JP2703835B2 - ガス濃度測定方法及びその測定装置 - Google Patents
ガス濃度測定方法及びその測定装置Info
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- JP2703835B2 JP2703835B2 JP9682591A JP9682591A JP2703835B2 JP 2703835 B2 JP2703835 B2 JP 2703835B2 JP 9682591 A JP9682591 A JP 9682591A JP 9682591 A JP9682591 A JP 9682591A JP 2703835 B2 JP2703835 B2 JP 2703835B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガス濃度の定量測定に適
した方法および装置に関するものである。
した方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メタンガスは都市ガスの主成分であり、
メタンガスの検知により都市ガスの漏洩を検出できる。
このため、地下街・高層ビル等の特定地域では、メタン
ガスの有無を安全かつ確実に、しかも迅速に検出するこ
とが必要となっている。ところが、従来の半導体式・燃
焼式などのガスセンサは信頼性に劣り、そのため近年、
光式ガスセンサが開発されるに至っている。
メタンガスの検知により都市ガスの漏洩を検出できる。
このため、地下街・高層ビル等の特定地域では、メタン
ガスの有無を安全かつ確実に、しかも迅速に検出するこ
とが必要となっている。ところが、従来の半導体式・燃
焼式などのガスセンサは信頼性に劣り、そのため近年、
光式ガスセンサが開発されるに至っている。
【０００３】光式ガスセンサは、メタンガスが特定波長
の光を吸収しやすいことを利用したもので、その原理を
応用した従来例を図６に示す (特公平 2-20056号公報)
。
の光を吸収しやすいことを利用したもので、その原理を
応用した従来例を図６に示す (特公平 2-20056号公報)
。
【０００４】図中、２１は発光ダイオード (ＬＥＤ) よ
りなる光源で、メタンガスの吸収波長域即ち 1.6μm 帯
の光を発する。この光源２１からの光は、光結合器２２
を経て低損失の石英系光ファイバ２３ａ中を送られ、光
結合器２４ａを経て測定セル４内に送り込まれる。この
セル４内には未知濃度のメタンガスが含まれており、光
結合器２４ａからの光がその雰囲気中を透過する間に、
特定波長の光が吸収される。測定セル４から出た光は、
光結合器２４ｂを経て石英系光ファイバ２３ｂ中を送ら
れ、ハーフミラーで構成されたビームスプリッタ２５に
より２つの光束２６ａ，２６ｂに分けられる。第１の光
束２６ａはメタンガスの吸収波長帯域の光を透過する帯
域透過フィルタ２７に送られ、第２の光束２６ｂはメタ
ンガスの吸収波長帯域以外の帯域透過フィルタ２８に送
られる。そして、それぞれのフィルタ２７，２８を透過
した光は、光検出器２９ａ，２９ｂにより電気信号に変
換され、増幅器３０ａ，３０ｂにて増幅された後、信号
処理装置３１に送られる。信号処理装置３１では、両増
幅器３０ａ，３０ｂからの電気信号の強度比が求めら
れ、これに基づきガス濃度が定量検出される。
りなる光源で、メタンガスの吸収波長域即ち 1.6μm 帯
の光を発する。この光源２１からの光は、光結合器２２
を経て低損失の石英系光ファイバ２３ａ中を送られ、光
結合器２４ａを経て測定セル４内に送り込まれる。この
セル４内には未知濃度のメタンガスが含まれており、光
結合器２４ａからの光がその雰囲気中を透過する間に、
特定波長の光が吸収される。測定セル４から出た光は、
光結合器２４ｂを経て石英系光ファイバ２３ｂ中を送ら
れ、ハーフミラーで構成されたビームスプリッタ２５に
より２つの光束２６ａ，２６ｂに分けられる。第１の光
束２６ａはメタンガスの吸収波長帯域の光を透過する帯
域透過フィルタ２７に送られ、第２の光束２６ｂはメタ
ンガスの吸収波長帯域以外の帯域透過フィルタ２８に送
られる。そして、それぞれのフィルタ２７，２８を透過
した光は、光検出器２９ａ，２９ｂにより電気信号に変
換され、増幅器３０ａ，３０ｂにて増幅された後、信号
処理装置３１に送られる。信号処理装置３１では、両増
幅器３０ａ，３０ｂからの電気信号の強度比が求めら
れ、これに基づきガス濃度が定量検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たメタンガス測定法および装置では、次のような問題が
あった。
たメタンガス測定法および装置では、次のような問題が
あった。
【０００６】(1) 光学系として石英系光ファイバ２３
ａ，２３ｂ、光結合器２２，２４ａ，２４ｂの他に、ハ
ーフミラー２５や帯域透過フィルタ２７，２８を用いて
いる。そのため、光学系が複雑になり、光の結合損失が
大きくなる。また、光源２１として発光ダイオードを用
いているため、発光出力の上限に制約があり、高感度の
検出が難しい。
ａ，２３ｂ、光結合器２２，２４ａ，２４ｂの他に、ハ
ーフミラー２５や帯域透過フィルタ２７，２８を用いて
いる。そのため、光学系が複雑になり、光の結合損失が
大きくなる。また、光源２１として発光ダイオードを用
いているため、発光出力の上限に制約があり、高感度の
検出が難しい。
【０００７】(2) メタンガス中の透過光の減衰比から濃
度を求めているため、メタンガスが低濃度の場合、ＳＮ
比の関係から測定が困難となる。今、メタンガスの吸収
スペクトル線の１つとして波長μ＝ 1.665μm 帯のうち
メタン吸収の大きいＱ(6) 線を測定用光源として用いた
ときの透過係数Ｔを求めてみる。透過係数Ｔは、
度を求めているため、メタンガスが低濃度の場合、ＳＮ
比の関係から測定が困難となる。今、メタンガスの吸収
スペクトル線の１つとして波長μ＝ 1.665μm 帯のうち
メタン吸収の大きいＱ(6) 線を測定用光源として用いた
ときの透過係数Ｔを求めてみる。透過係数Ｔは、
【０００８】
【数１】
【０００９】で与えられる。ここで、αは吸収係数を示
し、大気圧１atm 中でのＱ(6) 線においては、α＝ 0.1
/cmである。また、ｃはメタンガス濃度、ｌは光路長で
ある。吸収係数α＝ 0.1 /cm、光路長ｌ＝10 cm とした
とき、濃度 ｃ＝ 100%, 10%,1% における透過係数Ｔ
は、それぞれＴ＝0.36, 0.60, 0.9 となる。この結果が
示すように、メタンガスが低濃度になるに従い、光の変
化率が小さくなることがわかる。
し、大気圧１atm 中でのＱ(6) 線においては、α＝ 0.1
/cmである。また、ｃはメタンガス濃度、ｌは光路長で
ある。吸収係数α＝ 0.1 /cm、光路長ｌ＝10 cm とした
とき、濃度 ｃ＝ 100%, 10%,1% における透過係数Ｔ
は、それぞれＴ＝0.36, 0.60, 0.9 となる。この結果が
示すように、メタンガスが低濃度になるに従い、光の変
化率が小さくなることがわかる。
【００１０】(3) メタンガスの１つの吸収スペクトル線
に着目すると、吸収係数αは大気の全圧に依存した値を
もつ。そのため、炭坑やプラントなど気圧変化の激しい
箇所で濃度測定を行う場合、別に圧力センサを設けて圧
力監視を行い、その値に基づいて補正を行わないと、正
確な濃度測定が行えない。
に着目すると、吸収係数αは大気の全圧に依存した値を
もつ。そのため、炭坑やプラントなど気圧変化の激しい
箇所で濃度測定を行う場合、別に圧力センサを設けて圧
力監視を行い、その値に基づいて補正を行わないと、正
確な濃度測定が行えない。
【００１１】ここで、メタンガスの吸収係数αの圧力変
化について考えてみる。
化について考えてみる。
【００１２】今、メタンガスの吸収線に一致する共鳴角
周波数が全てω0 であるとき (均一広がり) 、各分子同
志の衝突に起因して吸収線は広がりを呈し、その吸収線
の形状αL (ω, ω0 ) はローレンツ型にあり、次式の
ように表される。
周波数が全てω0 であるとき (均一広がり) 、各分子同
志の衝突に起因して吸収線は広がりを呈し、その吸収線
の形状αL (ω, ω0 ) はローレンツ型にあり、次式の
ように表される。
【００１３】
【数２】
【００１４】ここに、α0Lは吸収線の中心での吸収係数
(=0.1 /cm) である。また、γL は吸収線の半値幅であ
り、大気中のメタンガスの分圧をｐm [torr] 、バイア
スガスの分圧をｐ0 [torr]とすると、
(=0.1 /cm) である。また、γL は吸収線の半値幅であ
り、大気中のメタンガスの分圧をｐm [torr] 、バイア
スガスの分圧をｐ0 [torr]とすると、
【００１５】
【数３】
【００１６】が成立する。
【００１７】一方、気体の各分子の速度の向きを考慮す
ると、ドプラー効果により共鳴角周波数ω0 がずれて、
スペクトル線の幅が広くなる (ドプラー広がり) 。通
常、気体分子の速度分布はマクスウェル・ボルツマン分
布をしており、そのスペクトル線の分布 g (ω0 ) は、
ドプラー効果によりシフトした角周波数をωm0とする
と、
ると、ドプラー効果により共鳴角周波数ω0 がずれて、
スペクトル線の幅が広くなる (ドプラー広がり) 。通
常、気体分子の速度分布はマクスウェル・ボルツマン分
布をしており、そのスペクトル線の分布 g (ω0 ) は、
ドプラー効果によりシフトした角周波数をωm0とする
と、
【００１８】
【数４】
【００１９】ただし、
【００２０】
【数５】
【００２１】で与えられる。
【００２２】実際のスペクトル線は、上述の均一な広が
りとドプラー広がりとが共存し、その形 α (ω) は、
数２および数４の両者のたたみ込み積となる。
りとドプラー広がりとが共存し、その形 α (ω) は、
数２および数４の両者のたたみ込み積となる。
【００２３】
【数６】
【００２４】この数６に実際に数値を入れて計算を行
い、吸収線中心 (ω＝ω0 ) での吸収係数α (ω0 ) を
求めた結果を図５に示す。ただし、温度は一定とした。
また、このα (ω0 ) を最大値としたときに、吸収係数
が半分の値になるときの周波数ωの幅 (ここで、ω−ω
0 ＝±γ) を半値幅といい、この半値幅２γを上記数６
により求めた結果も図５にあわせて示す。
い、吸収線中心 (ω＝ω0 ) での吸収係数α (ω0 ) を
求めた結果を図５に示す。ただし、温度は一定とした。
また、このα (ω0 ) を最大値としたときに、吸収係数
が半分の値になるときの周波数ωの幅 (ここで、ω−ω
0 ＝±γ) を半値幅といい、この半値幅２γを上記数６
により求めた結果も図５にあわせて示す。
【００２５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、ＳＮ比特性を改善して低濃度で
もガス検出を行うことができ、しかも、新たに圧力セン
サを設けることなく、圧力補正が行えるガス濃度測定方
法およびその装置を提供することにある。
のであり、その目的は、ＳＮ比特性を改善して低濃度で
もガス検出を行うことができ、しかも、新たに圧力セン
サを設けることなく、圧力補正が行えるガス濃度測定方
法およびその装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のガス濃度測定方法は、駆動電流および温度に
応じた波長および強度のレーザ光を発振するレーザを用
い、このレーザの駆動電流あるいは温度を変化させて、
波長および強度が変調されたレーザ光を発振させると共
にそのレーザ光の中心波長を掃引させ、そのレーザ光を
測定対象とする一定温度に保ったガス雰囲気に通した後
の透過光の強度を検出し、この検出信号中の特定成分を
位相敏感検波し、このレーザ光の中心波長を掃引させた
ことによる検波信号の極大値及び極小値から吸収係数の
半値幅を求め、その半値幅とガス雰囲気の圧力と吸収係
数との関係を用いて雰囲気圧力及び吸収係数を求め、そ
の吸収係数と上記半値幅とにより検波信号とガス濃度と
の比例式から上記雰囲気圧力下での特定ガスの濃度を測
定するものである。
に本発明のガス濃度測定方法は、駆動電流および温度に
応じた波長および強度のレーザ光を発振するレーザを用
い、このレーザの駆動電流あるいは温度を変化させて、
波長および強度が変調されたレーザ光を発振させると共
にそのレーザ光の中心波長を掃引させ、そのレーザ光を
測定対象とする一定温度に保ったガス雰囲気に通した後
の透過光の強度を検出し、この検出信号中の特定成分を
位相敏感検波し、このレーザ光の中心波長を掃引させた
ことによる検波信号の極大値及び極小値から吸収係数の
半値幅を求め、その半値幅とガス雰囲気の圧力と吸収係
数との関係を用いて雰囲気圧力及び吸収係数を求め、そ
の吸収係数と上記半値幅とにより検波信号とガス濃度と
の比例式から上記雰囲気圧力下での特定ガスの濃度を測
定するものである。
【００２７】また、本発明のガス濃度測定装置は、駆動
電流および温度に応じた波長および強度のレーザ光を発
振するレーザと、所定の電流値を中心として所定の振幅
で上記レーザの駆動電流を変調すると共に、その中心と
なる電流あるいは温度を徐々に変化させるレーザ駆動回
路と、上記レーザ光を測定対象とするガス雰囲気に通過
させた後の強度を検出する光検出器と、この光検出器の
出力中の特定成分を位相敏感検波し、このレーザ光の中
心波長を掃引させたことによる検波信号の極大値及び極
小値から吸収係数の半値幅を求め、その半値幅とガス雰
囲気の圧力と吸収係数との関係を用いて雰囲気圧力及び
吸収係数を求め、その吸収係数と上記半値幅とにより検
波信号とガス濃度との比例式から上記雰囲気圧力下での
特定ガスの濃度を測定する測定手段とからなるものであ
る。
電流および温度に応じた波長および強度のレーザ光を発
振するレーザと、所定の電流値を中心として所定の振幅
で上記レーザの駆動電流を変調すると共に、その中心と
なる電流あるいは温度を徐々に変化させるレーザ駆動回
路と、上記レーザ光を測定対象とするガス雰囲気に通過
させた後の強度を検出する光検出器と、この光検出器の
出力中の特定成分を位相敏感検波し、このレーザ光の中
心波長を掃引させたことによる検波信号の極大値及び極
小値から吸収係数の半値幅を求め、その半値幅とガス雰
囲気の圧力と吸収係数との関係を用いて雰囲気圧力及び
吸収係数を求め、その吸収係数と上記半値幅とにより検
波信号とガス濃度との比例式から上記雰囲気圧力下での
特定ガスの濃度を測定する測定手段とからなるものであ
る。
【００２８】
【作用】分光測定において測定感度を向上させる方法に
周波数変調法という手法がある。光の周波数を何等かの
手段で変調し、その光を対象とするガスを含む雰囲気中
に透過させると、その透過光の検出信号は、直流分のほ
か、変調周波数と同じ周波数の基本波成分およびその高
調波成分をもつ。このうち、基本波成分と２倍波成分と
を位相敏感検波すると、それぞれ吸収線の一次微分、二
次微分に対応する。ここで、位相敏感検波とは、特定の
周波数および位相をもつ成分だけを抽出して、その振幅
を測定することである。
周波数変調法という手法がある。光の周波数を何等かの
手段で変調し、その光を対象とするガスを含む雰囲気中
に透過させると、その透過光の検出信号は、直流分のほ
か、変調周波数と同じ周波数の基本波成分およびその高
調波成分をもつ。このうち、基本波成分と２倍波成分と
を位相敏感検波すると、それぞれ吸収線の一次微分、二
次微分に対応する。ここで、位相敏感検波とは、特定の
周波数および位相をもつ成分だけを抽出して、その振幅
を測定することである。
【００２９】以上の知見に基づいて、レーザの駆動電流
を変調して、発振周波数が変調されたレーザ光を特定の
ガスを含む雰囲気に透過させ、その透過光の検出信号中
の特定成分を位相敏感検波すると、その検波信号から
は、ガス濃度に関する情報を得ることができる。このよ
うに、濃度測定を周波数変調法を応用して行うことで、
ＳＮ比を従来に比べて２桁近く向上することができ、測
定雰囲気中の特定ガスの濃度を高感度に検出できる。
を変調して、発振周波数が変調されたレーザ光を特定の
ガスを含む雰囲気に透過させ、その透過光の検出信号中
の特定成分を位相敏感検波すると、その検波信号から
は、ガス濃度に関する情報を得ることができる。このよ
うに、濃度測定を周波数変調法を応用して行うことで、
ＳＮ比を従来に比べて２桁近く向上することができ、測
定雰囲気中の特定ガスの濃度を高感度に検出できる。
【００３０】また、レーザ光の中心波長を特定ガスの吸
収スペクトル線上で掃引すると、上記検波信号の出力波
形からは、さらにガス雰囲気の圧力に関する情報を得る
ことができる。そのため、この検波信号に基づいて上記
ガス濃度の圧力補正が行え、雰囲気圧力下での正確なガ
ス濃度を測定できる。
収スペクトル線上で掃引すると、上記検波信号の出力波
形からは、さらにガス雰囲気の圧力に関する情報を得る
ことができる。そのため、この検波信号に基づいて上記
ガス濃度の圧力補正が行え、雰囲気圧力下での正確なガ
ス濃度を測定できる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここでは、半導体レーザを光源として、メタ
ンガスを測定する例について述べる。
説明する。ここでは、半導体レーザを光源として、メタ
ンガスを測定する例について述べる。
【００３２】半導体レーザの駆動電流を変調してレーザ
光の発振周波数Ωを変調させると、実際には発振強度も
変調を受ける。今、このように周波数および強度が変調
されたレーザ光をメタンガスを含む雰囲気に透過させる
と、その透過光の検出信号Ｐは、
光の発振周波数Ωを変調させると、実際には発振強度も
変調を受ける。今、このように周波数および強度が変調
されたレーザ光をメタンガスを含む雰囲気に透過させる
と、その透過光の検出信号Ｐは、
【００３３】
【数７】
【００３４】ただし、
【００３５】
【数８】
【００３６】となり、直流分のほか、cos ωt 成分、co
s ２ωt 成分からなる。ここで、Ａは反射条件などに依
存する定数、Ｉ0 はレーザ出力の中心強度、ΔＩは強度
振幅変調、ωは駆動電流の変調周波数、φはωとΩとの
間の位相差、ΔΩは周波数変調振幅である。また、Ｔ，
Ｔ01，Ｔ02はそれぞれ透過率、その一次微分ｄＴ／ｄ
Ω，二次微分ｄ2 Ｔ／ｄΩ2 のΩ＝Ω0 (ここで、Ω0
はレーザの中心周波数) の値であり、その形状を図４に
示す。
s ２ωt 成分からなる。ここで、Ａは反射条件などに依
存する定数、Ｉ0 はレーザ出力の中心強度、ΔＩは強度
振幅変調、ωは駆動電流の変調周波数、φはωとΩとの
間の位相差、ΔΩは周波数変調振幅である。また、Ｔ，
Ｔ01，Ｔ02はそれぞれ透過率、その一次微分ｄＴ／ｄ
Ω，二次微分ｄ2 Ｔ／ｄΩ2 のΩ＝Ω0 (ここで、Ω0
はレーザの中心周波数) の値であり、その形状を図４に
示す。
【００３７】上記数７のうち、cos ２ωt の周波数、位
相成分を位相敏感検波すると、
相成分を位相敏感検波すると、
【００３８】
【数９】
【００３９】が得られ、Ｔ01およびＴ02に基づき変化す
ることがわかる。
ることがわかる。
【００４０】そのため、検波信号Ｐ (２ω) によりガス
吸収を検知する場合には、さらに図４からわかるよう
に、レーザの中心周波数Ω0 がメタンガスの吸収線の中
心ω 0 に一致したとき、最大感度が得られる。また、
このときには、Ｔ01が０、Ｔ 02が最大となるため、数
９の第２項は消去されて、第１項のみが残る。即ち、Ω
0 ＝ω0 のときのＴ02は、
吸収を検知する場合には、さらに図４からわかるよう
に、レーザの中心周波数Ω0 がメタンガスの吸収線の中
心ω 0 に一致したとき、最大感度が得られる。また、
このときには、Ｔ01が０、Ｔ 02が最大となるため、数
９の第２項は消去されて、第１項のみが残る。即ち、Ω
0 ＝ω0 のときのＴ02は、
【００４１】
【数１０】
【００４２】となる。そのため、これを数９の第１項に
代入すると、
代入すると、
【００４３】
【数１１】
【００４４】となる。ここで、Ｋ1 は定数、α (ω0 )
はΩ0 ＝ω0 のときのメタンガスの吸収係数、γはα
(ω0 ) の半値幅２γの半分の値、ｃ・ｌはガス濃度と
光路長の積である。
はΩ0 ＝ω0 のときのメタンガスの吸収係数、γはα
(ω0 ) の半値幅２γの半分の値、ｃ・ｌはガス濃度と
光路長の積である。
【００４５】このように、検波信号Ｐ (２ω) はガス濃
度ｃと光路長ｌの積に比例し、これよりメタンガスの濃
度ｃを極めて高い感度で検出できる。
度ｃと光路長ｌの積に比例し、これよりメタンガスの濃
度ｃを極めて高い感度で検出できる。
【００４６】ところで、数１１中のα (ω0 ) およびγ
2 は、図５に示したように、ガス雰囲気の圧力により変
化する。そのため、数１１により正確にガス濃度を測定
するには、雰囲気圧力下でのα (ω0 ) およびγ2 の値
を求めなければならない。これらの正確な値は、レーザ
光の中心周波数Ω0 をメタンガス吸収線の前後で掃引し
たときの、検波信号Ｐ (２ω) の出力波形から得ること
ができる。
2 は、図５に示したように、ガス雰囲気の圧力により変
化する。そのため、数１１により正確にガス濃度を測定
するには、雰囲気圧力下でのα (ω0 ) およびγ2 の値
を求めなければならない。これらの正確な値は、レーザ
光の中心周波数Ω0 をメタンガス吸収線の前後で掃引し
たときの、検波信号Ｐ (２ω) の出力波形から得ること
ができる。
【００４７】今、レーザ光の中心周波数Ω0 を変化させ
ると、数９の第１項はＴ02に、第２項はＴ01にそれぞれ
ある係数を積算した形の波形となる。その係数は、
Ｉ0 、ΔＩ、ΔΩ等であり、半導体の条件を設定してお
けば、定数として取り扱って支障がない。したがって、
検波信号Ｐ (２ω) の波形は、図４の (ロ) と (ハ) を
それぞれある係数でもって積算して、これらを互いに加
算した形状となる。しかし実際には、数９の第１項は第
２項よりも優位であるため、図４(ハ) に示す低波長側
の極小値と高波長側の極小値との間の中心周波数Ω0 の
幅が、ガス雰囲気圧力における半値幅２γに相当する。
こうして半値幅２γが求まれば、図５に基づいて圧力を
得ることができ、さらにその圧力下での吸収係数α (ω
0 ) を得ることができる。なお、図５に示したＰ (２
ω) は、数１１中のα (ω0 ) / γ2 の圧力による変化
であり、全圧 100torr近傍で最大値を示している。
ると、数９の第１項はＴ02に、第２項はＴ01にそれぞれ
ある係数を積算した形の波形となる。その係数は、
Ｉ0 、ΔＩ、ΔΩ等であり、半導体の条件を設定してお
けば、定数として取り扱って支障がない。したがって、
検波信号Ｐ (２ω) の波形は、図４の (ロ) と (ハ) を
それぞれある係数でもって積算して、これらを互いに加
算した形状となる。しかし実際には、数９の第１項は第
２項よりも優位であるため、図４(ハ) に示す低波長側
の極小値と高波長側の極小値との間の中心周波数Ω0 の
幅が、ガス雰囲気圧力における半値幅２γに相当する。
こうして半値幅２γが求まれば、図５に基づいて圧力を
得ることができ、さらにその圧力下での吸収係数α (ω
0 ) を得ることができる。なお、図５に示したＰ (２
ω) は、数１１中のα (ω0 ) / γ2 の圧力による変化
であり、全圧 100torr近傍で最大値を示している。
【００４８】図１には、メタンガスの定量測定を目的と
したガス濃度測定装置の一実施例が示されている。
したガス濃度測定装置の一実施例が示されている。
【００４９】図において、１は半導体レーザで、単一波
長のレーザ光を発振させる必要から分布帰還形レーザを
用いている。２は半導体レーザ１からのレーザ光を石英
系光ファイバ３ａにカップリングするための光学系で、
集光レンズと戻り光をカットするための光アイソレータ
とからなる。光学系２の端面には、さらに無反射コーテ
ィング処理が施され、半導体レーザ１への戻り光を極力
小さくしてある。また、７は半導体レーザ１をマウント
してその温度を制御するためのペルチェ素子であり、以
上によりレーザモジュール100 が構成されている。
長のレーザ光を発振させる必要から分布帰還形レーザを
用いている。２は半導体レーザ１からのレーザ光を石英
系光ファイバ３ａにカップリングするための光学系で、
集光レンズと戻り光をカットするための光アイソレータ
とからなる。光学系２の端面には、さらに無反射コーテ
ィング処理が施され、半導体レーザ１への戻り光を極力
小さくしてある。また、７は半導体レーザ１をマウント
してその温度を制御するためのペルチェ素子であり、以
上によりレーザモジュール100 が構成されている。
【００５０】３ａはレーザ１からの光を導く往路用の石
英系光ファイバ、４は光ファイバ３ａからの光が通過す
るガスセルで、未知濃度のメタンガスが含まれている。
３ｂはガスセル４からのレーザ光を伝搬する復路用の石
英系光ファイバ、６は光ファイバ３ｂからのレーザ光の
強度を検出する pinフォトダイオード等からなる光検出
器である。ここで、光ファイバ３ａ，３ｂの端面は、斜
めカット、無反射コーティング等により内部で干渉系が
発生しないように処理されている。また、ガスセル４内
には、光ファイバ３ａから出射されたレーザ光を平行光
とするためのコリメートレンズ５ａと、セル４内を透過
してきた平行光を光ファイバ３ｂに集光するためのコリ
メートレンズ５ｂとが設けられている。
英系光ファイバ、４は光ファイバ３ａからの光が通過す
るガスセルで、未知濃度のメタンガスが含まれている。
３ｂはガスセル４からのレーザ光を伝搬する復路用の石
英系光ファイバ、６は光ファイバ３ｂからのレーザ光の
強度を検出する pinフォトダイオード等からなる光検出
器である。ここで、光ファイバ３ａ，３ｂの端面は、斜
めカット、無反射コーティング等により内部で干渉系が
発生しないように処理されている。また、ガスセル４内
には、光ファイバ３ａから出射されたレーザ光を平行光
とするためのコリメートレンズ５ａと、セル４内を透過
してきた平行光を光ファイバ３ｂに集光するためのコリ
メートレンズ５ｂとが設けられている。
【００５１】一方、８は周波数ωの正弦波信号を出力す
る発振器、９はこの周波数ωの信号により周波数２ωの
２倍波信号を作る倍周器、１０は半導体レーザ１にバイ
アス電流を付加するための定電流電源、１１はペルチェ
素子７に正極性または負極性の定電流を出力する両極性
定電流電源であり、以上によりレーザ駆動回路110 が構
成されている。この駆動回路110 では、発振器８からの
周波数ωの正弦波信号が、定電流電源１０からの出力に
重畳されて、半導体レーザ１が駆動される。この例で
は、変調周波数ωとしてω＝50kHZ とした。また、定電
流電源１０の出力側には、発振器８の出力による影響を
防ぐためにインダクタンスＬが接続されており、逆に、
発振器８の出力側にはコンデンサＣが接続されている。
る発振器、９はこの周波数ωの信号により周波数２ωの
２倍波信号を作る倍周器、１０は半導体レーザ１にバイ
アス電流を付加するための定電流電源、１１はペルチェ
素子７に正極性または負極性の定電流を出力する両極性
定電流電源であり、以上によりレーザ駆動回路110 が構
成されている。この駆動回路110 では、発振器８からの
周波数ωの正弦波信号が、定電流電源１０からの出力に
重畳されて、半導体レーザ１が駆動される。この例で
は、変調周波数ωとしてω＝50kHZ とした。また、定電
流電源１０の出力側には、発振器８の出力による影響を
防ぐためにインダクタンスＬが接続されており、逆に、
発振器８の出力側にはコンデンサＣが接続されている。
【００５２】１２は上記正弦波信号の周波数ωに同期し
て光検出器６の出力値から位相敏感検波を行うロックイ
ンアンプ、１３は上記２倍波信号の周波数２ωに同期し
て光検出器６の出力値から位相敏感検波を行うロックイ
ンアンプ、１４は両ロックインアンプ１３，１４の出力
比を求める割算器である。また、１６は半導体レーザ１
の両端電圧の直流分を測定するための電圧計、１５は電
圧計１６での測定にあたり変調周波数ω成分をカットす
るローパスフィルタ、１８は所定電圧を発生する基準電
源、１７は半導体レーザ１の順方向電圧の直流分の変化
を得るべく、電圧計１６の値と基準電源１８の基準値と
の差を求める減算器、１９は減算器１７からの出力を増
幅するアンプである。さらに、２０はアンプ１９の出力
をＸ軸に、上記割算器１４の出力をＹ軸にそれぞれ入力
して記録するＸＹレコーダであり、以上により測定手段
120 が構成されている。なお、この測定手段120 には、
さらに、図示しない信号処理装置がＸＹレコーダ２０に
接続されて設けられている。
て光検出器６の出力値から位相敏感検波を行うロックイ
ンアンプ、１３は上記２倍波信号の周波数２ωに同期し
て光検出器６の出力値から位相敏感検波を行うロックイ
ンアンプ、１４は両ロックインアンプ１３，１４の出力
比を求める割算器である。また、１６は半導体レーザ１
の両端電圧の直流分を測定するための電圧計、１５は電
圧計１６での測定にあたり変調周波数ω成分をカットす
るローパスフィルタ、１８は所定電圧を発生する基準電
源、１７は半導体レーザ１の順方向電圧の直流分の変化
を得るべく、電圧計１６の値と基準電源１８の基準値と
の差を求める減算器、１９は減算器１７からの出力を増
幅するアンプである。さらに、２０はアンプ１９の出力
をＸ軸に、上記割算器１４の出力をＹ軸にそれぞれ入力
して記録するＸＹレコーダであり、以上により測定手段
120 が構成されている。なお、この測定手段120 には、
さらに、図示しない信号処理装置がＸＹレコーダ２０に
接続されて設けられている。
【００５３】次に、上記装置の動作について述べる。
【００５４】図２は 1.6μm 帯でのメタン吸収を示した
スペクトル線図である。この測定では、半導体レーザ１
の発振波長域としてＱ技線、なかでもメタン吸収の大き
いＱ(6) 線を測定用波長として用いる。
スペクトル線図である。この測定では、半導体レーザ１
の発振波長域としてＱ技線、なかでもメタン吸収の大き
いＱ(6) 線を測定用波長として用いる。
【００５５】測定は、まず半導体レーザ１の発振周波数
がＱ(6) 線に一致するときの駆動電流と温度とを測定し
ておき、その値になるように定電流電源１０と両極性定
電流電源１１を調整する。次に、定電流電源１０からの
バイアス電流に変調周波数ωの正弦波電流を重畳して、
レーザ光の周波数および強度を変調する。そして、定電
流電源１０を調整してバイアス電流の大きさを変えるこ
とにより、半導体レーザ１の中心周波数を変化させてい
く。
がＱ(6) 線に一致するときの駆動電流と温度とを測定し
ておき、その値になるように定電流電源１０と両極性定
電流電源１１を調整する。次に、定電流電源１０からの
バイアス電流に変調周波数ωの正弦波電流を重畳して、
レーザ光の周波数および強度を変調する。そして、定電
流電源１０を調整してバイアス電流の大きさを変えるこ
とにより、半導体レーザ１の中心周波数を変化させてい
く。
【００５６】このとき、半導体レーザ１の中心周波数の
モニタが、減算器１７の出力を増幅したアンプ１９の値
によりなされる。すなわち、個々の半導体レーザの発振
周波数と順方向抵抗成分の変化量とは、再現性のある関
係にある。そのため、あらかじめ半導体の順方向抵抗値
とそのときの光の周波数とを把握しておけば、半導体の
順方向抵抗値をモニタすることにより、中心周波数のモ
ニタが可能となる。このレーザ１の中心周波数相当の電
圧値即ちアンプ１９の出力は、ＸＹレコーダ２０のＸ軸
成分に入力される。
モニタが、減算器１７の出力を増幅したアンプ１９の値
によりなされる。すなわち、個々の半導体レーザの発振
周波数と順方向抵抗成分の変化量とは、再現性のある関
係にある。そのため、あらかじめ半導体の順方向抵抗値
とそのときの光の周波数とを把握しておけば、半導体の
順方向抵抗値をモニタすることにより、中心周波数のモ
ニタが可能となる。このレーザ１の中心周波数相当の電
圧値即ちアンプ１９の出力は、ＸＹレコーダ２０のＸ軸
成分に入力される。
【００５７】一方、半導体レーザ１から発振されたレー
ザ光は、光ファイバ３ａを介してガスセル４に導かれ
る。そして、セル４内のメタンガス雰囲気を透過した
後、光ファイバ３ｂを介して光検出器６に導かれ、そこ
で強度検出される。この検出信号はロックインアンプ１
２，１３に入力され、そこで位相敏感検波されて基本波
検波信号Ｐ (ω)max および２倍波波検波信号Ｐ(2ω)
が得られる。これら検波信号は、さらに割算器１４に入
力され、Ｐ(2ω)/Ｐ (ω)max がＸＹレコーダ２０のＹ
軸成分に入力される。
ザ光は、光ファイバ３ａを介してガスセル４に導かれ
る。そして、セル４内のメタンガス雰囲気を透過した
後、光ファイバ３ｂを介して光検出器６に導かれ、そこ
で強度検出される。この検出信号はロックインアンプ１
２，１３に入力され、そこで位相敏感検波されて基本波
検波信号Ｐ (ω)max および２倍波波検波信号Ｐ(2ω)
が得られる。これら検波信号は、さらに割算器１４に入
力され、Ｐ(2ω)/Ｐ (ω)max がＸＹレコーダ２０のＹ
軸成分に入力される。
【００５８】図３は、以上のようにしてＸＹレコーダ２
０より得られた出力波形を示す図である。今、光の中心
周波数Ω0 が吸収線の中心ω0 に一致したとき、Ｐ(2
ω)/Ｐ(ω)max はピーク値Ｒを示し、
０より得られた出力波形を示す図である。今、光の中心
周波数Ω0 が吸収線の中心ω0 に一致したとき、Ｐ(2
ω)/Ｐ(ω)max はピーク値Ｒを示し、
【００５９】
【数１２】
【００６０】と表される。このうち、Ｋ2 は半導体レー
ザ１の温度、バイアス電流および変調振幅によって決ま
る比例定数、α (ω0 ) はメタン吸収線の中心ω0 での
吸収係数、γ2 は吸収係数α (ω0 ) の半値幅２γの半
分の値を２乗したもの、ｃ・ｌはメタンガス濃度ｃと光
路長ｌとの積を示す。数１２においては、α(ω0 )/γ
2 が圧力により変化するため、これを求めればセル４中
のメタンガスの濃度ｃを得ることができる。ただし、セ
ル内ガスの温度変化による圧力変化をここでは考えてい
ないので温度は一定である必要がある。そのため、ガス
セル４を断熱構造等とする必要がある。
ザ１の温度、バイアス電流および変調振幅によって決ま
る比例定数、α (ω0 ) はメタン吸収線の中心ω0 での
吸収係数、γ2 は吸収係数α (ω0 ) の半値幅２γの半
分の値を２乗したもの、ｃ・ｌはメタンガス濃度ｃと光
路長ｌとの積を示す。数１２においては、α(ω0 )/γ
2 が圧力により変化するため、これを求めればセル４中
のメタンガスの濃度ｃを得ることができる。ただし、セ
ル内ガスの温度変化による圧力変化をここでは考えてい
ないので温度は一定である必要がある。そのため、ガス
セル４を断熱構造等とする必要がある。
【００６１】そこで、信号処理装置（図示せず）では、
図３のデータが極大値を示す中心周波数と、これより低
波長側にて極小値を示す中心周波数との差からγが求ま
り、これを２倍して半値幅２γを求める。そして、図５
の関係を用いて半値幅２γからメタンガスを含む雰囲気
の全圧を求め、さらにその圧力での吸収係数α (ω
0 ) を求める。こうして、α (ω0 ) およびγ2 を得
ると、これらによりα (ω0 )/γ2 を求めて、数１２か
らメタンガス濃度ｃを得る。ここで、数１２を用いてい
るのは、数１１と異なり反射条件に依存する定数Ａを含
まず、測定環境の影響を受けることなく濃度測定が行え
るからである。
図３のデータが極大値を示す中心周波数と、これより低
波長側にて極小値を示す中心周波数との差からγが求ま
り、これを２倍して半値幅２γを求める。そして、図５
の関係を用いて半値幅２γからメタンガスを含む雰囲気
の全圧を求め、さらにその圧力での吸収係数α (ω
0 ) を求める。こうして、α (ω0 ) およびγ2 を得
ると、これらによりα (ω0 )/γ2 を求めて、数１２か
らメタンガス濃度ｃを得る。ここで、数１２を用いてい
るのは、数１１と異なり反射条件に依存する定数Ａを含
まず、測定環境の影響を受けることなく濃度測定が行え
るからである。
【００６２】上述したように、半導体レーザ１の駆動電
流を所定のバイアス電流を中心として特定の周波数ωで
変調して、波長および出力が変調されたレーザ光を発振
させ、そのレーザ光を未知濃度メタンガスを含むガスセ
ル４に通過させて、その透過光の強度を光検出器６で検
出し、その検出器６の出力信号からロックインアンプ１
２，１３により２倍波検波信号Ｐ (２ω) と基本波検波
信号Ｐ (ω)maxとを求め、これらの比Ｐ (２ω) /Ｐ
(ω)maxからセル４内のメタンガス濃度を求めたので、
ＳＮ比を改善して、高感度にガス濃度を測定することが
できる。
流を所定のバイアス電流を中心として特定の周波数ωで
変調して、波長および出力が変調されたレーザ光を発振
させ、そのレーザ光を未知濃度メタンガスを含むガスセ
ル４に通過させて、その透過光の強度を光検出器６で検
出し、その検出器６の出力信号からロックインアンプ１
２，１３により２倍波検波信号Ｐ (２ω) と基本波検波
信号Ｐ (ω)maxとを求め、これらの比Ｐ (２ω) /Ｐ
(ω)maxからセル４内のメタンガス濃度を求めたので、
ＳＮ比を改善して、高感度にガス濃度を測定することが
できる。
【００６３】しかも、半導体レーザ１へのバイアス電流
を変化させて、レーザ光の中心周波数をメタンの吸収線
上で掃引させ、このときのＰ (２ω) / Ｐ (ω)maxの波
形からγを検出したので、このγの値からメタンガスを
含む雰囲気圧力、ひいてはその圧力下での吸収係数α
(ω0 ) を検出でき、この圧力補正された吸収係数α
(ω0 ) を用いてメタンガスの濃度を算出することがで
きる。したがって、従来方式では圧力センサを用いない
と不可能であった炭坑やプラントなど気圧変化の激しい
場所あるいは環境下においても、何等新たに圧力センサ
を設けることなく、正確にメタンガス濃度を測定でき
る。
を変化させて、レーザ光の中心周波数をメタンの吸収線
上で掃引させ、このときのＰ (２ω) / Ｐ (ω)maxの波
形からγを検出したので、このγの値からメタンガスを
含む雰囲気圧力、ひいてはその圧力下での吸収係数α
(ω0 ) を検出でき、この圧力補正された吸収係数α
(ω0 ) を用いてメタンガスの濃度を算出することがで
きる。したがって、従来方式では圧力センサを用いない
と不可能であった炭坑やプラントなど気圧変化の激しい
場所あるいは環境下においても、何等新たに圧力センサ
を設けることなく、正確にメタンガス濃度を測定でき
る。
【００６４】また、半導体レーザ１からセル４への伝送
路、またセル４から光検出器６への伝送路としてそれぞ
れ石英系光ファイバ３ａ，３ｂを用いているので、メタ
ンガスを遠隔地において監視ないし定量測定できると共
に、電磁誘導、サージ等の影響を受けることなく耐環境
性にも優れる。さらに、単色光を出力する半導体レーザ
１を用いているので、光源の高出力化はもとより、信号
の長距離化を図ることもできる。
路、またセル４から光検出器６への伝送路としてそれぞ
れ石英系光ファイバ３ａ，３ｂを用いているので、メタ
ンガスを遠隔地において監視ないし定量測定できると共
に、電磁誘導、サージ等の影響を受けることなく耐環境
性にも優れる。さらに、単色光を出力する半導体レーザ
１を用いているので、光源の高出力化はもとより、信号
の長距離化を図ることもできる。
【００６５】なお、上記実施例では、半導体レーザ１の
中心周波数を変化させる方法として、定電流電源１０か
ら供給されるバイアス電流を変化させたが、両極性定電
流電源１１によりペルチェ素子７への電流を加減するこ
とによりレーザ１の温度を変化させてもよい。また、吸
収係数α (ω0 ) の半値幅２γを測定する方法として、
２倍波検波信号と基本波検波信号との比を求め、この値
の極大、極小を示すレーザの中心周波数の差から見出し
たが、基本波検波信号の極大と極小における周波数の差
を３1/2 倍することにより見出してもよい。さらにま
た、上記実施例で対象としているガスはメタンガスであ
るが、ある一定の吸収帯を保有し且つその吸収帯が半導
体レーザ１の発振周波数内に存在するものであれば、他
のガスでも適用可能である。このガスとしては、例えば
アセチレンやエチレン等がある。
中心周波数を変化させる方法として、定電流電源１０か
ら供給されるバイアス電流を変化させたが、両極性定電
流電源１１によりペルチェ素子７への電流を加減するこ
とによりレーザ１の温度を変化させてもよい。また、吸
収係数α (ω0 ) の半値幅２γを測定する方法として、
２倍波検波信号と基本波検波信号との比を求め、この値
の極大、極小を示すレーザの中心周波数の差から見出し
たが、基本波検波信号の極大と極小における周波数の差
を３1/2 倍することにより見出してもよい。さらにま
た、上記実施例で対象としているガスはメタンガスであ
るが、ある一定の吸収帯を保有し且つその吸収帯が半導
体レーザ１の発振周波数内に存在するものであれば、他
のガスでも適用可能である。このガスとしては、例えば
アセチレンやエチレン等がある。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザの駆動電流あるいは温度を変化させて、周波数およ
び出力が変調されたレーザ光を発振させ、このレーザ光
を未知濃度の特定ガスを含む雰囲気に通過させ、その透
過光の検出信号中の特定成分を位相敏感検波したので、
上記雰囲気内に存在する特定ガスの濃度を高感度に検出
することができる。
ーザの駆動電流あるいは温度を変化させて、周波数およ
び出力が変調されたレーザ光を発振させ、このレーザ光
を未知濃度の特定ガスを含む雰囲気に通過させ、その透
過光の検出信号中の特定成分を位相敏感検波したので、
上記雰囲気内に存在する特定ガスの濃度を高感度に検出
することができる。
【００６７】また、上記レーザ光の中心周波数を特定ガ
スの吸収線上で掃引し、このときの中心周波数と上記検
波信号との関係から、上記雰囲気圧力下でのガス濃度を
求めたので、新たに圧力センサを設けることなく、圧力
補正された正確なガス濃度を得ることができる。
スの吸収線上で掃引し、このときの中心周波数と上記検
波信号との関係から、上記雰囲気圧力下でのガス濃度を
求めたので、新たに圧力センサを設けることなく、圧力
補正された正確なガス濃度を得ることができる。
【図１】本発明のガス濃度測定装置の一実施例を示す図
である。
である。
【図２】メタンガス1.6 μm 帯赤外吸収スペクトル線図
である。
である。
【図３】一実施例の濃度測定装置においてＸＹプロッタ
から得られる波形の一部を示す図である。
から得られる波形の一部を示す図である。
【図４】メタン吸収に基づく透過率、その一次微分信号
および二次微分信号を示す図である。
および二次微分信号を示す図である。
【図５】メタン吸収線の吸収係数、その半値幅および２
倍波検波信号の圧力による変化を示す図である。
倍波検波信号の圧力による変化を示す図である。
【図６】従来のメタンガス測定装置の一例を示す図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ ３ａ，３ｂ 石英系光ファイバ ４ ガスセル ６ 光検出器 ７ ペルチェ素子 100 レーザモジュール 110 レーザ駆動回路 120 測定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−9342（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−196541（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−501767（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175648（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−501007（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−29933（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−23642（ＪＰ，Ｕ) 国際公開90／732（ＷＯ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 駆動電流および温度に応じた波長および
強度のレーザ光を発振するレーザを用い、このレーザの
駆動電流あるいは温度を変化させて、波長および強度が
変調されたレーザ光を発振させると共にそのレーザ光の
中心波長を掃引させ、そのレーザ光を測定対象とする一
定温度に保ったガス雰囲気に通した後の透過光の強度を
検出し、この検出信号中の特定成分を位相敏感検波し、
このレーザ光の中心波長を掃引させたことによる検波信
号の極大値及び極小値から吸収係数の半値幅を求め、そ
の半値幅とガス雰囲気の圧力と吸収係数との関係を用い
て雰囲気圧力及び吸収係数を求め、その吸収係数と上記
半値幅とにより検波信号とガス濃度との比例式から上記
雰囲気圧力下での特定ガスの濃度を測定することを特徴
とするガス濃度測定方法。 - 【請求項２】 駆動電流および温度に応じた波長および
強度のレーザ光を発振するレーザと、所定の電流値を中
心として所定の振幅で上記レーザの駆動電流を変調する
と共に、その中心となる電流あるいは温度を徐々に変化
させるレーザ駆動回路と、上記レーザ光を測定対象とす
るガス雰囲気に通過させた後の強度を検出する光検出器
と、この光検出器の出力中の特定成分を位相敏感検波
し、このレーザ光の中心波長を掃引させたことによる検
波信号の極大値及び極小値から吸収係数の半値幅を求
め、その半値幅とガス雰囲気の圧力と吸収係数との関係
を用いて雰囲気圧力及び吸収係数を求め、その吸収係数
と上記半値幅とにより検波信号とガス濃度との比例式か
ら上記雰囲気圧力下での特定ガスの濃度を測定する測定
手段とからなることを特徴とするガス濃度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9682591A JP2703835B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ガス濃度測定方法及びその測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9682591A JP2703835B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ガス濃度測定方法及びその測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326041A JPH04326041A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2703835B2 true JP2703835B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=14175341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9682591A Expired - Fee Related JP2703835B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ガス濃度測定方法及びその測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703835B2 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| EP2610608A1 (en) | 2011-12-27 | 2013-07-03 | HORIBA, Ltd. | Gas measurement apparatus and method for setting the width of wavelength modulation in a gas measurement apparatus |
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| JP4715759B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2011-07-06 | 株式会社島津製作所 | 水分計 |
| JP4905106B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-03-28 | 富士電機株式会社 | レーザの波長制御装置、ガス濃度測定装置、レーザの波長制御方法およびガス濃度測定方法 |
| JP5170034B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2013-03-27 | 株式会社島津製作所 | ガス分析装置 |
| CN106226262A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-14 | 西南石油大学 | 一种油气浓度检测系统 |
| US11860089B2 (en) | 2019-01-31 | 2024-01-02 | Nec Corporation | Receiver, early anomaly detection system and method, and computer-readable medium |
| JP7440287B2 (ja) * | 2020-02-05 | 2024-02-28 | アズビル株式会社 | 測定装置 |
| CN114486808B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-07-04 | 山东大学 | 一种增强谱线吸收强度型气体检测方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116654A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-04 | Shimadzu Corp | マスクロマトグラフイ装置 |
| JPS6323642U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | ||
| JPS649342A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Fujitsu Ltd | Pulsed excitation of semiconductor laser beam source |
| JPH01196541A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-08 | Shimadzu Corp | 半導体レーザを用いた分光分析装置 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9682591A patent/JP2703835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2610608A1 (en) | 2011-12-27 | 2013-07-03 | HORIBA, Ltd. | Gas measurement apparatus and method for setting the width of wavelength modulation in a gas measurement apparatus |
| US8896835B2 (en) | 2011-12-27 | 2014-11-25 | Horiba, Ltd. | Gas measurement apparatus and the setting method of width of wavelength modulation in gas measurement apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04326041A (ja) | 1992-11-16 |
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