JP2682005B2 - 可変型減衰回路 - Google Patents

可変型減衰回路

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JP2682005B2
JP2682005B2 JP63112578A JP11257888A JP2682005B2 JP 2682005 B2 JP2682005 B2 JP 2682005B2 JP 63112578 A JP63112578 A JP 63112578A JP 11257888 A JP11257888 A JP 11257888A JP 2682005 B2 JP2682005 B2 JP 2682005B2
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diode
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、可変型減衰回路に関し、特にPINダイオー
ドを用いた可変型減衰回路に関するものである。
〔従来の技術〕
主に数百MHz程度の信号を減衰させる目的としてPINダ
イオードを用いた可変型減衰回路が特に光中継器の受信
回路などにしばしば用いられている。
PINダイオードを用いた従来の可変型減衰回路の代表
例としては、第2図に示すようにL型に接続したPINダ
イオード11,12にそれぞれが抵抗13,14を介して直流電流
を外部制御電圧端子T3に印加する直流電圧V1により、PI
Nダイオード11,12の順方向抵抗を変化させて減衰量を制
御するように構成していた。なお、15は電流制限抵抗、
16,17,18は直流信号遮断用結合コンデンサ、19は負荷イ
ンピーダンス、T1は入力端子、T2は出力端子である。
このように構成された可変型減衰回路は、外部制御電
圧端子T3に直流電圧V1がロウレベルとなつた状態におい
て、つまりPINダイオード12の順方向抵抗が減少し、PIN
ダイオード11の順方向抵抗が増加したときに減衰量が増
加するが、それと同時にPINダイオード11の数pF程度の
内容容量による入力信号の通過域は高帯域側で増える。
一方、PINダイオード12は順方向抵抗が減少するため、
数十Ω程度の純抵抗となる。したがつて負荷インピーダ
ンス19が小さい場合には入力信号の通過域は、PINダイ
オード11の内部容量と負荷インピーダンス19との大きさ
の関係によつて決定されていたため、数百MHz程度の入
力信号に対する周波数特性には影響を与えることは少な
い。しかし、負荷インピーダンス19が大きくなると、入
力信号の通過域が数百MHz程度からGHz程度までの広範囲
にわたつて増えるため、低帯域から高帯域まで平坦な特
性を確保するには難しい回路構成となつていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来の可変型減衰回路は、負荷インピーダン
スが大きい場合、減衰量が大きくなるほど回路の周波数
特性を劣化させ、回路の減衰可変幅を大きくすることが
できないという問題があつた。
したがつて本発明は前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、負荷インピーダンスの大
小にかかわらず、減衰可変幅を大きくすることができる
可変型減衰回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
直流信号遮断用のコンデンサを介して互いにカソード
同士が接続された第1および第2のPINダイオードと、
第2のPINダイオードのアノードに接続された第1の電
源と、第1のPINダイオードのカソードに接続され第1
の電源の出力電圧より低い電圧を出力する第2の電源
と、第1のPINダイオードのアノードおよび第2のPINダ
イオードのカソードに接続され第1の電源の出力電圧と
第2の電源の出力電圧との間の電圧を変化して出力する
可変電源と、第1のPINダイオードのアノードに接続さ
れた信号入力端子と、第1のPINダイオードのカソード
に接続された信号出力端子とを備え、この信号出力端子
に接続された負荷インピーダンスが第2のPINダイオー
ドと並列接続され、可変電源の出力電圧を変化すること
により第1および第2のPINダイオードの順方向抵抗を
変化して減衰量を変化するものである。
〔作用〕 本発明においては、負荷インピーダンスが第2のPIN
ダイオードに並列接続されているため、負荷インピーダ
ンスの大小の大きさに関係なく、PINダイオードの順方
向内部抵抗によつて常に低インピーダンスに抑えられ、
可変減衰量に影響されることなく、広範囲にわたる平坦
な周波数特性を維持することによつて達成される。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例による可変型減衰回路の回
路図である。同図に示されるように、PINダイオード
(第1のPINダイオード)1とPINダイオード(第2のPI
Nダイオード)2のカソード同士が互いに結合コンデン
サ7を介して接続されている。そして、PINダイオード
2のアノードは接地(第1の電源)され、PINダイオー
ド1のカソードには抵抗5を介して負電源(第2の電
源)から負電圧−Vが印加されている。さらに、PINダ
イオード1のアノードは抵抗3を介して、また、PINダ
イオード2のカソードは抵抗3,4を介して外部制御電圧
端子T3から可変電源に接続されており、この可変電源か
らは−V〜0[V]の間を変化する制御電圧V1が出力さ
れる。また、PINダイオード1のアノードには結合コン
デンサ6を介して信号入力端子T1が接続され、PINダイ
オード1のカソードには結合コンデンサ8を介して信号
出力端子T2が接続されており、この信号出力端子T2に接
続された負荷インピーダンス9はPINダイオード2と並
列接続される。そして、可変電源が制御電圧V1を変化す
ることによりPINダイオード1,2の順方向抵抗が変化する
ため、減衰量を変化することができる。なお、結合コン
デンサ6,7,8は直流信号を遮断するためのコンデンサで
あり、抵抗3,4,5はPINダイオード1,2に流れる電流値を
制限するための抵抗である。すなわち、この回路構成
は、第2図に示した従来の可変型減衰回路のPINダイオ
ード12の接続方法をPINダイオード11のアノード側に接
続していたL型接続からカソード側に接続した逆L型接
続としたことが異なつている。
次にこの回路の動作について説明する。いま、外部制
御電圧端子T3に直流電圧が制御電圧V1として印加され
る。この制御電圧V1がロウレベルとなると、PINダイオ
ード2の順電流は増加し、PINダイオード1の順電流は
現象する。したがつてPINダイオード1の順方向抵抗は
増加して入力端子T1に入力される入力信号に対して抵抗
値は増大するとともにPINダイオード1の内部小容量
(数pF程度)による入力信号の通過域は高帯域側で増え
る。一方、PINダイオード2の順方向抵抗は減少し、数
十Ω程度の純抵抗に近くなるため、負荷インピーダンス
9が大きい場合でも、PINダイオード2が並列に接続さ
れている本回路では、数百MHz程度の入力信号に対して
周波数特性は負荷インピーダンス9が小さくみえるた
め、入力信号の約3てい倍以上あたりのところまで平坦
な特性を示すようになる。したがつて実際の使用領域で
は広範囲にわたつて平坦な特性が得られる。
次に制御電圧V1がハイレベルとなると、前述とは逆に
作用する。つまりPINダイオード2の順電流は減少し、P
INダイオード1の順電流は増加する。したがつてPINダ
イオード1の順方向抵抗は減少し、数十Ω程度の純抵抗
に近くなる。そして、PINダイオード2の順方向抵抗は
増加し、PINダイオード1の内部小容量による入力信号
の通過域は高帯域側で増えるが、PINダイオード2は接
地されているため、高帯域側が減衰するような周波数特
性になり、数百MHz程度の入力信号に対しては減衰する
周波数特性が入力信号の約3てい倍以上の領域となるた
め、実際の使用周波数特性は、平坦な特性を維持できる
ので、問題とならない。
このような回路構成によれば、負荷インピーダンス9
による特性劣化を防ぎ、平坦な周波数特性を持つ減衰特
性の拡大ができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、負荷インピーダ
ンスの大小にかかわりなく、第2のPINダイオードの内
部抵抗によつて負荷インピーダンスを低インピーダンス
に抑えることができる回路構成とすることにより、広範
囲にわたつて平坦な周波数特性を維持できるとともに可
変減衰幅を広くできるという極めて優れた効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例による可変型減衰回路の回
路図、第2図は従来の可変型減衰回路の回路図である。 1,2……PINダイオード、3,4,5……抵抗、6,7,8……コン
デンサ、9……負荷インピーダンス。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】直流信号遮断用のコンデンサを介して互い
    にカソード同士が接続された第1および第2のPINダイ
    オードと、 前記第2のPINダイオードのアノードに接続された第1
    の電源と、 前記第1のPINダイオードのカソードに接続され前記第
    1の電源の出力電圧より低い電圧を出力する第2の電源
    と、 前記第1のPINダイオードのアノードおよび前記第2のP
    INダイオードのカソードに接続され前記第1の電源の出
    力電圧と前記第2の電源の出力電圧との間の電圧を変化
    して出力する可変電源と、 前記第1のPINダイオードのアノードに接続された信号
    入力端子と、 前記第1のPINダイオードのカソードに接続された信号
    出力端子とを備え、 この信号出力端子に接続された負荷インピーダンスが前
    記第2のPINダイオードと並列接続され、 前記可変電源の出力電圧を変化することにより前記第1
    および第2のPINダイオードの順方向抵抗を変化して減
    衰量を変化することを特徴とする可変型減衰回路。
JP63112578A 1988-05-11 1988-05-11 可変型減衰回路 Expired - Lifetime JP2682005B2 (ja)

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JPH01284008A JPH01284008A (ja) 1989-11-15
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS53100757A (en) * 1977-02-15 1978-09-02 Oki Electric Ind Co Ltd Super-high frequency semiconductor device
JPS53117356A (en) * 1977-03-23 1978-10-13 Nec Corp Diode bias circuit
JPS6057728B2 (ja) * 1977-12-26 1985-12-17 日本電気株式会社 可変抵抗減衰器

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