JP2682846B2 - 負荷制御装置 - Google Patents
負荷制御装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、負荷制御装置に関し、さらに詳しくは調光
装置などに好適に実施される負荷制御装置に関する。
装置などに好適に実施される負荷制御装置に関する。
従来の技術 たとえばスタジオや舞台などの照明では、定格電圧
（たとえば100V）よりも高い電圧（たとえば120V）を光
源用電灯に印加し、その色温度を上げて照明効果を高め
ることが行なわれる。
（たとえば100V）よりも高い電圧（たとえば120V）を光
源用電灯に印加し、その色温度を上げて照明効果を高め
ることが行なわれる。
従来の技術による典型的な負荷制御装置は、第11図に
示されている。商用交流電源ACの電圧100Vを定格とする
光源用電灯などの複数の照明負荷L1〜Ln（以下、総称す
るときは照明負荷Ｌという）は、直列に電圧制御器P1〜
Pnが対応して接続され、昇圧トランスＴの２次側からラ
インla,lbを介して電力付勢される。
示されている。商用交流電源ACの電圧100Vを定格とする
光源用電灯などの複数の照明負荷L1〜Ln（以下、総称す
るときは照明負荷Ｌという）は、直列に電圧制御器P1〜
Pnが対応して接続され、昇圧トランスＴの２次側からラ
インla,lbを介して電力付勢される。
昇圧トランスＴの２次側には、前記定格電圧100Vのタ
ツプａと、昇圧した120Vのタツプｂとが設けられてお
り、切換スイツチＫによつてラインla−lb間に導出され
る電圧Ｖが、100Vまでは120Vかのいずれかに切換えられ
る。
ツプａと、昇圧した120Vのタツプｂとが設けられてお
り、切換スイツチＫによつてラインla−lb間に導出され
る電圧Ｖが、100Vまでは120Vかのいずれかに切換えられ
る。
電圧制御器P1〜Pnは、第12図に示されるように、たと
えばトライアツクなどの半導体交流スイツチング素子SS
で形成され、ゲートＧに印加される位相制御信号Sgによ
つてその端子A1,A2間の導通期間（導通角）が位相制御
され、負荷Ｌに供給される負荷電圧Vlが所望の値に設定
されて調光制御が行われる。したがつて定格電圧100Vで
は光源の色温度が不足する場合には、切換スイツチＫを
タツプｂ側に切換えて昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖを
120Vに上げて調整し、所望の色温度を得ている。
えばトライアツクなどの半導体交流スイツチング素子SS
で形成され、ゲートＧに印加される位相制御信号Sgによ
つてその端子A1,A2間の導通期間（導通角）が位相制御
され、負荷Ｌに供給される負荷電圧Vlが所望の値に設定
されて調光制御が行われる。したがつて定格電圧100Vで
は光源の色温度が不足する場合には、切換スイツチＫを
タツプｂ側に切換えて昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖを
120Vに上げて調整し、所望の色温度を得ている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら前述のような従来の技術による負荷制御
装置では、昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖが100Vと120V
とでは、第13図に示されるように、たとえば同一の出力
電圧Ｖ、すなわち負荷電圧Vlを得るための導通角αがα
１とα２のように異なるため、電圧を切換えるたびに電
圧制御器P1〜Pnに与える位相制御信号Sgのレベルやタイ
ミングを変えてやらねばならない。しかも昇圧トランス
Ｔのタツプを120Vに切換えると、導通角αを全期間導通
に設定した場合、100Vの場合のピーク電圧が約141Vであ
るのに対して、約170Vにも達する。このため負荷Ｌに印
加する実効電圧が100V以下に設定されても、そのピーク
値は２次側100Vで使用する場合よりも高くなる場合があ
るので、負荷Ｌに悪影響を及ぼし、電灯の寿命が短くな
るなどの問題点が生じていた。
装置では、昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖが100Vと120V
とでは、第13図に示されるように、たとえば同一の出力
電圧Ｖ、すなわち負荷電圧Vlを得るための導通角αがα
１とα２のように異なるため、電圧を切換えるたびに電
圧制御器P1〜Pnに与える位相制御信号Sgのレベルやタイ
ミングを変えてやらねばならない。しかも昇圧トランス
Ｔのタツプを120Vに切換えると、導通角αを全期間導通
に設定した場合、100Vの場合のピーク電圧が約141Vであ
るのに対して、約170Vにも達する。このため負荷Ｌに印
加する実効電圧が100V以下に設定されても、そのピーク
値は２次側100Vで使用する場合よりも高くなる場合があ
るので、負荷Ｌに悪影響を及ぼし、電灯の寿命が短くな
るなどの問題点が生じていた。
またこのような従来の技術では、昇圧トランスＴに要
する費用と場所の負担が問題となり、しかも昇圧トラン
スＴの容量によつては過負荷となつたり、電力損失を生
じたりする。
する費用と場所の負担が問題となり、しかも昇圧トラン
スＴの容量によつては過負荷となつたり、電力損失を生
じたりする。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、負荷に
対して定格電圧以上の電圧を供給することができ、かつ
定格電圧で使用時のピーク電圧値を超えることなく、し
たがつて負荷の寿命に悪影響を及ぼすことなく、またト
ランスなどの特別な装置を必要としない、新規な負荷制
御装置を提供することである。
対して定格電圧以上の電圧を供給することができ、かつ
定格電圧で使用時のピーク電圧値を超えることなく、し
たがつて負荷の寿命に悪影響を及ぼすことなく、またト
ランスなどの特別な装置を必要としない、新規な負荷制
御装置を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、負荷に供給する交流電圧を位相制御し、当
該負荷に供給する負荷電圧を設定する負荷制御装置であ
つて、 多相交流電源と、 前記多相交流電源の少なくとも２相の電圧を、予め定
められた周期で個別に導通／遮断する複数のスイツチン
グ手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 前記複数のスイツチング手段を介して得られる出力電
圧を位相制御し、負荷電圧として出力する電圧制御手段
と、 前記設定された負荷電圧レベルに対応して上記電圧制
御手段の導通期間を制御する位相制御信号を作成する位
相制御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御
装置である。
該負荷に供給する負荷電圧を設定する負荷制御装置であ
つて、 多相交流電源と、 前記多相交流電源の少なくとも２相の電圧を、予め定
められた周期で個別に導通／遮断する複数のスイツチン
グ手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 前記複数のスイツチング手段を介して得られる出力電
圧を位相制御し、負荷電圧として出力する電圧制御手段
と、 前記設定された負荷電圧レベルに対応して上記電圧制
御手段の導通期間を制御する位相制御信号を作成する位
相制御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御
装置である。
作 用 本発明に従う負荷制御装置は、多相交流電源の少なく
とも２相の電圧を、各相に対応して設けられた複数のス
イツチング手段によつて予め定められた周期で個別に導
通／遮断する。
とも２相の電圧を、各相に対応して設けられた複数のス
イツチング手段によつて予め定められた周期で個別に導
通／遮断する。
一方、レベル設定手段によつて予め設定された所望と
する負荷電圧レベルに対応した位相制御信号が位相制御
信号作成手段によつて作成され、電圧制御手段に与えら
れる。
する負荷電圧レベルに対応した位相制御信号が位相制御
信号作成手段によつて作成され、電圧制御手段に与えら
れる。
電圧制御手段は、上記位相制御信号によつてその導通
期間が制御され、前記複数のスイツチング手段を介して
導出される電圧を位相制御し、負荷電圧として出力す
る。
期間が制御され、前記複数のスイツチング手段を介して
導出される電圧を位相制御し、負荷電圧として出力す
る。
実施例 第１図は、本発明の第１実施例の負荷制御装置の電気
的構成を示すブロツク図である。本実施例では、多相交
流電源として、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の３相と中性線Ｎとか
ら成る３相４線式交流電源を用い、そのうちの少なくと
も２相、たとえばＲ相とＳ相とを、負荷L1〜Lnに供給す
るための電圧を得る電圧採取相として用いる。以下Ｒ
相、Ｓ相のラインをそれぞれラインlR、ラインlSと記
し、中性線ＮをラインlNと記す。
的構成を示すブロツク図である。本実施例では、多相交
流電源として、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の３相と中性線Ｎとか
ら成る３相４線式交流電源を用い、そのうちの少なくと
も２相、たとえばＲ相とＳ相とを、負荷L1〜Lnに供給す
るための電圧を得る電圧採取相として用いる。以下Ｒ
相、Ｓ相のラインをそれぞれラインlR、ラインlSと記
し、中性線ＮをラインlNと記す。
ラインlR,lSには、それぞれ該ラインの電圧Vr,Vsを予
め定められた周期で個別的に導通／遮断する複数のスイ
ツチング手段Sr1,Ss1;Sr2,Ss2;…;Srn,Ssn（以下、総称
するときはスイツチング手段Sr,Ssという）の一方の端
子がそれぞれ接続され、他方の端子は負荷L1,L2,…,Ln
に対応して設けられた電圧制御手段C1,C2,…,Cn（以
下、総称するときは電圧制御手段Ｃという）の各一方の
端子に共通に接続されている。
め定められた周期で個別的に導通／遮断する複数のスイ
ツチング手段Sr1,Ss1;Sr2,Ss2;…;Srn,Ssn（以下、総称
するときはスイツチング手段Sr,Ssという）の一方の端
子がそれぞれ接続され、他方の端子は負荷L1,L2,…,Ln
に対応して設けられた電圧制御手段C1,C2,…,Cn（以
下、総称するときは電圧制御手段Ｃという）の各一方の
端子に共通に接続されている。
スイツチング手段Sr,Ssは、予め定められた周期で導
通／遮断し、自己消弧機能を備えたたとえばGATTなどの
半導体スイツチング素子で実現される。また電圧制御手
段Ｃは、トライアツクなどの半導体交流スイツチング素
子で実現される。これらスイツチング素子Sr,Ssおよび
電圧制御手段Ｃの動作については後述する。
通／遮断し、自己消弧機能を備えたたとえばGATTなどの
半導体スイツチング素子で実現される。また電圧制御手
段Ｃは、トライアツクなどの半導体交流スイツチング素
子で実現される。これらスイツチング素子Sr,Ssおよび
電圧制御手段Ｃの動作については後述する。
電圧制御手段Ｃの他方の端子は、それぞれ個別に負荷
Ｌの一方の端子に接続される。負荷Ｌの他方の端子は、
共通にラインlNに接続される。このようにしてラインl
R,lSとラインlN間には、前記スイツチング手段Sr,Ssを
介して電圧制御手段Ｃと負荷Ｌの直列回路が接続され、
ラインlR,lSからスイツチング手段Sr,Ssを介して導出さ
れた出力電圧Va1,Va2,…,Van（以下、総称するときは出
力電圧Vaという）が、電圧制御手段Ｃによつて負荷Ｌご
とに位相制御され、所望とする負荷電圧Vl1,Vl2,…,Vln
（以下、総称するときは負荷電圧Vlという）が作成され
て、負荷Ｌにそれぞれ供給される。
Ｌの一方の端子に接続される。負荷Ｌの他方の端子は、
共通にラインlNに接続される。このようにしてラインl
R,lSとラインlN間には、前記スイツチング手段Sr,Ssを
介して電圧制御手段Ｃと負荷Ｌの直列回路が接続され、
ラインlR,lSからスイツチング手段Sr,Ssを介して導出さ
れた出力電圧Va1,Va2,…,Van（以下、総称するときは出
力電圧Vaという）が、電圧制御手段Ｃによつて負荷Ｌご
とに位相制御され、所望とする負荷電圧Vl1,Vl2,…,Vln
（以下、総称するときは負荷電圧Vlという）が作成され
て、負荷Ｌにそれぞれ供給される。
ここで上記電圧制御手段Ｃの位相制御は、該電圧制御
手段Ｃに対応して設けられた位相制御信号作成手段A1,A
2,…,An（以下、総称するときは位相制御信号作成手段
Ａという）から出力される位相制御信号Sg1,Sg2,…,Sgn
（以下、総称するときは位相制御信号Sgという）によつ
てその導通期間が制御されることにより行われる。
手段Ｃに対応して設けられた位相制御信号作成手段A1,A
2,…,An（以下、総称するときは位相制御信号作成手段
Ａという）から出力される位相制御信号Sg1,Sg2,…,Sgn
（以下、総称するときは位相制御信号Sgという）によつ
てその導通期間が制御されることにより行われる。
第２図は、本実施例の位相制御信号作成手段Ａの電気
的構成を示すブロツク図である。第１図および第２図を
参照して、位相制御信号作成手段Ａは、負荷電圧Vlを所
望の値に設定するレベル設定手段B1,B2,…,Bn（総称す
るときはレベル設定手段Ｂという）によつて予め設定さ
れたレベル設定信号Vb1,Vb2,…,Vbn（以下、総称すると
きは参照符Vbと記す）に対応して、前記電圧制御手段Ｃ
の導通期間を制御する前記位相制御信号Sgを作成するも
のである。ここでレベル設定手段Ｂは、負荷電圧Vlを所
望の値に設定するもので、分圧回路などで実現され、基
準電圧Vref（本実施例ではたとえば10Vである）を分圧
して負荷電圧0Vから負荷電圧最大までに対応させたレベ
ル設定信号Vbを出力し、レベル弁別回路Ｆの一方の入力
に与える。
的構成を示すブロツク図である。第１図および第２図を
参照して、位相制御信号作成手段Ａは、負荷電圧Vlを所
望の値に設定するレベル設定手段B1,B2,…,Bn（総称す
るときはレベル設定手段Ｂという）によつて予め設定さ
れたレベル設定信号Vb1,Vb2,…,Vbn（以下、総称すると
きは参照符Vbと記す）に対応して、前記電圧制御手段Ｃ
の導通期間を制御する前記位相制御信号Sgを作成するも
のである。ここでレベル設定手段Ｂは、負荷電圧Vlを所
望の値に設定するもので、分圧回路などで実現され、基
準電圧Vref（本実施例ではたとえば10Vである）を分圧
して負荷電圧0Vから負荷電圧最大までに対応させたレベ
ル設定信号Vbを出力し、レベル弁別回路Ｆの一方の入力
に与える。
位相制御信号作成手段Ａは、前記スイツチング手段S
r,Ssから導出される出力電圧Vaをその周期に亘つて積分
する積分回路Ｄと、基準電圧Vrefから上記積分回路Ｄの
出力電圧Vdを減算して位相信号Veを導出する減算回路Ｅ
と、前記レベル設定信号Vbと位相信号Veとをレベル弁別
し、位相制御信号Sgを導出するレベル弁別回路Ｆとを含
んで構成されている。なお積分回路Ｄは、積分コンデン
サCdと、放電スイツチSdとを含み、動作については後出
の波形図に基づいて説明する。
r,Ssから導出される出力電圧Vaをその周期に亘つて積分
する積分回路Ｄと、基準電圧Vrefから上記積分回路Ｄの
出力電圧Vdを減算して位相信号Veを導出する減算回路Ｅ
と、前記レベル設定信号Vbと位相信号Veとをレベル弁別
し、位相制御信号Sgを導出するレベル弁別回路Ｆとを含
んで構成されている。なお積分回路Ｄは、積分コンデン
サCdと、放電スイツチSdとを含み、動作については後出
の波形図に基づいて説明する。
第３図（１）〜（６）は、本実施例の動作を説明する
ための波形図である。以下第１図と第２図をあわせて参
照しつつ説明する。第３図（１）は、３相交流電源の各
相の電圧波形を示す。各波形には相に対応する参照符R,
S,Tを付し、周期は弧度法で表している。ただし相回転
をＲ→Ｓ→Ｔの順とし、各相の波形は相互に２π/3rad
（＝120゜）の位相差がある。
ための波形図である。以下第１図と第２図をあわせて参
照しつつ説明する。第３図（１）は、３相交流電源の各
相の電圧波形を示す。各波形には相に対応する参照符R,
S,Tを付し、周期は弧度法で表している。ただし相回転
をＲ→Ｓ→Ｔの順とし、各相の波形は相互に２π/3rad
（＝120゜）の位相差がある。
第１図に示されるように、本実施例ではＲ相とＳ相を
電圧採取相としてスイツチング手段Sr,Ssを接続し、第
１表に示される期間についてそれぞれを導通／遮断させ
る。
電圧採取相としてスイツチング手段Sr,Ssを接続し、第
１表に示される期間についてそれぞれを導通／遮断させ
る。
第３図（２）は、第１表に基づくスイツチング手段S
r,Ssの導通／遮断によつて、Ｒ相とＳ相とから得られる
出力電圧Vaの波形を示す。周期πごとに正負が反転する
出力電圧Vaが第１図に示される電圧制御手段Ｃに加えら
れる。
r,Ssの導通／遮断によつて、Ｒ相とＳ相とから得られる
出力電圧Vaの波形を示す。周期πごとに正負が反転する
出力電圧Vaが第１図に示される電圧制御手段Ｃに加えら
れる。
第３図（３）は、第２図に示された放電スイツチSdの
動作を示す波形図である。放電スイツチSdは、前記スイ
ツチング手段Sr,Ssの出力電圧Vaの立上がりまたは立下
がりに同期して時間△ｔの期間ONし、積分コンデンサCd
を短絡して充電電荷を放電させるもので、サイリスタな
どの半導体スイツチング素子で実現される。
動作を示す波形図である。放電スイツチSdは、前記スイ
ツチング手段Sr,Ssの出力電圧Vaの立上がりまたは立下
がりに同期して時間△ｔの期間ONし、積分コンデンサCd
を短絡して充電電荷を放電させるもので、サイリスタな
どの半導体スイツチング素子で実現される。
第３図（４）は、積分回路Ｄから導出される出力電圧
Vdの波形図である。第２図に示されるように、積分回路
Ｄは、スイツチング手段Sr,Ssの出力電圧の絶対値|Va|
をその周期に亘つて積分コンデンサCdに充電し、出力電
圧Vdは時間とともに上昇する。その上限値Vd（max）は
前記基準電圧Vrefに等しく、たとえば10Vに設定されて
いる。一方、前述のように積分コンデンサCdは、スイツ
チング手段Sr,Ssの出力電圧Vaの半サイクルごとに放電
スイツチSdによつて放電させられるため、積分回路Ｄの
出力電圧Vdの波形は、図示するように右上がりの鋸歯状
波形となる。この出力電圧Vdは第２図に示されるように
減算回路Ｅに入力され、基準電圧Vrefから上記出力電圧
Vdが減算され、位相信号Veが作成される。
Vdの波形図である。第２図に示されるように、積分回路
Ｄは、スイツチング手段Sr,Ssの出力電圧の絶対値|Va|
をその周期に亘つて積分コンデンサCdに充電し、出力電
圧Vdは時間とともに上昇する。その上限値Vd（max）は
前記基準電圧Vrefに等しく、たとえば10Vに設定されて
いる。一方、前述のように積分コンデンサCdは、スイツ
チング手段Sr,Ssの出力電圧Vaの半サイクルごとに放電
スイツチSdによつて放電させられるため、積分回路Ｄの
出力電圧Vdの波形は、図示するように右上がりの鋸歯状
波形となる。この出力電圧Vdは第２図に示されるように
減算回路Ｅに入力され、基準電圧Vrefから上記出力電圧
Vdが減算され、位相信号Veが作成される。
第３図（５）は、減算回路Ｅによつて作成される位相
信号Veの波形図である。位相信号Veは、基準電圧Vrefか
ら積分回路Ｄの出力電圧Vdを減じたものであるから、そ
の波形は基準電圧Vdを上限とする右下がりの鋸歯状波形
となり、第２図に示されるレベル弁別回路Ｆの一方の入
力に与えられる。レベル弁別回路Ｆのもう一方の入力に
は、前述のようにレベル設定手段Ｂによつて設定された
レベル設定信号Vbが入力されている。これによつてレベ
ル弁別回路Ｆは、位相信号Veのレベルが下降し、レベル
設定信号Vbのレベルと等しくなる交差時点ｐごとに、第
３図（６）に示される位相制御信号Sgを出力し、第１図
に示される電圧制御手段ＣのゲートＧに印加して該電圧
制御手段Ｃを導通させる。すなわち上記交差時点ｐから
スイツチング手段Sr,Ssの出力電圧Vaが0Vとなり反転す
るまでの期間が電圧制御手段Ｃの導通期間αである。し
たがつて導通期間αはレベル設定信号Vbのレベルが高い
ほど長くなる。
信号Veの波形図である。位相信号Veは、基準電圧Vrefか
ら積分回路Ｄの出力電圧Vdを減じたものであるから、そ
の波形は基準電圧Vdを上限とする右下がりの鋸歯状波形
となり、第２図に示されるレベル弁別回路Ｆの一方の入
力に与えられる。レベル弁別回路Ｆのもう一方の入力に
は、前述のようにレベル設定手段Ｂによつて設定された
レベル設定信号Vbが入力されている。これによつてレベ
ル弁別回路Ｆは、位相信号Veのレベルが下降し、レベル
設定信号Vbのレベルと等しくなる交差時点ｐごとに、第
３図（６）に示される位相制御信号Sgを出力し、第１図
に示される電圧制御手段ＣのゲートＧに印加して該電圧
制御手段Ｃを導通させる。すなわち上記交差時点ｐから
スイツチング手段Sr,Ssの出力電圧Vaが0Vとなり反転す
るまでの期間が電圧制御手段Ｃの導通期間αである。し
たがつて導通期間αはレベル設定信号Vbのレベルが高い
ほど長くなる。
第３図（７）は電圧制御手段Ｃから導出される負荷電
圧Vlの波形図である。電圧制御手段Ｃは位相制御信号Sg
のタイミングでその導通期間αが制御されるので、波形
は第３図（２）で示される波形から斜線を施した部分が
除かれ、レベル設定信号Vbのレベルに対応した波形とな
り、この負荷電圧Vlによつて負荷Ｌが電力付勢される。
圧Vlの波形図である。電圧制御手段Ｃは位相制御信号Sg
のタイミングでその導通期間αが制御されるので、波形
は第３図（２）で示される波形から斜線を施した部分が
除かれ、レベル設定信号Vbのレベルに対応した波形とな
り、この負荷電圧Vlによつて負荷Ｌが電力付勢される。
本実施例で得られる負荷電圧Vlの実効値Vl（rms）
は、上記導通期間αが最長の場合、次式により、 すなわち約125Vとなり、上記レベル設定信号Vbと負荷
電圧Vlとの関係は第４図に示されるようにほぼ直線的に
対応する。
は、上記導通期間αが最長の場合、次式により、 すなわち約125Vとなり、上記レベル設定信号Vbと負荷
電圧Vlとの関係は第４図に示されるようにほぼ直線的に
対応する。
したがつて本実施例による負荷電圧Vlは、最大でも実
効値が125Vを超えることはなく、定格電圧100Vの場合の
ピーク値141Vよりも低くなるので、従来の技術の項で述
べたような過大なピーク電圧の発生が防止され、負荷Ｌ
に悪影響を及ぼすことなく、しかも定格電圧100V以上の
電圧を負荷に供給することができる。これにより本実施
例をたとえば調光装置に適用すれば、照明効果を格段に
向上させることができる。
効値が125Vを超えることはなく、定格電圧100Vの場合の
ピーク値141Vよりも低くなるので、従来の技術の項で述
べたような過大なピーク電圧の発生が防止され、負荷Ｌ
に悪影響を及ぼすことなく、しかも定格電圧100V以上の
電圧を負荷に供給することができる。これにより本実施
例をたとえば調光装置に適用すれば、照明効果を格段に
向上させることができる。
第５図は、本発明の第２実施例の負荷制御装置の電気
的構成を示すブロツク図である。第５図は第１図に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。注目すべき
は本実施例では、３相交流電源のＲ相、Ｓ相、Ｔ相の全
相に、それぞれ複数のスイツチング手段Sr1,Ss1,st1;Sr
2,Ss2,St2;…;Srn,Ssn,Stn（以下、総称するときは参照
符Sr,Ss,Stと記す）を個別に接続し、負荷電圧Vl1〜Vln
を作成するための出力電圧Va1〜Vanを得るようにしたこ
とである。本実施例では、スイツチング手段Sr,Ss,Stを
このように全相に接続し、第２表に示される期間につい
てそれぞれを導通／遮断させる。
的構成を示すブロツク図である。第５図は第１図に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。注目すべき
は本実施例では、３相交流電源のＲ相、Ｓ相、Ｔ相の全
相に、それぞれ複数のスイツチング手段Sr1,Ss1,st1;Sr
2,Ss2,St2;…;Srn,Ssn,Stn（以下、総称するときは参照
符Sr,Ss,Stと記す）を個別に接続し、負荷電圧Vl1〜Vln
を作成するための出力電圧Va1〜Vanを得るようにしたこ
とである。本実施例では、スイツチング手段Sr,Ss,Stを
このように全相に接続し、第２表に示される期間につい
てそれぞれを導通／遮断させる。
第６図（１）〜（３）は、本実施例の動作を示す波形
図である。以下第５図をあわせて参照しつつ説明する。
第６図（１）は、前掲第２表に基づくスイツチング手段
Ss,Sr,Stの導通／遮断によつて、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相から
得られる出力電圧Vaの波形図である。電圧採取相に対応
して参照符Ra,Sa,Taを付した、周期がπ/3の正負半サイ
クルごとに、各相からの出力電圧Ra,Sa,Taから成る出力
電圧Vaが得られる。
図である。以下第５図をあわせて参照しつつ説明する。
第６図（１）は、前掲第２表に基づくスイツチング手段
Ss,Sr,Stの導通／遮断によつて、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相から
得られる出力電圧Vaの波形図である。電圧採取相に対応
して参照符Ra,Sa,Taを付した、周期がπ/3の正負半サイ
クルごとに、各相からの出力電圧Ra,Sa,Taから成る出力
電圧Vaが得られる。
第６図（２）は、第１実施例と同様に、減算回路Ｅに
よつて作成される位相信号Veの波形図である。位相信号
Veは、前述したように基準電圧Vrefから積分回路Ｄの出
力電圧Vdを減じたものであるから、その波形は出力電圧
Vd（本実施例ではたとえば10vである）を上限とする右
下がりの大略鋸歯状波形となり、第５図に示されるレベ
ル設定手段Ｂによつて設定されたレベル設定信号Vbとの
レベル弁別がレベル弁別回路（図示せず）で行われる。
よつて作成される位相信号Veの波形図である。位相信号
Veは、前述したように基準電圧Vrefから積分回路Ｄの出
力電圧Vdを減じたものであるから、その波形は出力電圧
Vd（本実施例ではたとえば10vである）を上限とする右
下がりの大略鋸歯状波形となり、第５図に示されるレベ
ル設定手段Ｂによつて設定されたレベル設定信号Vbとの
レベル弁別がレベル弁別回路（図示せず）で行われる。
第６図（２）において、位相信号Veのレベルが下降
し、レベル設定信号Vbのレベルと交差する時点ｐごと
に、第６図（３）に示される位相制御信号Sgを出力し、
第５図に示される電圧制御手段ＣのゲートＧに印加し
て、該電圧制御手段Ｃを導通させる。したがつて上記交
差時点ｐからスイツチング手段Sr,Ss,Stの出力電圧Vaが
０となり反転するまでの期間が電圧制御手段Ｃの導通期
間βであり、該導通期間βは上記レベル設定信号Vbのレ
ベルが高いほど長くなる。
し、レベル設定信号Vbのレベルと交差する時点ｐごと
に、第６図（３）に示される位相制御信号Sgを出力し、
第５図に示される電圧制御手段ＣのゲートＧに印加し
て、該電圧制御手段Ｃを導通させる。したがつて上記交
差時点ｐからスイツチング手段Sr,Ss,Stの出力電圧Vaが
０となり反転するまでの期間が電圧制御手段Ｃの導通期
間βであり、該導通期間βは上記レベル設定信号Vbのレ
ベルが高いほど長くなる。
第６図（４）は、電圧制御手段Ｃから導出される負荷
電圧Vlの波形図である。電圧制御手段Ｃは制御信号Sgの
タイミングで導通期間βが制御されるので、その波形は
第６図（１）で示される出力電圧Vaの波形から斜線を施
した部分が除かれ、レベル設定信号Vbのレベルに対応し
た波形となり、この負荷電圧Vlによつて負荷Ｌが電力付
勢される。
電圧Vlの波形図である。電圧制御手段Ｃは制御信号Sgの
タイミングで導通期間βが制御されるので、その波形は
第６図（１）で示される出力電圧Vaの波形から斜線を施
した部分が除かれ、レベル設定信号Vbのレベルに対応し
た波形となり、この負荷電圧Vlによつて負荷Ｌが電力付
勢される。
本実施例で得られる負荷電圧Vlの実効値Vl（rms）
は、上記導通期間βが最長の場合、次式により すなわち約135Vとなり、レベル設定信号Vbのレベルと
負荷電圧Vlとの関係は、第７図に示されるようにほぼ直
線的に対応する。
は、上記導通期間βが最長の場合、次式により すなわち約135Vとなり、レベル設定信号Vbのレベルと
負荷電圧Vlとの関係は、第７図に示されるようにほぼ直
線的に対応する。
したがつて本実施例による負荷電圧Vlは、最大でも定
格電圧100Vの場合のピーク値141Vよりも低いため、従来
の技術の項で述べたような過大なピーク電圧の発生が防
止され、しかも定格電圧100V以上の電圧を供給すること
ができる。
格電圧100Vの場合のピーク値141Vよりも低いため、従来
の技術の項で述べたような過大なピーク電圧の発生が防
止され、しかも定格電圧100V以上の電圧を供給すること
ができる。
第８図は、本発明の第３実施例の負荷制御装置の電気
的構成を示すブロツク図である。この第８図は前述の第
１図および第５図に類似し、対応する部分には同一の参
照符を付す。この第３実施例では３相中のＲ相とＳ相と
の２相を電圧採取相として使用しているが、勿論他の２
相を用いてもよい。本第３実施例で注目すべきは、負荷
L1,L2,…に供給する負荷電圧Vl1,Vl2,…を作成するため
に、たとえばサイリスタなどの半導体スイツチング素子
Sr1+,Sr1-;Ss1+,Ss1-の各一対から成る逆並列回路の一
方端をラインlR,lSに接続してスイツチング手段Sr,Ssを
形成したことと、上記スイツチング手段Sr,Ssの他方端
を共通に接続し、電圧制御手段C1,C2,…の一端が共通に
接続される母線ラインlmを形成したことであつて、この
ためスイツチング手段の数を減じ、回路構成を簡単化す
ることができる。
的構成を示すブロツク図である。この第８図は前述の第
１図および第５図に類似し、対応する部分には同一の参
照符を付す。この第３実施例では３相中のＲ相とＳ相と
の２相を電圧採取相として使用しているが、勿論他の２
相を用いてもよい。本第３実施例で注目すべきは、負荷
L1,L2,…に供給する負荷電圧Vl1,Vl2,…を作成するため
に、たとえばサイリスタなどの半導体スイツチング素子
Sr1+,Sr1-;Ss1+,Ss1-の各一対から成る逆並列回路の一
方端をラインlR,lSに接続してスイツチング手段Sr,Ssを
形成したことと、上記スイツチング手段Sr,Ssの他方端
を共通に接続し、電圧制御手段C1,C2,…の一端が共通に
接続される母線ラインlmを形成したことであつて、この
ためスイツチング手段の数を減じ、回路構成を簡単化す
ることができる。
母線ラインlmには、上記スイツチング手段Sr,Ssを介
して出力電圧Vaが各電圧制御手段C1,C2,…に導出され、
該電圧制御手段Ｃによつて個別的に位相制御された負荷
電圧Vl1,Vl2,…が作成されて、それぞれ負荷Ｌに供給さ
れる。負荷電圧Vlのレベルは電圧制御手段Ｃに対応して
設けられるレベル設定手段B1,B2,…によつて設定され、
該レベル設定手段Ｂは図示しない基準電圧（本実施例で
はたとえば10Vである）Vrefを分圧し、レベル設定信号V
b1,Vb2,…を対応するそれぞれの位相制御信号作成手段A
1,A2,…に入力する。一方、位相制御信号作成手段Ａに
は母線lmを介して前記出力電圧の絶対値|Va|が入力され
る。
して出力電圧Vaが各電圧制御手段C1,C2,…に導出され、
該電圧制御手段Ｃによつて個別的に位相制御された負荷
電圧Vl1,Vl2,…が作成されて、それぞれ負荷Ｌに供給さ
れる。負荷電圧Vlのレベルは電圧制御手段Ｃに対応して
設けられるレベル設定手段B1,B2,…によつて設定され、
該レベル設定手段Ｂは図示しない基準電圧（本実施例で
はたとえば10Vである）Vrefを分圧し、レベル設定信号V
b1,Vb2,…を対応するそれぞれの位相制御信号作成手段A
1,A2,…に入力する。一方、位相制御信号作成手段Ａに
は母線lmを介して前記出力電圧の絶対値|Va|が入力され
る。
前述の第１実施例、第２実施例と同様にして、位相制
御信号作成手段Ａは、レベル設定信号Vbと、スイツチン
グ手段Sr,Ssからの出力電圧の絶対値|Va|に基づき、電
圧制御手段Ｃを位相制御するための位相制御信号Sg1,Sg
2,…を個別的に作成して，それぞれ対応する電圧制御手
段ＣのゲートG1,G2,…に印加する。これによつて電圧制
御手段Ｃは自己に接続された負荷Ｌに対する負荷電圧Vl
を導出する。
御信号作成手段Ａは、レベル設定信号Vbと、スイツチン
グ手段Sr,Ssからの出力電圧の絶対値|Va|に基づき、電
圧制御手段Ｃを位相制御するための位相制御信号Sg1,Sg
2,…を個別的に作成して，それぞれ対応する電圧制御手
段ＣのゲートG1,G2,…に印加する。これによつて電圧制
御手段Ｃは自己に接続された負荷Ｌに対する負荷電圧Vl
を導出する。
スイツチング手段Sr,Ssを形成するスイツチング素子S
r+,Sr-;Ss+,Ss-の各ゲートGr1,Gr2;Gs1,Gs2にトリガ信
号を印加し、第３表に示される周期でそぞれを導通／遮
断することによつて、母線lmに出力電圧Vaが導出され
る。
r+,Sr-;Ss+,Ss-の各ゲートGr1,Gr2;Gs1,Gs2にトリガ信
号を印加し、第３表に示される周期でそぞれを導通／遮
断することによつて、母線lmに出力電圧Vaが導出され
る。
第９図（１）〜（５）は、本実施例の動作を示す波形
図であつて、第８図をあわせて参照しつつ説明する。第
９図（１）は、３相交流電源の各相電圧の波形を示し、
各相に対応して参照符R,S,Tを付す。ただし本実施例で
は相回転をＲ→Ｓ→Ｔの順とし、周期は弧度法で表して
いる。各相電圧は相互に２π/3rad（＝120゜）の位相差
がある。
図であつて、第８図をあわせて参照しつつ説明する。第
９図（１）は、３相交流電源の各相電圧の波形を示し、
各相に対応して参照符R,S,Tを付す。ただし本実施例で
は相回転をＲ→Ｓ→Ｔの順とし、周期は弧度法で表して
いる。各相電圧は相互に２π/3rad（＝120゜）の位相差
がある。
第９図（２）は、前掲第３表に基づくスイツチング手
段Sr,Ssの導通／遮断によつてＲ相とＳ相から母線lmに
導出される出力電圧Vaの波形を示す。スイツチング素子
Sr+,Sr-の導通期間に対応して、Ｒ相の電圧の一部が正
負半サイクルごとに導出され、続くスイツチング素子Ss
+,Ss-の導通期間に対応してＳ相の電圧の大部分が同様
にして母線lmに導出される。
段Sr,Ssの導通／遮断によつてＲ相とＳ相から母線lmに
導出される出力電圧Vaの波形を示す。スイツチング素子
Sr+,Sr-の導通期間に対応して、Ｒ相の電圧の一部が正
負半サイクルごとに導出され、続くスイツチング素子Ss
+,Ss-の導通期間に対応してＳ相の電圧の大部分が同様
にして母線lmに導出される。
第９図（３）は、位相信号Veの波形を示す。この位相
信号Veは前述の第１実施例、第２実施例と同様にして位
相制御信号作成手段Ａ内で作成される。第９図（３）に
おいて、位相信号Veのレベルが下降し、第８図に示され
るレベル設定手段Ｂによつて設定されたレベル設定信号
Vbのレベルと交差する時点ｐごとに、第９図（４）に示
される位相制御信号Sgが電圧制御手段ＣのゲートＧに印
加されて電圧制御手段Ｃを導通させる。すなわち上記交
差時点ｐから第９図（２）で示されるスイツチング手段
Sr,Ssの出力電圧Vaが反転するまでの期間が、本実施例
における電圧制御手段Ｃの導通期間γである。したがつ
て導通期間γはレベル設定信号Vbのレベルが高いほど長
くなる。
信号Veは前述の第１実施例、第２実施例と同様にして位
相制御信号作成手段Ａ内で作成される。第９図（３）に
おいて、位相信号Veのレベルが下降し、第８図に示され
るレベル設定手段Ｂによつて設定されたレベル設定信号
Vbのレベルと交差する時点ｐごとに、第９図（４）に示
される位相制御信号Sgが電圧制御手段ＣのゲートＧに印
加されて電圧制御手段Ｃを導通させる。すなわち上記交
差時点ｐから第９図（２）で示されるスイツチング手段
Sr,Ssの出力電圧Vaが反転するまでの期間が、本実施例
における電圧制御手段Ｃの導通期間γである。したがつ
て導通期間γはレベル設定信号Vbのレベルが高いほど長
くなる。
第９図（５）は、電圧制御手段Ｃから導出される負荷
電圧Vlの波形を示す。電圧制御手段Ｃは前述の位相制御
信号Sgで導通期間γが制御されるので、波形は第９図
（２）に示される波形から斜線を施した部分が除かれ、
レベル設定信号Vbのレベルに対応した波形となる。なお
第９図（５）では、第９図（２）で示される波形からＲ
相の部分の電圧波形が欠落しているけれども、これは前
述のように、レベル設定信号Vbのレベル、換言すれば導
通期間γの長さによるものであるから、レベル設定信号
Vbのレベルを基準電圧Vrefのレベルに近付けるにしたが
い、斜線を施した部分が現れ、負荷電圧Vlのレベルが高
くなることはいうまでもない。
電圧Vlの波形を示す。電圧制御手段Ｃは前述の位相制御
信号Sgで導通期間γが制御されるので、波形は第９図
（２）に示される波形から斜線を施した部分が除かれ、
レベル設定信号Vbのレベルに対応した波形となる。なお
第９図（５）では、第９図（２）で示される波形からＲ
相の部分の電圧波形が欠落しているけれども、これは前
述のように、レベル設定信号Vbのレベル、換言すれば導
通期間γの長さによるものであるから、レベル設定信号
Vbのレベルを基準電圧Vrefのレベルに近付けるにしたが
い、斜線を施した部分が現れ、負荷電圧Vlのレベルが高
くなることはいうまでもない。
このようにして、本第３実施例で得られる負荷電圧Vl
の実効値Vl（rms）は、導通期間γが最長の場合、次式
によつて すなわち約107Vとなり、レベル設定信号Vbと負荷電圧
Vlとの関係は、第10図に示されるように、ほぼ直線的に
対応する。
の実効値Vl（rms）は、導通期間γが最長の場合、次式
によつて すなわち約107Vとなり、レベル設定信号Vbと負荷電圧
Vlとの関係は、第10図に示されるように、ほぼ直線的に
対応する。
したがつて本第３実施例による負荷電圧Vlは、最大で
も107Vを超えることはないので、従来の技術の項で述べ
たような過大なピーク電圧が負荷Ｌに印加されることが
防止され、しかも定格電圧以上の電圧を負荷Ｌに供給す
ることができ、調光装置に適用すれば、その効果を向上
させることができる。
も107Vを超えることはないので、従来の技術の項で述べ
たような過大なピーク電圧が負荷Ｌに印加されることが
防止され、しかも定格電圧以上の電圧を負荷Ｌに供給す
ることができ、調光装置に適用すれば、その効果を向上
させることができる。
なお本実施例において、電圧採取相のＲ相、Ｓ相のう
ち、位相が120゜遅れたＳ相を基準として、期間０＜α
≦πのときにスイツチング素子Sr+,Ss+をともにON、期
間π＜α≦２πのときはスイツチング素子Sr-,Ss-をと
もにONさせると、スイツチング素子Sr+,Ss+と、スイツ
チング素子Sr-,Ss-は、上記期間についてより高いほう
の電圧を母線lmに導出するように動作するので、制御は
さらに簡単化される。
ち、位相が120゜遅れたＳ相を基準として、期間０＜α
≦πのときにスイツチング素子Sr+,Ss+をともにON、期
間π＜α≦２πのときはスイツチング素子Sr-,Ss-をと
もにONさせると、スイツチング素子Sr+,Ss+と、スイツ
チング素子Sr-,Ss-は、上記期間についてより高いほう
の電圧を母線lmに導出するように動作するので、制御は
さらに簡単化される。
上述した第１〜第３の実施例では、多相交流電源の相
数を３としたけれども３以上の相数であつてもよい。ま
た第１実施例と第３実施例では、電圧採取相をＲ相とＳ
相の２相としたけれけれども、勿論他の２相（たとえば
Ｓ相とＴ相、あるいはＴ相とＲ相等）を選んでもよい。
上述の実施例では調光制御を例にとり説明したけれど
も、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の
負荷にも適用できることはいうまでもない。
数を３としたけれども３以上の相数であつてもよい。ま
た第１実施例と第３実施例では、電圧採取相をＲ相とＳ
相の２相としたけれけれども、勿論他の２相（たとえば
Ｓ相とＴ相、あるいはＴ相とＲ相等）を選んでもよい。
上述の実施例では調光制御を例にとり説明したけれど
も、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の
負荷にも適用できることはいうまでもない。
発明の効果 以上のように本発明に従う負荷制御装置は、多相交流
電源の少なくとも２相の電圧を、各相に対応して設けら
れた複数のスイツチング手段によつて個別に導通／遮断
し、一方、レベル設定手段によつて負荷電圧レベルを設
定する。設定された負荷電圧レベルに基づく位相制御信
号を位相制御信号作成手段によつて作成し、電圧制御手
段に与え、電圧制御手段は、上記位相制御信号によつて
導通期間が制御され、前記複数のスイツチング手段から
得られる出力電圧を位相制御し、負荷電圧として出力す
る。
電源の少なくとも２相の電圧を、各相に対応して設けら
れた複数のスイツチング手段によつて個別に導通／遮断
し、一方、レベル設定手段によつて負荷電圧レベルを設
定する。設定された負荷電圧レベルに基づく位相制御信
号を位相制御信号作成手段によつて作成し、電圧制御手
段に与え、電圧制御手段は、上記位相制御信号によつて
導通期間が制御され、前記複数のスイツチング手段から
得られる出力電圧を位相制御し、負荷電圧として出力す
る。
本発明ではこのように負荷電圧を多相交流電源の少な
くとも２相から採取し、位相制御するようにしたので、
負荷に対して定格電圧以上の電圧が供給可能となり、し
かもその最大値は定格電圧のピーク値を超えることがな
いので、負荷の寿命に影響を与えず、また昇圧用トラン
スなどの特別の装置を必要としないから、経済的な負荷
制御装置を実現することができる。
くとも２相から採取し、位相制御するようにしたので、
負荷に対して定格電圧以上の電圧が供給可能となり、し
かもその最大値は定格電圧のピーク値を超えることがな
いので、負荷の寿命に影響を与えず、また昇圧用トラン
スなどの特別の装置を必要としないから、経済的な負荷
制御装置を実現することができる。
第１図は本発明の第１実施例の電気的構成を示すブロツ
ク図、第２図は位相制御信号作成手段Ａの電気的構成を
示すブロツク図、第３図は第１実施例の動作を示す波形
図、第４図は第１実施例のレベル設定信号Vbと負荷電圧
Vlとの関係を示すグラフ、第５図は本発明の第２実施例
の電気的構成を示すブロツク図、第６図はその動作を示
す波形図、第７図はそのレベル設定信号Vbと負荷電圧Vl
との関係を示すグラフ、第８図は本発明の第３実施例の
電気的構成を示すブロツク図、第９図はその動作を示す
波形図、第10図はそのレベル設定信号Vbと負荷電圧Vlと
の関係を示すグラフ、第11図は従来の技術による負荷制
御装置の構成を示す図、第12図は電圧制御手段の構成を
示す図、第13図は従来技術による導通角α対負荷電圧Vl
の関係を示すグラフである。 A1〜An……位相制御信号作成手段、B1〜Bn……負荷電圧
レベル設定手段、C1〜Cn……電圧制御手段、Cd……積分
用コンデンサ、Ｄ……積分回路、Ｅ……減算回路、Ｆ…
…レベル弁別回路、L1〜Ln……負荷、Sr1〜Srn,Ss1〜Ss
n……スイツチング手段、Sg1〜Sgn……位相制御信号、V
a1〜Van……スイツチング手段の出力電圧、Vb1〜Vbn…
…負荷電圧レベル設定信号、Vl1〜Vln……負荷電圧
ク図、第２図は位相制御信号作成手段Ａの電気的構成を
示すブロツク図、第３図は第１実施例の動作を示す波形
図、第４図は第１実施例のレベル設定信号Vbと負荷電圧
Vlとの関係を示すグラフ、第５図は本発明の第２実施例
の電気的構成を示すブロツク図、第６図はその動作を示
す波形図、第７図はそのレベル設定信号Vbと負荷電圧Vl
との関係を示すグラフ、第８図は本発明の第３実施例の
電気的構成を示すブロツク図、第９図はその動作を示す
波形図、第10図はそのレベル設定信号Vbと負荷電圧Vlと
の関係を示すグラフ、第11図は従来の技術による負荷制
御装置の構成を示す図、第12図は電圧制御手段の構成を
示す図、第13図は従来技術による導通角α対負荷電圧Vl
の関係を示すグラフである。 A1〜An……位相制御信号作成手段、B1〜Bn……負荷電圧
レベル設定手段、C1〜Cn……電圧制御手段、Cd……積分
用コンデンサ、Ｄ……積分回路、Ｅ……減算回路、Ｆ…
…レベル弁別回路、L1〜Ln……負荷、Sr1〜Srn,Ss1〜Ss
n……スイツチング手段、Sg1〜Sgn……位相制御信号、V
a1〜Van……スイツチング手段の出力電圧、Vb1〜Vbn…
…負荷電圧レベル設定信号、Vl1〜Vln……負荷電圧
Claims (1)
- 【請求項１】負荷に供給する交流電圧を位相制御し、当
該負荷に供給する負荷電圧を設定する負荷制御装置であ
つて、 多相交流電源と、 前記多相交流電源の少なくとも２相の電圧を、予め定め
られた周期で個別に導通／遮断する複数のスイツチング
手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 前記複数のスイツチング手段を介して得られる出力電圧
を位相制御し、負荷電圧として出力する電圧制御手段
と、 前記設定された負荷電圧レベルに対応して上記電圧制御
手段の導通期間を制御する位相制御信号を作成する位相
制御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175872A JP2682846B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175872A JP2682846B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224996A JPH0224996A (ja) | 1990-01-26 |
| JP2682846B2 true JP2682846B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=16003683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175872A Expired - Lifetime JP2682846B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9474121B2 (en) * | 2013-05-08 | 2016-10-18 | Koninklijke Philips N.V. | Method and apparatus for digital detection of the phase-cut angle of a phase-cut dimming signal |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63175872A patent/JP2682846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224996A (ja) | 1990-01-26 |
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