JPS5834631A - チュ−ナ装置 - Google Patents

チュ−ナ装置

Info

Publication number
JPS5834631A
JPS5834631A JP13313581A JP13313581A JPS5834631A JP S5834631 A JPS5834631 A JP S5834631A JP 13313581 A JP13313581 A JP 13313581A JP 13313581 A JP13313581 A JP 13313581A JP S5834631 A JPS5834631 A JP S5834631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tuning
resistor
variable capacitance
capacitance diode
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13313581A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0413885B2 (ja
Inventor
Saburo Ikeda
池田 三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP13313581A priority Critical patent/JPS5834631A/ja
Publication of JPS5834631A publication Critical patent/JPS5834631A/ja
Publication of JPH0413885B2 publication Critical patent/JPH0413885B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/02Details
    • H03J3/16Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
    • H03J3/18Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
    • H03J3/185Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes

Landscapes

  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可変容量ダイオードを同調素子として用いたチ
ューナ装置に関するものである。
斯種チューナ装置は第1図に示すように入力端子(1)
に接続された入力同調回路(2)と、RF増幅器(3)
及びその出力側に設けられた股間同調回路(4)とから
々るRF増幅段(5)と、局部発振回路(6)と、前記
RF増幅段(5)からの入力信号と局部発振回路(6)
からの局部発振信号との周波数差のIF(中間周波数)
fM号を出力端子(8)に出力するミキサ(7)とから
構成されており、チューニング電圧源としての選局装置
(9)からチューニング電圧が、それぞれの回路の可変
容量ダイオード(DI ) (Dz ) (Di ) 
(D4 )に抵抗(R1) (R2) (Rs ) (
R4)を通して与えらする。。
ここで、以下の説明においては特に股間同調回路(4)
と局部発振回路(6)の関係が重要であるので、可変容
量ダイオードとチューニング電圧供給路の抵抗のうち段
間同訓回路(4)のものを、それぞれ第1可変容量ダイ
オード、第1抵抗と呼び、局部発振回路(6)のそれら
を、それぞれ第2可変容量ダイオード及び第2抵抗と呼
ぶことにする。尚、段間同調回路(4)については図示
の場合、複同調回路と々っているが、単同調回路1II
II亀であってもよい。
さて、従来のチューナ装置では第1抵抗(R2)(R8
)と第2抵抗(R4)は同程度の大きさく数1OKΩ〜
100にΩ)のものを使用していたが、以下に述べる如
き不都合が生じていた。即ち、RF増幅器(3)で増幅
された信号が大きい場合には第1可変容量ダイオード(
Dz)(Da)と、DCカット用コンデンサ(Cd(0
2)の接続点(a)に比較的大きな整流電圧が発生し、
この電圧がチューニング電圧の共通ラインOIから第2
抵抗(R4)を介して第2可変容量ダイオード(D4)
に印加され局部発振周波数のドリフトを招くのである。
尚、前記接続点(1)に整流電圧が生じるのは、接続点
(a)における入力信号の振幅が大きくなると、その入
力信号の負の半サイクルでは第1可変容量ダイオード(
Dz)(Da)が導通し、正の半サイクルではオフ状態
で、その容量が充電されるためである。また、大きな入
力信号が接続点(a)に現われる場合としては、チャン
ネル切換え時やプリセット時などが挙けられる。これら
の場合にはRF増幅器(3)にAGC電圧がかからない
か、又は極めて小さくなるためRF増幅器(3)が最大
ゲインで動作し、大きな出力を生じるのである。而して
、接続点(a)の電位が高くなって、しかもチューニン
グ電圧共通ラインa〔のチューニング電圧よりも高くな
ると上述したように局部発振回路(6)の第2可変容量
ダイオード(D4)のバイアスを変えるように作用して
局部発振周波数を所期の値よりも高い方ヘトリフトさせ
ることになる。この場合、選局装置の出力インピーダン
ス(Ri)の値がOΩであれば前記共通ライン(Ilの
電圧上昇はなくなり、局部発振周波数のドリフトも生じ
ないが、選局装置の出力インピーダンス(9)を00に
することは夾際には不可能であり、甘たあまり小さな値
にすることも選局装置に関する別の問題から困難である
。しかも92図に示すように横軸に周波数、縦軸に局部
発振周波数の変化量をとって選局装置の出力インピーダ
ンス(R5)を100にΩから、順次47にΩ、22に
Ω、10にΩと変化させても、局部発振周波数の変化量
はあまり小さくならず効果が薄いことが分る1、本発明
は選局装置(チューニング電圧源)の出力インピータン
スを小さくすることなしに上述の不都合を解消するもの
である。
本発明では第1抵抗(R2)(R3)の値を局部発振回
路(6)の第2抵抗(R4)よりも大きくすることを特
徴とする。例えば第2抵抗(R4)については従来通り
数1OKΩ〜100にΩの範囲内とし、第1抵抗(Rg
XRs)については200にΩ以上の高い値とする。
尚、この第1抵抗(Rz)(Ri)の上限は@1可変容
量ダイオード(D2XI)m)の逆方向電流による電圧
降下をあまり大きくしないため例えば1MΩ程度にとど
めるべきである。このように第1抵抗(RsXRs)の
値を大きくすることによる効果はR2、R3とRI の
分圧比が大きくなり、その分共通うイン囮に対する接続
点(&)の電位の影響が軽減されることにある。これに
よって局部発振周波数のドリフトを殆んど招かないよう
にできる。第6図は第2図と同様のグラフにおいて第1
抵抗(R2XR3)の値を27にΩから220にΩ、5
30KO1470にΩ、820にΩと順次変えた場合の
特性を示しており、局部発振周波数の変化を簡単に小さ
くできることが分る。
第4図では第1抵抗(R2XR3)に並列にスイッチン
グダイオード(Ds)(Ds)を接続して前記接続点(
a)に現われる入力信号電圧に対しては高インピーダン
スを呈するが、前記第1可変容量ダイオード(Dg)(
Da)の逆方向電流に対しては低インピーダンスを呈す
る手段aυ02を第1可変容量ダイオード(DzXDa
)のチューニング電圧供給路に形成し □ている。尚、
(r2)(ra)は電流制限抵抗であり数にΩの低抵抗
値を有する。斯る第4図の実施例によれば接続点(a)
に生じる入力信号整流電圧の局部発振回路(6)への影
響は好適に阻止されると共に第1可変容lダイオード(
D2XD3)の逆方向電流による電圧降下を小さくする
ことができる。
以上の通り本発明によればRF増幅器が大きなゲインで
作動したような場合に、その出力側の同調回路の可変容
量ダイオードにより入力信号が整流されて可変容量ダイ
オードのカンード側に生じる高電圧がチューニング電圧
供給路を通して局部発振回路側に作用して局部発振周波
数を正規の値よりも変化せしめてしまうという不都合を
好適に払拭できるという効果があり、極めて有用である
【図面の簡単な説明】
第1図はチューナ装置の一般的構成を示す回路図である
。第2図はチューナ装置の入力信号レベルに対する局部
発振周波数の変化量を選局装置の出力インピーダンスの
値ごとに示す特性図である。 第6図は本発明の詳細な説明するための特性図である。 11+4図は本発明の1つの実施例を示すチューナ装置
の要部回路図である。 (3)・・RF増幅器、(4)・・・段間同調回路、C
D2HD+)第1可変容量ダイオード、(R2XR3)
  ・第1抵抗、(D4)・・・第2可変容量ダイオー
ド、(R4)・・・第2抵抗、(9)・・・選局装置、
αυ(13・・手段、(Ds)(Da)・・・スイッチ
ングダイオード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)’RF増幅器の出力側同調回路の第1可変容量ダ
    イオードに第1抵抗を介して、一方間部発振回路に設け
    られた第2可変容量ダイオードに第2抵抗を介してそれ
    ぞれ共通のテユ〜ニング電圧源からのチューニング電圧
    を印加するようにしたチューナ装置において、前記第1
    抵抗と第1可変容量ダイオードの結合点に生じる入力信
    号整流電圧が局部発振回路側に実質的に影響を寿えない
    ように前記第1抵抗の値を第2抵抗より大きく選定した
    ことを特徴とするチューナ装置。 (21RF増幅器の出力側同調回路の第1可焚容量ダイ
    オードと局部発振回路に設けられた第2可変容量夕゛イ
    オードに、それぞれ共通のチューニング圧に対しては高
    インピーダンスを呈するが、前記可変容量ダイオードの
    逆方向電流に対しては低インピーダンスを呈する手段を
    前記第1可変容量ダイオードへのチューニング電圧供給
    路に設けたことを!l!j黴とするチューナ装置。 (3)前記手段は高抵抗と、前記逆方向電流に対しては
    導通する向きで前記高抵抗に並列に接続されたスイッチ
    ングダイオードとから形成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第2項記載のチューナ装置。
JP13313581A 1981-08-24 1981-08-24 チュ−ナ装置 Granted JPS5834631A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13313581A JPS5834631A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 チュ−ナ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13313581A JPS5834631A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 チュ−ナ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5834631A true JPS5834631A (ja) 1983-03-01
JPH0413885B2 JPH0413885B2 (ja) 1992-03-11

Family

ID=15097581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13313581A Granted JPS5834631A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 チュ−ナ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5834631A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004120759A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Thomson Licensing Sa テレビジョン信号チューナ用の電子的整合システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004120759A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Thomson Licensing Sa テレビジョン信号チューナ用の電子的整合システム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0413885B2 (ja) 1992-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4764732A (en) Switchable mode amplifier for wide dynamic range
CA1153076A (en) Resonator coupled differential amplifier
US4749949A (en) Self biasing diode microwave frequency multiplier
US4270102A (en) Integrated circuit FM local oscillator with AFC control and temperature compensation
US5760641A (en) Controllable filter arrangement
US4513209A (en) Level detector
CA1085939A (en) Voltage controlled oscillator
JPS5834631A (ja) チュ−ナ装置
US5530391A (en) Filter circuit with a resonator operated in series resonance
US4092552A (en) Bipolar monolithic integrated push-pull power stage for digital signals
US5126703A (en) Signal attenuator
CA1234414A (en) Frequency multiplying circuit
US3510580A (en) Gain controlled transistor amplifier with constant bandwidth operation over the agc control range
US4203073A (en) Radio receiver blanker gate
US3541355A (en) Circuit for selectively producing output pulses of opposite polarity in response to input pulses of a similar polarity
US4329713A (en) Television automatic gain control system
US4985685A (en) Detector circuit including current attenuating circuit and capacitor
JP2682005B2 (ja) 可変型減衰回路
US4513251A (en) Miller compensation for an operational amplifier
US3004157A (en) Automatic gain control system for semi-conductor devices
FI76467C (fi) System foer tillvaratagande av videosignaler.
KR0133088Y1 (ko) 튜너의 알에프 신호 감쇄기
JPS6238323Y2 (ja)
US3524995A (en) Limiter apparatus
KR890000283B1 (ko) 가변 커패시턴스 회로