JP2710532B2 - パラジウムアミン水酸化物化合物の合成方法 - Google Patents
パラジウムアミン水酸化物化合物の合成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパラジウムメッキ浴で使
用するためのパラジウムアミン水酸化物で電気透析的に
合成する方法に関する。
用するためのパラジウムアミン水酸化物で電気透析的に
合成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パラジウムおよびパラジウム合金は、化
学的に不活性であり、優れた耐摩耗性を有し、光沢仕上
面をもたらし、耐熱性および高電導率を有し、更に、金
に比べて安価であるため、広範な用途に使用されてい
る。これらの用途の多くは、コネクタピン、リレーまた
はスイッチ接点などのような電気接点表面、プリント配
線板の接点表面および装飾用宝石などである。これらの
用途の多くは、多量のパラジウムがメッキされ、メッキ
浴のパラジウム含量が急速に消耗される。このため、メ
ッキ浴へのパラジウムの補充が必要になる。
学的に不活性であり、優れた耐摩耗性を有し、光沢仕上
面をもたらし、耐熱性および高電導率を有し、更に、金
に比べて安価であるため、広範な用途に使用されてい
る。これらの用途の多くは、コネクタピン、リレーまた
はスイッチ接点などのような電気接点表面、プリント配
線板の接点表面および装飾用宝石などである。これらの
用途の多くは、多量のパラジウムがメッキされ、メッキ
浴のパラジウム含量が急速に消耗される。このため、メ
ッキ浴へのパラジウムの補充が必要になる。
【０００３】代表的な事例は、多数のピンが高速で電気
メッキされる電気接点用のコンタクトピンのパラジウム
メッキである。このような電気メッキ用のパラジウムお
よびパラジウム合金と、そのメッキ方法に関して多数の
特許公報が発行されている。例えば、米国特許第４４２
７５０２号、同第４４６８２９６号、同第４４８６２７
４号、同第４９１１７９８号、同第４９１１７９９号、
同第４４９３７５４号の各公報にそれぞれ詳細に記載さ
れている。
メッキされる電気接点用のコンタクトピンのパラジウム
メッキである。このような電気メッキ用のパラジウムお
よびパラジウム合金と、そのメッキ方法に関して多数の
特許公報が発行されている。例えば、米国特許第４４２
７５０２号、同第４４６８２９６号、同第４４８６２７
４号、同第４９１１７９８号、同第４９１１７９９号、
同第４４９３７５４号の各公報にそれぞれ詳細に記載さ
れている。
【０００４】この明細書でパラジウムアミン水酸化物と
総称される特定の種類のパラジウム化合物はパラジウム
メッキに有用である。パラジウムアミン水酸化物の正確
な構造式は未知であり、一般式［Ｐｄ（ＮＨ3）2（Ｏ
Ｈ）］n（ＯＨ）n（式中、ｎは１〜６の範囲で変化す
る。）に対応する、恐らく２種類以上の種類が水溶液の
形態で存在する。パラジウムアミン水酸化物化合物はパ
ラジウムメッキ浴を最初から構成するのにも使用できる
し、および／または、メッキ操作中にメッキ浴を補充す
るためにも使用できる。
総称される特定の種類のパラジウム化合物はパラジウム
メッキに有用である。パラジウムアミン水酸化物の正確
な構造式は未知であり、一般式［Ｐｄ（ＮＨ3）2（Ｏ
Ｈ）］n（ＯＨ）n（式中、ｎは１〜６の範囲で変化す
る。）に対応する、恐らく２種類以上の種類が水溶液の
形態で存在する。パラジウムアミン水酸化物化合物はパ
ラジウムメッキ浴を最初から構成するのにも使用できる
し、および／または、メッキ操作中にメッキ浴を補充す
るためにも使用できる。
【０００５】パラジウムメッキ浴におけるパラジウムア
ミン水酸化物の使用は様々な利点を有する。例えば、塩
化物イオンのような酸性アニオンがメッキ浴内に蓄積し
ない。このような酸性アニオンの蓄積はしばしば、メッ
キ浴の寿命を縮め、更に、メッキ浴の寿命期間内におけ
る浴のメッキ特性を改悪することがある。
ミン水酸化物の使用は様々な利点を有する。例えば、塩
化物イオンのような酸性アニオンがメッキ浴内に蓄積し
ない。このような酸性アニオンの蓄積はしばしば、メッ
キ浴の寿命を縮め、更に、メッキ浴の寿命期間内におけ
る浴のメッキ特性を改悪することがある。
【０００６】また、パラジウムアミン水酸化物化合物は
アノードで発生される水素イオンを中和するので、アル
カリ性薬剤（例えば、水酸化カリウム）をメッキ浴に添
加する必要が無い。その結果、メッキ浴の有用性を制限
し、浴の寿命を縮める、アルカリ性カチオン（例えば、
水酸化カリウムの場合、カリウムイオン）の蓄積が抑制
される。
アノードで発生される水素イオンを中和するので、アル
カリ性薬剤（例えば、水酸化カリウム）をメッキ浴に添
加する必要が無い。その結果、メッキ浴の有用性を制限
し、浴の寿命を縮める、アルカリ性カチオン（例えば、
水酸化カリウムの場合、カリウムイオン）の蓄積が抑制
される。
【０００７】更に、メッキ中にパラジウムアミン水酸化
物化合物を添加することによりパラジウム濃度を一定に
維持すると、メッキ浴のｐＨを安定化させることができ
る。その結果、メッキ浴の寿命が延長され、メッキ浴の
寿命の全期間を通して、一定のメッキ条件（例えば、メ
ッキ速度など）を維持することができる。
物化合物を添加することによりパラジウム濃度を一定に
維持すると、メッキ浴のｐＨを安定化させることができ
る。その結果、メッキ浴の寿命が延長され、メッキ浴の
寿命の全期間を通して、一定のメッキ条件（例えば、メ
ッキ速度など）を維持することができる。
【０００８】パラジウムメッキ浴で使用するためのパラ
ジウムアミン水酸化物の合成方法は米国特許第４５１２
９６３号公報に開示されている。この特許公報は、アニ
オン交換樹脂（ＯＨ形）を用いるパラジウムアミン水酸
化物の製造方法を開示している。
ジウムアミン水酸化物の合成方法は米国特許第４５１２
９６３号公報に開示されている。この特許公報は、アニ
オン交換樹脂（ＯＨ形）を用いるパラジウムアミン水酸
化物の製造方法を開示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法の場
合、イオン交換樹脂を再使用することが困難であり、こ
の樹脂から水酸化物化合物を回収する操作は非常にのろ
く、しかも、不完全である。このため、この方法は緩慢
であり、高コストなため、非実用的である。
合、イオン交換樹脂を再使用することが困難であり、こ
の樹脂から水酸化物化合物を回収する操作は非常にのろ
く、しかも、不完全である。このため、この方法は緩慢
であり、高コストなため、非実用的である。
【００１０】従って、本発明の目的は、パラジウムメッ
キ浴で容易に使用でき、しかも、比較的長い保存寿命を
有するパラジウムアミン水酸化物を簡単に、かつ、効率
的に製造する方法を提供することである。
キ浴で容易に使用でき、しかも、比較的長い保存寿命を
有するパラジウムアミン水酸化物を簡単に、かつ、効率
的に製造する方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明のパ
ラジウムメッキ浴中で使用するためのパラジウムアミン
水酸化物の電気透析的な合成方法により解決される。
ラジウムメッキ浴中で使用するためのパラジウムアミン
水酸化物の電気透析的な合成方法により解決される。
【００１２】電気透析は、フッ素化アニオン選択透過膜
により分割された陰極液、生成物および陽極液区画を有
するセル内で行われる。陰極液は容易にＯＨイオンを供
給し、原料出発溶液はパラジウムアミンイオンおよび陽
極液区画中に移行できるアニオンを含有し、そして、陽
極液は原料溶液からのアニオンを容易に吸着する。陰極
液および陽極液区画内に配置された電極は、電極間距離
が５ｃｍ以下になるような位置に配置されている。
により分割された陰極液、生成物および陽極液区画を有
するセル内で行われる。陰極液は容易にＯＨイオンを供
給し、原料出発溶液はパラジウムアミンイオンおよび陽
極液区画中に移行できるアニオンを含有し、そして、陽
極液は原料溶液からのアニオンを容易に吸着する。陰極
液および陽極液区画内に配置された電極は、電極間距離
が５ｃｍ以下になるような位置に配置されている。
【００１３】本発明の方法は、５００ＡＳＦ（５４００
Ａ／ｍ2）以下（好ましくは、２００ＡＳＦ（２１６０
Ａ／ｍ2））の電流密度、５０〜９０％（好ましくは、
６０〜８０％）の電流効率、凍結点〜４０℃（好ましく
は、２５〜４０℃）の浴温度で実施される。この電気透
析により、パラジウムジアミンクロリドのような出発物
質のパラジウムジアミン化合物を少量含有する安定なパ
ラジウムジアミン水酸化物溶液が得られる。このパラジ
ウムジアミン水酸化物溶液は補充用またはメッキ原液の
何れの態様でも容易に使用できる最終溶液である。
Ａ／ｍ2）以下（好ましくは、２００ＡＳＦ（２１６０
Ａ／ｍ2））の電流密度、５０〜９０％（好ましくは、
６０〜８０％）の電流効率、凍結点〜４０℃（好ましく
は、２５〜４０℃）の浴温度で実施される。この電気透
析により、パラジウムジアミンクロリドのような出発物
質のパラジウムジアミン化合物を少量含有する安定なパ
ラジウムジアミン水酸化物溶液が得られる。このパラジ
ウムジアミン水酸化物溶液は補充用またはメッキ原液の
何れの態様でも容易に使用できる最終溶液である。
【００１４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【００１５】本発明によるパラジウムアミン水酸化物の
製造はイオン交換膜を用いた電気透析セル内における電
気透析により行われる。イオン交換膜を用いた電気透析
技術は公知であるが、本発明による、装置、膜、加工パ
ラメータおよび特別な電気透析の特定の組合せによれ
ば、一般式［Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 （ＯＨ）］n （ＯＨ）n
（式中、ｎは１〜６の範囲で変化する）で示されるパラ
ジウムアミン水酸化物を生成することができる。
製造はイオン交換膜を用いた電気透析セル内における電
気透析により行われる。イオン交換膜を用いた電気透析
技術は公知であるが、本発明による、装置、膜、加工パ
ラメータおよび特別な電気透析の特定の組合せによれ
ば、一般式［Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 （ＯＨ）］n （ＯＨ）n
（式中、ｎは１〜６の範囲で変化する）で示されるパラ
ジウムアミン水酸化物を生成することができる。
【００１６】この化合物は、パラジウムメッキで常用さ
れている別の市販のパラジウム化合物から生成すること
ができる。この化合物が本発明により生成された場合、
この化合物は極めて安定であり、分解または劣化するこ
となく、長期間にわたって貯蔵することができる。下記
に説明する特別な仕様および方法パラメータに拠ること
なく水酸化物を生成しても、非常に非効率であり、ま
た、せいぜい良くても、大抵は生成されるやいなや、溶
液からセル内に沈降するような不安定なパラジウムアミ
ン水酸化物しか得られない。
れている別の市販のパラジウム化合物から生成すること
ができる。この化合物が本発明により生成された場合、
この化合物は極めて安定であり、分解または劣化するこ
となく、長期間にわたって貯蔵することができる。下記
に説明する特別な仕様および方法パラメータに拠ること
なく水酸化物を生成しても、非常に非効率であり、ま
た、せいぜい良くても、大抵は生成されるやいなや、溶
液からセル内に沈降するような不安定なパラジウムアミ
ン水酸化物しか得られない。
【００１７】本発明を実施するのに使用される電気透析
セルは、陰極液区画、陽極液区画およびアニオン選択透
過膜により陰極液および陽極液区画から分離された中間
または生成物区画を含む、３個の区画からなる。各区画
はセルの内部および外部をめぐる各区画自体の循環路を
有する。好ましい実施例では、各セルには別の補助タン
クも配設されている。これにより、セルを運転したま
ま、本発明の方法を連続的にコントロールすることがで
きる。このため、各区画は各液の組成および温度につい
て監視することができる。
セルは、陰極液区画、陽極液区画およびアニオン選択透
過膜により陰極液および陽極液区画から分離された中間
または生成物区画を含む、３個の区画からなる。各区画
はセルの内部および外部をめぐる各区画自体の循環路を
有する。好ましい実施例では、各セルには別の補助タン
クも配設されている。これにより、セルを運転したま
ま、本発明の方法を連続的にコントロールすることがで
きる。このため、各区画は各液の組成および温度につい
て監視することができる。
【００１８】陰極液区画はＯＨイオンを容易に供給する
物質を含有する。生成物区画は、所望のアミン水酸化物
形に転化すべき原料が始めから充填されている。広範な
種類の原料を使用できる。特に好適な原料はパラジウム
ジアミン化合物と総称される化合物類であり、例えば、
Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 Ｃｌ2 、Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 Ｂｒ2 、Ｐ
ｄ（ＮＨ3 ）2 Ｉ2 、Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 ＳＯ4 、Ｐｄ
（ＮＨ3 ）2 （ＮＯ3 ）2 などである。前記の形のその
他のパラジウム化合物も使用でき、公知の方法によりＰ
ｄ（ＮＨ3 ）4 Ｃｌ2 に変換することもできる。例え
ば、金属パラジウムまたはＰｄＣｌ2 は、パラジウムメ
ッキで使用するのに適した形のＰｄ（ＮＨ3）4 Ｃｌ2
に変換することができる。
物質を含有する。生成物区画は、所望のアミン水酸化物
形に転化すべき原料が始めから充填されている。広範な
種類の原料を使用できる。特に好適な原料はパラジウム
ジアミン化合物と総称される化合物類であり、例えば、
Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 Ｃｌ2 、Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 Ｂｒ2 、Ｐ
ｄ（ＮＨ3 ）2 Ｉ2 、Ｐｄ（ＮＨ3 ）2 ＳＯ4 、Ｐｄ
（ＮＨ3 ）2 （ＮＯ3 ）2 などである。前記の形のその
他のパラジウム化合物も使用でき、公知の方法によりＰ
ｄ（ＮＨ3 ）4 Ｃｌ2 に変換することもできる。例え
ば、金属パラジウムまたはＰｄＣｌ2 は、パラジウムメ
ッキで使用するのに適した形のＰｄ（ＮＨ3）4 Ｃｌ2
に変換することができる。
【００１９】陽極液区画は、自己のアニオンと原料のア
ニオンとを交換する物質の溶液を含有する。生成物区画
では、原料はパラジウムテトラアミン水酸化物［Ｐｄ2
（ＮＨ3）4（ＯＨ）2］（ＯＨ）2のような所望の水酸化
物形に転化される。これは、陰極液区画からＯＨイオン
をアニオン交換膜を通して原料を含有する生成物区画へ
移動させることにより行われる。生成物区画に進入する
各ＯＨイオンについて、原料のアニオン１個が他のアニ
オン交換膜を通して陽極液区画に移動される。原料の置
換アニオンは陽極液側の交換膜を通して移行し、そし
て、例えば、陽極液のアニオンについてこれらのアニオ
ンを別に交換することにより、陽極液物質の一部にな
る。従って、本発明の方法は、２枚のアニオン交換膜に
より原料のアニオンをＯＨイオンで置換することからな
る。
ニオンとを交換する物質の溶液を含有する。生成物区画
では、原料はパラジウムテトラアミン水酸化物［Ｐｄ2
（ＮＨ3）4（ＯＨ）2］（ＯＨ）2のような所望の水酸化
物形に転化される。これは、陰極液区画からＯＨイオン
をアニオン交換膜を通して原料を含有する生成物区画へ
移動させることにより行われる。生成物区画に進入する
各ＯＨイオンについて、原料のアニオン１個が他のアニ
オン交換膜を通して陽極液区画に移動される。原料の置
換アニオンは陽極液側の交換膜を通して移行し、そし
て、例えば、陽極液のアニオンについてこれらのアニオ
ンを別に交換することにより、陽極液物質の一部にな
る。従って、本発明の方法は、２枚のアニオン交換膜に
より原料のアニオンをＯＨイオンで置換することからな
る。
【００２０】本発明の方法は、セル設計、膜品質および
操作パラメータの適当な組合せに基づく。セル設計は、
電極間に僅かな間隔を設け、なおかつ、セル操作に必要
な３個の区画の配置を可能にしている。本発明にとって
必要なことは、電極間の距離が５ｃｍ以下でなければな
らないことである。このようなセルでは、生成物区画の
容量が小さいので、各バッチで必要な生成物容量は、電
解されている原料を連続的に循環させる外部溜めにより
達成される。３個の区画の各々の内容物の品質管理およ
び定期的なメンテナンスにより良質な操作が可能であ
る。
操作パラメータの適当な組合せに基づく。セル設計は、
電極間に僅かな間隔を設け、なおかつ、セル操作に必要
な３個の区画の配置を可能にしている。本発明にとって
必要なことは、電極間の距離が５ｃｍ以下でなければな
らないことである。このようなセルでは、生成物区画の
容量が小さいので、各バッチで必要な生成物容量は、電
解されている原料を連続的に循環させる外部溜めにより
達成される。３個の区画の各々の内容物の品質管理およ
び定期的なメンテナンスにより良質な操作が可能であ
る。
【００２１】本発明を実施するのに広範な種類のアニオ
ン交換膜を使用できる。これらの膜はカチオンを殆ど除
外し、アニオンだけを選択的に透過させることができ
る。ｐＨ１４以下のような高アルカリ性環境にも耐えら
れる高級フッ素化アニオン交換膜だけがこの電気透析に
有用である。塩化物含有原料が使用される場合、この膜
は活性塩素に対しても抵抗性を有しなければならない。
常用の有機物を主鎖とする膜は、Ｃｌ2 とＯＨ- または
Ｈ2 Ｏの相互反応により生成された活性塩素により即座
に破壊される。本発明で使用される好ましいタイプのア
ニオン選択透過膜は、東京都港区赤坂１−１１−３９に
所在のトーソー株式会社により製造されているフッ素化
アニオン交換膜ＴＯＳＦＬＥＸ（登録商標）である。
ン交換膜を使用できる。これらの膜はカチオンを殆ど除
外し、アニオンだけを選択的に透過させることができ
る。ｐＨ１４以下のような高アルカリ性環境にも耐えら
れる高級フッ素化アニオン交換膜だけがこの電気透析に
有用である。塩化物含有原料が使用される場合、この膜
は活性塩素に対しても抵抗性を有しなければならない。
常用の有機物を主鎖とする膜は、Ｃｌ2 とＯＨ- または
Ｈ2 Ｏの相互反応により生成された活性塩素により即座
に破壊される。本発明で使用される好ましいタイプのア
ニオン選択透過膜は、東京都港区赤坂１−１１−３９に
所在のトーソー株式会社により製造されているフッ素化
アニオン交換膜ＴＯＳＦＬＥＸ（登録商標）である。
【００２２】操作パラメータは、本発明の方法が低温で
迅速に、しかも、高効率で実施できるように選択され
る。これらは性能を最適化するための３種類の極めて重
要なパラメータである。低温におけるアンモニア分圧は
低い。従って、アンモニア蒸発速度が低くなる。その結
果、生成物の安定性が得られ、しかも、環境的に一層安
全な操業が可能になる。溶液の凍結点から４０℃までの
範囲内の温度を使用することができる。２５〜４０℃の
範囲内の温度が好ましい。３０〜４０℃の範囲内の温度
が最も好ましい。
迅速に、しかも、高効率で実施できるように選択され
る。これらは性能を最適化するための３種類の極めて重
要なパラメータである。低温におけるアンモニア分圧は
低い。従って、アンモニア蒸発速度が低くなる。その結
果、生成物の安定性が得られ、しかも、環境的に一層安
全な操業が可能になる。溶液の凍結点から４０℃までの
範囲内の温度を使用することができる。２５〜４０℃の
範囲内の温度が好ましい。３０〜４０℃の範囲内の温度
が最も好ましい。
【００２３】電解を行っている処理継続時間は別の重要
なファクタである。処理は迅速でなければならない。こ
れにより、元の原料の転化率は５〜６時間以内に８０〜
９０％に達する。処理時間が長くなると、生成物は生成
されるが、過剰なアンモニア蒸発も起こる。この過剰量
の蒸発アンモニアは、処理が完了する前に、生成物を分
解してしまう。５００ＡＳＦ（５４００Ａ／ｍ2）以下
程度（最適には２００ＡＳＦ（２１６０Ａ／ｍ2））の
電流密度がこの処理操作に好適である。パラジウムアミ
ン水酸化物を製造する場合、５０〜９０％（好ましく
は、６０〜８０％）の範囲内の電流効率を使用すると生
成物の安定性に寄与する。
なファクタである。処理は迅速でなければならない。こ
れにより、元の原料の転化率は５〜６時間以内に８０〜
９０％に達する。処理時間が長くなると、生成物は生成
されるが、過剰なアンモニア蒸発も起こる。この過剰量
の蒸発アンモニアは、処理が完了する前に、生成物を分
解してしまう。５００ＡＳＦ（５４００Ａ／ｍ2）以下
程度（最適には２００ＡＳＦ（２１６０Ａ／ｍ2））の
電流密度がこの処理操作に好適である。パラジウムアミ
ン水酸化物を製造する場合、５０〜９０％（好ましく
は、６０〜８０％）の範囲内の電流効率を使用すると生
成物の安定性に寄与する。
【００２４】図１は代表的な電気透析セルの模式的構成
図である。説明の便宜上、装置の各部の寸法は縮尺通り
に図示されていない。符号１で全体が示されているセル
は、容器２と、アノード電極８と、カソード電極９を有
する。容器２は、少なくとも一部分がアニオン選択透過
膜から構成されている２枚の垂直壁６および７により３
個の区画３，４および５に分割されている。アノード電
極８は区画３内に配置され、カソード電極９は区画５内
に配置されている。ＤＣ電源１１はリード線１２および
１３により各電極に接続されている。電気透析電流の大
きさは電流制御手段１４によりコントロールされる。
図である。説明の便宜上、装置の各部の寸法は縮尺通り
に図示されていない。符号１で全体が示されているセル
は、容器２と、アノード電極８と、カソード電極９を有
する。容器２は、少なくとも一部分がアニオン選択透過
膜から構成されている２枚の垂直壁６および７により３
個の区画３，４および５に分割されている。アノード電
極８は区画３内に配置され、カソード電極９は区画５内
に配置されている。ＤＣ電源１１はリード線１２および
１３により各電極に接続されている。電気透析電流の大
きさは電流制御手段１４によりコントロールされる。
【００２５】区画３，４および５は電気透析セルを構成
する。中間または生成物区画４は陽極液区画３と陰極液
区画５との間に間挿されており、アニオン選択透過膜６
および７は生成物区画から陽極液区画と陰極液区画をそ
れぞれ分離している。効率上の理由により、電極８およ
び９は各膜面積に対して同延面積であることが好まし
い。電極は各溶液中で消耗されないような物質から構成
されている。例えば、アノード電極は白金、白金・チタ
ン合金または白金・ニオブ合金からなり、カソード電極
はステンレススチールまたはニッケルからなる。
する。中間または生成物区画４は陽極液区画３と陰極液
区画５との間に間挿されており、アニオン選択透過膜６
および７は生成物区画から陽極液区画と陰極液区画をそ
れぞれ分離している。効率上の理由により、電極８およ
び９は各膜面積に対して同延面積であることが好まし
い。電極は各溶液中で消耗されないような物質から構成
されている。例えば、アノード電極は白金、白金・チタ
ン合金または白金・ニオブ合金からなり、カソード電極
はステンレススチールまたはニッケルからなる。
【００２６】パラジウムアミン水酸化物化合物を製造す
るための合成例について下記に説明する。生成物区画４
に原料溶液を充填する。この原料溶液は好適な形のパラ
ジウムアミン水酸化物に電気透析により転化されるべき
物質である。本発明を実施するのに、様々な浴化合物を
使用できる。一般的に、浴はパラジウム源を含有してい
なければならない。また、妥当な電気透析速度を得るの
に十分な導電性を有しなければならない。代表例は、ア
ンモニアと錯体を形成したパラジウムを含有するアンモ
ニア系メッキ溶液であるが、その他のタイプのパラジウ
ムメッキ溶液も有用である。前記のパラジウムジアミン
化合物を出発原料として使用できる。好ましい出発原料
はＰｄ（ＮＨ3 ）4 Ｃｌ2 である。
るための合成例について下記に説明する。生成物区画４
に原料溶液を充填する。この原料溶液は好適な形のパラ
ジウムアミン水酸化物に電気透析により転化されるべき
物質である。本発明を実施するのに、様々な浴化合物を
使用できる。一般的に、浴はパラジウム源を含有してい
なければならない。また、妥当な電気透析速度を得るの
に十分な導電性を有しなければならない。代表例は、ア
ンモニアと錯体を形成したパラジウムを含有するアンモ
ニア系メッキ溶液であるが、その他のタイプのパラジウ
ムメッキ溶液も有用である。前記のパラジウムジアミン
化合物を出発原料として使用できる。好ましい出発原料
はＰｄ（ＮＨ3 ）4 Ｃｌ2 である。
【００２７】陰極液区画５は、水溶液中に水酸基アニオ
ンを供給する適当な陰極液を含有する。弱塩基および強
塩基などの広範な塩基を使用できる。このような陰極液
はＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨなどである。ＮａＯＨ
およびＫＯＨが好ましい。原料のアニオンが逆方向に移
行することを避けるために、塩基性アニオンの濃度は原
料アニオンの濃度と同程度か、またはそれよりも高くな
ければならない。陽極液区画３は、アルカリ性または中
性の適当な陽極液が充填されている。この陽極液は、選
択透過膜を通して生成物区画からのアニオンの移行を可
能にする。
ンを供給する適当な陰極液を含有する。弱塩基および強
塩基などの広範な塩基を使用できる。このような陰極液
はＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨなどである。ＮａＯＨ
およびＫＯＨが好ましい。原料のアニオンが逆方向に移
行することを避けるために、塩基性アニオンの濃度は原
料アニオンの濃度と同程度か、またはそれよりも高くな
ければならない。陽極液区画３は、アルカリ性または中
性の適当な陽極液が充填されている。この陽極液は、選
択透過膜を通して生成物区画からのアニオンの移行を可
能にする。
【００２８】本発明の電気透析方法では水酸基イオンが
使用されているので、陽極液は水酸基イオンを含有する
ことが好ましい。陽極液は一般的に、塩基性水溶液であ
る。好適な陽極液はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ2ＳＯ4、Ｎ
ａ2ＳＯ3、ＫＮＯ3などである。ｐＨ８以上のＮａＯＨ
およびＫＯＨが好ましい。しばしば、陽極液のカチオン
はパラジウムメッキ浴における緩衝液で使用されるカチ
オンと同一であることが好ましい。例えば、燐酸カリウ
ム緩衝液系が浴中で使用されている場合、陽極液では水
酸化カリウムを使用することが好ましい。
使用されているので、陽極液は水酸基イオンを含有する
ことが好ましい。陽極液は一般的に、塩基性水溶液であ
る。好適な陽極液はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｎａ2ＳＯ4、Ｎ
ａ2ＳＯ3、ＫＮＯ3などである。ｐＨ８以上のＮａＯＨ
およびＫＯＨが好ましい。しばしば、陽極液のカチオン
はパラジウムメッキ浴における緩衝液で使用されるカチ
オンと同一であることが好ましい。例えば、燐酸カリウ
ム緩衝液系が浴中で使用されている場合、陽極液では水
酸化カリウムを使用することが好ましい。
【００２９】好ましい実施例では、本発明の方法は出発
原料としてＰｄ（ＮＨ3）4Ｃｌ2を用いるものとして例
証されている。多分、Ｐｄ（ＮＨ3）4 2+イオンとＣｌ-
イオンの形で存在するこの溶液をアニオン交換に暴露
し、溶液中の塩化物イオンをＯＨ-イオンで置換する。
バッチ法または連続法の何れの方法も使用できる。電気
透析方法は、パラジウムアミン水酸化物に転化すべき溶
液を通して、アノードからカソードへ電流を通過させる
ことが必要である。アノードおよびカソード電極８およ
び９にそれぞれ電位を印加すると、ＯＨ-アニオンは電
気透析方法により、アニオン選択透過膜７を通して陽極
液区画５から生成物区画４へ移行し、同時に、原料溶液
のパラジウム化合物からのＣｌ-アニオンは選択透過膜
６を通して陽極液区画３に移行する。
原料としてＰｄ（ＮＨ3）4Ｃｌ2を用いるものとして例
証されている。多分、Ｐｄ（ＮＨ3）4 2+イオンとＣｌ-
イオンの形で存在するこの溶液をアニオン交換に暴露
し、溶液中の塩化物イオンをＯＨ-イオンで置換する。
バッチ法または連続法の何れの方法も使用できる。電気
透析方法は、パラジウムアミン水酸化物に転化すべき溶
液を通して、アノードからカソードへ電流を通過させる
ことが必要である。アノードおよびカソード電極８およ
び９にそれぞれ電位を印加すると、ＯＨ-アニオンは電
気透析方法により、アニオン選択透過膜７を通して陽極
液区画５から生成物区画４へ移行し、同時に、原料溶液
のパラジウム化合物からのＣｌ-アニオンは選択透過膜
６を通して陽極液区画３に移行する。
【００３０】本発明によれば、アノードとカソードとの
間の距離は小さくなければならない。好ましくは、５ｃ
ｍ以下、最も好ましくは３ｃｍ以下である。この微小間
隔によりアノードとカソード間の通路の抵抗が下がり、
更に、この抵抗の低下により、透析に必要な電位も低下
し、溶液の加熱が避けられる。斯くして、冷却すること
なく低加工温度の使用が可能になる。この要件のため
に、生成物区画内の出発溶液の容量も少なくて済む。そ
の結果、原料からパラジウムアミンジオキシドへの転化
は極めて短時間のうちに完了する。
間の距離は小さくなければならない。好ましくは、５ｃ
ｍ以下、最も好ましくは３ｃｍ以下である。この微小間
隔によりアノードとカソード間の通路の抵抗が下がり、
更に、この抵抗の低下により、透析に必要な電位も低下
し、溶液の加熱が避けられる。斯くして、冷却すること
なく低加工温度の使用が可能になる。この要件のため
に、生成物区画内の出発溶液の容量も少なくて済む。そ
の結果、原料からパラジウムアミンジオキシドへの転化
は極めて短時間のうちに完了する。
【００３１】生成物区画から合成溶液を回収するため、
および、新たな原料をセルに再充填するために、処理操
作を頻繁に中断するような事態を避けるために、本発明
の装置は補助タンク１５，１６および１７を有する。各
補助タンクはセルの各関連区画の容量よりも遥かに大き
な容量を有する。各補助タンクは別々のパイプ−ポンプ
系１８，１９および２０により、セルの各関連区画に接
続されている。各タンクには関連区画内の溶液と同じ溶
液が充填されている。溶液は、各パイプ−ポンプ系１
８，１９および２０のポンプ２１，２２および２３によ
り各区画を通して循環される。
および、新たな原料をセルに再充填するために、処理操
作を頻繁に中断するような事態を避けるために、本発明
の装置は補助タンク１５，１６および１７を有する。各
補助タンクはセルの各関連区画の容量よりも遥かに大き
な容量を有する。各補助タンクは別々のパイプ−ポンプ
系１８，１９および２０により、セルの各関連区画に接
続されている。各タンクには関連区画内の溶液と同じ溶
液が充填されている。溶液は、各パイプ−ポンプ系１
８，１９および２０のポンプ２１，２２および２３によ
り各区画を通して循環される。
【００３２】液体は各区画の底部から導入され、そし
て、各区画の頂部から抜かれる。別法として、流入およ
び流出とも各区画の頂部で行うこともできる。底部から
流出させることもできるが、実用的ではない。電気透析
を行うと溶液の頂部に大量の気泡が発生する。処理操作
の効率を低下させないためには、この気泡を抜き取らな
ければならない。溶液を底部から流出させると、この気
泡除去が出来なくなる。各タンクには、必要に応じて古
液または再処理溶液を除去するために、排出バルブ２
４，２５および２６がそれぞれ配設されている。
て、各区画の頂部から抜かれる。別法として、流入およ
び流出とも各区画の頂部で行うこともできる。底部から
流出させることもできるが、実用的ではない。電気透析
を行うと溶液の頂部に大量の気泡が発生する。処理操作
の効率を低下させないためには、この気泡を抜き取らな
ければならない。溶液を底部から流出させると、この気
泡除去が出来なくなる。各タンクには、必要に応じて古
液または再処理溶液を除去するために、排出バルブ２
４，２５および２６がそれぞれ配設されている。
【００３３】一例として、生成物区画４およびタンク１
６には塩化物含量が６５〜７５ｇ／ｌでｐＨが７．５〜
９．０のＰｄ（ＮＨ3）4Ｃｌ2水溶液を充填する。陰極
液区画５およびタンク１７には２．０〜３．０モルのＮ
ａＯＨ溶液を充填し、また、陽極液区画３およびタンク
１５には２．０〜３．０モルのＮａＯＨ溶液を充填す
る。電気透析は、生成物区画の塩化物含量が約５〜１０
ｇ／ｌ、好ましくは、８〜１０ｇ／ｌ程度のレベルに低
下するまで行う。同時に、陽極液区画の塩化物含量は０
および０．０１モル未満から１モル以上にまで上昇す
る。陽極液区画の塩化物レベルが例えば、３５ｇ／ｌを
越える高いレベルに達した時点で、陽極液を新たなＮａ
ＯＨ溶液で置き換えなければならない。
６には塩化物含量が６５〜７５ｇ／ｌでｐＨが７．５〜
９．０のＰｄ（ＮＨ3）4Ｃｌ2水溶液を充填する。陰極
液区画５およびタンク１７には２．０〜３．０モルのＮ
ａＯＨ溶液を充填し、また、陽極液区画３およびタンク
１５には２．０〜３．０モルのＮａＯＨ溶液を充填す
る。電気透析は、生成物区画の塩化物含量が約５〜１０
ｇ／ｌ、好ましくは、８〜１０ｇ／ｌ程度のレベルに低
下するまで行う。同時に、陽極液区画の塩化物含量は０
および０．０１モル未満から１モル以上にまで上昇す
る。陽極液区画の塩化物レベルが例えば、３５ｇ／ｌを
越える高いレベルに達した時点で、陽極液を新たなＮａ
ＯＨ溶液で置き換えなければならない。
【００３４】一般的に、処理操作は生成物区画４および
補助タンク１６の塩化物含量が６５〜７５ｇ／ｌから５
〜１０ｇ／ｌ（好ましくは、８〜１０ｇ／ｌ）に低下す
るまで継続される。原料溶液の電気透析は完全なレベル
に達するまで（すなわち、最終生成物の塩化物イオンが
完全に除去されるまで）は継続されない。従って、溶液
がタンク１６から抜かれる場合、この溶液は主にパラジ
ウムジアミン水酸化物からなり、この溶液の一部分（例
えば、６〜１５wt％）は塩化物含有パラジウムジアミン
化合物である。
補助タンク１６の塩化物含量が６５〜７５ｇ／ｌから５
〜１０ｇ／ｌ（好ましくは、８〜１０ｇ／ｌ）に低下す
るまで継続される。原料溶液の電気透析は完全なレベル
に達するまで（すなわち、最終生成物の塩化物イオンが
完全に除去されるまで）は継続されない。従って、溶液
がタンク１６から抜かれる場合、この溶液は主にパラジ
ウムジアミン水酸化物からなり、この溶液の一部分（例
えば、６〜１５wt％）は塩化物含有パラジウムジアミン
化合物である。
【００３５】この塩化物含量の低下限界は、処理操作の
効率低下を避けるために望ましい。原料溶液の塩化物含
量が完全にゼロにならない限り、電気透析に必要な十分
な電気分解作用が得られ、処理操作の効率を高い状態に
維持することができる。５ｇ／ｌ以下のような低塩化物
レベルではＯＨイオンが、生成物と陽極液区画とを分離
する膜６を通して移送される主な種になるので、このよ
うな低塩化物レベルは避けるべきである。
効率低下を避けるために望ましい。原料溶液の塩化物含
量が完全にゼロにならない限り、電気透析に必要な十分
な電気分解作用が得られ、処理操作の効率を高い状態に
維持することができる。５ｇ／ｌ以下のような低塩化物
レベルではＯＨイオンが、生成物と陽極液区画とを分離
する膜６を通して移送される主な種になるので、このよ
うな低塩化物レベルは避けるべきである。
【００３６】このような低塩化物レベルになると、等量
のＯＨイオンが両方の膜６および７を通して同時に移送
されるような安定状態が形成される。この状態では、処
理操作の効率がゼロになるので、絶対に避けなければな
らない。更に、メッキ浴でパラジウムアミン水酸化物溶
液を使用する場合、原料溶液生成物の低塩化物含量は、
電気メッキに必要な十分な電気分解作用を果たしなが
ら、電気メッキセル中に塩化物が蓄積するのを避けるこ
とができる。
のＯＨイオンが両方の膜６および７を通して同時に移送
されるような安定状態が形成される。この状態では、処
理操作の効率がゼロになるので、絶対に避けなければな
らない。更に、メッキ浴でパラジウムアミン水酸化物溶
液を使用する場合、原料溶液生成物の低塩化物含量は、
電気メッキに必要な十分な電気分解作用を果たしなが
ら、電気メッキセル中に塩化物が蓄積するのを避けるこ
とができる。
【００３７】本発明による方法の好ましい実施態様の一
例を下記の実施例１で説明する。この実施態様を下記の
実施例２〜４で説明する本発明の方法の様々な変形例と
比較する。実施例２〜４は、少なくとも本発明を実施す
るのに重要であると思われる処理操作の、電極間距離お
よび温度のようなパラメータの点で相違する。下記の実
施例は全てバッチ製造に基づいて行った。
例を下記の実施例１で説明する。この実施態様を下記の
実施例２〜４で説明する本発明の方法の様々な変形例と
比較する。実施例２〜４は、少なくとも本発明を実施す
るのに重要であると思われる処理操作の、電極間距離お
よび温度のようなパラメータの点で相違する。下記の実
施例は全てバッチ製造に基づいて行った。
【００３８】実施例１ 処理方法の具体的設計パラメータ： 膜 ＴＯＳＦＬＥＸ Ｉ
Ｅ−ＳＦ３４−１８ 膜面積： １００ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ３ｃｍ 陰極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 陽極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 生成物容量： １００ｍｌ（セル
内） ４０００ｍｌ（セル外） 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ６±１Ｖ 操作温度： アノード区画：３６
℃ カソード区画：３６℃ 生成物区画 ：３６℃ 冷却： 不要 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ４時間／ｌ 処理効率： ６０〜７０％ 生成物濃度： Ｐｄ ９９〜１０１
ｇ／ｌ 生成物安定性： ３ヶ月以上（固形物
無し） 膜利用率： ２００オンス／膜Ｓ
Ｆ以上
Ｅ−ＳＦ３４−１８ 膜面積： １００ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ３ｃｍ 陰極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 陽極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 生成物容量： １００ｍｌ（セル
内） ４０００ｍｌ（セル外） 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ６±１Ｖ 操作温度： アノード区画：３６
℃ カソード区画：３６℃ 生成物区画 ：３６℃ 冷却： 不要 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ４時間／ｌ 処理効率： ６０〜７０％ 生成物濃度： Ｐｄ ９９〜１０１
ｇ／ｌ 生成物安定性： ３ヶ月以上（固形物
無し） 膜利用率： ２００オンス／膜Ｓ
Ｆ以上
【００３９】高効率、低温度および低電圧の組合せによ
り、優れたセル性能が得られる。セルはトータル２０ア
ンペア（２００ＡＳＦ（２１６０Ａ／ｍ2）に相当す
る）の電流値において最適運転された。１００ＡＳＦ
（１０８０Ａ／ｍ2）および５０ＡＳＦ（５４０Ａ／
ｍ2）などのような一層低い電流密度によれば、冷却な
しに、それぞれ３０℃および２８℃の一層低い操作温度
を使用できるが、処理時間がそれぞれ８時間および１６
時間に延びる。しかし、操作温度が低いので、処理時間
が延びても生成物の品質に悪影響は出ない。
り、優れたセル性能が得られる。セルはトータル２０ア
ンペア（２００ＡＳＦ（２１６０Ａ／ｍ2）に相当す
る）の電流値において最適運転された。１００ＡＳＦ
（１０８０Ａ／ｍ2）および５０ＡＳＦ（５４０Ａ／
ｍ2）などのような一層低い電流密度によれば、冷却な
しに、それぞれ３０℃および２８℃の一層低い操作温度
を使用できるが、処理時間がそれぞれ８時間および１６
時間に延びる。しかし、操作温度が低いので、処理時間
が延びても生成物の品質に悪影響は出ない。
【００４０】比較のために、商業的に許容できる処理を
行い、安定な生成物を得るのに必要な詳細な設計事項の
要件を満たさない３種類の処理例を下記に説明する。
行い、安定な生成物を得るのに必要な詳細な設計事項の
要件を満たさない３種類の処理例を下記に説明する。
【００４１】実施例２（比較例） 処理方法の具体的設計パラメータ： 膜 ＴＯＳＦＬＥＸ Ｉ
Ｅ−ＳＦ３４−１８ 膜面積： １００ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ７ｃｍ 陰極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 陽極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 生成物容量： ３００ｍｌ（セル
内） ４０００ｍｌ（セル外） 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ９±１Ｖ 操作温度： アノード区画：４５
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ８時間／ｌ 処理効率： ５５％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： １０オンス／ＳＦ膜
Ｅ−ＳＦ３４−１８ 膜面積： １００ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ７ｃｍ 陰極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 陽極液容量： １００ｍｌ（セル
内） １０００ｍｌ（セル外） 生成物容量： ３００ｍｌ（セル
内） ４０００ｍｌ（セル外） 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ９±１Ｖ 操作温度： アノード区画：４５
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ８時間／ｌ 処理効率： ５５％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： １０オンス／ＳＦ膜
【００４２】電極間距離が大きくなり、生成物セルの容
量が大きくなったこと以外は、実施例１に述べたパラメ
ータと同様な処理パラメータに従って行った。電極間の
距離が大きくなると、一層大きな生成物区画と一層高い
処理開始電圧が必要になる。その結果、操作温度が高く
なり、冷却が必要になる。結局、処理効率、製品の安定
性および膜利用率が全て低下する。
量が大きくなったこと以外は、実施例１に述べたパラメ
ータと同様な処理パラメータに従って行った。電極間の
距離が大きくなると、一層大きな生成物区画と一層高い
処理開始電圧が必要になる。その結果、操作温度が高く
なり、冷却が必要になる。結局、処理効率、製品の安定
性および膜利用率が全て低下する。
【００４３】実施例３（比較例） 処理方法の具体的設計パラメータ： 膜 ＥＳＣ−７００１ 膜面積： １５０ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ７ｃｍ 陰極液（２モルＫＯＨ）容量： ２５０ｍｌ 陽極液（２モルＫＯＨ）容量： １０００ｍｌ 生成物容量： ５００ｍｌ 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ９±１Ｖ 操作温度： アノード区画：４５
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ５時間／ｌ 処理効率： ９０％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： ６オンス／ＳＦ膜
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ５時間／ｌ 処理効率： ９０％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： ６オンス／ＳＦ膜
【００４４】一時的に高い効率が得られたが、膜が柔軟
になり、第１回の処理操作中に皺が入った。膜内に還元
されたパラジウム金属が堆積し、ショートを起こした。
このため、運転効率は著しく低下した。膜は再使用出来
なかった。膜はフッ素化されていない、市販のメタクリ
レート膜であった。
になり、第１回の処理操作中に皺が入った。膜内に還元
されたパラジウム金属が堆積し、ショートを起こした。
このため、運転効率は著しく低下した。膜は再使用出来
なかった。膜はフッ素化されていない、市販のメタクリ
レート膜であった。
【００４５】実施例４（比較例） 処理方法の具体的設計パラメータ： 膜 ＴＯＳＦＬＥＸ Ｉ
Ｅ−ＳＦ４ 膜面積： １５０ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ７ｃｍ 陰極液（２モルＫＯＨ）容量： ２５０ｍｌ 陽極液（２モルＫＯＨ）容量： １０００ｍｌ 生成物容量： ５００ｍｌ 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ９±１Ｖ 操作温度： アノード区画：４５
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ８時間／ｌ 処理効率： ５５％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： １０オンス／ＳＦ膜
Ｅ−ＳＦ４ 膜面積： １５０ｃｍ2 アノード面積： １００ｃｍ2 カソード面積： １００ｃｍ2 アノード−カソード間隔： ７ｃｍ 陰極液（２モルＫＯＨ）容量： ２５０ｍｌ 陽極液（２モルＫＯＨ）容量： １０００ｍｌ 生成物容量： ５００ｍｌ 代表的な処理方法実施条件： 電流： ２０Ａ 電圧： ９±１Ｖ 操作温度： アノード区画：４５
℃ カソード区画：６０℃ 生成物区画 ：５６℃ 冷却： 必要（冷却は補助タ
ンク（セル外）の周囲に配設されたをガラスコイル内に
冷水を循環させることにより行った。） 原料溶液処理開始時塩化物含量 ６５〜７５ｇ／ｌ 塩化物含量が１０ｇ／ｌになる までの処理時間： ８時間／ｌ 処理効率： ５５％ 生成物濃度： Ｐｄ １０１ｇ／ｌ 生成物安定性： １〜５日間（固形物
が生成した） 膜利用率： １０オンス／ＳＦ膜
【００４６】この実施例４では、５〜６時間の処理時間
内に製造を３バッチ行った後、電圧が１８Ｖを越えた。
膜の活性基の大部分は除去され、膜抵抗は最初の０．２
ボルトから２ボルトにまで上昇した。このため、全体的
なセル電圧が上昇した。従って、膜の寿命は延びたが、
セルの効率は低下した。特に、過剰な発熱により、セル
の運転時間が短縮され、非効率な結果に終わった。
内に製造を３バッチ行った後、電圧が１８Ｖを越えた。
膜の活性基の大部分は除去され、膜抵抗は最初の０．２
ボルトから２ボルトにまで上昇した。このため、全体的
なセル電圧が上昇した。従って、膜の寿命は延びたが、
セルの効率は低下した。特に、過剰な発熱により、セル
の運転時間が短縮され、非効率な結果に終わった。
【００４７】メッキ浴で使用するための補充液はパラジ
ウムアミン水酸化物化合物以外の他の成分も含有でき
る。例えば、緩衝液、表面状態調節剤、導電性塩などを
含有することができる。大抵の場合、溶液は前記のパラ
ジウムジアミン水酸化物化合物のみからなる。この化合
物は電気メッキ処理で使用するのが最適と思われるが、
適当な状況下では、無電解メッキ浴、増感剤溶液などに
パラジウムを供給する目的にも使用できる。
ウムアミン水酸化物化合物以外の他の成分も含有でき
る。例えば、緩衝液、表面状態調節剤、導電性塩などを
含有することができる。大抵の場合、溶液は前記のパラ
ジウムジアミン水酸化物化合物のみからなる。この化合
物は電気メッキ処理で使用するのが最適と思われるが、
適当な状況下では、無電解メッキ浴、増感剤溶液などに
パラジウムを供給する目的にも使用できる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、パラジウムメッキ浴で容易に使用でき、しかも、
比較的長い保存寿命を有するパラジウムアミン水酸化物
を簡単に、かつ、効率的に製造することができる。
れば、パラジウムメッキ浴で容易に使用でき、しかも、
比較的長い保存寿命を有するパラジウムアミン水酸化物
を簡単に、かつ、効率的に製造することができる。
【図１】本発明の方法を実施するための電気透析装置の
模式的構成図である。
模式的構成図である。
１ 電気透析セル ２ 容器 ３ 陽極液区画 ４ 生成物区画 ５ 陰極液区画 ６ 選択透過膜 ７ 選択透過膜 ８ アノード電極 ９ カソード電極 １１ ＤＣ電源 １４ 電流制御手段 １５，１６，１７ 補助タンク １８，１９，２０ パイプ ２１，２２，２３ ポンプ ２４，２５，２６ 排出バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イゴア ヴェリコ アジャ アメリカ合衆国 07450 ニュージャー ジー リッジウッド、シェアウッド ロ ード 118 (72)発明者 ジョセフ ジョン メサーノ，ジュニア アメリカ合衆国 07866 ニュージャー ジー デンヴィル、ウッドストーン ロ ード 88
Claims (15)
- 【請求項１】 陰極液区画、陽極液区画および膜により
陰極液区画と陽極液区画から分離されている生成物区
画、陽極液区画内に配置されたアノード電極および陰極
液区画内に配置されたカソード電極からなる電気透析セ
ルにおいて、 水酸化物イオンの供給源を有する溶液を陰極液区画に充
填するステップと、 パラジウムアミンイオンを含有し、カソードおよびアノ
ード間に電流が通されたときに陰極液区画内に移行する
ことができるアニオンを含有する原料溶液を生成物区画
に充填するステップと、 原料溶液からのアニオンを迅速に吸収する溶液を陽極液
区画に充填するステップと、 フッ素化アニオン選択透過膜を使用するステップと、 カソードおよびアノード電極の電極間距離が５ｃｍ以下
になるように、それぞれの選択透過膜に隣接してカソー
ドおよびアノード電極を配置するステップと、 処理操作温度を、溶液の凍結点から４０℃の範囲内に維
持するステップと、 ５４００Ａ／ｍ2未満の電流密度および５０〜９０％の
範囲内の電流効率で電気透析を行うステップとからなる
ことを特徴とする電気透析セル内におけるパラジウムア
ミン水酸化物化合物の合成方法。 - 【請求項２】 電気透析は２１６０Ａ／ｍ2以下の電流
密度で行われる請求項１の方法。 - 【請求項３】 カソードおよびアノード電極の電極間距
離は３ｃｍ以下である請求項１の方法。 - 【請求項４】 処理操作温度は３６℃である請求項１の
方法。 - 【請求項５】 前記原料溶液を構成する物質はパラジウ
ムジアミン化合物群から選択される請求項１の方法。 - 【請求項６】 前記原料溶液を構成する物質はＰｄ（Ｎ
Ｈ3）2Ｃｌ2、Ｐｄ（ＮＨ3）2Ｂｒ2、Ｐｄ（ＮＨ3）2Ｉ
2、Ｐｄ（ＮＨ3）2ＳＯ4およびＰｄ（ＮＨ3）2（Ｎ
Ｏ3）2からなる群から選択される請求項５の方法。 - 【請求項７】 前記原料溶液を構成する物質はＰｄ（Ｎ
Ｈ3）4Ｃｌ2である請求項１の方法。 - 【請求項８】 前記陰極液区画内の陰極液を構成する物
質はＫＯＨ、ＮａＯＨおよびＮＨ4ＯＨからなる群から
選択され、ｐＨ８以上の、少なくとも一種類の物質の水
酸化物イオン含有溶液であり、 前記陽極液区画内の陽極液を構成する物質はＫＯＨ、Ｎ
ａＯＨ、Ｎａ2ＳＯ4、Ｎａ2ＳＯ3およびＫＮＯ3からな
る群から選択される少なくとも一種類の物質の溶液から
なる請求項１の方法。 - 【請求項９】 少なくとも前記陰極液はＫＯＨおよびＮ
ａＯＨのうちの少なくとも一方からなる請求項８の方
法。 - 【請求項１０】 前記陽極液のｐＨは８以上である請求
項８の方法。 - 【請求項１１】 前記陰極液はＫＯＨからなり、前記原
料溶液を構成する物質はＰｄ（ＮＨ3）4Ｃｌ2からな
り、前記陽極液はＮａＯＨからなり、カソードおよびア
ノード電極の電極間距離は３ｃｍであり、そして、カソ
ードとアノードの間には、６±１Ｖの電圧および２０ｍ
Ａの電流が加えられる請求項１の方法。 - 【請求項１２】 生成物区画中の塩化物イオン濃度が初
期含量の６〜１５wt％の範囲内にまで低下したとき、電
気透析が中止される請求項１１の方法。 - 【請求項１３】 前記原料溶液の初期塩化物含量は６５
〜７５ｇ／ｌであり、生成物区画中の塩化物レベルが５
〜１０ｇ／ｌにまで低下したとき、処理操作が中止され
る請求項１１の方法。 - 【請求項１４】 生成物区画中の塩化物レベルが８〜１
０ｇ／ｌにまで低下したとき、処理操作が中止される請
求項１２の方法。 - 【請求項１５】 処理される液体の容量は、各区画に外
部補助タンクから供給し、更に、各区画とその補助タン
クとの間で溶液を循環することにより増加される請求項
１の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US801140 | 1991-12-02 | ||
| US07/801,140 US5135622A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Electrochemical synthesis of palladium hydroxide compounds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681181A JPH0681181A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2710532B2 true JP2710532B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=25180300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341046A Expired - Fee Related JP2710532B2 (ja) | 1991-12-02 | 1992-11-30 | パラジウムアミン水酸化物化合物の合成方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5135622A (ja) |
| EP (1) | EP0545586B1 (ja) |
| JP (1) | JP2710532B2 (ja) |
| KR (1) | KR950008575B1 (ja) |
| CN (1) | CN1092537C (ja) |
| CA (1) | CA2081440C (ja) |
| DE (1) | DE69204970T2 (ja) |
| HK (1) | HK34596A (ja) |
| TW (1) | TW212815B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688235B1 (fr) * | 1992-03-05 | 1995-06-23 | Sorapec | Procede d'obtention d'hydroxydes metalliques. |
| DE4418067C1 (de) * | 1994-05-24 | 1996-01-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Metallhydroxiden und/oder Metalloxidhydroxiden |
| DE4418440C1 (de) * | 1994-05-26 | 1995-09-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektrochemisches Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallhydroxiden und/oder Metalloxidhydroxiden |
| GB2311999B (en) * | 1996-04-12 | 1999-09-08 | Elga Group Services Ltd | Apparatus and method of electrodiaysis |
| CN1087792C (zh) * | 1996-08-16 | 2002-07-17 | 柯建信 | 阴阳极可逆式离子供应方法 |
| ITMI20131521A1 (it) * | 2013-09-16 | 2015-03-17 | Industrie De Nora Spa | Cella elettrolitica per produzione di soluzioni ossidanti |
| KR101587577B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2016-01-22 | (주) 테크윈 | 3격실 전해조를 이용한 차염발생장치 |
| KR101587578B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2016-01-22 | (주) 테크윈 | 3격실로 이루어진 염화물 전기분해용 격막식 전기분해조 |
| CN104152953A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-11-19 | 昆明贵金属研究所 | 磷酸槽电镀铂用的主盐及其合成方法 |
| FR3058165B1 (fr) * | 2016-10-27 | 2018-12-14 | Safran Aircraft Engines | Procede et dispositif de regeneration de bain de platine |
| CN108946829A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-07 | 金川集团股份有限公司 | 一种硫酸四氨钯的电渗析制备方法 |
| CN109795992B (zh) * | 2019-01-23 | 2022-02-18 | 昆明贵金属研究所 | 一种水溶性四价铂化合物及其制备方法和应用 |
| US11702753B2 (en) * | 2019-07-09 | 2023-07-18 | University Of Alaska Fairbanks | Apparatus for the electrolytic production of hydrogen, oxygen, and alkalinized seawater |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA788439A (en) * | 1968-06-25 | Steele Raymond | Process of producing oxides of platinum and palladium, and platinum and palladium oxides | |
| BE555204A (ja) * | 1956-02-22 | |||
| FR1418951A (fr) * | 1964-10-13 | 1965-11-26 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de préparation de sels métalliques et appareil de mise en oeuvre dudit procédé |
| US3909381A (en) * | 1974-11-18 | 1975-09-30 | Raymond John L | Purification of chromium plating solutions by electrodialysis |
| US4229280A (en) * | 1978-04-13 | 1980-10-21 | Pitt Metals & Chemicals, Inc. | Process for electrodialytically controlling the alkali metal ions in a metal plating process |
| US4289597A (en) * | 1979-03-05 | 1981-09-15 | Electrochem International, Inc. | Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products |
| US4324629A (en) * | 1979-06-19 | 1982-04-13 | Hitachi, Ltd. | Process for regenerating chemical copper plating solution |
| US4486274A (en) * | 1981-02-27 | 1984-12-04 | At&T Bell Laboratories | Palladium plating prodedure |
| US4427502A (en) * | 1981-11-16 | 1984-01-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Platinum and platinum alloy electroplating baths and processes |
| US4377450A (en) * | 1982-04-15 | 1983-03-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Palladium electroplating procedure |
| JPS5967388A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-04-17 | エンゲルハ−ド・コ−ポレ−シヨン | パラジウムメツキ浴 |
| US4468296A (en) * | 1982-12-10 | 1984-08-28 | At&T Bell Laboratories | Process for electroplating palladium |
| US4512963A (en) * | 1982-12-10 | 1985-04-23 | At&T Bell Laboratories | Palladium compound synthesis procedure |
| US4493754A (en) * | 1983-12-30 | 1985-01-15 | At&T Bell Laboratories | Electrodes for palladium electroplating process |
| US4911798A (en) * | 1988-12-20 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Palladium alloy plating process |
| US4911799A (en) * | 1989-08-29 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Electrodeposition of palladium films |
-
1991
- 1991-12-02 US US07/801,140 patent/US5135622A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-11 TW TW081101848A patent/TW212815B/zh active
- 1992-10-26 CA CA002081440A patent/CA2081440C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-19 DE DE69204970T patent/DE69204970T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-19 EP EP92310587A patent/EP0545586B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-24 KR KR1019920022161A patent/KR950008575B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-11-30 JP JP4341046A patent/JP2710532B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-01 CN CN92113644A patent/CN1092537C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-29 HK HK34596A patent/HK34596A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69204970T2 (de) | 1996-03-14 |
| EP0545586B1 (en) | 1995-09-20 |
| JPH0681181A (ja) | 1994-03-22 |
| TW212815B (ja) | 1993-09-11 |
| HK34596A (en) | 1996-03-08 |
| CA2081440A1 (en) | 1993-06-03 |
| KR930013210A (ko) | 1993-07-21 |
| EP0545586A1 (en) | 1993-06-09 |
| DE69204970D1 (de) | 1995-10-26 |
| CN1072967A (zh) | 1993-06-09 |
| CA2081440C (en) | 1999-01-26 |
| KR950008575B1 (ko) | 1995-08-03 |
| CN1092537C (zh) | 2002-10-16 |
| US5135622A (en) | 1992-08-04 |
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Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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