JP2708622B2 - Thin film magnetic head - Google Patents
Thin film magnetic headInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置に用いる薄膜磁気ヘッドにかか
り、特に磁気変換特性を安定化させるのに好適な薄膜磁
気ヘッドに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head used for a magnetic recording device, and more particularly to a thin-film magnetic head suitable for stabilizing magnetic conversion characteristics.
第5図は、従来の薄膜磁気ヘッドの前部の概略構成を
示す断面図であり、第5図を用いて従来技術について説
明する。第5図に示すように、従来の薄膜磁気ヘッド
は、基板1上に設けられた下部磁性体2と上部磁性体7
により、ギャップ層3と少なくとも一層の導体コイル5
と第1絶縁層4と第2絶縁層6を挟み込む構造を有して
いる。この例は、導体コイル5が一層の場合を示してい
るが、導体コイル5が複数層にわたって形成されている
ものも存在する。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a front portion of a conventional thin-film magnetic head. The prior art will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the conventional thin-film magnetic head comprises a lower magnetic body 2 and an upper magnetic body 7 provided on a substrate 1.
The gap layer 3 and at least one conductor coil 5
And the first insulating layer 4 and the second insulating layer 6 are interposed therebetween. Although this example shows a case where the conductor coil 5 has a single layer, there is a case where the conductor coil 5 is formed in a plurality of layers.
第5図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、第1絶縁層4
と第2絶縁層6とが重なり合う傾斜領域aをなだらかに
形成し、これにより上部磁性体7のパターンをより正確
に形成する必要がある。In the thin-film magnetic head shown in FIG.
It is necessary to form the inclined region a where the second magnetic layer 6 and the second insulating layer 6 overlap with each other, thereby forming the pattern of the upper magnetic body 7 more accurately.
これは、上記傾斜領域aがなだらかに形成されない場
合、上部磁性体7のエッチング速度にむらが生じ、上部
磁性体7においてエッチング残りが発生しやすくなる。
上部磁性体7にエッチング残りが発生すると、上部磁性
体7の磁区構造が乱れ、リード/ライト特性が悪化する
原因になる。This is because when the inclined region a is not formed smoothly, the etching rate of the upper magnetic body 7 becomes uneven, and the upper magnetic body 7 is apt to be left unetched.
If the etching residue remains in the upper magnetic body 7, the magnetic domain structure of the upper magnetic body 7 is disturbed, and the read / write characteristics are deteriorated.
上記傾斜領域aをなだらかに形成する方法として、例
えば特公平2−767号公報には、次のような発明が開示
されている。すなわち、熱硬化したホトレジストによっ
て絶縁層を形成する際に、まずホトレジストを塗布し、
露光・現像後、熱硬化する前に、全面に再露光を行う。
次に、上記再露光後、所定の温度で加熱硬化することに
より、いっそうなだらかな形状のホトレジスト膜(絶縁
層)を得るものである。上記特公平2−767号公報にお
いては、ポジ型のノボラック樹脂系のホトレジストが用
いられている。これに関しては、アイビーエム テクニ
カル ディスクロジャー ブレイテン 第23巻 2584〜
2585ページ(1980年)(IBM.Technical Disclosure Bul
letin Vol.23 p.2584-2585,(1980))に詳細に記述さ
れている。For example, Japanese Patent Publication No. 2-767 discloses the following invention as a method of forming the inclined region a gently. That is, when forming the insulating layer with a thermoset photoresist, first apply a photoresist,
After the exposure and the development, before the thermosetting, the entire surface is re-exposed.
Next, after the re-exposure, the film is cured by heating at a predetermined temperature to obtain a more gentle photoresist film (insulating layer). In Japanese Patent Publication No. 2-767, a positive type novolak resin photoresist is used. In this regard, IBM Technical Disclosure Breten Vol. 23, 2584-
2585 pages (1980) (IBM.Technical Disclosure Bul
letin Vol.23 p.2584 - 2585, it is described in detail in the (1980)).
上記した従来技術においては、ホトレジストの塗布む
らによる感光量のバラツキに対して考慮されていない。
そのため、ホトレジスト層の膜厚が塗布むらによって変
化するため、感光後の膜中に相対的な感光量の変化が生
じ、これに起因して薄膜磁気ヘッド先端の絶縁層のテー
パ角が安定して制御できないという問題点があった。In the above-mentioned prior art, no consideration is given to the variation in the exposure amount due to the uneven coating of the photoresist.
Therefore, since the thickness of the photoresist layer changes due to uneven coating, a relative change in the light exposure occurs in the film after exposure, and as a result, the taper angle of the insulating layer at the tip of the thin-film magnetic head is stabilized. There was a problem that it could not be controlled.
そのため、上部磁性体を上記絶縁層上にスパッタリン
グ等によって成膜したばあい、斜面部の膜厚にバラツキ
が生じ、薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性にもバラツキが
生じるという問題点があった。Therefore, when the upper magnetic material is formed on the insulating layer by sputtering or the like, there is a problem that the thickness of the slope portion varies, and the electromagnetic conversion characteristics of the thin-film magnetic head also vary.
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされた
もので、テーパ角のバラツキを小さくして電磁変換特性
の安定した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的として
いる。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-described problems of the related art, and has as its object to provide a thin-film magnetic head that has a small variation in taper angle and has stable electromagnetic conversion characteristics.
本発明の第1の薄膜磁気ヘッドは、下部磁性体と上部
磁性体の間に、少なくとも一層の導体コイルと複数層の
絶縁層とギャップ層を挟んだ構造を有する薄膜磁気ヘッ
ドに適用されるものであり、特に前記絶縁層のうちの少
なくとも一層は、他の絶縁層と比べて感光剤濃度の異な
るホトレジストを積層して形成されていることを特徴と
している。The first thin-film magnetic head of the present invention is applied to a thin-film magnetic head having a structure in which at least one conductor coil, a plurality of insulating layers, and a gap layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body. In particular, at least one of the insulating layers is formed by laminating a photoresist having a different photosensitive agent concentration as compared with the other insulating layers.
また、本発明の第2の薄膜磁気ヘッドは、下部磁性体
と上部磁性体の間に、少なくとも一層の導体コイルと複
数層の絶縁層とギャップ層を挟んだ構造を有する薄膜磁
気ヘッドに適用されるものであり、特に前記絶縁層のう
ちの少なくとも一層は、他の絶縁層と比べて異なる分子
量の樹脂を有するホトレジストを積層して形成されてい
ることを特徴としている。Further, the second thin-film magnetic head of the present invention is applied to a thin-film magnetic head having a structure in which at least one conductor coil, a plurality of insulating layers and a gap layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body. In particular, at least one of the insulating layers is formed by laminating a photoresist having a resin having a different molecular weight from other insulating layers.
次に、第2図乃至第4図を用いて、本発明の原理につ
いて説明する。Next, the principle of the present invention will be described with reference to FIGS.
第2図は、ホトレジスト膜中の感光剤濃度と熱硬化後
のホトレジスト先端のテーパ角θとの関係を求めたもの
である。ここで、テーパ角θは、第3図に示すホトレジ
スト20において、角度θで示される。第2図から明らか
なように、感光剤濃度が1.0(以下、相対値で示す)の
ホトレジストを用い、250℃で熱硬化した場合は、テー
パ角は約40゜を示す。これに対して、感光剤濃度を0.8
に減少すると、テーパ角は約36゜と小さくなり、また感
光剤濃度を1.2に増加すると、テーパ角θは約45゜と大
きくなる。FIG. 2 shows the relationship between the concentration of the photosensitive agent in the photoresist film and the taper angle θ at the tip of the photoresist after thermal curing. Here, the taper angle θ is indicated by the angle θ in the photoresist 20 shown in FIG. As is apparent from FIG. 2, when a photoresist having a photosensitive agent concentration of 1.0 (hereinafter referred to as a relative value) is used and thermally cured at 250 ° C., the taper angle shows about 40 °. In contrast, the photosensitizer concentration was 0.8
Decreases, the taper angle decreases to about 36 °, and when the photosensitive agent concentration increases to 1.2, the taper angle θ increases to about 45 °.
第2図から明らかなように、熱硬化温度を一定にした
場合、ホトレジスト中の感光剤濃度を適当な値に設定す
ることにより、熱硬化後のホトレジストのテーパ角θを
制御できることがわかる。As is apparent from FIG. 2, when the thermosetting temperature is kept constant, the taper angle θ of the photocured photoresist can be controlled by setting the photosensitizer concentration in the photoresist to an appropriate value.
また、同じ感光剤濃度のホトレジストを用いて、熱硬
化温度を変えた場合、硬化温度が低くなれば熱硬化後の
テーパθ角は大きくなり、熱硬化温度が高くなれば熱硬
化後のホトレジストのテーパ角θは小さくなることがわ
かる。Also, when using a photoresist having the same photosensitizer concentration and changing the thermosetting temperature, the taper θ angle after thermosetting increases as the curing temperature decreases, and the photoresist after thermosetting increases as the thermosetting temperature increases. It can be seen that the taper angle θ becomes smaller.
したがって、熱硬化後のホトレジスト先端のテーパ角
は、ホトレジスト中の感光剤濃度と熱硬化温度によって
制御できることがわかる。Accordingly, it can be seen that the taper angle of the photoresist tip after thermal curing can be controlled by the concentration of the photosensitive agent in the photoresist and the thermal curing temperature.
第4図は、ホトレジスト膜中の樹脂の分子量と熱硬化
後のホトレジスト先端のテーパ角の関係を求めたもので
ある。第4図から明らかなように、分子量が1.0(以
下、相対値で示す)のホトレジストを用いた場合に対
し、同じ熱硬化温度の場合には、分子量を例えば0.8と
小さくすると、テーパ角は小さくなり、例えば1.2と大
きくすると、テーパ角が大きくなる。FIG. 4 shows the relationship between the molecular weight of the resin in the photoresist film and the taper angle at the tip of the photoresist after heat curing. As is clear from FIG. 4, when a photoresist having a molecular weight of 1.0 (hereinafter referred to as a relative value) is used and the same thermosetting temperature is used, if the molecular weight is reduced to, for example, 0.8, the taper angle becomes small. For example, when it is increased to 1.2, the taper angle is increased.
すなわち、熱硬化温度を一定にした場合、ホトレジス
ト中の樹脂の分子量を適当な値に選定することにより、
熱硬化後のホトレジストのテーパ角θを制御できること
を示している。また、第5図に示ように、同じ分子量の
樹脂を用いたホトレジストの場合、硬化温度が高くなれ
ばテーパ角は小さくなり、硬化温度が低くなればテーパ
角は大きくなることがわかる。That is, when the thermosetting temperature is fixed, by selecting the molecular weight of the resin in the photoresist to an appropriate value,
This shows that the taper angle θ of the photoresist after heat curing can be controlled. In addition, as shown in FIG. 5, in the case of a photoresist using a resin having the same molecular weight, it can be seen that the taper angle decreases as the curing temperature increases, and the taper angle increases as the curing temperature decreases.
したがって、熱硬化後のホトレジスト膜先端のテーパ
角θは、ホトレジスト中の樹脂の分子量と熱硬化温度に
より制御できることがわかる。Therefore, it can be seen that the taper angle θ at the tip of the photoresist film after thermal curing can be controlled by the molecular weight of the resin in the photoresist and the thermal curing temperature.
以上に説明した本発明の原理にから明らかなように、
本発明によれば、感光剤濃度又は樹脂の分子量を変化さ
せたホトレジストを熱硬化し、これを絶縁層として用い
ることにより、テーパ角が適正に制御された薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。そのため、膜厚差から生じる
再露光量の違いによるテーパ角のバラツキを防止するこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性のバラツキを
従来よりも小さくすることができる。As is clear from the principle of the present invention described above,
According to the present invention, a thin-film magnetic head whose taper angle is appropriately controlled can be obtained by thermally curing a photoresist in which the concentration of the photosensitive agent or the molecular weight of the resin is changed and using the photoresist as an insulating layer. Therefore, variation in the taper angle due to the difference in the re-exposure amount caused by the difference in film thickness can be prevented, and variation in the electromagnetic conversion characteristics of the thin-film magnetic head can be made smaller than before.
以下、添付の図面に示す実施例により、更に詳細に本
発明について説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples shown in the accompanying drawings.
第1図は、本発明の実施例かかる薄膜磁気ヘッド前部
の概略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a front part of a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention.
(実施例1) まず、基板10上にパーマロイ等の下部磁性体11をスパ
ッタリングあるいはメッキ法により形成する。ついで、
下部磁性体11の上にギャップ層12を形成する。その後、
ホトレジストをスピンコート等で塗布し、露光・現像
後、所定の温度(例えば、260℃)で熱硬化し、これに
よって第1絶縁層13を形成する。ここで、ホトレジスト
としては、第3図に示す感光剤濃度1.0のホトレジスト
を使用する。その後、銅をスパッタリング又はメッキ法
を用いて成膜し、所定の形にエッチングすることによ
り、第1層コイル14を形成する。Example 1 First, a lower magnetic body 11 such as permalloy is formed on a substrate 10 by sputtering or plating. Then
The gap layer 12 is formed on the lower magnetic body 11. afterwards,
A photoresist is applied by spin coating or the like, and after exposure and development, it is thermally cured at a predetermined temperature (for example, 260 ° C.), thereby forming the first insulating layer 13. Here, as the photoresist, a photoresist having a photosensitive agent concentration of 1.0 shown in FIG. 3 is used. Thereafter, a first layer coil 14 is formed by forming a film of copper using a sputtering or plating method and etching the film into a predetermined shape.
次に、第1層コイル14の段差の解消及び第1層コイル
14間の絶縁を保つために、ホトレジストをスピンコート
等で塗布し、露光・現像を行い、所定の形状にし、熱硬
化(例えば260℃)を行うことにより、第2絶縁層15を
形成する。ここで、ホトレジストとしては、第2図に示
す感光剤濃度1.0のホトレジストを使用する。Next, the step of the first layer coil 14 is eliminated, and the first layer coil is removed.
In order to maintain insulation between the layers 14, a photoresist is applied by spin coating or the like, exposed and developed, formed into a predetermined shape, and thermally cured (for example, at 260 ° C.) to form the second insulating layer 15. Here, a photoresist having a photosensitive agent concentration of 1.0 shown in FIG. 2 is used.
その後、第2層コイル16及び第3絶縁層17を第1層コ
イル14の及び第2絶縁層15と同様に形成する。After that, the second coil 16 and the third insulating layer 17 are formed in the same manner as the first coil 14 and the second insulating layer 15.
さらに、第1絶縁層13と第2、第3絶縁層15,17間の
段差を解消するために、第1、第2、第3絶縁層13,15,
17を構成しているホトレジストよりも感光剤濃度を低く
調整したホトレジストをスピンコート等で塗布し、露光
・現像し、所定の形状に形成した後、熱硬化(例えば26
0℃)して、第4絶縁層18を形成する。ここで、第4絶
縁層を形成するホトレジストとしては、例えば第2図に
示す感光剤濃度0.8のホトレジストを使用する。Further, in order to eliminate a step between the first insulating layer 13 and the second and third insulating layers 15, 17, the first, second, and third insulating layers 13, 15,
A photoresist adjusted to have a lower concentration of the photosensitive agent than the photoresist constituting the photoresist 17 is applied by spin coating or the like, exposed and developed, formed into a predetermined shape, and then heat-cured (for example, 26
(0 ° C.) to form the fourth insulating layer 18. Here, as the photoresist for forming the fourth insulating layer, for example, a photoresist having a photosensitive agent concentration of 0.8 shown in FIG. 2 is used.
その後、上部磁性体19をスパッタリングあるいはメッ
キ法により形成し、薄膜磁気ヘッドが完成する。Thereafter, the upper magnetic body 19 is formed by sputtering or plating, and the thin-film magnetic head is completed.
上記のように形成された薄膜磁気ヘッドは、ホトレジ
ストの感光剤濃度を変化させることにより、第2絶縁層
15と第3絶縁層17のテーパ角が大、第4絶縁層のテーパ
角が小の形状となる。したがって、磁気的に安定したテ
ーパ形状を得ることができ、電磁変換特性の優れた薄膜
磁気ヘッドを高歩留まりで製造することができる。The thin-film magnetic head formed as described above is provided with a second insulating layer by changing the photosensitizer concentration of the photoresist.
15 and the third insulating layer 17 have a large taper angle and the fourth insulating layer has a small taper angle. Therefore, a magnetically stable tapered shape can be obtained, and a thin film magnetic head having excellent electromagnetic conversion characteristics can be manufactured with a high yield.
また、上記した実施例においては、第2図に示す感光
剤濃度1.0のホトレジストを使用して260℃で熱硬化して
第1絶縁層13と第2絶縁層15と第3絶縁層17を形成し、
かつ第3図に示す感光剤濃度0.8のホトレジストを使用
して260℃で熱硬化して第4絶縁層18を形成したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば次のよう
な変更が可能である。In the above-described embodiment, the first insulating layer 13, the second insulating layer 15, and the third insulating layer 17 are formed by using a photoresist having a photosensitizer concentration of 1.0 shown in FIG. And
Further, the fourth insulating layer 18 was formed by thermosetting at 260 ° C. using a photoresist having a photosensitive agent concentration of 0.8 shown in FIG. 3, but the present invention is not limited to this. Changes are possible.
(実施例2) 第1図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、第1絶縁層13
を感光剤濃度1.0、温度260℃で熱硬化したホトレジスト
によって形成し、第2絶縁層15と第3絶縁層17を感光剤
濃度1.2、温度250℃で熱硬化したホトレジストによって
形成し、第4絶縁層18を感光剤濃度0.8、温度250℃で熱
硬化したホトレジストによって形成する。Embodiment 2 In the thin-film magnetic head shown in FIG.
The second insulating layer 15 and the third insulating layer 17 are formed of a photoresist thermally cured at a photosensitive agent concentration of 1.2 and a temperature of 250 ° C., and the fourth insulating layer is formed of a photoresist thermally cured at a photosensitive agent concentration of 1.0 and a temperature of 260 ° C. The layer 18 is formed of a photoresist which is thermoset at a photosensitizer concentration of 0.8 and a temperature of 250 ° C.
この実施例2によれば、第4絶縁層18が感光剤濃度の
低いホトレジストによって形成されるため、第1絶縁層
13と第2、第3絶縁層15,17間の段差を解消することが
できる。According to the second embodiment, since the fourth insulating layer 18 is formed of a photoresist having a low photosensitizer concentration, the first insulating layer
The step between the third and third and third and third insulating layers 15 and 17 can be eliminated.
上記した実施例1,2によれば、第2図に示すホトレジ
ストの感光剤濃度及び硬化温度とテーパ角θとの関係か
ら、感光剤濃度と硬化温度とを設定することにより、任
意のテーパ角(通常30〜50゜)を形成することが可能に
なる。According to Embodiments 1 and 2 described above, by setting the photosensitive agent concentration and the curing temperature from the relationship between the photosensitive agent concentration and the curing temperature of the photoresist and the taper angle θ shown in FIG. (Usually 30 to 50 °).
(実施例3) 第1図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、第1絶縁層13
と第2絶縁層15と第3絶縁層17が第4図に示す分子量1.
0のホトレジストを温度60℃で熱硬化して形成され、第
4絶縁層18が第4図に示す分子量0.8のホトレジストを
温度260℃で熱硬化して形成される。Example 3 In the thin-film magnetic head shown in FIG.
4, the second insulating layer 15 and the third insulating layer 17 have a molecular weight of 1.
The fourth insulating layer 18 is formed by thermally curing a photoresist having a molecular weight of 0.8 shown in FIG. 4 at a temperature of 260 ° C.
この実施例3によれば、第4絶縁層18が分子量の小さ
いホトレジストによって形成されるため、第1絶縁層13
と第2、第3絶縁層15,17間の段差を解消することがで
きる。According to the third embodiment, since the fourth insulating layer 18 is formed of a photoresist having a small molecular weight, the first insulating layer 13 is formed.
And the step between the second and third insulating layers 15 and 17 can be eliminated.
(実施例4) 第1図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、第1絶縁層13
が第4図に示す分子量1.0のホトレジストを温度260℃で
熱硬化することによって形成され、第2絶縁層15と第3
絶縁層17が第4図に示す分子量1.2のホトレジストを温
度250℃で熱硬化することによって形成され、第4絶縁
層18が第4図に示す分子量0.8のホトレジストを温度260
℃で熱硬化することによって形成される。Example 4 In the thin-film magnetic head shown in FIG.
Is formed by thermally curing a photoresist having a molecular weight of 1.0 shown in FIG. 4 at a temperature of 260 ° C., and the second insulating layer 15 and the third
The insulating layer 17 is formed by thermally curing a photoresist having a molecular weight of 1.2 shown in FIG. 4 at a temperature of 250 ° C., and the fourth insulating layer 18 is formed by coating a photoresist having a molecular weight of 0.8 shown in FIG.
It is formed by thermosetting at ℃.
この実施例4によれば、第4絶縁層18が分子量の小さ
いホトレジストによって形成されるため、第1絶縁層13
と第2、第3絶縁層15,17間の段差を解消することがで
きる。According to the fourth embodiment, since the fourth insulating layer 18 is formed of a photoresist having a small molecular weight, the first insulating layer 13 is formed.
And the step between the second and third insulating layers 15 and 17 can be eliminated.
上記実施例3,4によれば、ホトレジストの樹脂の分子
量と硬化温度を変化させることにより、安定したテーパ
形状を得ることができ、電磁変換特性の優れた薄膜磁気
ヘッドを高歩留まりで製造することができる。According to Examples 3 and 4, by changing the molecular weight and curing temperature of the photoresist resin, a stable tapered shape can be obtained, and a thin film magnetic head having excellent electromagnetic conversion characteristics can be manufactured at a high yield. Can be.
また、上記した実施例3,4によれば、第4図に示すホ
トレジストの分子量及び硬化温度とテーパ角θとの関係
から、分子量と硬化温度とを設定することにより、任意
のテーパ角(通常30〜50゜)を形成することが可能にな
る。Further, according to Examples 3 and 4 described above, by setting the molecular weight and the curing temperature from the relationship between the molecular weight of the photoresist and the curing temperature and the taper angle θ shown in FIG. 30 to 50 °) can be formed.
本発明によれば、ホトレジストの感光剤濃度、分子
量、硬化温度をそれぞれ変化させることにより、所望の
テーパ角を物性として得ることができ、テーパ角のバラ
ツキが小さい安定した形状の薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。これにより、電磁変換特性の優れた薄膜
磁気ヘッドを高歩留まりで製造することができる。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the desired taper angle can be obtained as a physical property by changing the photosensitizer density | concentration, molecular weight, and curing temperature of a photoresist, respectively, and the thin-film magnetic head of the stable shape with small variation of a taper angle is provided. can do. Thus, a thin film magnetic head having excellent electromagnetic conversion characteristics can be manufactured with a high yield.
第1図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッド前部の
概略構成を示す断面図、第2図はホトレジスト膜中の感
光剤濃度と熱硬化後のホトレジスト先端のテーパ角θと
の関係を示す図、第3図はホトレジスト先端のテーパ角
を示す断面説明図、第4図はホトレジスト膜中の樹脂の
分子量と熱硬化後のホトレジスト先端のテーパ角の関係
を示す図、第5図は従来の薄膜磁気ヘッドの前部の概略
構成を示す断面図である。 10……基板、11……下部磁性体、12……ギャップ層、13
……第1絶縁層、14……第1層コイル、15……第2絶縁
層、16……第2層コイル、17……第3絶縁層、18……第
4絶縁層、19……上部磁性体、20……ホトレジスト、θ
……テーパ角。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a front portion of a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing a relationship between a photosensitive agent concentration in a photoresist film and a taper angle θ of a photoresist tip after thermal curing. FIG. 3 is a cross-sectional explanatory view showing the taper angle of the photoresist tip, FIG. 4 is a view showing the relationship between the molecular weight of the resin in the photoresist film and the taper angle of the photoresist tip after heat curing, and FIG. FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of a front portion of the thin film magnetic head of FIG. 10 ... substrate, 11 ... lower magnetic material, 12 ... gap layer, 13
... first insulating layer, 14 ... first layer coil, 15 ... second insulating layer, 16 ... second layer coil, 17 ... third insulating layer, 18 ... fourth insulating layer, 19 ... Upper magnetic material, 20 ... Photoresist, θ
…… Taper angle.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦田 栄次 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鍬塚 俊一郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭61−246908(JP,A) 特開 平1−251410(JP,A) 特開 平3−156714(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Eiji Ashida 4026 Kuji-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Within Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-61-246908 (JP, A) JP-A-1-251410 (JP, A) JP-A-3-156714 (JP, A)
Claims (2)
も一層の導体コイルと複数層の絶縁層とギャップ層を挟
んだ構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記絶縁層のうちの少なくとも一層は、他の絶縁層と比
べて感光剤濃度の異なるホトレジストを積層して形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。1. A thin-film magnetic head having a structure in which at least one conductor coil, a plurality of insulating layers and a gap layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body, wherein at least one of the insulating layers is A thin-film magnetic head formed by laminating a photoresist having a different photosensitizer concentration as compared with other insulating layers.
も一層の導体コイルと複数層の絶縁層とギャップ層を挟
んだ構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記絶縁層のうちの少なくとも一層は、他の絶縁層と比
べて分子量の異なる樹脂を有するホトレジストを積層し
て形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。2. A thin-film magnetic head having a structure in which at least one conductor coil, a plurality of insulating layers and a gap layer are sandwiched between a lower magnetic body and an upper magnetic body, wherein at least one of the insulating layers is A thin film magnetic head formed by laminating a photoresist having a resin having a molecular weight different from that of another insulating layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24619390A JP2708622B2 (en) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP24619390A JP2708622B2 (en) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Thin film magnetic head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04125808A JPH04125808A (en) | 1992-04-27 |
JP2708622B2 true JP2708622B2 (en) | 1998-02-04 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP24619390A Expired - Fee Related JP2708622B2 (en) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Thin film magnetic head |
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JP (1) | JP2708622B2 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6400527B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head having upper core layer with narrow track width |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24619390A patent/JP2708622B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH04125808A (en) | 1992-04-27 |
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