透過率TPが100％、Ｓ偏光透過率TSが20％に選定され
たものを用いたが、偏光手段の特性はこれに限らず、要
はビームスプリツタのエンハンス特性に対して逆特性の
ものを用いて、サーボ用光デイテクタの入射光に含まれ
るＰ偏光成分及びＳ偏光成分を等しくするようにすれ
ば、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
光板を透明樹脂板に誘電多層膜を蒸着したものを用いた
場合について述べたが、本発明による偏光手段としては
これに限らず、例えばポリビニールアルコール等他の偏
光手段を用いても良く、さらにその偏光手段の特性とし
て、ビームスプリツタのエンハンス特性（Ｐ偏光反射率
RP1が20％、Ｓ偏光反射率RS1が100％）に応じて、Ｐ偏
光透過率TPが100％、Ｓ偏光透過率TSが20％に選定され
たものを用いたが、偏光手段の特性はこれに限らず、要
はビームスプリツタのエンハンス特性に対して逆特性の
ものを用いて、サーボ用光デイテクタの入射光に含まれ
るＰ偏光成分及びＳ偏光成分を等しくするようにすれ
ば、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、第１の偏光反射率が低
く設定されたエンハンスタイプのビームスプリツタを用
いて、往路及び復路のレーザ光を分割するようになされ
た光ピツクアツプ装置において、偏光手段を用いて復路
のレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第
２の偏光透過率を低くして、サーボ用光デイテクタに入
射するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等
しくするようにしたことにより、小型かつ簡易な構成で
サーボ用光デイテクタから確実にサーボ信号を得る光ピ
ツクアツプ装置を実現できる。
く設定されたエンハンスタイプのビームスプリツタを用
いて、往路及び復路のレーザ光を分割するようになされ
た光ピツクアツプ装置において、偏光手段を用いて復路
のレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち第
２の偏光透過率を低くして、サーボ用光デイテクタに入
射するレーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分を等
しくするようにしたことにより、小型かつ簡易な構成で
サーボ用光デイテクタから確実にサーボ信号を得る光ピ
ツクアツプ装置を実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例の光学系を示す略線的系
統図、第２図は本発明の第２の実施例の光学系を示す略
線的系統図、第３図はその光デイテクタを示す平面図、
第４図は本発明の第３の実施例の光学系を示す略線的系
統図、第５図はその光デイテクタを示す平面図、第６図
は従来例の光ピツクアツプ装置の光学系を示す略線的系
統図、第７図はその光デイテクタを示す平面図、第８図
はさらに他の従来例の光ピツクアツプ装置の光学系を示
す略線的系統図である。 １、20、30、40、50……光ピツクアツプ装置、２……半
導体レーザ、３……コリメータレンズ、４、８、21、2
3、31……ビームスプリツタ、５……対物レンズ、６…
…光磁気デイスク、７……1/2波長板、９、10、22、2
4、47、52……光デイテクタ、25、42……再生信号検出
用光学系、32、48……偏光板、41……３ビームウオラス
トンプリズム、42……集光レンズ。
統図、第２図は本発明の第２の実施例の光学系を示す略
線的系統図、第３図はその光デイテクタを示す平面図、
第４図は本発明の第３の実施例の光学系を示す略線的系
統図、第５図はその光デイテクタを示す平面図、第６図
は従来例の光ピツクアツプ装置の光学系を示す略線的系
統図、第７図はその光デイテクタを示す平面図、第８図
はさらに他の従来例の光ピツクアツプ装置の光学系を示
す略線的系統図である。 １、20、30、40、50……光ピツクアツプ装置、２……半
導体レーザ、３……コリメータレンズ、４、８、21、2
3、31……ビームスプリツタ、５……対物レンズ、６…
…光磁気デイスク、７……1/2波長板、９、10、22、2
4、47、52……光デイテクタ、25、42……再生信号検出
用光学系、32、48……偏光板、41……３ビームウオラス
トンプリズム、42……集光レンズ。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザ光源から光磁気デイスクに向かうレ
ーザ光の往路及び当該光磁気デイスクから光デイテクタ
に向かうレーザ光の復路を分割すると共に、当該復路の
上記レーザ光に含まれる第１及び第２の偏光成分のうち
第１の偏光反射率が低く選定されたビームスプリツタを
用いる上記光磁気デイスク用の光ピツクアツプ装置にお
いて、 上記光デイテクタのうちサーボ信号を得るサーボ用光デ
イテクタに、上記復路の上記レーザ光に含まれる上記第
１及び第２の偏光成分のうち第２の偏光透過率を低くす
る偏光手段を配し、 上記サーボ用光デイテクタに入射する上記レーザ光に含
まれる上記第１及び第２の偏光成分を等しくするように
した ことを特徴とする光ピツクアツプ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7955788A JP2712259B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7955788A JP2712259B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251456A JPH01251456A (ja) | 1989-10-06 |
| JP2712259B2 true JP2712259B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13693310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7955788A Expired - Fee Related JP2712259B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712259B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04289529A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-10-14 | Sony Corp | 記録可能ディスク用光学ピックアップ装置及びダイクロイックミラー |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7955788A patent/JP2712259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01251456A (ja) | 1989-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |