JP2674191B2 - ハイブリッドｉｃ基板用封止材料 - Google Patents
ハイブリッドｉｃ基板用封止材料Info
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- JP2674191B2 JP2674191B2 JP1063196A JP6319689A JP2674191B2 JP 2674191 B2 JP2674191 B2 JP 2674191B2 JP 1063196 A JP1063196 A JP 1063196A JP 6319689 A JP6319689 A JP 6319689A JP 2674191 B2 JP2674191 B2 JP 2674191B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特定のポリエステルからなるハイブリッド
IC基板用封止材料に関するものである。詳しくは、本発
明は特定成分からなり、特定の溶融粘度を有する、射出
成形法によりハイブリッドIC基板を封止するのに適した
封止材料に関するものである。
IC基板用封止材料に関するものである。詳しくは、本発
明は特定成分からなり、特定の溶融粘度を有する、射出
成形法によりハイブリッドIC基板を封止するのに適した
封止材料に関するものである。
〔従来の技術〕 現在ハイブリッドIC基板の90％以上は、封止材料とし
てフェノール系樹脂あるいはエポキシ系樹脂等の熱硬化
性樹脂を使用している。かかる熱硬化性樹脂は、セラミ
ックあるいは金属との接着性が良好であり、耐熱性、耐
薬品性も良好であるので封止材料としては優れた性能を
もっているが、硬化時間が長いこと、あるいは硬化過程
における体積変化が大きく又線膨張係数も大きいことな
どより、そのままではLSIあるいはセラミック基板との
膨張率差が大きくなり、ヒートサイクル等の試験により
樹脂内部に歪みが発生し、導通部の断裂等のトラブルが
発生する。
てフェノール系樹脂あるいはエポキシ系樹脂等の熱硬化
性樹脂を使用している。かかる熱硬化性樹脂は、セラミ
ックあるいは金属との接着性が良好であり、耐熱性、耐
薬品性も良好であるので封止材料としては優れた性能を
もっているが、硬化時間が長いこと、あるいは硬化過程
における体積変化が大きく又線膨張係数も大きいことな
どより、そのままではLSIあるいはセラミック基板との
膨張率差が大きくなり、ヒートサイクル等の試験により
樹脂内部に歪みが発生し、導通部の断裂等のトラブルが
発生する。
かかる問題を解決するために、ガラスビーズ等を混入
することにより線膨張係数を下げたり、エラストマーを
混合することにより樹脂内部に発生する歪みを低減させ
たりするなどの様々な技術的工夫がなされてきたが、そ
の封止材料としての性能には限界があると考えられてい
る。
することにより線膨張係数を下げたり、エラストマーを
混合することにより樹脂内部に発生する歪みを低減させ
たりするなどの様々な技術的工夫がなされてきたが、そ
の封止材料としての性能には限界があると考えられてい
る。
また封止加工技術について言えば、例えばトランスフ
ァー成形法あるいは粉体コーティング法等が開発されて
いるが、かかる技術はいずれも熱硬化性樹脂を用いるも
のであり、それ故硬化時間が長いこと、原料樹脂を保存
している間の変質、成形時間が長いこと等の熱硬化性樹
脂特有の問題点がある。従って、量産化の面から言え
ば、膨大な需要をまかなうためには過大な投資が必要で
あり、コストが上昇するという問題点を有していた。
ァー成形法あるいは粉体コーティング法等が開発されて
いるが、かかる技術はいずれも熱硬化性樹脂を用いるも
のであり、それ故硬化時間が長いこと、原料樹脂を保存
している間の変質、成形時間が長いこと等の熱硬化性樹
脂特有の問題点がある。従って、量産化の面から言え
ば、膨大な需要をまかなうためには過大な投資が必要で
あり、コストが上昇するという問題点を有していた。
一方、熱可塑性樹脂は、溶融状態から適当な温度に冷
却された金型に射出することにより瞬時に所望の形状の
成形品を得ることができるので、このような射出成形法
を利用して、ハイブリッドIC基板を封止する試みが従来
より数多くなされてきた。
却された金型に射出することにより瞬時に所望の形状の
成形品を得ることができるので、このような射出成形法
を利用して、ハイブリッドIC基板を封止する試みが従来
より数多くなされてきた。
しかしながら、かかる射出成形法では以下のような重
大な問題点が存在するため、実用の技術レベルにまで到
達しえなかった。即ち、射出成形法で使用される熱可塑
性樹脂の粘度は、熱硬化性樹脂の未硬化状態における粘
度に比較してはるかに大きく、100倍あるいは1000倍に
も達する。かかる高粘度の樹脂は、組み立てられたハイ
ブリッドIC基板の表面を流れるときに、その基板表面に
実装された部品あるいは配線されたワイヤー等を横から
押すことになり、その実装位置をずらしてしまう。ま
た、溶融樹脂の流れる力は、組み立てられたハイブリッ
ド基板にたわみ等の変形を生じさせるのみならず、基板
自体を破壊してしまうこともありうる。また基板の微小
なたわみは、その表面にスクリーン印刷等で作成された
導通回路に微小なクラックを発生せしめ、導通不良の原
因となる。
大な問題点が存在するため、実用の技術レベルにまで到
達しえなかった。即ち、射出成形法で使用される熱可塑
性樹脂の粘度は、熱硬化性樹脂の未硬化状態における粘
度に比較してはるかに大きく、100倍あるいは1000倍に
も達する。かかる高粘度の樹脂は、組み立てられたハイ
ブリッドIC基板の表面を流れるときに、その基板表面に
実装された部品あるいは配線されたワイヤー等を横から
押すことになり、その実装位置をずらしてしまう。ま
た、溶融樹脂の流れる力は、組み立てられたハイブリッ
ド基板にたわみ等の変形を生じさせるのみならず、基板
自体を破壊してしまうこともありうる。また基板の微小
なたわみは、その表面にスクリーン印刷等で作成された
導通回路に微小なクラックを発生せしめ、導通不良の原
因となる。
また、一般的にハイブリッドIC基板の導通部の接続は
ハンダによって行われるが、この時もハンダペースト等
の低温ハンダ（融解温度190〜220℃）が使用されること
が多いので、封止材料として用いられる樹脂は、その溶
融状態における温度がこのような低温ハンダの融解温度
より更に低い必要がある。この場合、フェノール樹脂の
コーティングあるいはポリイミドフィルム等の保護膜を
付けて熱の伝導をある程度少なくすることにより、ハン
ダの再融解を防ぐことはできるものの、それでも樹脂の
温度が240℃をこえるとやはりハンダを破壊してしまう
という問題があった。
ハンダによって行われるが、この時もハンダペースト等
の低温ハンダ（融解温度190〜220℃）が使用されること
が多いので、封止材料として用いられる樹脂は、その溶
融状態における温度がこのような低温ハンダの融解温度
より更に低い必要がある。この場合、フェノール樹脂の
コーティングあるいはポリイミドフィルム等の保護膜を
付けて熱の伝導をある程度少なくすることにより、ハン
ダの再融解を防ぐことはできるものの、それでも樹脂の
温度が240℃をこえるとやはりハンダを破壊してしまう
という問題があった。
かかる問題点に対して本発明者等は各種の熱可塑性樹
脂について検討した結果、射出圧力が100kg/cm2を越え
ない条件で射出成形することができれば、流動樹脂によ
るハイブリッド基板表面の実装部品を傷つけることもな
く、また基板の破壊、たわみによる導通不良も発生しな
いことを発見した。
脂について検討した結果、射出圧力が100kg/cm2を越え
ない条件で射出成形することができれば、流動樹脂によ
るハイブリッド基板表面の実装部品を傷つけることもな
く、また基板の破壊、たわみによる導通不良も発生しな
いことを発見した。
従って、240℃樹脂温度で射出圧力100kg/cm2で射出成
形することができる熱可塑性樹脂について種々検討した
ところ、結晶性ポリマーの場合は射出圧力が異常に低い
ためヒケが大きくなり、外観が極めて不良であることを
認めた。ヒケを改良するために無機充填剤を混入すれば
流動性が低下し、目標とする射出圧力が100kg/cm2では
ショートショットになってしまい、事実上使用可能な樹
脂群を選定することができなかった。一方非晶性ポリマ
ーは、射出圧力を低くしてもヒケの発生程度は比較的少
ないものの樹脂の溶融粘度は結晶性ポリマーよりも一般
的に高く、240℃で射出圧力100kg/cm2より低い条件で成
形できるように重合度を下げて溶融粘度を低下せしめる
ことができるものの、トリクレン系有機溶剤あるいは酸
アルカリ等の水溶液の耐薬品性テストにおいてすべから
く亀裂、クラックが発生してしまい使用可能な樹脂群を
選択することができなかった。
形することができる熱可塑性樹脂について種々検討した
ところ、結晶性ポリマーの場合は射出圧力が異常に低い
ためヒケが大きくなり、外観が極めて不良であることを
認めた。ヒケを改良するために無機充填剤を混入すれば
流動性が低下し、目標とする射出圧力が100kg/cm2では
ショートショットになってしまい、事実上使用可能な樹
脂群を選定することができなかった。一方非晶性ポリマ
ーは、射出圧力を低くしてもヒケの発生程度は比較的少
ないものの樹脂の溶融粘度は結晶性ポリマーよりも一般
的に高く、240℃で射出圧力100kg/cm2より低い条件で成
形できるように重合度を下げて溶融粘度を低下せしめる
ことができるものの、トリクレン系有機溶剤あるいは酸
アルカリ等の水溶液の耐薬品性テストにおいてすべから
く亀裂、クラックが発生してしまい使用可能な樹脂群を
選択することができなかった。
本発明者等は、かかる問題点に鑑み鋭意検討した結
果、溶融時に光学異方性を示すいわゆる液晶性ポリエス
テルのうち特定のものを使用すれば上記問題点を解決し
得ることを見いだし、本発明に到達した。
果、溶融時に光学異方性を示すいわゆる液晶性ポリエス
テルのうち特定のものを使用すれば上記問題点を解決し
得ることを見いだし、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は、溶融状態において光学異方性
を示す、ポリエチレンテレフタレート残基／パラヒドロ
キシ安息香酸残基の割合が60/40〜15/85であるポリエス
テルからなり、かつ樹脂温度240℃、剪断速度1000sec-1
にて測定した時の溶融粘度が5000ポイズ以下である、射
出成形法による封止に適したハイブリッドIC基板用封止
材料、に存する。
を示す、ポリエチレンテレフタレート残基／パラヒドロ
キシ安息香酸残基の割合が60/40〜15/85であるポリエス
テルからなり、かつ樹脂温度240℃、剪断速度1000sec-1
にて測定した時の溶融粘度が5000ポイズ以下である、射
出成形法による封止に適したハイブリッドIC基板用封止
材料、に存する。
以下に、本発明を更に詳細に説明する。
上述したような成形条件で十分射出成形することが可
能な封止材料とは、溶融状態において光学異方性を示
す、ポリエチレンテレフタレート残基／パラヒドロキシ
安息香酸残基の割合が60/40〜15/85である液晶ポリエス
テルからなるものであり、かつその溶融粘度は240℃で
測定して剪断速度1000sec-1における見かけの粘度が500
0ポイズ以下、好ましくは5000〜500ポイズである。5000
ポイズより大きいと射出圧力を高くせざるを得ず、セラ
ミック基板のタワミ等による回路の断線が発生するので
好ましくなく、また500ポイズ以下では重合度が低下し
過ぎるため、樹脂の製造工程において重合槽から抜きだ
してペレット化する時に樹脂同志が付着する等のトラブ
ルが生じるのみならず、力学強度、耐薬品性も大幅に低
下し、実用に供することができない。
能な封止材料とは、溶融状態において光学異方性を示
す、ポリエチレンテレフタレート残基／パラヒドロキシ
安息香酸残基の割合が60/40〜15/85である液晶ポリエス
テルからなるものであり、かつその溶融粘度は240℃で
測定して剪断速度1000sec-1における見かけの粘度が500
0ポイズ以下、好ましくは5000〜500ポイズである。5000
ポイズより大きいと射出圧力を高くせざるを得ず、セラ
ミック基板のタワミ等による回路の断線が発生するので
好ましくなく、また500ポイズ以下では重合度が低下し
過ぎるため、樹脂の製造工程において重合槽から抜きだ
してペレット化する時に樹脂同志が付着する等のトラブ
ルが生じるのみならず、力学強度、耐薬品性も大幅に低
下し、実用に供することができない。
ポリエチレンテレフタレート残基／パラヒドロキシ安
息香酸残基の割合が60/40より大きいと液晶性が低下
し、粘度が急激に増加するばかりでなく、ポリエチレン
テレフタレート成分の結晶化が進行するためにヒケも大
きくなり好ましくない。15/85より小さいと粘度が急激
に上昇するため、本発明の条件を満たすために大幅に重
合度を低下させると極めて脆くなるので、好ましくな
い。
息香酸残基の割合が60/40より大きいと液晶性が低下
し、粘度が急激に増加するばかりでなく、ポリエチレン
テレフタレート成分の結晶化が進行するためにヒケも大
きくなり好ましくない。15/85より小さいと粘度が急激
に上昇するため、本発明の条件を満たすために大幅に重
合度を低下させると極めて脆くなるので、好ましくな
い。
かかる共重合ポリエステルにおいては、ポリエチレン
テレフタレート残基とパラヒドロキシ安息香酸残基以外
に第三成分が共重合されていてもよい。
テレフタレート残基とパラヒドロキシ安息香酸残基以外
に第三成分が共重合されていてもよい。
また、本発明における封止材料には、線膨張係数ある
いは熱伝導率当等を低下させることを目的として、上記
粘度条件を満足するかぎりにおいて、ガラス繊維、ガラ
スビーズ、雲母その他通常使用される無機系充填剤ある
いは他種ポリマーを含んでいてもよい。
いは熱伝導率当等を低下させることを目的として、上記
粘度条件を満足するかぎりにおいて、ガラス繊維、ガラ
スビーズ、雲母その他通常使用される無機系充填剤ある
いは他種ポリマーを含んでいてもよい。
以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明する
が、本発明はその要旨を逸脱しない限り、これら実施例
のみに限定されるものではない。
が、本発明はその要旨を逸脱しない限り、これら実施例
のみに限定されるものではない。
実施例１〜８ 表１に示す種類の液晶ポリエステル樹脂及び無機系充
填剤を表１に示す配合比にて混合して、表１に示すよう
な溶融粘度を有する封止材料を得た。ここで溶融粘度と
は、測定温度240℃、剪断速度1000sec-1における見かけ
の粘度である。
填剤を表１に示す配合比にて混合して、表１に示すよう
な溶融粘度を有する封止材料を得た。ここで溶融粘度と
は、測定温度240℃、剪断速度1000sec-1における見かけ
の粘度である。
得られた封止材料を使用して、第１図に示す様なハイ
ブリッドIC基板を、樹脂温度240℃、射出圧力100kg/cm2
で射出成形することにより、封止した。使用した射出成
形機は住友重機（株）製のネスタール サイキャップＭ
型である。
ブリッドIC基板を、樹脂温度240℃、射出圧力100kg/cm2
で射出成形することにより、封止した。使用した射出成
形機は住友重機（株）製のネスタール サイキャップＭ
型である。
尚、表１において、用いられる液晶ポリエステル樹脂
は以下の通りである。
は以下の通りである。
A;ポリエチレンテレフタレート残基：パラヒドロキシ安 息香酸残基＝20:80（重量比）である共重合ポリエス テル（三菱化成（株）製、商品名:Novaccurate E−32 ２） B;ポリエチレンテレフタレート残基：パラヒドロキシ安 息香酸残基＝50:50（重量比）である共重合ポリエス テル（三菱化成（株）製、商品名:Novaccurate E−31 １） 得られたハイブリッドIC基板の外観及び封止された内部
の基板部について、目視により検査した結果、いずれも
ショートショットやヒケがなく外観良好であり、またセ
ラミック基板の破壊もハンダ部分の再融解も認められな
かった。
の基板部について、目視により検査した結果、いずれも
ショートショットやヒケがなく外観良好であり、またセ
ラミック基板の破壊もハンダ部分の再融解も認められな
かった。
比較例１ 液晶ポリエステル樹脂の代わりに、結晶性樹脂として
ガラス繊維が10重量％充填されたポリブチレンテレフタ
レート樹脂（溶融粘度3500ポイズ）を使用した以外は、
実施例１〜８と同様の条件でハイブリッドIC基板を射出
成形によって封止した。射出圧力はかろうじて100kg/cm
2で成形することができたが、ヒケが大きく商品価値は
認められなかった。
ガラス繊維が10重量％充填されたポリブチレンテレフタ
レート樹脂（溶融粘度3500ポイズ）を使用した以外は、
実施例１〜８と同様の条件でハイブリッドIC基板を射出
成形によって封止した。射出圧力はかろうじて100kg/cm
2で成形することができたが、ヒケが大きく商品価値は
認められなかった。
比較例２ ポリプラスチック社より販売されている液晶ポリマー
（商品名：ベクトラ Ａ−130、溶融粘度7000ポイズ）
を使用して、実施例と同様な条件でハイブリッドIC基板
を射出成形によって封止した。この時、樹脂圧力は100k
g/cm2ではショートショットになってしまった。そこで
完全に封止できる条件まで射出圧力を上げて封止したと
ころ、樹脂内部のハイブリッドIC基板のセラミック部が
破損してしまった。
（商品名：ベクトラ Ａ−130、溶融粘度7000ポイズ）
を使用して、実施例と同様な条件でハイブリッドIC基板
を射出成形によって封止した。この時、樹脂圧力は100k
g/cm2ではショートショットになってしまった。そこで
完全に封止できる条件まで射出圧力を上げて封止したと
ころ、樹脂内部のハイブリッドIC基板のセラミック部が
破損してしまった。
比較例３ ポリエチレンテレフタレート残基：パラヒドロキシ安
息香酸残基＝72:28（重量比）である共重合ポリエステ
ル（試作品、溶融粘度980ポイズ）を使用して、実施例
１と同様な条件でハイブリッドIC基板を射出成形によっ
て封止した。成形体は、ヒケが大きいばかりでなく、バ
リも発生して商品価値は認められなかった。
息香酸残基＝72:28（重量比）である共重合ポリエステ
ル（試作品、溶融粘度980ポイズ）を使用して、実施例
１と同様な条件でハイブリッドIC基板を射出成形によっ
て封止した。成形体は、ヒケが大きいばかりでなく、バ
リも発生して商品価値は認められなかった。
比較例４ ポリエチレンテレフタレート残基：パラヒドロキシ安
息香酸残基＝11:89（重量比）である共重合ポリエステ
ル（試作品、溶融粘度6000ポイズ）を使用して、実施例
１と同様な条件でハイブリッドIC基板を射出成形によっ
て封止した。この時、樹脂圧力が100kg/cm2ではショー
トショットになってしまい、また、完全に封止できる射
出圧力では樹脂内部のハイブリッドIC基板のセラミック
部が破損してしまった。
息香酸残基＝11:89（重量比）である共重合ポリエステ
ル（試作品、溶融粘度6000ポイズ）を使用して、実施例
１と同様な条件でハイブリッドIC基板を射出成形によっ
て封止した。この時、樹脂圧力が100kg/cm2ではショー
トショットになってしまい、また、完全に封止できる射
出圧力では樹脂内部のハイブリッドIC基板のセラミック
部が破損してしまった。
本発明のハイブリッドIC基板用封止材料を用いれば、
射出成形法を用いて封止することが可能となり、経済的
にも有利であり、耐熱性がよく、また外観も良好な基板
を得ることができる。
射出成形法を用いて封止することが可能となり、経済的
にも有利であり、耐熱性がよく、また外観も良好な基板
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の実施例で使用したテスト用ハイブリ
ッドIC基板の図である。 図中、１はLSI、２はチップ部品、３はセラミック基
板、４はリフローによるハンダ接続部、５は導電ペース
トにより作成した回路、６はリードフレームを示す。
ッドIC基板の図である。 図中、１はLSI、２はチップ部品、３はセラミック基
板、４はリフローによるハンダ接続部、５は導電ペース
トにより作成した回路、６はリードフレームを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】溶融状態において光学異方性を示す、ポリ
エチレンテレフタレート残基／パラヒドロキシ安息香酸
残基の割合が60/40〜15/85であるポリエステルからな
り、かつ樹脂温度が240℃、剪断速度1000sec-1にて測定
した時の溶融粘度が5000ポイズ以下である、射出成形法
による封止に適したハイブリッドIC基板用封止材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063196A JP2674191B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ハイブリッドｉｃ基板用封止材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063196A JP2674191B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ハイブリッドｉｃ基板用封止材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241083A JPH02241083A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2674191B2 true JP2674191B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=13222224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1063196A Expired - Lifetime JP2674191B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | ハイブリッドｉｃ基板用封止材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674191B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2544731B2 (ja) * | 1987-01-05 | 1996-10-16 | 株式会社クラレ | 全芳香族ポリエステル |
| US4746566A (en) * | 1987-05-06 | 1988-05-24 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Optically anisotropic melt forming aromatic copolyesters based on t-butyl-4-hydroxybenzoic acid |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1063196A patent/JP2674191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02241083A (ja) | 1990-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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