JP2680110B2 - Package for semiconductor device having heat radiator - Google Patents

Package for semiconductor device having heat radiator

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は放熱体を有する半導体装置用パッケージに関
する。
The present invention relates to a semiconductor device package having a heat radiator.

(従来の技術および解決しようとする課題) 半導体レーザ装置用パッケージなどでは、半導体レー
ザ素子から発生する熱を放散させるため、放熱体上に半
導体レーザ素子を接合して搭載するようにしている。
(Prior Art and Problems to be Solved) In a semiconductor laser device package or the like, in order to dissipate heat generated from the semiconductor laser element, the semiconductor laser element is mounted on a radiator by bonding.

第6図および第7図は半導体レーザ装置用パッケージ
の従来例を示す平面図である。図で10はアイレット、12
はアイレット上に形成した放熱体、14は端子穴で、端子
穴14にはリード16が気密にガラス溶着される。放熱体12
の前壁面上には半導体レーザ素子20が接合される。
6 and 7 are plan views showing a conventional example of a package for a semiconductor laser device. In the figure, 10 is eyelet, 12
Is a heat radiator formed on the eyelet, 14 is a terminal hole, and the lead 16 is hermetically glass-welded to the terminal hole 14. Radiator 12
A semiconductor laser device 20 is bonded on the front wall surface of the.

ここで、端子穴14のアイレット10上における配置位置
は規格によって決められており、半導体レーザ装置用パ
ッケージではアイレット10の中心線上に配置される。こ
のため、放熱体の配置位置およびサイズは端子穴14の配
置による制約が生じてくる。
Here, the arrangement position of the terminal hole 14 on the eyelet 10 is determined by the standard, and is arranged on the center line of the eyelet 10 in the semiconductor laser device package. Therefore, the arrangement position and size of the heat radiator are restricted by the arrangement of the terminal holes 14.

第6図は端子穴14間は四角形状の放熱体を形成した
例、第7図は放熱体12を扇形状に形成した例である。第
7図の放熱体12は放熱体を扇形状にして熱放散性を高め
ることを図っている。いずれの例でも、放熱体12が端子
穴14の近傍にきたり端子穴14のガラス上にあると、放熱
体12を接合するろう材が端子穴14に流れ込んだりして絶
縁性や気密性を低下させるおそれがあるため、放熱体12
は端子穴14より離れた位置に形成している。
FIG. 6 shows an example in which a quadrangular radiator is formed between the terminal holes 14, and FIG. 7 shows an example in which the radiator 12 is formed in a fan shape. The radiator 12 shown in FIG. 7 has a fan shape to enhance heat dissipation. In either case, if the heat sink 12 is near the terminal hole 14 or on the glass of the terminal hole 14, the brazing material that joins the heat sink 12 may flow into the terminal hole 14 and reduce the insulation and airtightness. The heat sink 12
Is formed at a position away from the terminal hole 14.

このように、従来は、アイレット10の径サイズおよび
端子穴14などの配置位置に制約されて、大きな放熱体を
形成することができなかった。最近は高パワーの半導体
素子も多く使用されるようになっており、これに対処す
るため、放熱体の熱放散性の向上が求められている。
As described above, conventionally, it was not possible to form a large radiator by being restricted by the diameter size of the eyelet 10 and the arrangement positions of the terminal holes 14 and the like. Recently, high-power semiconductor elements are also often used, and in order to cope with this, improvement in heat dissipation of a heat radiator is required.

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、アイレットのサイズお
よび端子穴の配置位置等に所定の規格条件がある場合で
も、より大きな放熱体を形成することができる半導体装
置用パッケージを提供しようとするものである。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to form a larger heat radiator even when there are predetermined standard conditions such as the size of the eyelet and the position of the terminal hole. The present invention aims to provide a semiconductor device package that can be manufactured.

(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえ
る。
(Means for Solving the Problems) The present invention has the following configuration to achieve the above object.

すなわち、アイレットに設けた端子穴にリード線がガ
ラスにより植立され、該アイレットに放熱体が接合され
て成る放熱体を有する半導体装置用パッケージにおい
て、前記放熱体は、前記端子穴より離間して設けた係合
突起により接合されていると共に、放熱体の前端部がア
イレットの上面より離間して端子穴の上方に張り出して
いることを特徴とする。
That is, in a package for a semiconductor device having a heat sink in which a lead wire is planted with glass in a terminal hole provided in an eyelet and a heat sink is joined to the eyelet, the heat sink is separated from the terminal hole. It is characterized in that the front end portion of the heat radiator is separated from the upper surface of the eyelet and protrudes above the terminal hole while being joined by the provided engagement protrusion.

(作用) 接合突起を介することにより、放熱体の前端部を端子
穴の上方まで張り出して接合でき、これによって、端子
穴による制約が回避され、放熱体のサイズを大きくする
ことが可能となる。
(Operation) By interposing the joint projection, the front end portion of the heat sink can be extended to the upper side of the terminal hole to be joined, whereby the restriction by the terminal hole can be avoided and the size of the heat sink can be increased.

(実施例) 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明に係る放熱体を有する半導体装置用
パッケージの例として、半導体レーザ装置用パッケージ
の一実施例を示す正面図である。10はアイレット、16は
アイレット10にガラス溶着により気密に封止されたリー
ドで、17はアースリードである。10aはアイレット10の
上面に突出させて設けた接合突起で、端子穴位置に掛か
らない位置に形成されている。放熱体22はこの接合突起
10aの上面に固設される。これにより、放熱体22はアイ
レット10上面から若干離間する。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a semiconductor laser device package as an example of a semiconductor device package having a radiator according to the present invention. Reference numeral 10 is an eyelet, 16 is a lead hermetically sealed to the eyelet 10 by glass welding, and 17 is a ground lead. Reference numeral 10a is a joint protrusion provided on the upper surface of the eyelet 10 so as to protrude, and is formed at a position that does not overlap the terminal hole position. The radiator 22 is this joint protrusion
It is fixed to the upper surface of 10a. As a result, the radiator 22 is slightly separated from the upper surface of the eyelet 10.

第2図は上記半導体レーザ装置用パッケージの平面図
を示す。ここで、放熱体22は両端子穴14の上方に放熱体
が張り出すようにして配置される。放熱体22の端子穴14
上方の張り出し部分は、ガラス溶着部とは離間してい
る。放熱体22の前壁面はリード16に接しないように離し
て配置する。
FIG. 2 is a plan view of the package for the semiconductor laser device. Here, the radiator 22 is arranged above both terminal holes 14 so that the radiator extends. Terminal hole 14 of heat sink 22
The upper protruding portion is separated from the glass welding portion. The front wall surface of the radiator 22 is arranged so as not to contact the lead 16.

このように、端子穴14の上方にかけて放熱体22を張り
出すように配置すると、放熱体22のサイズをきわめて大
きくすることができる。半導体レーザ装置用パッケージ
は本来、非常に小型であるから、このように端子穴14上
方まで放熱体を張り出させて放熱体のサイズを大きくで
きることによる放熱性の向上等の効果は非常に顕著であ
る。
When the radiator 22 is arranged so as to extend above the terminal hole 14 in this way, the size of the radiator 22 can be made extremely large. Since the package for the semiconductor laser device is originally very small, the effect of improving the heat radiation property by the fact that the size of the heat radiator can be increased by projecting the heat radiator above the terminal hole 14 in this way is very remarkable. is there.

第3図は上記放熱体22を接合する前のパッケージの正
面図である。アイレット10成形時に、あらかじめアイレ
ット10上面に放熱体22を接合するための接合突起10aを
設けてある。
FIG. 3 is a front view of the package before the heat radiator 22 is joined. At the time of molding the eyelet 10, a joint projection 10a for joining the radiator 22 is provided on the upper surface of the eyelet 10 in advance.

なお、放熱体22をアイレット10の上面から離して固設
する方法としては、上記のようにアイレット10上に接合
突起10aを設けるかわりに、放熱体22の下面に接合突起
を設けるようにしてもよい。第4図は接合突起24aを放
熱体の下面に形成した放熱体24の例で、この場合は、接
合突起24aをアイレット10上面に接合することによっ
て、放熱体24の前端部を端子穴の上方に張り出して接合
することができる。
As a method of fixing the radiator 22 away from the upper surface of the eyelet 10, instead of providing the joint protrusion 10a on the eyelet 10 as described above, a joint protrusion may be provided on the lower surface of the radiator 22. Good. FIG. 4 shows an example of the radiator 24 in which the joint projection 24a is formed on the lower surface of the radiator. In this case, the front end of the radiator 24 is located above the terminal hole by joining the joint projection 24a to the upper surface of the eyelet 10. Can be overhanged and joined.

また、アイレット上面または放熱体下面には接合突起
を設けずに、アイレット上面と放熱体の下面間にスペー
サを挿入して接合突起とし、アイレット上面と放熱体下
面との間を離間させ、端子穴の上方まで放熱体を張り出
して接合させてもよい。
Also, without providing a joint protrusion on the upper surface of the eyelet or on the lower surface of the heat sink, insert a spacer between the upper surface of the eyelet and the lower surface of the heat sink to form a joint protrusion. The heat radiating body may be extended to the upper part of the above to be joined.

以上のように、放熱体をアイレット上面からうかせて
接合することにより、放熱体の前端部を端子穴上方まで
張り出して配置することが可能となった。そして、上記
のように接合突起により、放熱体を接合する際の端子穴
位置による制約を回避することができ、従来と同一サイ
ズのアイレットであっても格段に大型の放熱体を形成す
ることが可能になる。この結果、放熱体上により大型の
半導体素子を搭載することが可能になり、また、放熱性
が大きく向上することによって、より高パワーの半導体
素子を搭載することが可能になる。
As described above, by joining the heat radiator so as to face it from the upper surface of the eyelet, the front end portion of the heat radiator can be arranged so as to project above the terminal hole. Further, as described above, the joining protrusion can avoid the restriction due to the terminal hole position when joining the heat radiator, and it is possible to form a significantly large heat radiator even with an eyelet of the same size as the conventional one. It will be possible. As a result, a larger semiconductor element can be mounted on the radiator, and the heat dissipation can be greatly improved, so that a higher power semiconductor element can be mounted.

また、放熱体のサイズが大形になることによって、放
熱体上に単体で半導体素子を搭載する他、第5図に示す
ように、放熱体22上に回路基板26、28を搭載することも
可能になる。これによって、パッケージ自体を実装密度
の高いモジュールとすることが可能になり、電子装置等
の高集積化、小型化等が可能となる。
Further, due to the large size of the heat radiator, in addition to mounting the semiconductor element alone on the heat radiator, it is also possible to mount the circuit boards 26 and 28 on the heat radiator 22, as shown in FIG. It will be possible. As a result, the package itself can be a module having a high packaging density, and the electronic device or the like can be highly integrated and miniaturized.

なお、上記実施例は半導体レーザ装置用パッケージの
例であるが、この他、放熱体を有する他の半導体装置用
パッケージについても同様に適用することができるので
ある。
Although the above embodiment is an example of the semiconductor laser device package, the present invention can be similarly applied to other semiconductor device packages having a heat radiator.

以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明
したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
く、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し
得るのはもちろんのことである。
As described above, the present invention has been described variously with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is.

(発明の効果) 本発明によれば、上述したように構成したことによ
り、アイレットに設けられる端子穴位置の制約を回避し
て放熱体を配置することができ、従来と同一サイズのア
イレット上でも格段に大きな放熱体を形成することがで
きる。その結果、放熱体の熱放散性を向上させることが
できるとともに、放熱体上に回路基板等を搭載し電子装
置等の実装の高密度化が可能になる等の著効を奏する。
(Effects of the Invention) According to the present invention, with the configuration as described above, it is possible to avoid the restriction of the terminal hole position provided in the eyelet and dispose the radiator, and even on an eyelet of the same size as the conventional one. A significantly large radiator can be formed. As a result, the heat dissipation of the heat radiator can be improved, and a circuit board or the like can be mounted on the heat radiator to achieve high density mounting of electronic devices and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図および第2図は本発明に係る放熱体を有する半導
体装置用パッケージの一実施例を示す正面図および平面
図、第3図は放熱体接合前のパッケージの正面図、第4
図は放熱体の他の例を示す正面図、第5図は放熱体上に
回路基板を設けた例を示す斜視図、第6図および第7図
は放熱体を有する半導体装置用パッケージの従来例を示
す平面図である。 10……アイレット、10a……接合突起、12……放熱体、1
4……端子穴、16……リード、17……アースリード、20
……半導体レーザ素子、22、24……放熱体、24a……接
合突起、 26、28……回路基板。
1 and 2 are a front view and a plan view showing an embodiment of a semiconductor device package having a radiator according to the present invention, and FIG. 3 is a front view of the package before joining the radiator, and FIG.
FIG. 5 is a front view showing another example of a heat radiator, FIG. 5 is a perspective view showing an example in which a circuit board is provided on the heat radiator, and FIGS. 6 and 7 are conventional semiconductor device packages having a heat radiator. It is a top view which shows an example. 10 …… Eyelet, 10a …… Joint protrusion, 12 …… Heat radiator, 1
4 …… Terminal hole, 16 …… Lead, 17 …… Ground lead, 20
...... Semiconductor laser element, 22, 24 ...... Heat radiator, 24a …… Joint protrusion, 26,28 …… Circuit board.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アイレットに設けた端子穴にリード線がガ
ラスにより植立され、該アイレットに放熱体が接合され
て成る放熱体を有する半導体装置用パッケージにおい
て、 前記放熱体は、前記端子穴より離間して設けた係合突起
により接合されていると共に、放熱体の前端部がアイレ
ットの上面より離間して端子穴の情報に張り出している
ことを特徴とする放熱体を有する半導体装置用パッケー
ジ。
1. A package for a semiconductor device having a heat radiator in which a lead wire is erected by glass in a terminal hole provided in an eyelet, and a heat radiator is joined to the eyelet, wherein the heat radiator is formed from the terminal hole. A package for a semiconductor device having a heat radiating body, characterized in that the front ends of the heat radiating body are spaced apart from the upper surface of the eyelet and project toward the information of the terminal holes while being joined by the engaging projections provided apart from each other.
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