JP2679205B2 - 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 - Google Patents
芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料Info
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- JP2679205B2 JP2679205B2 JP1014635A JP1463589A JP2679205B2 JP 2679205 B2 JP2679205 B2 JP 2679205B2 JP 1014635 A JP1014635 A JP 1014635A JP 1463589 A JP1463589 A JP 1463589A JP 2679205 B2 JP2679205 B2 JP 2679205B2
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
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- C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、成形品からの発生ガス量が極めて少ないリ
レー部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材
料に関する。
レー部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材
料に関する。
芳香族ポリスルフォン樹脂は非晶性であるため、等方
性で成形収縮率は小さく、またポリフェニレンスルフィ
ドやポリエーテルケトンのような高耐熱性を持つ樹脂よ
りもガラス転移点が高いため、これらの樹脂に比べて、
より高温まで強度、弾性率、耐クリープ特性などの物性
の低下が小さく、高寸法精度、高耐熱性が要求される電
子部品としては好適な材料である。特に芳香族ポリスル
フォン樹脂にガラス繊維のような繊維状物を配合するこ
とにより、成形収縮率はより小さくなり、強度弾性率が
向上するため該電子部品としてはより好適な材料とな
り、例えば、リレー、スイッチ、コネクター、ソケッ
ト、コイルボビンなどに応用されている。
性で成形収縮率は小さく、またポリフェニレンスルフィ
ドやポリエーテルケトンのような高耐熱性を持つ樹脂よ
りもガラス転移点が高いため、これらの樹脂に比べて、
より高温まで強度、弾性率、耐クリープ特性などの物性
の低下が小さく、高寸法精度、高耐熱性が要求される電
子部品としては好適な材料である。特に芳香族ポリスル
フォン樹脂にガラス繊維のような繊維状物を配合するこ
とにより、成形収縮率はより小さくなり、強度弾性率が
向上するため該電子部品としてはより好適な材料とな
り、例えば、リレー、スイッチ、コネクター、ソケッ
ト、コイルボビンなどに応用されている。
しかしながら、芳香族ポリスルフォン樹脂は溶融時の
粘度が比較的高いため、小物で複雑な形状を持つ電子部
品や、薄肉部を持つ電子部品などを射出成形により成形
する場合、標準より高い成形温度、射出圧力、射出速度
を必要とする。このため成形時分解によりガスが発生
し、このガスの一部が成形品中に包埋されることがあ
り、該包埋ガスは実際の使用にあたって、電子部品によ
り種々の問題を起こすことがある。特に、電子部品がリ
レーを構成する部品（ケース、ベース、アーマチュア、
コイルボビンなど）においては、該包埋ガスが成形品か
らごく微量でも発生した場合、腐食性ガスなら金属接点
を腐食させ、たとえ腐食性ガスでなくとも金属接点周辺
に堆積し、接点開閉子のアークの作用で炭化し、絶縁不
良を起こすといった問題がある。
粘度が比較的高いため、小物で複雑な形状を持つ電子部
品や、薄肉部を持つ電子部品などを射出成形により成形
する場合、標準より高い成形温度、射出圧力、射出速度
を必要とする。このため成形時分解によりガスが発生
し、このガスの一部が成形品中に包埋されることがあ
り、該包埋ガスは実際の使用にあたって、電子部品によ
り種々の問題を起こすことがある。特に、電子部品がリ
レーを構成する部品（ケース、ベース、アーマチュア、
コイルボビンなど）においては、該包埋ガスが成形品か
らごく微量でも発生した場合、腐食性ガスなら金属接点
を腐食させ、たとえ腐食性ガスでなくとも金属接点周辺
に堆積し、接点開閉子のアークの作用で炭化し、絶縁不
良を起こすといった問題がある。
芳香族ポリスルフォン樹脂を主成分とする成形品から
発生するガスは、Cl系、SO2系の腐食性ガス、脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、アセトン、アルコールなどの
ような腐食性でない低沸点ガスであることがガスクロマ
トグラフィー質量分析などにより確認されている。該腐
食性ガスは、芳香族ポリルフォン樹脂の構成成分あるい
は不純物から由来するガスであり、成形工程時の熱分解
により発生し、成形品中に包埋されることは明らかであ
るが、該低沸点ガスの発生機構については明らかでな
い。また芳香族ポリスルフォン樹脂の成形時の分解によ
る腐食性ガスの発生はポリフェニレンスルフィド樹脂に
くらべ極めて少なく、成形品中に包埋される各種ガスも
極めて少ないことが知られているが、リレー部品として
使用するには十分でなかった。芳香族ポリスルフォン樹
脂を主成分とする成形品をリレー部品として使用するに
は、150〜200℃の温度で真空ベーキング処理することに
より包埋ガスを十分除去してから使用するのが、現在に
おいては一般的であり、この真空ベーキング処理工程を
省くか、省けないまでも時間を短縮することが要求され
ている。そのためには成形品からの発生ガス量が極めて
少ない、すなわち成形部中に包埋されるガス量が極めて
少ない成形材料が望まれている。
発生するガスは、Cl系、SO2系の腐食性ガス、脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、アセトン、アルコールなどの
ような腐食性でない低沸点ガスであることがガスクロマ
トグラフィー質量分析などにより確認されている。該腐
食性ガスは、芳香族ポリルフォン樹脂の構成成分あるい
は不純物から由来するガスであり、成形工程時の熱分解
により発生し、成形品中に包埋されることは明らかであ
るが、該低沸点ガスの発生機構については明らかでな
い。また芳香族ポリスルフォン樹脂の成形時の分解によ
る腐食性ガスの発生はポリフェニレンスルフィド樹脂に
くらべ極めて少なく、成形品中に包埋される各種ガスも
極めて少ないことが知られているが、リレー部品として
使用するには十分でなかった。芳香族ポリスルフォン樹
脂を主成分とする成形品をリレー部品として使用するに
は、150〜200℃の温度で真空ベーキング処理することに
より包埋ガスを十分除去してから使用するのが、現在に
おいては一般的であり、この真空ベーキング処理工程を
省くか、省けないまでも時間を短縮することが要求され
ている。そのためには成形品からの発生ガス量が極めて
少ない、すなわち成形部中に包埋されるガス量が極めて
少ない成形材料が望まれている。
本発明は、成形品からの発生ガス量が極めて少ない、
リレー部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形
材料を提供することを目的とするものである。
リレー部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形
材料を提供することを目的とするものである。
すなわち、本発明は、芳香族ポリスルフォン樹脂100
重量部に対してハイドロタルサイト類および／またはゼ
オライト類を0.1〜５重量部添加してなる（ただし、ハ
ロゲン系難燃剤を含有しない）ことを特徴とする芳香族
ポリスルフォン樹脂成形材料を提供するものである。
重量部に対してハイドロタルサイト類および／またはゼ
オライト類を0.1〜５重量部添加してなる（ただし、ハ
ロゲン系難燃剤を含有しない）ことを特徴とする芳香族
ポリスルフォン樹脂成形材料を提供するものである。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した
結果、芳香族ポリスルフォン樹脂にハイドロタルサイト
類もしくはゼオライト類を添加せしめることにより、上
記目的が達成されることを見い出し、本発明に到達した
ものである。
結果、芳香族ポリスルフォン樹脂にハイドロタルサイト
類もしくはゼオライト類を添加せしめることにより、上
記目的が達成されることを見い出し、本発明に到達した
ものである。
ハイドロタルサイト類が含ハロゲン樹脂が分解して生
ずるハロゲンを捕捉し安定化することは特公昭58−3601
2号公報などによりよく知られている。さらにポリフェ
ニレンスルフィド（PPS）が分解して生ずるSO2ガスやH2
Sガスのような腐食性ガスを捕捉することや、PPS中に含
まれるNa+Cl-のような電解質不純物を捕捉し安定化する
ことは、それぞれ特開昭60−186561号公報、特開昭61−
120856号公報などに記載されている。一方、ゼオライト
類もPPSが分解して生ずる該腐食性ガスを捕捉すること
は、特開昭62−167356号、特開昭62−295956号公報など
に記載されている。
ずるハロゲンを捕捉し安定化することは特公昭58−3601
2号公報などによりよく知られている。さらにポリフェ
ニレンスルフィド（PPS）が分解して生ずるSO2ガスやH2
Sガスのような腐食性ガスを捕捉することや、PPS中に含
まれるNa+Cl-のような電解質不純物を捕捉し安定化する
ことは、それぞれ特開昭60−186561号公報、特開昭61−
120856号公報などに記載されている。一方、ゼオライト
類もPPSが分解して生ずる該腐食性ガスを捕捉すること
は、特開昭62−167356号、特開昭62−295956号公報など
に記載されている。
したがって、ハイドロタルサイト類やゼオライト類を
本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂を主成分とする成形
材料に添加した場合、Cl系、SO2系の腐食性ガスを捕捉
することは予想されたが、脂肪族炭化水素、芳香族炭化
水素、アセトン、アルコールなどの低沸点ガスまで捕捉
し、成形品からの発生ガス量が極めて少なくなること
は、予想し得えなかったことである。
本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂を主成分とする成形
材料に添加した場合、Cl系、SO2系の腐食性ガスを捕捉
することは予想されたが、脂肪族炭化水素、芳香族炭化
水素、アセトン、アルコールなどの低沸点ガスまで捕捉
し、成形品からの発生ガス量が極めて少なくなること
は、予想し得えなかったことである。
本発明で用いられる芳香族ポリスルフォン樹脂は、ア
リーレン単位がエーテルおよびスルフォン結合と共に無
秩序にまたは秩序正しく位置するポリアリーレン化合物
として定義される。代表的な例としては次のような繰返
し単位を有するものが挙げられる。
リーレン単位がエーテルおよびスルフォン結合と共に無
秩序にまたは秩序正しく位置するポリアリーレン化合物
として定義される。代表的な例としては次のような繰返
し単位を有するものが挙げられる。
これらの中でも（１）の繰り返し構造を持つものが好
ましく、このものはICI社よりVICTREX PES 3600P、410
0P及び4800Pとして市販されている。
ましく、このものはICI社よりVICTREX PES 3600P、410
0P及び4800Pとして市販されている。
本発明で用いられるハイドロタルサイト類は、一般式
M1-X・Ｍ′Ｘ・（OH）２・Ａx/n・mH2O（式中、ＭはM
g、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znなどの２価金属、Ｍ′はA
l、Fe、Cr、Coなどの３価金属、ＡはOH、ハロゲン、C
O3、SO4、NO3などからなる群から選ばれ、Ｘは１より小
さい正数、ｍは水和物のモル数で、ｎはＡのアニオンの
価数に等しい。）で表わされる。最も入手の容易なハイ
ドロタルサイト類はマグネシウム−アルミニウムハイド
ロキシカーボネートハイドレートであり、市販品として
はMg４・５Al2（OH）13CO3・3.5H2Oの構造を有するDHT
−4A（協和化学工業（株）製）あるいはこの無水物、DH
T−4A−２（協和化学工業（株）製）がある。
M1-X・Ｍ′Ｘ・（OH）２・Ａx/n・mH2O（式中、ＭはM
g、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znなどの２価金属、Ｍ′はA
l、Fe、Cr、Coなどの３価金属、ＡはOH、ハロゲン、C
O3、SO4、NO3などからなる群から選ばれ、Ｘは１より小
さい正数、ｍは水和物のモル数で、ｎはＡのアニオンの
価数に等しい。）で表わされる。最も入手の容易なハイ
ドロタルサイト類はマグネシウム−アルミニウムハイド
ロキシカーボネートハイドレートであり、市販品として
はMg４・５Al2（OH）13CO3・3.5H2Oの構造を有するDHT
−4A（協和化学工業（株）製）あるいはこの無水物、DH
T−4A−２（協和化学工業（株）製）がある。
本発明で用いられるゼオライト類はアルカリおよびア
ルカリ土類金属を含む結晶性の含水アルミノケイ酸塩の
一般名称で、一般式M2O・Al2O3・nSiO2・mH2O、あるい
はＭ′Ｏ・Al2O3・nSiO2・mH2O（Ｍ＝Li、Na、Ｋなど、
Ｍ′はCa、Mg、Ba、Srなど、ｍは水和物のモル類、ｎは
SiO2のモル数）で表わされる。
ルカリ土類金属を含む結晶性の含水アルミノケイ酸塩の
一般名称で、一般式M2O・Al2O3・nSiO2・mH2O、あるい
はＭ′Ｏ・Al2O3・nSiO2・mH2O（Ｍ＝Li、Na、Ｋなど、
Ｍ′はCa、Mg、Ba、Srなど、ｍは水和物のモル類、ｎは
SiO2のモル数）で表わされる。
さらに本発明においては、必要に応じてガラス繊維、
シリカアルミナ繊維、ウォラストナイト、炭素繊維、チ
タン酸カリウム繊維などの繊維状の補強材、炭酸カルシ
ウム、タルク、マイカ、クレイ、ガラスビーズ等の無機
充填材、ポリテトラフルオロエチレンやステアリン酸バ
リウムに代表される金属石けん類等の離型改良剤、染
料、顔料などの着色剤を添加してもよい。特に電子部品
に適用するには、寸法精度、強度、弾性率の点からガラ
ス繊維、シリカアルミナ繊維、ウォラストナイト、チタ
ン酸カリウム繊維で補強するのが好ましく、小物で複雑
な形状を持つ電子部品や薄肉部を持つ電子部品において
はさらに金属石けん類等を添加し、成形時金型から離型
性を改良するのが好ましい。
シリカアルミナ繊維、ウォラストナイト、炭素繊維、チ
タン酸カリウム繊維などの繊維状の補強材、炭酸カルシ
ウム、タルク、マイカ、クレイ、ガラスビーズ等の無機
充填材、ポリテトラフルオロエチレンやステアリン酸バ
リウムに代表される金属石けん類等の離型改良剤、染
料、顔料などの着色剤を添加してもよい。特に電子部品
に適用するには、寸法精度、強度、弾性率の点からガラ
ス繊維、シリカアルミナ繊維、ウォラストナイト、チタ
ン酸カリウム繊維で補強するのが好ましく、小物で複雑
な形状を持つ電子部品や薄肉部を持つ電子部品において
はさらに金属石けん類等を添加し、成形時金型から離型
性を改良するのが好ましい。
本発明においてハイドロタルサイト類および／または
ゼオライト類の添加量は芳香族ポリスルフォン樹脂100
重量部に対し0.1〜５重量部であることが好ましい。ハ
イドロタルサイト類もしくはゼオライト類の添加量が0.
1重量部より少ない場合は、成形品からの発生ガス量の
低減効果がほとんどみられず、５重量部より多く添加し
ても成形品からの発生ガス量の低減効果はそれ以上向上
せず、また成形品の機械的強度が低下する。
ゼオライト類の添加量は芳香族ポリスルフォン樹脂100
重量部に対し0.1〜５重量部であることが好ましい。ハ
イドロタルサイト類もしくはゼオライト類の添加量が0.
1重量部より少ない場合は、成形品からの発生ガス量の
低減効果がほとんどみられず、５重量部より多く添加し
ても成形品からの発生ガス量の低減効果はそれ以上向上
せず、また成形品の機械的強度が低下する。
本発明の成形材料を得るための原料成分の配合手段は
特に限定されない。芳香族ポリスルフォン樹脂、ハイド
ロタルサイト類および／またはゼオライト類、必要に応
じてガラス繊維などの補強材や金属石けん類等の離型改
良剤等をヘンシェルミキサー、タンブラー等を用いて混
合した後、押出機を用いて溶融混練するのが一般的であ
る。
特に限定されない。芳香族ポリスルフォン樹脂、ハイド
ロタルサイト類および／またはゼオライト類、必要に応
じてガラス繊維などの補強材や金属石けん類等の離型改
良剤等をヘンシェルミキサー、タンブラー等を用いて混
合した後、押出機を用いて溶融混練するのが一般的であ
る。
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限
定されるものではない。なお、実施例中の成形品からの
発生ガスおよび各種物性は次の方法で測定した。
定されるものではない。なお、実施例中の成形品からの
発生ガスおよび各種物性は次の方法で測定した。
（１）成形品から発生する低沸点ガスの相対量： 本発明の芳香族ポリスルフォン成形材料を射出成形機
（日精樹脂工業製PS40E5ASE）を用いて、長さ64mm、幅6
4mm、厚み1mmの平板をシリンダー温度360〜370℃、金型
温度150℃で成形し、得られた成形品を長さ5mm、幅5m
m、厚み1mmのチップに切削した。このチップ4gを精秤
し、蒸留水で洗浄後真空乾燥した25ccのバイアル瓶にい
れ、ポリテトラフルオロエチレンからなるパッキンでシ
ール後、120℃に設定した熱風循環乾燥機の中で20時間
加熱し、成形品からガスを発生させた。このバイアル瓶
を、島津製作所製ヘッドスペースガスクロ（GC−9A/HSS
−2A）に装着し120℃に保ちながら10％PEG6000Uniport
HP 60/80meshを充填したカラムに８μ注入し、保持時
間10分までのガスの総量をディテクターで検出した。デ
ィテクターとしてはFIDを用いキャリアーガスとして窒
素を用いた。このガスの相対量は、各種ガスのピークの
総面積で表示され、この値で成形品から発生するガスの
相対量を比較した。なお、芳香族ポリスルフォン成形材
料のチップをいれなかった場合、すなわち空瓶での測定
値は約10,000であり、この値が大きいほど成形品からの
低沸点ガスの発生が多いことを表わす。また、保持時間
10分までに検出されるガスはガスクロマトグラフィー質
量分析から脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、メタノールなどのアルコール、アセト
ンなどの成分であることを確認した。
（日精樹脂工業製PS40E5ASE）を用いて、長さ64mm、幅6
4mm、厚み1mmの平板をシリンダー温度360〜370℃、金型
温度150℃で成形し、得られた成形品を長さ5mm、幅5m
m、厚み1mmのチップに切削した。このチップ4gを精秤
し、蒸留水で洗浄後真空乾燥した25ccのバイアル瓶にい
れ、ポリテトラフルオロエチレンからなるパッキンでシ
ール後、120℃に設定した熱風循環乾燥機の中で20時間
加熱し、成形品からガスを発生させた。このバイアル瓶
を、島津製作所製ヘッドスペースガスクロ（GC−9A/HSS
−2A）に装着し120℃に保ちながら10％PEG6000Uniport
HP 60/80meshを充填したカラムに８μ注入し、保持時
間10分までのガスの総量をディテクターで検出した。デ
ィテクターとしてはFIDを用いキャリアーガスとして窒
素を用いた。このガスの相対量は、各種ガスのピークの
総面積で表示され、この値で成形品から発生するガスの
相対量を比較した。なお、芳香族ポリスルフォン成形材
料のチップをいれなかった場合、すなわち空瓶での測定
値は約10,000であり、この値が大きいほど成形品からの
低沸点ガスの発生が多いことを表わす。また、保持時間
10分までに検出されるガスはガスクロマトグラフィー質
量分析から脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、メタノールなどのアルコール、アセト
ンなどの成分であることを確認した。
（２）成形品から発生するCl系、SO2系の腐食ガスの程
度： 上記の芳香族ポリスルフォン成形材料からなるチップ
6gを精秤し、20ccバイアル瓶にいれ、エメリー紙、Al2O
3ペーストで順次研摩後、洗浄した約8mm角のAg板を該チ
ップ上にのせ、ポリテトラフルオロエチレンからなるパ
ッキンでシール後、150℃に設定した熱風循環乾燥機の
中で120時間加熱後、Ag板を取り出し、ESCAスペクロメ
ーターSSX−100（SSI社製）を用いて、Ag3d5/2ピークに
対するCl2Pピークの比（Cl/Ag）、およびAg3d5/2ピーク
に対するS2Pピークの比（S/Ag）を求め、Cl系、SO2系ガ
スによるAg板の腐食の程度を判定した。なお芳香族ポリ
スルフォン成形材料のチップを入れなかった場合、すな
わち、Ag板のみのテストではCl/Ag、S/Agの値はそれぞ
れ0.03、0.00であり、この値が大きいほど該腐食性ガス
の発生が大きいことを表わす。
度： 上記の芳香族ポリスルフォン成形材料からなるチップ
6gを精秤し、20ccバイアル瓶にいれ、エメリー紙、Al2O
3ペーストで順次研摩後、洗浄した約8mm角のAg板を該チ
ップ上にのせ、ポリテトラフルオロエチレンからなるパ
ッキンでシール後、150℃に設定した熱風循環乾燥機の
中で120時間加熱後、Ag板を取り出し、ESCAスペクロメ
ーターSSX−100（SSI社製）を用いて、Ag3d5/2ピークに
対するCl2Pピークの比（Cl/Ag）、およびAg3d5/2ピーク
に対するS2Pピークの比（S/Ag）を求め、Cl系、SO2系ガ
スによるAg板の腐食の程度を判定した。なお芳香族ポリ
スルフォン成形材料のチップを入れなかった場合、すな
わち、Ag板のみのテストではCl/Ag、S/Agの値はそれぞ
れ0.03、0.00であり、この値が大きいほど該腐食性ガス
の発生が大きいことを表わす。
（３）引張強度、加熱変形温度： 本発明の芳香族ポリスルフォン成形材料をシリンダー
温度340〜350℃、金型温度130℃で、ASTM4号ダンベルお
よび長さ127mm、幅12.7mm、厚み6.4mmの試験片を成形
し、それぞれASTM Ｄ−638、ASTM D648に準拠して測
定した。
温度340〜350℃、金型温度130℃で、ASTM4号ダンベルお
よび長さ127mm、幅12.7mm、厚み6.4mmの試験片を成形
し、それぞれASTM Ｄ−638、ASTM D648に準拠して測
定した。
実施例１〜８、比較例１〜５ 芳香族ポリスルフォン樹脂パウダー（ICI社製3600P）
100重量部、ガラス繊維（旭ファイバーグラス社製MAPX
1）25重量部およびMg４・５Al2（OH）13CO3の構造を有
するハイドロタルサイトDHT−4A−２（協和化学工業
（株）製）もしくはNa2O・Al2O3・3SiO2・mH2Oの構造を
有するゼオライト（伴井化学製）を表１に示す組成でヘ
ンシェルミキサーで混合後、二軸押出機（池見鉄工製PC
M−30）を用いて、シリンダー温度330〜350℃で造粒
し、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料を得た。同様に
して、ハイドロタルサイト類、ゼオライト類を含まない
芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）を得
た。
100重量部、ガラス繊維（旭ファイバーグラス社製MAPX
1）25重量部およびMg４・５Al2（OH）13CO3の構造を有
するハイドロタルサイトDHT−4A−２（協和化学工業
（株）製）もしくはNa2O・Al2O3・3SiO2・mH2Oの構造を
有するゼオライト（伴井化学製）を表１に示す組成でヘ
ンシェルミキサーで混合後、二軸押出機（池見鉄工製PC
M−30）を用いて、シリンダー温度330〜350℃で造粒
し、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料を得た。同様に
して、ハイドロタルサイト類、ゼオライト類を含まない
芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）を得
た。
これらの成形材料を上記の方法により射出成形し、成
形品から発生する低沸点ガスの相対量、成形品から発生
するCl系、SO2系の腐食ガスの程度、引張強度、加熱変
形温度について測定した。結果を表１に示す。本発明の
ハイドロタルサイト類もしくはゼオライト類を含む芳香
族ポリスルフォン樹脂成形材料（実施例１〜８）は、ハ
イドロタルサイト類もしくはゼオライト類を含まない芳
香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）に比べ、
成形品から発生する低沸点ガスの相対量および腐食ガス
の程度を表わすCl/Ag、S/Agの値は極めて低い。すなわ
ち成形品から発生するガスの相対量が低減されているこ
とが明らかである。これに対して、ハイドロタルサイト
類もしくはゼオライト類の添加量が0.1重量部未満のも
の（比較例２、４）は、成形品から発生するガスの相対
量の低減効果が小さく、ハイドロタルサイト類もしくは
ゼオライト類の添加量が５重量部を越えるもの（比較例
３、５）は、成形品から発生するガスの相対量の低減効
果は、添加量が４重量部のもの（実施例４、８）とほぼ
同じで、引張強度の低下が大きく、加熱変形温度も若干
低下した。
形品から発生する低沸点ガスの相対量、成形品から発生
するCl系、SO2系の腐食ガスの程度、引張強度、加熱変
形温度について測定した。結果を表１に示す。本発明の
ハイドロタルサイト類もしくはゼオライト類を含む芳香
族ポリスルフォン樹脂成形材料（実施例１〜８）は、ハ
イドロタルサイト類もしくはゼオライト類を含まない芳
香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）に比べ、
成形品から発生する低沸点ガスの相対量および腐食ガス
の程度を表わすCl/Ag、S/Agの値は極めて低い。すなわ
ち成形品から発生するガスの相対量が低減されているこ
とが明らかである。これに対して、ハイドロタルサイト
類もしくはゼオライト類の添加量が0.1重量部未満のも
の（比較例２、４）は、成形品から発生するガスの相対
量の低減効果が小さく、ハイドロタルサイト類もしくは
ゼオライト類の添加量が５重量部を越えるもの（比較例
３、５）は、成形品から発生するガスの相対量の低減効
果は、添加量が４重量部のもの（実施例４、８）とほぼ
同じで、引張強度の低下が大きく、加熱変形温度も若干
低下した。
実施例９〜11、比較例６ 実施例１と同様の方法で、芳香族ポリスルフォン樹脂
パウダー（ICI製4100P）100重量部と実施例１、５で用
いたものと同じハイドロタルサイト、ゼオライト、さら
にMg4.5Al2（OH）13CO3・3.5H2Oの構造を有するハイド
ロタルサイトDHT−4A（協和化学工業（株）製）のうち
いずれかを1.0重量部とからなる芳香族ポリスルフォン
成形材料について実施した結果をハイドロタルサイト類
もしくはゼオライト類を含まないもの（比較例６）と比
較し、表２に示した。ハイドロタルサイト類もしくはゼ
オライト類を含む本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂成
形材料の成形品から発生するガスの相対量は著しく低減
されている。
パウダー（ICI製4100P）100重量部と実施例１、５で用
いたものと同じハイドロタルサイト、ゼオライト、さら
にMg4.5Al2（OH）13CO3・3.5H2Oの構造を有するハイド
ロタルサイトDHT−4A（協和化学工業（株）製）のうち
いずれかを1.0重量部とからなる芳香族ポリスルフォン
成形材料について実施した結果をハイドロタルサイト類
もしくはゼオライト類を含まないもの（比較例６）と比
較し、表２に示した。ハイドロタルサイト類もしくはゼ
オライト類を含む本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂成
形材料の成形品から発生するガスの相対量は著しく低減
されている。
〔発明の効果〕 本発明の芳香族ポリルフォン樹脂成形材料は、成形品
から発生する低沸点ガスおよび腐食性ガスの相対量が少
なく、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料のもつ本来の
機械的強度、耐熱性を有し、リレー部品として極めて有
用なものである。
から発生する低沸点ガスおよび腐食性ガスの相対量が少
なく、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料のもつ本来の
機械的強度、耐熱性を有し、リレー部品として極めて有
用なものである。
Claims (1)
- 【請求項１】芳香族ポリスルフォン樹脂100重量部に対
してハイドロタルサイト類および／またはゼオライト類
を0.1〜５重量部添加してなる（ただし、ハロゲン系難
燃剤を含有しない）ことを特徴とする芳香族ポリスルフ
ォン樹脂成形材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014635A JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
| EP19900300703 EP0380303B1 (en) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | Aromatic polysulfone resin composition |
| DE1990633319 DE69033319T2 (de) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | Zusammensetzung von aromatischem Polysulfonharz |
| US07/731,357 US5268409A (en) | 1989-01-23 | 1991-07-15 | Aromatic polysulfone resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014635A JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194056A JPH02194056A (ja) | 1990-07-31 |
| JP2679205B2 true JP2679205B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=11866656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014635A Expired - Fee Related JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0380303B1 (ja) |
| JP (1) | JP2679205B2 (ja) |
| DE (1) | DE69033319T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB9020649D0 (en) * | 1990-09-21 | 1990-10-31 | Advanced Composites Group Ltd | Modelling materials and processes |
| JPH08217976A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | 芳香族ポリサルホン樹脂組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4529769A (en) * | 1983-12-06 | 1985-07-16 | Phillips Petroleum Company | Poly(arylene sulfide) composition, molding method and article of manufacture |
| JPH01182366A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-20 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1014635A patent/JP2679205B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-23 DE DE1990633319 patent/DE69033319T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-23 EP EP19900300703 patent/EP0380303B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69033319D1 (de) | 1999-11-18 |
| EP0380303B1 (en) | 1999-10-13 |
| JPH02194056A (ja) | 1990-07-31 |
| EP0380303A1 (en) | 1990-08-01 |
| DE69033319T2 (de) | 2000-04-13 |
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