JP2839507B2 - 負荷制御装置 - Google Patents
負荷制御装置Info
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- JP2839507B2 JP2839507B2 JP63175873A JP17587388A JP2839507B2 JP 2839507 B2 JP2839507 B2 JP 2839507B2 JP 63175873 A JP63175873 A JP 63175873A JP 17587388 A JP17587388 A JP 17587388A JP 2839507 B2 JP2839507 B2 JP 2839507B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、調光装置などに好適に実施される負荷制御
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術 たとえばスタジオや舞台などの照明では、定格電圧
（たとえば100V）よりも高い電圧（たとえば120V）を光
源用電灯に印加し、その色温度を上げて照明効果を高め
ることが行なわれる。
（たとえば100V）よりも高い電圧（たとえば120V）を光
源用電灯に印加し、その色温度を上げて照明効果を高め
ることが行なわれる。
従来の技術による典型的な負荷制御装置は、第11図に
示されている。商用交流電源ACの電圧100Vを定格とする
光源用電灯などの複数の照明負荷L1〜Ln（以下、総称す
るときは照明負荷Ｌという）は、直列に電圧制御器P1〜
Pnが対応して接続され、昇圧トランスＴの２次側からラ
インla,lbを介して電力付勢される。
示されている。商用交流電源ACの電圧100Vを定格とする
光源用電灯などの複数の照明負荷L1〜Ln（以下、総称す
るときは照明負荷Ｌという）は、直列に電圧制御器P1〜
Pnが対応して接続され、昇圧トランスＴの２次側からラ
インla,lbを介して電力付勢される。
昇圧トランスＴの２次側には、前記定格電圧100Vのタ
ツプａと、昇圧した120Vのタツプｂとが設けられてお
り、切換スイツチＫによってラインla−lb間に導出され
る電圧Ｖが、100Vまたは120Vかのいずれかに切換えられ
る。
ツプａと、昇圧した120Vのタツプｂとが設けられてお
り、切換スイツチＫによってラインla−lb間に導出され
る電圧Ｖが、100Vまたは120Vかのいずれかに切換えられ
る。
電圧制御器P1〜Pnは、たとえばトライアツクなどの半
導体交流スイツチング素子で形成され、そのゲートに印
加される位相制御信号によって導通期間（導通角）が位
相制御され、負荷Ｌに供給される負荷電圧が所望の値に
設定されて調光制御が行われる。したがつて定格電圧10
0Vでは光源の色温度が不足する場合には、切換スイツチ
Ｋをタツプｂ側に切換えて昇圧トランスＴの２次側電圧
Ｖを120Vに上げ、所望の色温度を得るようにしている。
導体交流スイツチング素子で形成され、そのゲートに印
加される位相制御信号によって導通期間（導通角）が位
相制御され、負荷Ｌに供給される負荷電圧が所望の値に
設定されて調光制御が行われる。したがつて定格電圧10
0Vでは光源の色温度が不足する場合には、切換スイツチ
Ｋをタツプｂ側に切換えて昇圧トランスＴの２次側電圧
Ｖを120Vに上げ、所望の色温度を得るようにしている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら前述のような従来の技術による負荷制御
装置では、昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖが100Vと120V
とでは、第12図に示されるように、同一の出力電圧Ｖ、
すなわち負荷電圧Vlを得るための導通角αがα１とα２
のように異なるため、電圧を切換えるたびに電圧制御器
P1〜Pnに与える位相制御信号のレベルやタイミングを変
えてやらねばならない。しかも昇圧トランスＴのタツプ
を120Vに切換えると、導通角αを全期間導通に設定した
場合、100Vの場合のピーク電圧が約141Vであるのに対し
て、約170Vにも達する。このため負荷Ｌに印加する実効
電圧が100V以下に設定されても、そのピーク値は２次側
100Vで使用する場合よりも高くなる場合があるので、負
荷Ｌに悪影響を及ぼし、電灯の寿命が短くなるなどの問
題点が生じていた。
装置では、昇圧トランスＴの２次側電圧Ｖが100Vと120V
とでは、第12図に示されるように、同一の出力電圧Ｖ、
すなわち負荷電圧Vlを得るための導通角αがα１とα２
のように異なるため、電圧を切換えるたびに電圧制御器
P1〜Pnに与える位相制御信号のレベルやタイミングを変
えてやらねばならない。しかも昇圧トランスＴのタツプ
を120Vに切換えると、導通角αを全期間導通に設定した
場合、100Vの場合のピーク電圧が約141Vであるのに対し
て、約170Vにも達する。このため負荷Ｌに印加する実効
電圧が100V以下に設定されても、そのピーク値は２次側
100Vで使用する場合よりも高くなる場合があるので、負
荷Ｌに悪影響を及ぼし、電灯の寿命が短くなるなどの問
題点が生じていた。
またこのような従来の技術では、昇圧トランスＴに要
する費用と場所の負担が問題となり、しかも昇圧トラン
スＴの容量によつては過負荷となつたり、電力損失を生
じたりする。
する費用と場所の負担が問題となり、しかも昇圧トラン
スＴの容量によつては過負荷となつたり、電力損失を生
じたりする。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、負荷に
対して定格電圧以上の電圧を供給することができ、かつ
定格電圧で使用時のピーク電圧値を超えることなく、し
たがつて負荷の寿命に悪影響を及ぼすことなく、またト
ランスなどの特別な装置を必要としない、新規な負荷制
御装置を提供することである。
対して定格電圧以上の電圧を供給することができ、かつ
定格電圧で使用時のピーク電圧値を超えることなく、し
たがつて負荷の寿命に悪影響を及ぼすことなく、またト
ランスなどの特別な装置を必要としない、新規な負荷制
御装置を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、中性線Ｎと、３つの各相R,S,Tとを有する
３相４線式交流電源電圧を位相制御し、負荷に中性線Ｎ
と各相R,S,Tとの間で供給する負荷電圧を設定する負荷
制御装置であって、 前記交流電源の少なくとも２相の電圧を個別に導通／
遮断し、一端は各相R,S,Tに接続され、他端は負荷に共
通に接続され、双方向性であって、位相制御信号Sgr,Sg
s,Sgtが与えられることによって導通を開始し、この導
通を開始した時点における前記一端と前記他端との間の
電圧の極性が維持される期間中、導通する自己消弧機能
を備える複数のスイッチング手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 上記設定された負荷電圧レベルに対応して相互に２π
/3radの位相差を有する前記スイッチング手段の導通期
間を制御する位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtを作成する位相
制御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御装
置である。
３相４線式交流電源電圧を位相制御し、負荷に中性線Ｎ
と各相R,S,Tとの間で供給する負荷電圧を設定する負荷
制御装置であって、 前記交流電源の少なくとも２相の電圧を個別に導通／
遮断し、一端は各相R,S,Tに接続され、他端は負荷に共
通に接続され、双方向性であって、位相制御信号Sgr,Sg
s,Sgtが与えられることによって導通を開始し、この導
通を開始した時点における前記一端と前記他端との間の
電圧の極性が維持される期間中、導通する自己消弧機能
を備える複数のスイッチング手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 上記設定された負荷電圧レベルに対応して相互に２π
/3radの位相差を有する前記スイッチング手段の導通期
間を制御する位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtを作成する位相
制御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御装
置である。
作用 本発明に従う負荷制御装置は、レベル設定手段によつ
て予め設定された所望の負荷電圧レベルに対応した位相
制御信号が、位相制御信号作成手段によつて作成され、
複数のスイツチンング手段に与えられる。
て予め設定された所望の負荷電圧レベルに対応した位相
制御信号が、位相制御信号作成手段によつて作成され、
複数のスイツチンング手段に与えられる。
スイツチンング手段は、上記位相制御信号によつてそ
の導通期間が個別に制御され、３相４線式交流電源の少
なくとも２相の電圧を、上記導通期間に対応して負荷電
圧として出力する。
の導通期間が個別に制御され、３相４線式交流電源の少
なくとも２相の電圧を、上記導通期間に対応して負荷電
圧として出力する。
実施例 第１図は、本発明の第１実施例の負荷制御装置の電気
的構成を示すブロツク図である。本実施例では、多相交
流電源として、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の３相と中性線Ｎとか
ら成る３相４線式交流電源を用い、そのうちの少なくと
も２相、たとえばＲ相とＳ相とを、負荷L1,L2…,Lnに供
給するための負荷電圧Ｖ1,Vl2,…,Vln（以下、総称す
るときは負荷電圧Vlという）を得る電圧採取相として用
いる。以下Ｒ相、Ｓ相のラインをそれぞれラインlR、ラ
インlSと記し、中性線ＮをラインlNと記す。
的構成を示すブロツク図である。本実施例では、多相交
流電源として、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の３相と中性線Ｎとか
ら成る３相４線式交流電源を用い、そのうちの少なくと
も２相、たとえばＲ相とＳ相とを、負荷L1,L2…,Lnに供
給するための負荷電圧Ｖ1,Vl2,…,Vln（以下、総称す
るときは負荷電圧Vlという）を得る電圧採取相として用
いる。以下Ｒ相、Ｓ相のラインをそれぞれラインlR、ラ
インlSと記し、中性線ＮをラインlNと記す。
ラインlR,lSには、それぞれ該ラインの電圧Vr,Vsを予
め定められた周期で個別的に導通／遮断する各一対の複
数のスイツチング手段Sr1,Ss1;Sr2,Ss2;…;Srn,Ssn（以
下、総称するときはスイツチング手段Sr,Ssという）の
一方の端子がそれぞれ接続され、他方の端子は共通に接
続されて、ライン1,l2,…,lnをそれぞれ介して、対応
する負荷Ｌに個別的に接続されている。
め定められた周期で個別的に導通／遮断する各一対の複
数のスイツチング手段Sr1,Ss1;Sr2,Ss2;…;Srn,Ssn（以
下、総称するときはスイツチング手段Sr,Ssという）の
一方の端子がそれぞれ接続され、他方の端子は共通に接
続されて、ライン1,l2,…,lnをそれぞれ介して、対応
する負荷Ｌに個別的に接続されている。
負荷Ｌに対応して、負荷Ｌに供給する負荷電圧Vlを所
望の値に設定するレベル設定手段B1,B2,…,Bn（以下、
総称するときはレベル設定手段Ｂという）が設けられ、
所望の負荷電圧Vlに対応したレベル設定信号Vb1,Vb2,
…,Vbn（以下、総称するときはレベル設定信号Vbとい
う）が、それぞれ位相制御信号作成手段A1,A2,…,An
（以下、総称するときは位相制御信号作成手段Ａとい
う）に入力される。
望の値に設定するレベル設定手段B1,B2,…,Bn（以下、
総称するときはレベル設定手段Ｂという）が設けられ、
所望の負荷電圧Vlに対応したレベル設定信号Vb1,Vb2,
…,Vbn（以下、総称するときはレベル設定信号Vbとい
う）が、それぞれ位相制御信号作成手段A1,A2,…,An
（以下、総称するときは位相制御信号作成手段Ａとい
う）に入力される。
位相制御信号作成手段Ａは、上記レベル設定信号Vbに
対応して、対を成すスイツチンング手段Sr,Ssごとに導
通期間に制御する位相制御信号Sgr1,Sgs1;Sgr2,Sgs2;
…;Sgrn,Sgsn（以下、総称するときは位相制御信号Sgr,
Sgsという）を作成し、ラインr1,s1;r2,s2;…;rn,sn以
下の各ラインを介して、対応するスイツチンング手段S
r,Ssに個別的に印加する。
対応して、対を成すスイツチンング手段Sr,Ssごとに導
通期間に制御する位相制御信号Sgr1,Sgs1;Sgr2,Sgs2;
…;Sgrn,Sgsn（以下、総称するときは位相制御信号Sgr,
Sgsという）を作成し、ラインr1,s1;r2,s2;…;rn,sn以
下の各ラインを介して、対応するスイツチンング手段S
r,Ssに個別的に印加する。
複数のスイツチング手段Sr,Ssは、上記位相制御信号S
gr,Sgsによつて定められた周期で導通／遮断し、これに
よつて前記交流電源電圧Vr,Vsが位相制御され、ライン
1,l2,…,lnに負荷電圧Vlが導出される。
gr,Sgsによつて定められた周期で導通／遮断し、これに
よつて前記交流電源電圧Vr,Vsが位相制御され、ライン
1,l2,…,lnに負荷電圧Vlが導出される。
ここで上記対を成すスイツチンング手段Sr,Ssはいず
れも自己消弧機能を備えた、たとえばGATTなどの半導体
スイツチング素子で実現される。また位相制御信号Sgr,
Sgsは、後述するように、相互に一定の位相差（本実施
例では３相交流電源の位相角２π/3rad（＝120°）であ
る）をもつ。
れも自己消弧機能を備えた、たとえばGATTなどの半導体
スイツチング素子で実現される。また位相制御信号Sgr,
Sgsは、後述するように、相互に一定の位相差（本実施
例では３相交流電源の位相角２π/3rad（＝120°）であ
る）をもつ。
第２図は、本実施例の位相制御信号作成手段Ａの一個
あたりの電気的構成を示すブロツク図である。位相制御
信号作成手段Ａは、Ｒ相とＳ相とにそれぞれ対応した対
を成す積分開路Dr,Dsと、積分開路Dr,Dsの出力Vdr,Vds
を反転する反転回路Er,Esと、レベル設定手段Ｂによつ
て設定されたレベル設定信号Vbと前記反転回路Er,Esの
手段Ver,Vesとをレベル弁別するレベル弁別回路Fr,Fsと
を含んで構成される。
あたりの電気的構成を示すブロツク図である。位相制御
信号作成手段Ａは、Ｒ相とＳ相とにそれぞれ対応した対
を成す積分開路Dr,Dsと、積分開路Dr,Dsの出力Vdr,Vds
を反転する反転回路Er,Esと、レベル設定手段Ｂによつ
て設定されたレベル設定信号Vbと前記反転回路Er,Esの
手段Ver,Vesとをレベル弁別するレベル弁別回路Fr,Fsと
を含んで構成される。
負荷電圧Vlを所望の値に設定するために、レベル設定
手段Ｂには、基準電圧Vref（本実施例ではたとえば10V
である）が与えられ、分圧回路により負荷電圧OVから負
荷電圧最大までに対応させたレベル設定信号Vbを出力
し、レベル弁別回路Fr,Fsの一方の入力に与える。
手段Ｂには、基準電圧Vref（本実施例ではたとえば10V
である）が与えられ、分圧回路により負荷電圧OVから負
荷電圧最大までに対応させたレベル設定信号Vbを出力
し、レベル弁別回路Fr,Fsの一方の入力に与える。
積分回路Dr,Dsは、積分コンデンサCr,Csと、放電スイ
ツチSr,Ssとを含み、動作については後出の波形図に基
づいて説明する。
ツチSr,Ssとを含み、動作については後出の波形図に基
づいて説明する。
第３図は、本実施例によるレベル設定信号Vbと、これ
によつて設定される負荷電圧Vlとの関係を示すグラフで
ある。前述のようにレベル設定信号Vbによつてスイツチ
ング手段Sr,Ssの導通期間が定まり、その導通期間は交
流電圧波形の位相角に対応するから、第３図は横軸に上
記レベル設定信号Vbとあわせて対応する位相角を導通角
αとして示した。
によつて設定される負荷電圧Vlとの関係を示すグラフで
ある。前述のようにレベル設定信号Vbによつてスイツチ
ング手段Sr,Ssの導通期間が定まり、その導通期間は交
流電圧波形の位相角に対応するから、第３図は横軸に上
記レベル設定信号Vbとあわせて対応する位相角を導通角
αとして示した。
すなわちこの第３図は、レベル設定信号Vbに導通角α
が対応し、これによつて負荷電圧Vlが定まることを示し
ている。導通角αの増加により負荷電圧Vlもグラフに示
されるように増加し、その上限は125Vとなるように定め
られている。したがつて本実施例によれば、負荷Ｌに対
して定格電圧100V以上の電圧を供給することができ、し
かも定格電圧100Vの場合、そのピーク値である141Vを超
えないので、負荷の寿命に悪影響を及ぼさない負荷制御
装置が実現する。
が対応し、これによつて負荷電圧Vlが定まることを示し
ている。導通角αの増加により負荷電圧Vlもグラフに示
されるように増加し、その上限は125Vとなるように定め
られている。したがつて本実施例によれば、負荷Ｌに対
して定格電圧100V以上の電圧を供給することができ、し
かも定格電圧100Vの場合、そのピーク値である141Vを超
えないので、負荷の寿命に悪影響を及ぼさない負荷制御
装置が実現する。
第４図は、本実施例の位相制御信号作成手段Ａの動作
を示すタイムチヤートである。本実施例では、電圧採取
相であるＲ相とＳ相のうち、Ｒ相に対して位相が２π/3
rad（＝120°）遅れているＳ相をとり、その電圧Vsが最
大となる時点と０となる時点とを基準にとり、前記位相
制御信号Sgr,Sgsを作成するようにしている。以下第１
図〜第４図を参照しつつ、説明する。
を示すタイムチヤートである。本実施例では、電圧採取
相であるＲ相とＳ相のうち、Ｒ相に対して位相が２π/3
rad（＝120°）遅れているＳ相をとり、その電圧Vsが最
大となる時点と０となる時点とを基準にとり、前記位相
制御信号Sgr,Sgsを作成するようにしている。以下第１
図〜第４図を参照しつつ、説明する。
第４図（１）は、Ｓ相の電圧Vsの波形を示す。電圧Vs
は時刻t0,t2,…でレベルが最大となり、時刻t1,t3,…で
０となる周期２π radの交番波形であつて、各時刻t0,t
1,t2,t3…は、いずれもπ/2radだけ隔たつている。この
電圧Vsの上記最大点φ0,φ2,…と、電圧０の点からφ1,
φ3,…とを個別に検出し、上記各点に対応する時刻に第
２図に示される放電スイツチSr,Ssを駆動してONし、積
分コンデンサCr,Csを短絡する。ただし電圧最大点の時
刻t0,t2,…ではＲ相に対応する積分コンデンサCrを短絡
し、電圧０点の時刻t1,t3,…ではＳ相に対応する積分コ
ンデンサCsを短絡する。
は時刻t0,t2,…でレベルが最大となり、時刻t1,t3,…で
０となる周期２π radの交番波形であつて、各時刻t0,t
1,t2,t3…は、いずれもπ/2radだけ隔たつている。この
電圧Vsの上記最大点φ0,φ2,…と、電圧０の点からφ1,
φ3,…とを個別に検出し、上記各点に対応する時刻に第
２図に示される放電スイツチSr,Ssを駆動してONし、積
分コンデンサCr,Csを短絡する。ただし電圧最大点の時
刻t0,t2,…ではＲ相に対応する積分コンデンサCrを短絡
し、電圧０点の時刻t1,t3,…ではＳ相に対応する積分コ
ンデンサCsを短絡する。
第２図を参照して、対を成す積分回路Dr,Dsには一定
レベルの基準電圧Vref（本実施例ではたとえば10Vであ
る）が与えられ、上記積分コンデンサCr,Csは基準電圧V
refを充電する。したがつて積分回路Dr,Dsは相互に周期
π radを隔ててそれぞれπ/2radごとに放電し、充電期
間はともにπ radである。なお以下の説明において、と
くに断らないかぎりradの表記を省く。
レベルの基準電圧Vref（本実施例ではたとえば10Vであ
る）が与えられ、上記積分コンデンサCr,Csは基準電圧V
refを充電する。したがつて積分回路Dr,Dsは相互に周期
π radを隔ててそれぞれπ/2radごとに放電し、充電期
間はともにπ radである。なお以下の説明において、と
くに断らないかぎりradの表記を省く。
第４図（２），（３）は、放電スイツチSr,Ssのそれ
ぞれのON動作を示している。
ぞれのON動作を示している。
第４図（４）は、Ｒ相に対応する積分回路Drの出力電
圧Vdrを示す波形図である。前述したように、出力電圧d
rは時刻t0,t2,…ごとに放電し、再び充電を繰り返す。
その上限値は基準電圧Vrefに等しい。
圧Vdrを示す波形図である。前述したように、出力電圧d
rは時刻t0,t2,…ごとに放電し、再び充電を繰り返す。
その上限値は基準電圧Vrefに等しい。
第４図（５）は、上記出力電圧Vdrが第２図に示され
る反転回路Erによつて反転された波形であり、右下がり
の鋸歯状波形である信号Verとして示され、第２図に示
されるレベル弁別回路Frの一方の入力に入力される。レ
ベル弁別回路Frのもう一方の入力には前述のレベル設定
信号Vbが与えられている。これによつてレベル弁別回路
Frは、上記信号Verのレベルが下降して、レベル設定信
号Vbのレベルと交差する時点prごとに第４図（６）で示
される位相制御信号Sgrを出力する。
る反転回路Erによつて反転された波形であり、右下がり
の鋸歯状波形である信号Verとして示され、第２図に示
されるレベル弁別回路Frの一方の入力に入力される。レ
ベル弁別回路Frのもう一方の入力には前述のレベル設定
信号Vbが与えられている。これによつてレベル弁別回路
Frは、上記信号Verのレベルが下降して、レベル設定信
号Vbのレベルと交差する時点prごとに第４図（６）で示
される位相制御信号Sgrを出力する。
第４図（７）〜（９）は上述と同様にして、Ｓ相に対
応する位相制御信号Sgsが形成される過程を示す波形図
である。このようにして位相制御信号作成回路Ａから
は、位相制御信号Sgr,Sgsが出力され、第１図に示され
るように、対応するスイツチング手段Sr,Ssに印加され
る。Ｒ相に対応する位相制御信号Sgrが出力されてか
ら、電圧Vrが０となるまでの期間がＲ相に対するスイツ
チング手段Srの導通期間αｒであり、Ｓ相に対応する位
相制御信号Sgsが出力されてから、電圧Vrが最大値とな
るまでの期間がＳ相に対するスイツチング手段Ssの導通
期間αｓである。
応する位相制御信号Sgsが形成される過程を示す波形図
である。このようにして位相制御信号作成回路Ａから
は、位相制御信号Sgr,Sgsが出力され、第１図に示され
るように、対応するスイツチング手段Sr,Ssに印加され
る。Ｒ相に対応する位相制御信号Sgrが出力されてか
ら、電圧Vrが０となるまでの期間がＲ相に対するスイツ
チング手段Srの導通期間αｒであり、Ｓ相に対応する位
相制御信号Sgsが出力されてから、電圧Vrが最大値とな
るまでの期間がＳ相に対するスイツチング手段Ssの導通
期間αｓである。
第４図（５），（８）から明らかなように、上記導通
期間αr,αｓは、ともにレベル設定信号Vbのレベルが高
いほど長くなり、レベル設定信号Vbが基準電圧Vrefに等
しいとき最長となる。また当然に導通期間αr,αｓはと
もに等長であつて、第３図で示されている導通角αとも
等価となる。また導通期間（導通角）αが最長のとき、
当然に負荷電圧Vlは最大となり、本実施例では前述のよ
うに約125Vとなる。
期間αr,αｓは、ともにレベル設定信号Vbのレベルが高
いほど長くなり、レベル設定信号Vbが基準電圧Vrefに等
しいとき最長となる。また当然に導通期間αr,αｓはと
もに等長であつて、第３図で示されている導通角αとも
等価となる。また導通期間（導通角）αが最長のとき、
当然に負荷電圧Vlは最大となり、本実施例では前述のよ
うに約125Vとなる。
第５図（１）〜（３）は本実施による負荷電圧Vlの出
力態様を示す波形図であり、前述した導通期間αがα1,
α2,α３の３つの場合が示されている。ただしα１＜α
２＜α３であり、第３図に示される導通角α1,α2,α３
の３つに対応している。
力態様を示す波形図であり、前述した導通期間αがα1,
α2,α３の３つの場合が示されている。ただしα１＜α
２＜α３であり、第３図に示される導通角α1,α2,α３
の３つに対応している。
第５図（１）は、導通期間α１の場合の負荷電圧Vla
の波形を示す。この場合、導通期間α１はＲ相電圧Vrに
対しては相対的に短く、Ｓ相電圧Vsに対しては長くな
る。このためそれぞれの導通期間に応じた電圧波形vlr
1,vls1が第１図に示される各スイツチング手段Sr,Ssか
らライン１に導出され、上記電圧波形vlr1,vls1を合
成したものが導通期間α１の場合の負荷電圧Vlaとな
る。
の波形を示す。この場合、導通期間α１はＲ相電圧Vrに
対しては相対的に短く、Ｓ相電圧Vsに対しては長くな
る。このためそれぞれの導通期間に応じた電圧波形vlr
1,vls1が第１図に示される各スイツチング手段Sr,Ssか
らライン１に導出され、上記電圧波形vlr1,vls1を合
成したものが導通期間α１の場合の負荷電圧Vlaとな
る。
第５図（２）は、導通期間α２の場合の負荷電圧Vlb
の波形を示す。この場合の導通期間α２の長さの、Ｒ相
電圧Vrと、Ｓ相電圧Vsとに対する割合は第５図（１）の
場合よりも接近するので、それぞれの導通期間に応じた
電圧波形vlr2,vls2が第１図に示される各スイツチング
手段Sr,Ssからライン１に導出され、上記電圧波形vlr
2,vls2を合成したものが導通期間α２の場合の負荷電圧
Vlbとなる。
の波形を示す。この場合の導通期間α２の長さの、Ｒ相
電圧Vrと、Ｓ相電圧Vsとに対する割合は第５図（１）の
場合よりも接近するので、それぞれの導通期間に応じた
電圧波形vlr2,vls2が第１図に示される各スイツチング
手段Sr,Ssからライン１に導出され、上記電圧波形vlr
2,vls2を合成したものが導通期間α２の場合の負荷電圧
Vlbとなる。
第５図（３）は、導通期間α３の場合の負荷電圧Vlc
の波形を示す。この場合の導通期間α３の長さの、Ｒ相
電圧Vrと、Ｓ相電圧Vsに対する割合は等しく、したがつ
てＲ相、Ｓ相とも等しい電圧が導出され、合成された負
荷電圧Vlcは最大となる。即ちこの場合は第３図の導通
角α３に相当し、負荷電圧は約125Vとなる。
の波形を示す。この場合の導通期間α３の長さの、Ｒ相
電圧Vrと、Ｓ相電圧Vsに対する割合は等しく、したがつ
てＲ相、Ｓ相とも等しい電圧が導出され、合成された負
荷電圧Vlcは最大となる。即ちこの場合は第３図の導通
角α３に相当し、負荷電圧は約125Vとなる。
スイツチング手段Sr,Ssは、各相R,Sに一端が接続さ
れ、他端は負荷L1のライン１に共通に接続される。こ
のスイツチング手段Sr,Ssは、第５図から明らかなよう
に、双方向性であって、位相制御信号Sgr,Sgsが与えら
れることによって導通を開始し、この導通を開始した時
点における前記一端と前記他端との間の電圧の極性が維
持される期間中、導通する前述の自己消弧機能を備え
る。このことは第６図〜第10図の実施例においても同様
である。
れ、他端は負荷L1のライン１に共通に接続される。こ
のスイツチング手段Sr,Ssは、第５図から明らかなよう
に、双方向性であって、位相制御信号Sgr,Sgsが与えら
れることによって導通を開始し、この導通を開始した時
点における前記一端と前記他端との間の電圧の極性が維
持される期間中、導通する前述の自己消弧機能を備え
る。このことは第６図〜第10図の実施例においても同様
である。
第６図は、本発明の他の実施例の負荷制御装置の電気
的構成を示すブロック図である。第６図は第１図に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。この実施例
で注目すべきは、負荷電圧Vlを作成するための電圧採取
相に、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の全相を使用したことである。
レベル設定手段Ｂの動作は前述の実施例と同じである。
的構成を示すブロック図である。第６図は第１図に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。この実施例
で注目すべきは、負荷電圧Vlを作成するための電圧採取
相に、Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相の全相を使用したことである。
レベル設定手段Ｂの動作は前述の実施例と同じである。
３相交流電源のR,S,Tの各相にはそれぞれ３個で対を
成すスイツチング手段Sr1,Ss1,St1;Sr2,Ss2,St2;…;Sr
n,Ssn,Stn（総称するときは参照符Sr,Ss,Stと記す）の
一方の端子が個別的に接続され、他方の端子は共通に接
続されてライン1,l2,…,lnを介して、対応する負荷L
1,L2,…,Lnに接続されている。
成すスイツチング手段Sr1,Ss1,St1;Sr2,Ss2,St2;…;Sr
n,Ssn,Stn（総称するときは参照符Sr,Ss,Stと記す）の
一方の端子が個別的に接続され、他方の端子は共通に接
続されてライン1,l2,…,lnを介して、対応する負荷L
1,L2,…,Lnに接続されている。
位相制御信号作成手段A1,A2,…,Anからはらは、レベ
ル設定手段B1〜Bnから導出される各負荷L1〜Lnに対応す
るレベル設定信号Vb1,Vb2,…,Vbnに対応して、スイツチ
ンング手段Sr1,Ss1,St1;Sr2,Ss2,St2;…;Srn,Ssn,Stnご
とに導通期間を制御する位相制御信号Sgr1,Sgs1,Sgt1;S
gr2,Sgs2,Sgt2;…;Sgrn,Sgsn,Sgtn（以下、総称すると
きは位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtという）を作成し、ライ
ンr1,s1,t1;r2,s2,t2;…;rn,sn,tn以下の各ラインを介
して対応するスイツチンング手段Sgr,Sgs,Sgtに個別的
に印加する。
ル設定手段B1〜Bnから導出される各負荷L1〜Lnに対応す
るレベル設定信号Vb1,Vb2,…,Vbnに対応して、スイツチ
ンング手段Sr1,Ss1,St1;Sr2,Ss2,St2;…;Srn,Ssn,Stnご
とに導通期間を制御する位相制御信号Sgr1,Sgs1,Sgt1;S
gr2,Sgs2,Sgt2;…;Sgrn,Sgsn,Sgtn（以下、総称すると
きは位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtという）を作成し、ライ
ンr1,s1,t1;r2,s2,t2;…;rn,sn,tn以下の各ラインを介
して対応するスイツチンング手段Sgr,Sgs,Sgtに個別的
に印加する。
３個で対を成す複数のスイツチング手段Sr,Ss,Stは、
上記位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtによつて定められた周期
で導通／遮断し、これによつて前記交流電源電圧Vr,Vs,
Vtが位相制御され、ライン1,l2,…,lnに負荷電圧Vlが
導出される。
上記位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtによつて定められた周期
で導通／遮断し、これによつて前記交流電源電圧Vr,Vs,
Vtが位相制御され、ライン1,l2,…,lnに負荷電圧Vlが
導出される。
ここで上記スイツチンング手段Sr,Ss,Stはいずれも自
己消弧機能を備えた、たとえばGATTなどの半導体スイツ
チング素子で実現される。また位相制御信号Sgr,Sgs,Sg
tは、後述するように相互に一定の位相差（本実施例で
は３相交流電源の位相角２π/3rad（＝120°）である）
をもつ。
己消弧機能を備えた、たとえばGATTなどの半導体スイツ
チング素子で実現される。また位相制御信号Sgr,Sgs,Sg
tは、後述するように相互に一定の位相差（本実施例で
は３相交流電源の位相角２π/3rad（＝120°）である）
をもつ。
第７図は、本実施例の位相制御信号作成手段Ａの１個
あたりの電気的構成を示すブロツク図である。位相制御
信号作成手段Ａは、Ｒ相とＳ相とＴ相とに対応して対を
成す積分回路Dr,Ds,Dtと、積分回路Ds,Dr,Dtの出力Vdr,
Vds,Vdtを反転する反転回路Er,Es,Etと、レベル設定手
段によつて設定されたレベル設定信号Vbと上記積分回路
Dr,Ds,Dtの出力とをレベル弁別するレベル弁別回路Fr,F
s,Ftとを含んで構成される。
あたりの電気的構成を示すブロツク図である。位相制御
信号作成手段Ａは、Ｒ相とＳ相とＴ相とに対応して対を
成す積分回路Dr,Ds,Dtと、積分回路Ds,Dr,Dtの出力Vdr,
Vds,Vdtを反転する反転回路Er,Es,Etと、レベル設定手
段によつて設定されたレベル設定信号Vbと上記積分回路
Dr,Ds,Dtの出力とをレベル弁別するレベル弁別回路Fr,F
s,Ftとを含んで構成される。
積分回路Ds,Dr,Dtは、それぞれ対応する相の電圧の絶
対値|Vr|,|Vs|,|Vt|を、その周期に亘つて充電する積分
コンデンサCr,Cs,Ctと、上記充電電圧を一定周期ごとに
放電させる放電スイツチSr,Ss,Stとを含み、動作につい
ては後出の波形図に基づいて説明する。
対値|Vr|,|Vs|,|Vt|を、その周期に亘つて充電する積分
コンデンサCr,Cs,Ctと、上記充電電圧を一定周期ごとに
放電させる放電スイツチSr,Ss,Stとを含み、動作につい
ては後出の波形図に基づいて説明する。
第８図は本実施例によるレベル設定信号Vbと、これに
よつて設定される負荷電圧Vlとの関係を示すグラフであ
る。この第８図は前掲第３図と同様に、縦軸に負荷電圧
Vlを、横軸にレベル設定信号Vbと、これに対応する導通
角αをとつている。
よつて設定される負荷電圧Vlとの関係を示すグラフであ
る。この第８図は前掲第３図と同様に、縦軸に負荷電圧
Vlを、横軸にレベル設定信号Vbと、これに対応する導通
角αをとつている。
導通角αの増加により、負荷電圧Vlもグラフに示され
るように増加し、その上限は本実施例では約135Vとなる
ように定められている。したがつて本実施例によれば、
負荷Ｌに対して定格電圧100V以上の電圧を供給すること
ができ、しかも定格電圧100Vのピーク電圧値である141V
を超えないので、負荷Ｌの寿命に悪影響を及ぼさない負
荷制御装置が実現する。
るように増加し、その上限は本実施例では約135Vとなる
ように定められている。したがつて本実施例によれば、
負荷Ｌに対して定格電圧100V以上の電圧を供給すること
ができ、しかも定格電圧100Vのピーク電圧値である141V
を超えないので、負荷Ｌの寿命に悪影響を及ぼさない負
荷制御装置が実現する。
第９図（１）〜（10）は、本実施例の、位相制御信号
作成手段Ａの動作を説明する波形図である。次に第６図
以下をあわせて参照しつつ、動作を説明する。
作成手段Ａの動作を説明する波形図である。次に第６図
以下をあわせて参照しつつ、動作を説明する。
第９図（１）は、３相交流電源の各相の電圧Vr,Vs,Vt
の波形である。各相の電圧Vs,Vr,Vtの電圧は電圧Vrが時
刻t0,t3,…で、電圧Vsは時刻t2,t5,…で、電圧Vtは時刻
t1,t4,…でそれぞれ電圧０となるが、この電圧０を検出
して対応する前記放電スイツチSr,Ss,Stを駆動し、積分
コンデンサCr,Cs,Ctを個別的に短絡して、充電された電
荷を放電させる。
の波形である。各相の電圧Vs,Vr,Vtの電圧は電圧Vrが時
刻t0,t3,…で、電圧Vsは時刻t2,t5,…で、電圧Vtは時刻
t1,t4,…でそれぞれ電圧０となるが、この電圧０を検出
して対応する前記放電スイツチSr,Ss,Stを駆動し、積分
コンデンサCr,Cs,Ctを個別的に短絡して、充電された電
荷を放電させる。
第９図（２）〜（４）は、放電スイツチSr,Ss、Stの
それぞれのON動作を示している。放電スイッチSr,Ss,St
のそれぞのON動によつて、積分コンデンサCr,Cs,Ctは放
電した後、再び充電を始める。したがつて積分回路Dr,D
s,Dtの出力電圧Vdr,Vds,Vdtは上記放電スイツチSr,Ss,S
tのそれぞれのON動作とともに上昇する右上がりの大略
鋸歯状波形となる。これら出力電圧Vdr,Vds,Vdtは、い
ずれも第７図に示される反転回路Er,Es,Etによつて反転
されて、第９図（５）〜（７）に示される波形となる。
それぞれのON動作を示している。放電スイッチSr,Ss,St
のそれぞのON動によつて、積分コンデンサCr,Cs,Ctは放
電した後、再び充電を始める。したがつて積分回路Dr,D
s,Dtの出力電圧Vdr,Vds,Vdtは上記放電スイツチSr,Ss,S
tのそれぞれのON動作とともに上昇する右上がりの大略
鋸歯状波形となる。これら出力電圧Vdr,Vds,Vdtは、い
ずれも第７図に示される反転回路Er,Es,Etによつて反転
されて、第９図（５）〜（７）に示される波形となる。
第９図（５）〜（７）は、それぞれＲ相、Ｓ相、Ｔ相
に対応する反転回路Er,Es,Etによつて反転された波形で
あり、それぞれ右下がりの鋸歯状波形である信号Ver,Ve
s,Vetとして示され、第７図に示されるレベル弁別回路F
r,Fs,Ftの各一方の入力に与えられる。レベル弁別回路F
r,Fs,Ftのもう一方の入力にはレベル設定信号Vbが与え
られている。これによりレベル弁別回路Fr,Fs,Ftは、上
記信号Ver,Ves,Vetのレベルが下降して、レベル設定信
号Vbのレベルと交差する時点pr,ps,ptごとに第９図
（８）〜（10）で示される位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtを
個別的に出力する。このようにして位相制御信号作成回
路Ａからは、位相制御信号Sgr,Sgs,Sgが出力され、第６
図に示される対応するスイッチング手段Sr,Ss,Stに印加
され、その導通期間が制御される。
に対応する反転回路Er,Es,Etによつて反転された波形で
あり、それぞれ右下がりの鋸歯状波形である信号Ver,Ve
s,Vetとして示され、第７図に示されるレベル弁別回路F
r,Fs,Ftの各一方の入力に与えられる。レベル弁別回路F
r,Fs,Ftのもう一方の入力にはレベル設定信号Vbが与え
られている。これによりレベル弁別回路Fr,Fs,Ftは、上
記信号Ver,Ves,Vetのレベルが下降して、レベル設定信
号Vbのレベルと交差する時点pr,ps,ptごとに第９図
（８）〜（10）で示される位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtを
個別的に出力する。このようにして位相制御信号作成回
路Ａからは、位相制御信号Sgr,Sgs,Sgが出力され、第６
図に示される対応するスイッチング手段Sr,Ss,Stに印加
され、その導通期間が制御される。
Ｒ相に対応する位相制御信号Sgrが出力されてから、
Ｒ相の電圧Vrが０となるまでの期間がＲ相に対するスイ
ツチング手段Srの導通期間αｒであり、Ｓ相に対応する
位相制御信号Sgsが出力されてから、Ｓ相の電圧Vsが０
となるまでの期間がＳ相に対するスイツチング手段Ssの
導通期間αｓである。Ｔ相についても同様である。
Ｒ相の電圧Vrが０となるまでの期間がＲ相に対するスイ
ツチング手段Srの導通期間αｒであり、Ｓ相に対応する
位相制御信号Sgsが出力されてから、Ｓ相の電圧Vsが０
となるまでの期間がＳ相に対するスイツチング手段Ssの
導通期間αｓである。Ｔ相についても同様である。
これら第９図（５）〜（７）から明らかなように、上
記導通期間αr,αs,αｔは、ともにレベル設定信号Vbの
レベルが高いほど長くなり、レベル設定信号Vbが基準電
圧Vrefに等しいとき最長となる。また当然に導通期間α
r,αs,αｔはともに等長である。さらにまた導通期間α
（第８図に示す導通角αに相当する）が最長のとき、当
然に負荷電圧Vlは最大となり、本実施例では前述のよう
に約135Vとなる。
記導通期間αr,αs,αｔは、ともにレベル設定信号Vbの
レベルが高いほど長くなり、レベル設定信号Vbが基準電
圧Vrefに等しいとき最長となる。また当然に導通期間α
r,αs,αｔはともに等長である。さらにまた導通期間α
（第８図に示す導通角αに相当する）が最長のとき、当
然に負荷電圧Vlは最大となり、本実施例では前述のよう
に約135Vとなる。
第10図（１）〜（３）は本実施による負荷電圧Vlの出
力態様を示す波形図であり、導通期間αがα1,α2,α３
の３つの場合が示されている。ただしα１＜α２＜α３
であり、第８図に示される導通角α1,α2,α３の３つに
対応している。
力態様を示す波形図であり、導通期間αがα1,α2,α３
の３つの場合が示されている。ただしα１＜α２＜α３
であり、第８図に示される導通角α1,α2,α３の３つに
対応している。
第10図（１）は、導通期間α１の場合の負荷電圧Vla
の波形を示す。この場合は導通期間α１は短く、このた
めそれぞれの導通期間に応じた電圧波形vlr1,vls1,vlst
が第６図に示される各スイツチング手段Sr,Ss,Stから導
出される。上記電圧波形vlr1,vls1,Vlt1を合成したもの
が導通期間α１の場合の負荷電圧Vlaとなる。注目すべ
きは、本実施例では各相の電圧波形vlr1,vls1,Vlt1が同
形であることで、前述の実施例に比して、波形率が向上
できることである。以下の導通期間α2,α３の場合も全
く同様である。
の波形を示す。この場合は導通期間α１は短く、このた
めそれぞれの導通期間に応じた電圧波形vlr1,vls1,vlst
が第６図に示される各スイツチング手段Sr,Ss,Stから導
出される。上記電圧波形vlr1,vls1,Vlt1を合成したもの
が導通期間α１の場合の負荷電圧Vlaとなる。注目すべ
きは、本実施例では各相の電圧波形vlr1,vls1,Vlt1が同
形であることで、前述の実施例に比して、波形率が向上
できることである。以下の導通期間α2,α３の場合も全
く同様である。
第10図（２）は、導通期間α２の場合の負荷電圧Vlb
の波形を示す。同様に第10図（３）は、導通期間α３の
場合の負荷電圧Vlcの波形を示している。
の波形を示す。同様に第10図（３）は、導通期間α３の
場合の負荷電圧Vlcの波形を示している。
このようにして、本実施例では３相交流電源のＲ相、
Ｓ相、Ｔ相の全相を電圧採取相として使用したので、導
出される負荷電圧Vlの波形は正負対称の波形となり、波
形率の良好な負荷電圧Vlを負荷Ｌに供給することができ
る。
Ｓ相、Ｔ相の全相を電圧採取相として使用したので、導
出される負荷電圧Vlの波形は正負対称の波形となり、波
形率の良好な負荷電圧Vlを負荷Ｌに供給することができ
る。
なお本発明は光制御を例にとり説明したけれども、本
発明はこれに限定されるものではなく、その他の負荷に
も適用できることはいうまでもない。
発明はこれに限定されるものではなく、その他の負荷に
も適用できることはいうまでもない。
効果 以上のように本発明に従う負荷制御装置では、レベル
設定手段によつて負荷電圧レベルを設定し、該設定され
た負荷電圧レベルに基づく位相制御信号を位相制御信号
作成手段によつて作成し、その位相制御信号に基づい
て、３相４線式交流電源の少なくとも２相の電圧を、各
相に対応して設けられた複数のスイツチング手段によつ
て導通期間を制御し、このようにして複数のスイツチン
グ手段から得られる出力電圧を位相制御し、負荷電圧と
して出力するようにしたので、負荷に対して定格電圧以
上の電圧が供給可能となり、しかもその最大値は定格電
圧のピーク値を超えることがないので、負荷の寿命に悪
影響を与えず、また昇圧用トランスなどの特別の装置を
必要としないから、経済的な負荷制御装置を実現するこ
とができる。
設定手段によつて負荷電圧レベルを設定し、該設定され
た負荷電圧レベルに基づく位相制御信号を位相制御信号
作成手段によつて作成し、その位相制御信号に基づい
て、３相４線式交流電源の少なくとも２相の電圧を、各
相に対応して設けられた複数のスイツチング手段によつ
て導通期間を制御し、このようにして複数のスイツチン
グ手段から得られる出力電圧を位相制御し、負荷電圧と
して出力するようにしたので、負荷に対して定格電圧以
上の電圧が供給可能となり、しかもその最大値は定格電
圧のピーク値を超えることがないので、負荷の寿命に悪
影響を与えず、また昇圧用トランスなどの特別の装置を
必要としないから、経済的な負荷制御装置を実現するこ
とができる。
第１図は本発明の第１実施例の電気的構成を示すブロツ
ク図面、第２図は第１図に示された位相制御信号作成手
段Ａの電気的構成を示すブロツク図、第３図はレベル設
定信号Vbと負荷電圧Vlとの関係を示すグラフ、第４図は
第１実施例の動作を示す波形図、第５図は導通角αの変
化に対する負荷電圧Vlの変化を示す波形図、第６図は本
発明の第２実施例の電気的構成を示すブロツク図、第７
図は第８図に示された位相制御信号作成手段Ａの電気的
構成を示すブロツク図、第８図はレベル設定信号Vbと負
荷電圧Vlとの関係を示すグラフ、第９図は第２実施例の
動作を示す波形図、第10図は導通角αの変化に対する負
荷電圧Vlの変化を示す波形図、第11図は従来の技術によ
る負荷制御装置の構成を示す図、第12図は従来の技術に
よる導通角α対負荷電圧Vlの関係を示すグラフである。 A1〜An…位相制御信号作成手段、B1〜Bn…負荷電圧レベ
ル設定手段、Cr,Cs…積分用コンデンサ、Dr,Ds…積分回
路、Er,Es…反転回路、Fr,Fs…レベル弁別回路、L1〜Ln
…負荷、Sr1〜Srn,Ss1〜Ssn…スイツチング手段、Sg1〜
Sgn…位相制御信号、Va1〜Van…スイツチング手段の出
力電圧
ク図面、第２図は第１図に示された位相制御信号作成手
段Ａの電気的構成を示すブロツク図、第３図はレベル設
定信号Vbと負荷電圧Vlとの関係を示すグラフ、第４図は
第１実施例の動作を示す波形図、第５図は導通角αの変
化に対する負荷電圧Vlの変化を示す波形図、第６図は本
発明の第２実施例の電気的構成を示すブロツク図、第７
図は第８図に示された位相制御信号作成手段Ａの電気的
構成を示すブロツク図、第８図はレベル設定信号Vbと負
荷電圧Vlとの関係を示すグラフ、第９図は第２実施例の
動作を示す波形図、第10図は導通角αの変化に対する負
荷電圧Vlの変化を示す波形図、第11図は従来の技術によ
る負荷制御装置の構成を示す図、第12図は従来の技術に
よる導通角α対負荷電圧Vlの関係を示すグラフである。 A1〜An…位相制御信号作成手段、B1〜Bn…負荷電圧レベ
ル設定手段、Cr,Cs…積分用コンデンサ、Dr,Ds…積分回
路、Er,Es…反転回路、Fr,Fs…レベル弁別回路、L1〜Ln
…負荷、Sr1〜Srn,Ss1〜Ssn…スイツチング手段、Sg1〜
Sgn…位相制御信号、Va1〜Van…スイツチング手段の出
力電圧
Claims (1)
- 【請求項１】中性線Ｎと、３つの各相R,S,Tとを有する
３相４線式交流電源電圧を位相制御し、負荷に中性線Ｎ
と各相R,S,Tとの間で供給する負荷電圧を設定する負荷
制御装置であって、 前記交流電源の少なくとも２相の電圧を個別に導通／遮
断し、一端は各相R,S,Tに接続され、他端は負荷に共通
に接続され、双方向性であって、位相制御信号Sgr,Sgs,
Sgtが与えられることによって導通を開始し、この導通
を開始した時点における前記一端と前記他端との間の電
圧の極性が維持される期間中、導通する自己消弧機能を
備える複数のスイッチング手段と、 所望の負荷電圧レベルを設定するレベル設定手段と、 上記設定された負荷電圧レベルに対応して相互に２π/3
radの位相差を有する前記スイッチング手段の導通期間
を制御する位相制御信号Sgr,Sgs,Sgtを作成する位相制
御信号作成手段とを含むことを特徴とする負荷制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175873A JP2839507B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175873A JP2839507B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224709A JPH0224709A (ja) | 1990-01-26 |
| JP2839507B2 true JP2839507B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=16003700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175873A Expired - Fee Related JP2839507B2 (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 負荷制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2839507B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071216A (en) * | 1990-06-28 | 1991-12-10 | Honeywell Inc. | Optical interconnect waveguide-beam coupler |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63175873A patent/JP2839507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224709A (ja) | 1990-01-26 |
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