JP2672132B2 - ダイヤモンドの結晶を生産する方法 - Google Patents
ダイヤモンドの結晶を生産する方法Info
- Publication number
- JP2672132B2 JP2672132B2 JP63323173A JP32317388A JP2672132B2 JP 2672132 B2 JP2672132 B2 JP 2672132B2 JP 63323173 A JP63323173 A JP 63323173A JP 32317388 A JP32317388 A JP 32317388A JP 2672132 B2 JP2672132 B2 JP 2672132B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- seed material
- temperature
- crystals
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/061—Graphite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/062—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Medicines Containing Plant Substances (AREA)
- Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ．発明の背景 本発明はダイヤモンドの合成に係る。
高圧／高温技術を使用するダイヤモンドの合成方法
は、商業的に極めて良好に確立されている。この方法は
好適な触媒／溶剤の存在下における炭素相ダイヤグラム
即ち炭素相状態図のダイヤモンド安定領域内の温度及び
圧力に炭素給源を露出する過程を含む。ダイヤモンドの
合成において役立つ触媒／溶剤は周知されており、それ
らは周期表の第８群の金属を含む。
は、商業的に極めて良好に確立されている。この方法は
好適な触媒／溶剤の存在下における炭素相ダイヤグラム
即ち炭素相状態図のダイヤモンド安定領域内の温度及び
圧力に炭素給源を露出する過程を含む。ダイヤモンドの
合成において役立つ触媒／溶剤は周知されており、それ
らは周期表の第８群の金属を含む。
ダイヤモンドを合成するための最も商業的な方法は、
小さいまたは比較的小さい粒子を生産するが、極めてよ
り大きいダイヤモンドを生産するいくつかの方法が知ら
れている。これら方法は一般的に、ダイヤモンドの合成
の間にダイヤモンド種材料と炭素給源との間に規定温度
勾配が生じるように金属触媒／溶剤の一集団によつでダ
イヤモンド種材料が実質的に純粋な炭素の給源から分離
される反応容器内でダイヤモンドを生産する過程を必然
的に含む。ダイヤモンド種材料は反応触質の温度が最低
に近い点に配置され、一方、炭素の給源は温度がその最
高に近い点に配置される。ダイヤモンド結晶核生成抑止
層及び／または隔離材料が、金属触媒／溶剤の集団とダ
イヤモンド種材料との間に配置される。この点に関して
は、例解のため、米国特許明細書第4340576号、第40733
80号、第4034066号、第4301134号、第3297407号、第432
2396号及び第4287168号の開示が参照される。
小さいまたは比較的小さい粒子を生産するが、極めてよ
り大きいダイヤモンドを生産するいくつかの方法が知ら
れている。これら方法は一般的に、ダイヤモンドの合成
の間にダイヤモンド種材料と炭素給源との間に規定温度
勾配が生じるように金属触媒／溶剤の一集団によつでダ
イヤモンド種材料が実質的に純粋な炭素の給源から分離
される反応容器内でダイヤモンドを生産する過程を必然
的に含む。ダイヤモンド種材料は反応触質の温度が最低
に近い点に配置され、一方、炭素の給源は温度がその最
高に近い点に配置される。ダイヤモンド結晶核生成抑止
層及び／または隔離材料が、金属触媒／溶剤の集団とダ
イヤモンド種材料との間に配置される。この点に関して
は、例解のため、米国特許明細書第4340576号、第40733
80号、第4034066号、第4301134号、第3297407号、第432
2396号及び第4287168号の開示が参照される。
ロ．発明の摘要 本発明に従えば、ダイヤモンドの結晶を生産する方法
において、該方法が高温／高圧装置の反応ゾーンに反応
容器を配置する過程を有し、前記反応容器内にダイヤモ
ンド合成のための金属触媒／溶剤の集団によつて実質的
に純粋の炭素の給源から分離された四面体結合結晶性非
ダイヤモンド種材料のみから成る種材料が収容され、前
記種材料と金属触媒／溶剤の集団との間に隔離層または
結晶核生成抑止層が配置されず、そして前記非ダイヤモ
ンド種材料が金属触媒／溶剤に対してはいかなる有意味
的な程度にも反応せずそして適用温度及び圧力条件下で
金属触媒／溶剤の融点よりも高い融点を有するとと、さ
らに前記方法が、前記種材料と炭素給源との間に温度勾
配が生起されて種材料が前記温度勾配の最小温度値に近
い点に位置され、一方、炭素給源が前記温度勾配の最大
温度値に近い点に位置されるように炭素相ダイヤグラム
のダイヤモンド安定領域内の温度及び圧力条件に反応容
器の内容物をさらす過程と、これら温度及び圧力条件を
種材料上に大型のダイヤモンド結晶を生じさせるのに十
分な時間にわたつて維持する過程とを有することを特徴
とするダイヤモンドの結晶を生産する方法が提供され
る。
において、該方法が高温／高圧装置の反応ゾーンに反応
容器を配置する過程を有し、前記反応容器内にダイヤモ
ンド合成のための金属触媒／溶剤の集団によつて実質的
に純粋の炭素の給源から分離された四面体結合結晶性非
ダイヤモンド種材料のみから成る種材料が収容され、前
記種材料と金属触媒／溶剤の集団との間に隔離層または
結晶核生成抑止層が配置されず、そして前記非ダイヤモ
ンド種材料が金属触媒／溶剤に対してはいかなる有意味
的な程度にも反応せずそして適用温度及び圧力条件下で
金属触媒／溶剤の融点よりも高い融点を有するとと、さ
らに前記方法が、前記種材料と炭素給源との間に温度勾
配が生起されて種材料が前記温度勾配の最小温度値に近
い点に位置され、一方、炭素給源が前記温度勾配の最大
温度値に近い点に位置されるように炭素相ダイヤグラム
のダイヤモンド安定領域内の温度及び圧力条件に反応容
器の内容物をさらす過程と、これら温度及び圧力条件を
種材料上に大型のダイヤモンド結晶を生じさせるのに十
分な時間にわたつて維持する過程とを有することを特徴
とするダイヤモンドの結晶を生産する方法が提供され
る。
ハ．発明の細部にわたる説明 本発明の利点の一つは、隔離層または結晶核生成抑止
層が反応容器内に存在することなしにダイヤモンドが成
長することである。ダイヤモンド種材料は金属触媒／溶
剤が炭素給源からの炭素によつて飽和されつつある時間
中に前記金属触媒／溶剤中に溶解しない。このことは大
型ダイヤモンド粒子の生産においてその工程を著しく簡
単化するとともに、その経済性を向上させる。
層が反応容器内に存在することなしにダイヤモンドが成
長することである。ダイヤモンド種材料は金属触媒／溶
剤が炭素給源からの炭素によつて飽和されつつある時間
中に前記金属触媒／溶剤中に溶解しない。このことは大
型ダイヤモンド粒子の生産においてその工程を著しく簡
単化するとともに、その経済性を向上させる。
非ダイヤモンド種材料は閃亜鉛鉱またはウルツ鉱組織
であることが望ましい。
であることが望ましい。
種として使用され得る前記閃亜鉛鉱組織材料は、ダイ
ヤモンドの格子パラメータに近似する格子パラメータを
有する材料例えば立方晶系窒化硼素、β−炭化珪素、燐
化硼素及び燐化アルミニウムである。
ヤモンドの格子パラメータに近似する格子パラメータを
有する材料例えば立方晶系窒化硼素、β−炭化珪素、燐
化硼素及び燐化アルミニウムである。
種として使用され得る前記ウルツ鉱組織材料の例は、
窒化アルミニウム及び窒化硼素である。
窒化アルミニウム及び窒化硼素である。
四面体結合α−炭化珪素もまた特に好適な種材料であ
ることが判明した。
ることが判明した。
種は好ましくは好適な材料例えばワンダーストーンか
ら形成されたパツドの表面内に配置される。
ら形成されたパツドの表面内に配置される。
種材料は独立した結晶であるか、または、大きな塊体
上の結晶もしくは点であり得る。例えば、種材料は複数
の種点が突出している一表面の一部分を形成し得る。種
点のおのおのにおいてダイヤモンドが成長する。
上の結晶もしくは点であり得る。例えば、種材料は複数
の種点が突出している一表面の一部分を形成し得る。種
点のおのおのにおいてダイヤモンドが成長する。
次に本発明の一実施例が添付図面と関連して説明され
る。図面を参照すると、マグネサイトから形成された外
スリーブ10であつてヒータースリーブ12とワンダースト
ーンから成るスリーブ14とを包囲するものを有する反応
容器が示される。前記ヒータースリーブ12とワンダース
トーンから成るスリーブ14は、タンタルから成るスリー
ブ16によつて互いに分離される。軟鋼から成るリング18
が外スリーブ10にその両端の中間において配置されてい
る。リング18はダイヤモンドの合成間前記諸スリーブの
膨張を最小化するのに役立つ。ワンダーストーンから成
る端キヤツプ20が前記スリーブ組立体内に反応容積を画
成するように配設される。
る。図面を参照すると、マグネサイトから形成された外
スリーブ10であつてヒータースリーブ12とワンダースト
ーンから成るスリーブ14とを包囲するものを有する反応
容器が示される。前記ヒータースリーブ12とワンダース
トーンから成るスリーブ14は、タンタルから成るスリー
ブ16によつて互いに分離される。軟鋼から成るリング18
が外スリーブ10にその両端の中間において配置されてい
る。リング18はダイヤモンドの合成間前記諸スリーブの
膨張を最小化するのに役立つ。ワンダーストーンから成
る端キヤツプ20が前記スリーブ組立体内に反応容積を画
成するように配設される。
前記反応容積内にはダイヤモンドの合成に必要な諸材
料が配置される。これら材料は金属触媒／溶剤の二つの
集団22,24を含む。これら集団間には純炭素給源の集団2
6が挟まれて位置する。
料が配置される。これら材料は金属触媒／溶剤の二つの
集団22,24を含む。これら集団間には純炭素給源の集団2
6が挟まれて位置する。
非ダイヤモンド種結晶30がセラミツクパツド34の上面
32内に部分的に埋設される。これら種結晶30は代替的に
前記上面32に形成されるくぼみまたは凹所に配置され得
る。
32内に部分的に埋設される。これら種結晶30は代替的に
前記上面32に形成されるくぼみまたは凹所に配置され得
る。
金属触媒／溶剤は当業者に周知されそして前記米国特
許明細書に詳細に開示される多数の金属または合金の任
意の一つであり得る。
許明細書に詳細に開示される多数の金属または合金の任
意の一つであり得る。
炭素給源は典型的に純黒鉛またはダイヤモンド細粒で
ある。
ある。
使用時、前記反応容器は在来の高圧／高温装置の反応
ゾーン内に配置される。反応ゾーンの圧力が漸増されそ
して、その後、温度が漸増されて反応容積内の諸条件を
炭素相ダイヤグラムのダイヤモンド安定領域内に到達さ
せる。典型的適用圧力は50−70キロバールであり、一
方、典型的適用温度は1450−1650℃である。これら条件
下で、集団24において温度勾配はその最高温度が炭素領
域内に位置し、一方、その最低温度が種結晶領域内に位
置するように形成される。高くされた温度条件及び圧力
条件は相当時間、典型的には24時間またはそれ以上、維
持される。この時間の経過間、炭素給源材料は集団24内
に溶解しそして下方へ拡散する。下方へ拡散する炭素給
源からの炭素分子は最終的に種結晶に到達しそしてこれ
ら種結晶上にダイヤモンドの成長を生起させる。種結晶
は金属触媒／溶剤に対しては何らかの有意味な程度にま
では反応しないから、隔離層または結晶核生成抑止層は
必要でない。生産されるダイタヤモンド結晶の寸法は、
高くされた温度条件及び圧力条件が維持される時間に従
つて異なる。一般的に、生産されるダイヤモンドの寸法
は少なくとも0.2カラツトである。しかし、著しくより
大きい結晶、即ち1mmまたはそれ以上のもの、も非ダイ
ヤモンド種によつて生産され得る。非ダイヤモンド種か
らのダイヤモンド結晶の分離は容易に達成される。
ゾーン内に配置される。反応ゾーンの圧力が漸増されそ
して、その後、温度が漸増されて反応容積内の諸条件を
炭素相ダイヤグラムのダイヤモンド安定領域内に到達さ
せる。典型的適用圧力は50−70キロバールであり、一
方、典型的適用温度は1450−1650℃である。これら条件
下で、集団24において温度勾配はその最高温度が炭素領
域内に位置し、一方、その最低温度が種結晶領域内に位
置するように形成される。高くされた温度条件及び圧力
条件は相当時間、典型的には24時間またはそれ以上、維
持される。この時間の経過間、炭素給源材料は集団24内
に溶解しそして下方へ拡散する。下方へ拡散する炭素給
源からの炭素分子は最終的に種結晶に到達しそしてこれ
ら種結晶上にダイヤモンドの成長を生起させる。種結晶
は金属触媒／溶剤に対しては何らかの有意味な程度にま
では反応しないから、隔離層または結晶核生成抑止層は
必要でない。生産されるダイタヤモンド結晶の寸法は、
高くされた温度条件及び圧力条件が維持される時間に従
つて異なる。一般的に、生産されるダイヤモンドの寸法
は少なくとも0.2カラツトである。しかし、著しくより
大きい結晶、即ち1mmまたはそれ以上のもの、も非ダイ
ヤモンド種によつて生産され得る。非ダイヤモンド種か
らのダイヤモンド結晶の分離は容易に達成される。
次に、本発明の数例について説明する。
例１ 反応容器は前述の様式で用意された。種材料は600−8
00μの範囲の平均寸法を有する良質の立方晶系窒化硼素
であつた。これら種はコバルトの集団24と接触するセラ
ミツクパツド即ちセラミツク製受台に部分的に埋設され
た。これら種は自然に生じる｛111｝個の面が垂直であ
りそして集団24に対して露出されるように定向された。
ダイヤモンド合成温度条件及び圧力条件、即ち1500℃及
び60キロバール、は30時間維持され、そして、この時間
が経過したとき、種はおのおの概ね0.5カラツトの塊体
に達しており、量の増加分はダイヤモンドであつた。ダ
イヤモンド安定領域における時間を42時間に延長するこ
とによつて、結果的に、種材料上において0.9カラツト
のダイヤモンドの成長が達成された。
00μの範囲の平均寸法を有する良質の立方晶系窒化硼素
であつた。これら種はコバルトの集団24と接触するセラ
ミツクパツド即ちセラミツク製受台に部分的に埋設され
た。これら種は自然に生じる｛111｝個の面が垂直であ
りそして集団24に対して露出されるように定向された。
ダイヤモンド合成温度条件及び圧力条件、即ち1500℃及
び60キロバール、は30時間維持され、そして、この時間
が経過したとき、種はおのおの概ね0.5カラツトの塊体
に達しており、量の増加分はダイヤモンドであつた。ダ
イヤモンド安定領域における時間を42時間に延長するこ
とによつて、結果的に、種材料上において0.9カラツト
のダイヤモンドの成長が達成された。
例２ 立方晶系窒化硼素が250−300μの寸法を有したこと
と、ダイヤモンド合成条件が僅かに15時間維持されたこ
ととを除いて、例１において説明された手順に従つた。
種のおのおのにおいてダイヤモンドの成長が生じ、ダイ
ヤモンドの各塊体は概ね0.25カラツトに達した。
と、ダイヤモンド合成条件が僅かに15時間維持されたこ
ととを除いて、例１において説明された手順に従つた。
種のおのおのにおいてダイヤモンドの成長が生じ、ダイ
ヤモンドの各塊体は概ね0.25カラツトに達した。
例３ 使用された種材料が1200−1400μの平均粒子寸法を有
するα炭化珪素の結晶であつたことを除いて、例１にお
いて説明された手順に従つた。種は大きい平坦面が垂直
にされそして金属の集団24と接触するようにしてセラミ
ツクパツド内に位置された。ダイヤモンド合成条件は60
時間維持され、その時間にわたつて、種のおのおのにお
いてダイヤモンドが成長した。種のおのおのにおいて0.
7−0.97カラツトのダイヤンモンドの塊体が成長したこ
とが発見された。α炭化珪素である種結晶の２個は集団
24と接触する面と交差する双晶面を有していたことが注
目された。これら種から成長したダイヤモンドの結晶
は、それら自体、双晶であつた。従つて、意図的に双晶
の種を選ぶことによつて、双晶ダイヤモンドを成長させ
ることが可能である。
するα炭化珪素の結晶であつたことを除いて、例１にお
いて説明された手順に従つた。種は大きい平坦面が垂直
にされそして金属の集団24と接触するようにしてセラミ
ツクパツド内に位置された。ダイヤモンド合成条件は60
時間維持され、その時間にわたつて、種のおのおのにお
いてダイヤモンドが成長した。種のおのおのにおいて0.
7−0.97カラツトのダイヤンモンドの塊体が成長したこ
とが発見された。α炭化珪素である種結晶の２個は集団
24と接触する面と交差する双晶面を有していたことが注
目された。これら種から成長したダイヤモンドの結晶
は、それら自体、双晶であつた。従つて、意図的に双晶
の種を選ぶことによつて、双晶ダイヤモンドを成長させ
ることが可能である。
第１図は本発明の反応容器の一実施例の側面図である。 図面上、10……外スリーブ、12……ヒータースリーブ、
14……スリーブ、16……スリーブ、18……リング、20…
…端キヤツプ、22,24……金属ダイヤモンド触媒／溶剤
の集団、26……純炭素給源の集団、30……種結晶、34…
…セラミツクパツド。
14……スリーブ、16……スリーブ、18……リング、20…
…端キヤツプ、22,24……金属ダイヤモンド触媒／溶剤
の集団、26……純炭素給源の集団、30……種結晶、34…
…セラミツクパツド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スチーブン ガードナー 南アフリカ国トランスバール，ケンプト ン パーク，トレヌアー エクステンシ ョン ８，ストランドローパー ロード １ (56)参考文献 特開 昭60−86014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−215293（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−69211（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−134508（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】ダイヤモンドの結晶を生産する方法におい
て、該方法が高温／高圧装置の反応ゾーンに反応容器を
配置する過程を有し、前記反応器内にダイヤモンド合成
のための金属触媒／溶剤の集団によって実質的に純粋の
炭素の給源から分離された四面体結合結晶性非ダイヤモ
ンド種材料のみから成る種材料が収容され、前記種材料
と金属触媒／溶剤の集団との間に隔離層または結晶核生
成抑止層が配置されず、そして前記非ダイヤモンド種材
料が金属触媒／溶剤に対してはいかなる有意味的な程度
にも反応せずそして適用温度及び圧力条件下で金属触媒
／溶剤の融点よりも高い融点を有することと、さらに前
記方法が、前記種材料と炭素給源との間に温度勾配が生
起され種材料が前記温度勾配の最小温度値に近い点に位
置され、一方、炭素給源が前記温度勾配の最大温度値に
近い点に位置されるように炭素相ダイヤグラムのダイヤ
モンド安定領域内の温度及び圧力条件に前記反応容器の
内容物をさらす過程と、これら温度及び圧力条件を前記
種材料上に大きなダイヤモンドの結晶を生じさせるのに
十分な時間にわたって維持する過程とを有することとを
特徴とするダイヤモンドの結晶を生産する方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料が閃亜鉛鉱組織を有すること
を特徴とするダイヤモンドの結晶を生産する方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料が立方晶系窒化硼素、β−炭
化珪素、燐化硼素及び燐化アルミニウムのうちから選択
されることを特徴とするダイヤモンドの結晶を生産する
方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料がα−炭化珪素であることを
特徴とするダイヤモンドの結晶を生産する方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料がウルツ鉱組織を有すること
を特徴とするダイヤモンドの結晶を生産する方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料が窒化アルミニウム及び窒化
硼素のうちから選択されることを特徴とするダイヤモン
ドの結晶を生産する方法。 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、非ダイヤモンド種材料が反応容器内でパッドの表面
内に配置されることを特徴とするダイヤモンドの結晶を
生産する方法。 - 【請求項８】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、温度及び圧力条件が少なくとも0.2カラットの寸法
を有するダイヤモンド結晶を生産するのに十分な時間に
わたって維持されることを特徴とするダイヤモンドの結
晶を生産する方法。 - 【請求項９】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、温度及び圧力条件が少なくとも1mmの寸法を有する
ダイヤモンド結晶を生産するのに十分な時間にわたって
維持されることを特徴とするダイヤモンドの結晶を生産
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ZA879557 | 1987-12-21 | ||
| ZA87/9557 | 1987-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266840A JPH01266840A (ja) | 1989-10-24 |
| JP2672132B2 true JP2672132B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=25579102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63323173A Expired - Fee Related JP2672132B2 (ja) | 1987-12-21 | 1988-12-21 | ダイヤモンドの結晶を生産する方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0322217B1 (ja) |
| JP (1) | JP2672132B2 (ja) |
| KR (1) | KR960002187B1 (ja) |
| AT (1) | ATE78192T1 (ja) |
| AU (1) | AU614564B2 (ja) |
| CA (1) | CA1330751C (ja) |
| DE (1) | DE3872855T2 (ja) |
| ES (1) | ES2034276T3 (ja) |
| IE (1) | IE61600B1 (ja) |
| ZA (1) | ZA889314B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU647941B2 (en) * | 1991-07-12 | 1994-03-31 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Diamond synthesis |
| ATE248020T1 (de) * | 1995-12-21 | 2003-09-15 | Element Six Pty Ltd | Diamantsynthese |
| US6627168B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-09-30 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method for growing diamond and cubic boron nitride crystals |
| JP2002210350A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-30 | Japan Science & Technology Corp | ダイヤモンド粉末の合成方法 |
| US8454714B2 (en) | 2004-03-01 | 2013-06-04 | Chien-Min Sung | Diamond growth devices and methods |
| WO2006098652A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Obshestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiu 'brilliant Dushi' | Personified grown jewellery diamond and a method for the production thereof |
| US7435296B1 (en) | 2006-04-18 | 2008-10-14 | Chien-Min Sung | Diamond bodies grown on SiC substrates and associated methods |
| GB201204533D0 (en) | 2012-03-15 | 2012-04-25 | Element Six Ltd | Process for manufacturing synthetic single crystal diamond material |
| CN102935346B (zh) * | 2012-11-23 | 2014-07-23 | 山东昌润钻石股份有限公司 | 一种微米级细颗粒金刚石合成工艺 |
| US9476258B2 (en) | 2013-06-25 | 2016-10-25 | Diamond Innovations, Inc. | PDC cutter with chemical addition for enhanced abrasion resistance |
| CN108144554B (zh) * | 2017-12-04 | 2020-06-30 | 郑州中南杰特超硬材料有限公司 | 一种新型金刚石合成柱的制作工艺 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134508A (en) * | 1980-03-23 | 1981-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Synthetic method of diamond |
| JPS6086014A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの合成方法 |
| US4632817A (en) * | 1984-04-04 | 1986-12-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of synthesizing diamond |
| JPS61215293A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの合成方法 |
-
1988
- 1988-12-13 ZA ZA889314A patent/ZA889314B/xx unknown
- 1988-12-14 IE IE373388A patent/IE61600B1/en not_active IP Right Cessation
- 1988-12-19 AU AU27053/88A patent/AU614564B2/en not_active Ceased
- 1988-12-20 CA CA000586426A patent/CA1330751C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-21 DE DE8888312120T patent/DE3872855T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-21 EP EP88312120A patent/EP0322217B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-21 KR KR1019880017105A patent/KR960002187B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-21 JP JP63323173A patent/JP2672132B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-21 ES ES198888312120T patent/ES2034276T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-21 AT AT88312120T patent/ATE78192T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE78192T1 (de) | 1992-08-15 |
| EP0322217B1 (en) | 1992-07-15 |
| DE3872855D1 (en) | 1992-08-20 |
| ZA889314B (en) | 1990-02-28 |
| DE3872855T2 (de) | 1992-12-03 |
| AU2705388A (en) | 1989-06-22 |
| KR890009765A (ko) | 1989-08-03 |
| KR960002187B1 (ko) | 1996-02-13 |
| IE61600B1 (en) | 1994-11-16 |
| IE883733L (en) | 1989-06-21 |
| JPH01266840A (ja) | 1989-10-24 |
| EP0322217A1 (en) | 1989-06-28 |
| CA1330751C (en) | 1994-07-19 |
| ES2034276T3 (es) | 1993-04-01 |
| AU614564B2 (en) | 1991-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5980852A (en) | Diamond synthesis | |
| EP0780153B1 (en) | Diamond synthesis | |
| JP2672132B2 (ja) | ダイヤモンドの結晶を生産する方法 | |
| US6616725B2 (en) | Self-grown monopoly compact grit | |
| KR100503541B1 (ko) | 다이아몬드의 소결방법 및 다이아몬드 성장물 | |
| ATE3247T1 (de) | Verfahren zur herstellung diamanthaltiger hartkoerper zum bohren von gestein. | |
| EP0157393A2 (en) | Method of synthesizing diamond | |
| CA1139111A (en) | Supported diamond | |
| EP0255327B1 (en) | Cubic boron nitride manufacture | |
| EP0197790B1 (en) | Wire drawing die | |
| JPS6348579B2 (ja) | ||
| JP3244128B2 (ja) | 超高圧高温反応法 | |
| JPS5879899A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS61117106A (ja) | 立方晶窒化ホウ素の合成法 | |
| JP3282249B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶の合成方法 | |
| JPS593100A (ja) | 棒状ダイヤモンド単結晶及びその製造法 | |
| JPH0380533B2 (ja) | ||
| JPH04300300A (ja) | 無支持焼結立方晶窒化ホウ素／ダイヤモンド一体結合成形体及びその製造方法 | |
| Davies et al. | Diamond Synthesis | |
| JPH02280826A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |