JP2687256B2 - X-ray mask creation method - Google Patents

X-ray mask creation method

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JP2687256B2 JP8442491A JP8442491A JP2687256B2 JP 2687256 B2 JP2687256 B2 JP 2687256B2 JP 8442491 A JP8442491 A JP 8442491A JP 8442491 A JP8442491 A JP 8442491A JP 2687256 B2 JP2687256 B2 JP 2687256B2
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、マスクパターン描画時のポジショニング精度を向上せしめたX線マスク作成方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to an X-ray mask making method was allowed improved positioning accuracy during mask patterning.

【0002】 [0002]

【従来の技術】X線リソグラフィはマスクパターンが等倍でウェハに露光転写されるため、マスク精度が直接転写精度に影響することになり、メンブレン材質を中心に様々な研究が盛んに行なわれている。 Because BACKGROUND OF THE INVENTION X-ray lithography mask pattern is exposed and transferred onto the wafer at the same magnification, will be masked accuracy directly affects the transfer accuracy, various studies about the membrane material is been actively there.

【0003】一方等倍X線マスクの作成方法として一般的に知られているものは、基板上全面にメンブレン、吸収体を積層せしめた後、イオンビーム露光法を用いて又は電子ビーム露光とエッチング技術を用いて吸収体上に所望のパターン(即ちマスクパターン)を形成し、又そのパターン形成前又は後にX線露光領域の基板をくり抜くバックエッチを行なうというものである。 [0003] On the other hand, what is commonly known as creating a magnification X-ray mask, after allowed laminated membrane, the absorbent body on the entire surface of the substrate, by ion beam lithography or electron beam lithography and etching forming a desired pattern (i.e. mask pattern) onto the absorber using techniques, also it is that performs back-etch hollowing out a substrate of X-ray exposure area on the patterning before or after.

【0004】しかし、上記イオンビーム露光や電子ビーム露光の際、描画領域の縁になる程、静電及び電磁偏向によるビームの偏向歪の発生が大きくなるため、該偏向手段のみではその全域を描画することが難しくなる。 However, when the ion beam exposure or electron beam exposure, as the become the edge of the drawing area, since the occurrence of the deflection distortion of the beam by the electrostatic and electromagnetic deflection increases, only the deflecting means draws the entire it is difficult to.

【0005】そこでこの様な静電・電磁偏向に加え、図3に示される様に、マスクX面をいくつかのフィールドx 1 ……x nで構成されるものに見立てて、該マスクXを載せたステージ6をステップ送りしながら、各フィールドx 1 ……x n毎に露光を行なうフィールド露光方式を併用し、全領域を描画するようにしている。 [0005] Therefore in addition to such electrostatic-magnetic deflection, as shown in FIG. 3, to resemble to those constituting the masked X plane in a number of fields x 1 ...... x n, the mask X while step feeding stage 6 which carries, in combination with field exposure method for performing exposure for each field x 1 ...... x n, so that to draw the entire area.

【0006】この描画方法をより詳細に述べると、まず電子銃7から出た電子ビームは静電レンズ8を通して絞られ、又静電・電磁偏向系9により該ビームの進む方向は所望の方向にコントロールされ、マスクXに照射される。 [0006] To describe this rendering process in more detail, first, the electron beams emitted from the electron gun assembly 7 is squeezed through the electrostatic lens 8, the direction of travel of the beam by Matasei electrostatic-magnetic deflection system 9 in the desired direction is controlled, it is applied to the mask X. しかし、偏向歪の発生等により偏向可能な角度が限られるため、チップ全面の実際の露光では、マスクXを載せたステージ6を駆動系10a、10bでステップ送り(この際測長系11a、11bでステージ6のX、Y方向における位置の検出が同時に行なわれる)し、小フィールドx 1 However, since the deflectable angle is limited by the occurrence of deflection distortion, the actual exposure of the entire surface of the chip, the drive system 10a the stage 6 carrying the mask X, step feed in 10b (this Saihaka length system 11a, 11b in X stage 6, the detection of the position in the Y-direction are performed at the same time), and a small field x 1
……x n毎に分割して露光を行なう方式と組み合せて露光を行なっている。 ...... divided every x n are subjected to exposure in combination with scheme to be exposed. 即ち、上記偏向系9で露光可能なフィールド内を露光し、その次にステージ6をステップ送りして次のフィールドに移動し、そこで又該偏向系9により電子ビームを振って描画する。 That is, exposing the inside exposable fields above deflection system 9, the next stage 6 by feeding step to move to the next field, where it draws waving electron beams by Mata該 deflection system 9. 以上の操作を繰り返し、マスク描画を完了する。 Repeating the above operation, to complete the mask drawing.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする問題点】しかし、イオンビーム露光や電子ビーム露光は、真空中で行なわれるものであるため、吸着によってマスクXを前記ステージ6上に動かないように固着せしめることは非常に難しく、又吸着によらずに機械的にマスクXをステージ6上に固定せしめた場合でもステップ送りを繰り返すうちに、該ステージ6上のマスクXは微妙な範囲でずれを生ずることになる。 THE INVENTION Problems to be Solved] However, the ion beam exposure or electron beam exposure, because it is intended to be performed in a vacuum, very be allowed to secured immovably to mask X on the stage 6 by adsorption in difficult and also after repeated step feed even when mechanically allowed secure the mask X on the stage 6 without depending on the adsorption, the mask X on the stage 6 will be caused to shift in a subtle range. このため、ステージ6の位置を前記測長系11a、11 Therefore, measuring the position of the stage 6 long system 11a, 11
bでいくら正確にモニタリングして描画を行なっても図4に示される様にマスク描画時の位置精度は非常に悪いという問題があった。 Position accuracy in the mask writing As be subjected to much accurately monitored to draw in b shown in FIG. 4 has a problem that very poor.

【0008】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み創案されたもので、X線マスクの作成方法に改良を加え、そのマスクパターンの位置精度を高めんとするものである。 [0008] The present invention has been made in view of the above such problems of the prior art, an improvement over the method of creating X-ray mask is for the positional accuracy of the mask pattern with high noodles. 又この精度向上によって該X線マスクを用いて露光を行なった時にチップ面内の位置精度、即ち合わせ精度が更に高まるようになることも当然そのねらいとしている。 The positional precision of the chip surface, i.e. the alignment accuracy is the course also its aim to become further enhanced when performing exposure using the X-ray mask by the accuracy.

【0009】 [0009]

【問題点を解決するための手段】本発明の構成は次の様な2つのX線マスク作成方法を前提として、両方法において実施されるものであり、従って2発明に分けて説明されることになる。 Given the following two such X-ray mask making process configuration of the present invention, in order to solve the problems], which is implemented in both methods, therefore be described in two INVENTION become. 1つ目は上記従来技術で示した構成であるが、マスクを構成するメンブレンと吸収体とを有しており、該メンブレン上に吸収体を積層した後、イオンビーム露光を行なって直接或いは電子ビーム露光と共にエッチングも行なうことで、該吸収体を所望のマスクパターンに加工するというものである。 Although first it has the configuration shown in the prior art, has a membrane and the absorbent material constituting the mask, after lamination of the absorption body over the membrane, directly or electrons by performing ion beam exposure by performing the etching with beam exposure, is that for machining the absorber to the desired mask pattern. もう1つはメンブレン上にイオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なってまずレジストパターンを形成し、その後レジストパターン間の露出したメンブレン上に吸収体を積層せしめて所望のマスクパターンを得るというものである。 The other is to form a first resist pattern by ion beam exposure or electron beam exposure on the membrane, is that then the resist pattern between exposed and allowed to laminate an absorber on the membrane to obtain a desired mask pattern .

【0010】そして本願第1発明はの構成を前提構成として、露光領域内に少なくとも一部がウエハ上に転写するべき所望のパターンにかかるように、吸収体表面上にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマーカパターンを、X線露光に影響がなくパターン形成 [0010] The premise constituting the configuration of the first feature of the present invention, as according to the desired pattern to at least a portion is transferred onto a wafer in the exposure region, the ion beam or electron beam drawing on the absorber surface marker pattern which is a position reference and impact without patterning the X-ray exposure
上十分にX線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形成しておき、このマーカパターンをモニタリングしながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露光を繰り返し行なうというものである。 Upper well previously formed on the exposure prior to a film thickness that can shield the X-rays, it is that repeatedly performs field exposure as described above by performing sequential position correction while monitoring the marker pattern.

【0011】又第2発明では上記の構成を前提構成として、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上に転写するべき所望のパターンにかかるように、メンブレン上にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマーカパターンを、X線露光に影響がなくパターン形成上 [0011] Given constituting the above configuration in the second invention, at least a portion as according to the desired pattern to be transferred onto the wafer, the position of the ion beam or electron beam lithography on the membrane in the exposure region the marker pattern as a reference, the effect on the X-ray exposure rather than patterned on
十分にX線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形成しておき、このマーカパターンをモニタリングしながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露光を繰り返し行なうというものである。 Sufficiently previously formed on the exposure prior to a film thickness that can shield the X-rays, it is that repeatedly performs field exposure as described above by performing sequential position correction while monitoring the marker pattern.

【0012】両者の構成ともフィールド露光の際、ステージ位置をモニタリングしながら描画を行なうというものではなく、X線マスク、特に描画しようとするフィールド内位置をモニタリングしながら描画を行なうので、 [0012] During the configuration with field exposure of both, not that perform a drawing while monitoring the stage position, X-ray mask, especially since carried out a drawing while monitoring the field in a position to be drawn,
パターン面内位置精度は従来の場合に比べ格段に向上する。 Pattern plane positional accuracy is remarkably improved as compared with the conventional case. そのため、上記マーカパターンは各フィールド全てに形成することが最も望ましく、その場合更に各フィールド内に少なくとも1つ以上設けられていると良い。 Therefore, the marker pattern is most desirable to form all the fields, may the case is provided at least one further in each field. もちろん一定の法則性のもとに飛び飛びに設けておくことも可能である。 It is also possible of course to be provided at intervals on the basis of a certain regularity.

【0013】又これらのマーカパターンの形成方法としては、フォトリソグラフィを用いて行なうものとし、且つ半導体装置を数種類のX線マスクを用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成すると、マーカの位置は各マスク間でバラツクことなく、常に一定の場所に形成される。 [0013] As a method of forming these marker pattern, compared series of masks series when assumed that performed using photolithography, and made using several kinds of X-ray mask of the semiconductor device, the same reticle When you create the marker pattern used, the position of the marker without fluctuate between each mask is always formed in a fixed location.

【0014】更にこれらのマーカパターンの形成方法としては、吸収体層表面又はメンブレン表面の一部を削るか、或いは該吸収体の表面上又はメンブレンの表面上に積層することで行なうことになるが、第1発明構成の様に吸収体上に形成する場合(特にその表面を削り取る場合)は、該吸収体のX線の遮光性を十分に確保できるように(該遮光性を十分確保できる厚みを残しておくように)しなければならない。 [0014] Further method of forming these marker pattern, either cut a portion of the surface of the absorber layer or membrane surface, or it will be carried out by laminating on the surface of the surface or membrane of the absorber (if scraping especially its surface) when forming on the first invention configured absorber as of a thickness to allow sufficient light-shielding property of the X-ray of the absorber (the light-shielding can be sufficiently ensured It should do so) and must leave.

【0015】 [0015]

【実施例】以下本願第1発明法の具体的実施例につき詳述する。 EXAMPLES detail per the following specific examples the first invention method.

【0016】図1は第1発明のX線マスク作成方法の一実施例を示す工程説明図である。 [0016] Figure 1 is a process explanatory view showing an embodiment of an X-ray mask creation method of the first invention.

【0017】まず図1(a)に示される様に基板1上にメンブレン2及び吸収体3を積層せしめる。 [0017] First, allowed to laminate the membrane 2 and the absorber 3 on the substrate 1 as shown in FIG. 1 (a).

【0018】次に同図(b)に示される様に各フィールド毎に吸収体3上に十字状のマーカパターン4を作成した。 [0018] creating the cross-shaped marker pattern 4 on the absorber 3 in every field as shown in the next figure (b).
この時光ステッパを用い、一連のマスクシリーズを同一レチクルを使用して作成し、更にその削り取り深度は吸収体3のX線の遮光性が十分確保できる程度のものにした。 The Tokiko used stepper, created using the same reticle set of mask series, further the chipping depth was such a degree that light-shielding of the X-ray absorber 3 can be sufficiently secured.

【0019】この様にして作成されたマーカパターン4 [0019] The marker pattern 4 that have been created in this manner
は図2(a)に示される様に1チップを構成する各フィールドx 1 、x 2 、x 3 、x 4とも右上の一定箇所にある。 Is in a specific part of each field x 1, x 2, x 3 , x 4 both upper right constituting one chip as shown in FIG. 2 (a).

【0020】その後更にレジストを塗布し、各フィールド毎にマーカパターン4をモニタしてマスク位置を把握しながらイオンビーム露光(又は電子ビーム露光とエッチング)を行ない、図1(c)に示される様なマスクパターン作成用のレジストパターン5を形成した。 [0020] Then the resist is coated, subjected to ion beam exposure (or electron beam exposure and etching) while grasping the mask position by monitoring the marker pattern 4 for each field, as shown in FIG. 1 (c) to form a resist pattern 5 for creating a mask pattern.

【0021】その後吸収体3をエッチングし、レジストパターン5を除去して、図1(d)に示される様に、所望のマスクパターン3aを形成する(尚図ではマスクパターン [0021] Then an absorber 3 is etched, the resist pattern 5 is removed and, as shown in FIG. 1 (d), the mask pattern is (Note FIG forming a desired mask pattern 3a
3aの方が誇張して大きく描かれている)。 Who 3a is depicted with an exaggerated size).

【0022】最後に図1(e)に示される様に、基板1のX [0022] Finally, as shown in Figure 1 (e), X of the substrate 1
線露光領域をバックエッチしてX線マスクを作成した。 It created the X-ray mask and back etch the line exposure area.

【0023】この様にして得られたX線マスクの平面状態は図2(b)に示される様に、フィールド間にまたがって形成されるマスクパターン3aが、該フィールド間でずれる等のパターンの位置歪がほとんどなかった。 [0023] As shown in the planar state of the X-ray mask obtained in this manner FIG. 2 (b), the mask pattern 3a is formed across between fields, a pattern such as shift between the fields position distortion was little.

【0024】この様に本実施例では、各フィールド毎にマーカパターン4の位置をモニタしながらパターン描画するため、フィールドステップ送り時の位置ズレが生じなかった。 [0024] In the present embodiment in this manner, for pattern drawing while monitoring the position of the marker pattern 4 for each field, the position deviation during field step feed did not occur. 又一連のX線マスクシリーズのマーカパターン4を同一のレチクルで作ると、レチクルは歪まないので、ステッパレンズに歪があっても常に一定の位置に同一形状のマーカパターン4ができる。 Also, when making a marker pattern 4 of a series of X-ray mask series by the same reticle, the reticle is not distorted, it is a marker pattern 4 of the same shape is always constant position even if distortion stepper lens. 従ってマスク間の相対的な位置ズレは生じなかった。 Thus the relative positional deviation between the mask did not occur. 更に吸収体3の表面の一部を削り取ってマーカパターン4が形成される場合に、その深度を本実施例の様に浅く形成すれば、マスクパターン3a上にマーカパターン4が作られたとしても、 If the further marker pattern 4 scraped off part of the surface of the absorbent body 3 is formed, if shallow as in this embodiment the depth, even marker pattern 4 was made on the mask pattern 3a ,
遮光性は十分確保される。 Shielding property can be sufficiently ensured.

【0025】一方、本実施例では行なわなかったが、光リソグラフィ技術で用いられているEGA(Enhanced On the other hand, was not done in this example, EGA, which is used in the optical lithography technology (Enhanced
Global Alignment)と呼ばれるチップ位置の統計処理によるアライメント技法をマーカパターン4の検出に応用すれば(即ち、マーカパターン4を複数測定して統計処理し、各フィールド毎の位置を算出しておき、万が一マーカパターン4の1つでも検出ができないことがあったり、パターン荒れ等があって不正確な検出がなされた場合でも、上記の統計処理データを基に周囲のフィールドの位置からそのフィールドの位置を把握するようにすれば)、マーカパターン4の検出精度を高めることもできる。 By applying alignment technique according to the statistical processing of the chip position called Global Alignment) for the detection of the marker pattern 4 (i.e., the marker pattern 4 statistically processes a plurality measured in advance to calculate the position of each field, any chance or there may not be able to detect even one marker pattern 4, even if the incorrect detection had such rough pattern was made, the location of the field from the position of the field around the basis of the statistical processing data if so grasp), it is also possible to increase the accuracy of detection of the marker pattern 4.

【0026】 [0026]

【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、フィールド露光の際に、各フィールドの露光領域内に少な According to the configuration of the present invention described above in detail, according to the present invention, when the field exposure, low exposure region of each field
くとも一部がウェハ上に転写するべき所望のパターンに The desired pattern to Ku and a part is transferred onto the wafer
かかるように設けられたマーカパターンの検出を行ないその度に逐次位置補正しながらこれらの各フィールドの露光を行なっており、該マーカパターン専用の領域 It performs marker detection pattern provided in such a manner, while sequentially position correction each time and conduct exposure for each of these fields, the marker pattern dedicated area
を必要としないため、面内位置精度の高い、即ちフィールド間にまたがるマスクパターンの該フィールド間における連続性が高く且つこれらのマスクパターンが設計通りの位置に正確に形成されたX線マスクを得ることが可能となる。 Because it does not require a high plane positional accuracy, i.e., and these mask patterns high continuity between the field mask pattern spanning between fields to obtain an X-ray mask which is accurately formed at the position as designed it becomes possible. その結果、このX線マスクをX線リソグラフィに使用した場合、その転写精度は著しく向上することになる。 As a result, when using this X-ray mask to X-ray lithography, it will be the transfer accuracy is significantly improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例に係るX線マスク作成方法の工程説明図である。 1 is a process explanatory view of an X-ray mask making method according to an embodiment of the present invention.

【図2】フィールド毎にマーカパターンが形成された状態とそれを使って本発明法が実施された結果得られたマスクパターンの状態を示すX線マスク平面図である。 Figure 2 is an X-ray mask plan view showing a state of a mask pattern and a state where the marker pattern is formed using the same method of the present invention is obtained as a result of being carried in each field.

【図3】X線マスク作成時に実施されるフィールド露光方式の説明図である。 3 is an explanatory view of a field exposure scheme implemented when creating X-ray mask.

【図4】従来のX線マスク作成方法で作られたX線マスクにおけるマスクパターンの位置ずれ状態を示すマスク平面図である。 4 is a mask plane view showing a positional shift state of the mask pattern in the X-ray mask made of conventional X-ray mask making process.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2 メンブレン 3 吸収体 3a マスクパターン 4 マーカパターン 5 レジストパターン 1 substrate 2 Membrane 3 absorber 3a mask pattern 4 marker pattern 5 resist pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−166224(JP,A) 特開 平2−252229(JP,A) 特開 昭53−108287(JP,A) 特開 昭57−28333(JP,A) 特開 昭60−74519(JP,A) 特開 昭59−188916(JP,A) 特開 昭64−9617(JP,A) 特開 昭54−118777(JP,A) 特開 昭57−21818(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (56) reference Patent Sho 63-166224 (JP, a) JP flat 2-252229 (JP, a) JP Akira 53-108287 (JP, a) JP Akira 57- 28333 (JP, A) JP Akira 60-74519 (JP, A) JP Akira 59-188916 (JP, A) JP Akira 64-9617 (JP, A) JP Akira 54-118777 (JP, A) Patent Akira 57-21818 (JP, A)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 マスクを構成するメンブレンと吸収体とを有しており、該メンブレン上に吸収体を積層した後、 1. A has a membrane and the absorbent material constituting the mask, after lamination of the absorption body on the membrane,
    イオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なって直接或いはエッチングを伴ないながら該吸収体を所望のパターンに加工してX線マスクを作るX線マスク作成方法において、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上に転写するべき所望のパターンにかかるように、吸収体表面上にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマーカパターンを、X線露光に影響がなくパターン形成上 In X-ray mask fabrication method of making processed by the X-ray mask in a desired pattern the absorber while not accompanied directly or etching by performing ion beam exposure or electron beam exposure, the exposure at least partially on the wafer in the region as according to the desired pattern to be transferred to the absorber marker pattern which is a position reference of the ion beam or electron beam drawing on the surface, X-rays exposure effects without patterning on
    十分にX線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形成しておき、このマーカパターンをモニタリングして逐次位置補正を行ないながらイオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なうことを特徴とするX線マスク作成方法。 Sufficiently previously formed on the exposure prior to a film thickness that can shield the X-rays, and performing ion beam exposure or electron beam exposure while performing sequential position correction by monitoring the marker pattern X line mask creation method.
  2. 【請求項2】 請求項第1項記載のX線マスク作成方法において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィを用いて形成し、且つ半導体装置を数種類のX線マスクを用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成することを特徴とする請求項第1項記載のX線マスク作成方法。 2. A X-ray mask making method according paragraph 1 claims a series of masks when the marker pattern is formed using photolithography, and made using several kinds of X-ray mask of the semiconductor device Series contrast, X-rays mask making process as in claim 1, wherein said creating the marker pattern using the same reticle.
  3. 【請求項3】 請求項第1項乃至第2項記載のX線マスク作成方法において、マスクを載せたステージを前記各フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子ビーム露光により描画する場合に、前記マーカパターンが各フィールド内に少なくとも1つ以上含まれていることを特徴とする請求項第1項乃至第2項記載のX線マスク作成方法。 3. The method of claim paragraphs 1 through X-ray mask creation method of the second term, wherein when the stage carrying the mask is moved the in each field to draw an ion beam exposure or electron beam exposure, at least one contained claim paragraphs 1 through X-ray mask creation method of the second term, wherein the have the marker pattern in each field.
  4. 【請求項4】 請求項第1項乃至第3項記載のX線マスク作成方法において、前記吸収体層表面の一部を削り、 4. The method of claim paragraphs 1 through X-ray mask creation method of the third term, wherein cutting a portion of the surface of the absorber layer,
    或いは該吸収体の表面上に積層して前記マーカパターンを形成することを特徴とする請求項第1項乃至第3項記載のX線マスク作成方法。 Or claim paragraphs 1 through X-ray mask creation method of the third term, wherein the laminated on the surface of the absorber forming the marker pattern.
  5. 【請求項5】 メンブレン上にイオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なってレジストパターンを形成し、その後レジストパターン間の露出したメンブレン上に吸収体を積層せしめてマスクパターンを作るX線マスク作成方法において、露光領域内に少なくとも一部がウェハ上に転写するべき所望のパターンにかかるように、メンブレン上にイオンビーム又は電子ビーム描画用の位置規準となるマーカパターンを、X線露光に影響がなくパター 5. performing ion beam exposure or electron beam exposure on the membrane to form a resist pattern, in the exposed X-ray mask creation method of making a mask pattern caused to laminate an absorber on the membrane between Thereafter the resist pattern as according to the desired pattern to at least a portion is transferred onto the wafer in the exposure region, the marker pattern on the membrane is the position reference of the ion beam or electron beam drawing, there is no effect on X-ray exposure pattern
    ン形成上十分にX線を遮光できる膜厚になるように該露光前に形成しておき、このマーカパターンをモニタリングして逐次位置補正を行ないながらイオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なうことを特徴とするX線マスク作成方法。 In the emissions formed sufficiently previously formed on the exposure prior to a film thickness that can shield the X-rays, characterized by performing the ion beam exposure or electron beam exposure while performing sequential position correction by monitoring the marker pattern X-ray mask creation method to.
  6. 【請求項6】 請求項第5項記載のX線マスク作成方法において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィを用いて形成し、且つ、半導体装置を数種類のX線マスクを用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成することを特徴とする請求項第5項記載のX線マスク作成方法。 6. The X-ray mask creation method of claim 5 wherein, wherein the marker pattern is formed using photolithography, and a series of time made using several kinds of X-ray mask of the semiconductor device to mask series, X-rays mask creation method of claim 5 wherein, wherein the creating the marker pattern using the same reticle.
  7. 【請求項7】 請求項第5項乃至第6項記載のX線マスク作成方法において、マスクを載せたステージを前記各フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子ビーム露光により描画する場合に、前記マーカパターンが各フィールド内に少なくとも1つ以上含まれていることを特徴とする請求項第5項乃至第6項記載のX線マスク作成方法。 7. The method of claim 5 wherein to X-ray mask making method of paragraph 6, wherein when the stage carrying the mask is moved the in each field to draw an ion beam exposure or electron beam exposure, claim section 5 to X-ray mask making method of paragraph 6, wherein the marker pattern is characterized in that it contains at least one in each field.
  8. 【請求項8】 請求項第5項乃至第7項記載のX線マスク作成方法において、前記メンブレン表面の一部を削り、或いは該メンブレンの表面上に積層して前記マーカパターンを形成することを特徴とする請求項第5項乃至第7項記載のX線マスク作成方法。 8. The method of claim 5 wherein to X-ray mask making process of paragraph 7, wherein cutting a portion of the membrane surface, or that are laminated on the surface of the membrane to form the marker pattern claim section 5 to X-ray mask making process of paragraph 7, wherein.
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