JP2664919B2 - 放電灯の製造方法 - Google Patents
放電灯の製造方法Info
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- JP2664919B2 JP2664919B2 JP63041611A JP4161188A JP2664919B2 JP 2664919 B2 JP2664919 B2 JP 2664919B2 JP 63041611 A JP63041611 A JP 63041611A JP 4161188 A JP4161188 A JP 4161188A JP 2664919 B2 JP2664919 B2 JP 2664919B2
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- glass
- substrate
- ceramic
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、大型ディスプレイの画素や、液晶ディスプ
レイのバックライトなどに使用される平面発光形の放電
灯の製造方法に関し、詳しくは内面に蛍光膜を有するセ
ラミック基体と透明なガラス基体とを低融点のフリット
ガラスで封着して箱形の放電発光体を形成した放電灯に
おける放電発光体の製造方法に関する。
レイのバックライトなどに使用される平面発光形の放電
灯の製造方法に関し、詳しくは内面に蛍光膜を有するセ
ラミック基体と透明なガラス基体とを低融点のフリット
ガラスで封着して箱形の放電発光体を形成した放電灯に
おける放電発光体の製造方法に関する。
従来の技術 大型ディスプレイの画素などに使用される平面発光形
の放電灯で発光部分にセラミックの基体を使用したもの
の一例を第１図乃至第４図に示すと、同図における
（１）は正方形の皿状セラミック基体、（２）はセラミ
ック基体（１）の開口端面に低融点のフリットガラス
（３）で封着された正方形の透明なガラス基体で、この
両者で平面発光する放電発光体（４）が構成される。
（５）はセラミック基体（１）の裏面中央部にガラス封
着されたガラス管で、陰極（図示せず）を封入する。
（６）…はセラミック基体（１）を貫通してガラス封止
された４本の陽極リード線である。
の放電灯で発光部分にセラミックの基体を使用したもの
の一例を第１図乃至第４図に示すと、同図における
（１）は正方形の皿状セラミック基体、（２）はセラミ
ック基体（１）の開口端面に低融点のフリットガラス
（３）で封着された正方形の透明なガラス基体で、この
両者で平面発光する放電発光体（４）が構成される。
（５）はセラミック基体（１）の裏面中央部にガラス封
着されたガラス管で、陰極（図示せず）を封入する。
（６）…はセラミック基体（１）を貫通してガラス封止
された４本の陽極リード線である。
セラミック基体（１）はガラス基体（２）が封着され
る面に４つのＵ字状の溝（７）…を有し、この溝（７）
…の内面に蛍光膜（８）…が形成される。各溝（７）…
の外側端部に１本ずつの陽極リード線（６）…が突出
し、各溝（７）…の内側端部の底面にはガラス管（５）
内に連通する貫通穴（９）が形成され、この貫通穴
（９）と各溝（７）…の空間で４つの放電路ｍ…が形成
される。
る面に４つのＵ字状の溝（７）…を有し、この溝（７）
…の内面に蛍光膜（８）…が形成される。各溝（７）…
の外側端部に１本ずつの陽極リード線（６）…が突出
し、各溝（７）…の内側端部の底面にはガラス管（５）
内に連通する貫通穴（９）が形成され、この貫通穴
（９）と各溝（７）…の空間で４つの放電路ｍ…が形成
される。
この放電灯は４つの放電路ｍ…に流す電流を変えるこ
とで蛍光膜（８）…の発光色が変えられて、カラーディ
スプレイの画素として使用される。また、この放電灯に
おける放電発光体（４）の製造は、第５図乃至第10図に
示す工程で次のように行われている。
とで蛍光膜（８）…の発光色が変えられて、カラーディ
スプレイの画素として使用される。また、この放電灯に
おける放電発光体（４）の製造は、第５図乃至第10図に
示す工程で次のように行われている。
まず、第５図に示すようなセラミック基体（１）を用
意する。次に第６図に示すように、セラミック基体
（１）の溝（７）の内面に蛍光体懸濁液を塗布し、これ
を乾燥させて塗布膜（10）を形成する。このときの蛍光
体懸濁液は蛍光体、エチルセルローズ又はニトロセルロ
ーズのバインダと溶剤を含む混合液である。次に、第７
図に示すようにセラミック基体（１）を焼成炉（13）に
送り、徐々に加熱して塗布膜（10）を焼成して蛍光膜
（８）を形成する。この焼成はエチルセルローズなどの
バインダが分解されて飛散する約600℃の温度で行われ
る。
意する。次に第６図に示すように、セラミック基体
（１）の溝（７）の内面に蛍光体懸濁液を塗布し、これ
を乾燥させて塗布膜（10）を形成する。このときの蛍光
体懸濁液は蛍光体、エチルセルローズ又はニトロセルロ
ーズのバインダと溶剤を含む混合液である。次に、第７
図に示すようにセラミック基体（１）を焼成炉（13）に
送り、徐々に加熱して塗布膜（10）を焼成して蛍光膜
（８）を形成する。この焼成はエチルセルローズなどの
バインダが分解されて飛散する約600℃の温度で行われ
る。
以上の蛍光膜焼成工程が完了すると、次は第８図に示
すようにセラミック基体（１）の開口端面上に低融点
（400℃）のフリットガラス（３）及びバインダを含む
フリットガラス部材（3a）を塗布する。次に、第９図に
示すように、フリットガラスをセラミック基体（１）に
焼き付けるための加熱炉（14）に通して徐々に約450℃
まで加熱し、フリットガラス部材（3a）からバインダを
飛ばし、フリットガラス（３）を溶融させてセラミック
基体（１）に焼き付ける。然る後、第10図に示すように
セラミック基体（１）とガラス基体（２）を、セラミッ
ク基体（１）に焼き付けられたフリットガラス（３）を
間にして上下に重ね、フリットガラス（３）を溶融させ
てセラミック基体（１）とガラス基体（２）を封着す
る。この封着は、図示しないが、セラミック基体（１）
へのガラス管（５）や陽極リード線（６）…の封着と同
時に行われる。
すようにセラミック基体（１）の開口端面上に低融点
（400℃）のフリットガラス（３）及びバインダを含む
フリットガラス部材（3a）を塗布する。次に、第９図に
示すように、フリットガラスをセラミック基体（１）に
焼き付けるための加熱炉（14）に通して徐々に約450℃
まで加熱し、フリットガラス部材（3a）からバインダを
飛ばし、フリットガラス（３）を溶融させてセラミック
基体（１）に焼き付ける。然る後、第10図に示すように
セラミック基体（１）とガラス基体（２）を、セラミッ
ク基体（１）に焼き付けられたフリットガラス（３）を
間にして上下に重ね、フリットガラス（３）を溶融させ
てセラミック基体（１）とガラス基体（２）を封着す
る。この封着は、図示しないが、セラミック基体（１）
へのガラス管（５）や陽極リード線（６）…の封着と同
時に行われる。
発明が解決しようとする課題 セラミック基体に蛍光膜を形成してからガラス基体を
ガラス封着する放電発光体の製造方法は、セラミック基
体にガラス基体を封着するまでに、セラミック基体に塗
布された蛍光体懸濁液の焼成工程や、セラミック基体に
塗布されたフリットガラスの焼き付け工程の２つの熱処
理工程があって、製造工程数が多く、熱処理する製造設
備が多くなる問題があった。また、セラミック基体は肉
厚大で熱伝導性が悪く、而も放電路を形成する溝を有す
るものは形状が複雑なために、これを加熱し冷却する熱
処理工程数が多くなる程に冷却時にクラックが生じて不
良品となる確率が高く、製造歩留まりを悪くする要因に
なっている。更に、セラミック基体に始めに形成された
蛍光膜は、フリットガラス焼き付けなどの後の熱処理工
程のときに熱的ダメージを受けて劣化し、明るさが低下
する可能性が高くて、蛍光膜の品質改善が難しかった。
ガラス封着する放電発光体の製造方法は、セラミック基
体にガラス基体を封着するまでに、セラミック基体に塗
布された蛍光体懸濁液の焼成工程や、セラミック基体に
塗布されたフリットガラスの焼き付け工程の２つの熱処
理工程があって、製造工程数が多く、熱処理する製造設
備が多くなる問題があった。また、セラミック基体は肉
厚大で熱伝導性が悪く、而も放電路を形成する溝を有す
るものは形状が複雑なために、これを加熱し冷却する熱
処理工程数が多くなる程に冷却時にクラックが生じて不
良品となる確率が高く、製造歩留まりを悪くする要因に
なっている。更に、セラミック基体に始めに形成された
蛍光膜は、フリットガラス焼き付けなどの後の熱処理工
程のときに熱的ダメージを受けて劣化し、明るさが低下
する可能性が高くて、蛍光膜の品質改善が難しかった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、熱処理工程数を少なくして放電発光
体を歩留まり良く、量産性良く製造する製造方法を提供
しようとするものである。
的とするところは、熱処理工程数を少なくして放電発光
体を歩留まり良く、量産性良く製造する製造方法を提供
しようとするものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するため、本発明は内面に蛍光膜を有
するセラミック基体と透明なガラス基体とを低融点のフ
リットガラスで封着してなる放電発光体の製造を、次の
（イ）〜（ニ）の工程で行うものである。
するセラミック基体と透明なガラス基体とを低融点のフ
リットガラスで封着してなる放電発光体の製造を、次の
（イ）〜（ニ）の工程で行うものである。
（イ）．セラミック基体の内面に蛍光体と分解温度が低
融点フリットガラスの融点程度以下である水溶性バイン
ダを含む蛍光体懸濁液を塗布し乾燥させる工程。
融点フリットガラスの融点程度以下である水溶性バイン
ダを含む蛍光体懸濁液を塗布し乾燥させる工程。
（ロ）．セラミック基体の被ガラス封着面に低融点のフ
リットガラス，バインダを含むフリットガラス部材を塗
布する工程。
リットガラス，バインダを含むフリットガラス部材を塗
布する工程。
（ハ）．セラミック基体を加熱炉に通して、塗布された
フリットガラス部材のフリットガラスを溶融させてセラ
ミック基体に焼き付けると共に、塗布された蛍光体懸濁
液の塗布膜を焼成して蛍光膜を形成する工程。
フリットガラス部材のフリットガラスを溶融させてセラ
ミック基体に焼き付けると共に、塗布された蛍光体懸濁
液の塗布膜を焼成して蛍光膜を形成する工程。
（ニ）．セラミック基体に焼き付けられたフリットガラ
スでセラミック基体とガラス基体とを封着する工程。
スでセラミック基体とガラス基体とを封着する工程。
作用 水溶性バインダの採用に基づき、セラミック基体にお
ける蛍光体懸濁液の塗布膜の焼成温度を低融点のフリッ
トガラスの焼き付け温度と同程度かそれ以下にして、フ
リットガラスの焼き付け時に塗布膜を焼成することで、
製造工程から特別な蛍光膜焼成工程が省略でき、熱処理
工程数が１つ減って、それだけセラミック基体や蛍光膜
の損傷が少なくなる。
ける蛍光体懸濁液の塗布膜の焼成温度を低融点のフリッ
トガラスの焼き付け温度と同程度かそれ以下にして、フ
リットガラスの焼き付け時に塗布膜を焼成することで、
製造工程から特別な蛍光膜焼成工程が省略でき、熱処理
工程数が１つ減って、それだけセラミック基体や蛍光膜
の損傷が少なくなる。
実施例 以下、本発明方法の具体的実施形態例を第５図及び第
６図並びに第８図乃至第10図を参照して説明する。尚、
これらは放電灯における放電発光体（４）のセラミック
基体（１）に蛍光膜（８）を形成し、フリットガラス
（３）を焼き付けるまでの製造工程を説明するためのも
ので、次のように製造される。
６図並びに第８図乃至第10図を参照して説明する。尚、
これらは放電灯における放電発光体（４）のセラミック
基体（１）に蛍光膜（８）を形成し、フリットガラス
（３）を焼き付けるまでの製造工程を説明するためのも
ので、次のように製造される。
まず、第５図に示すようなセラミック基体（１）を用
意する。次に、第６図に示すように、セラミック基体
（１）の内面に蛍光体懸濁液を塗布し乾燥させて蛍光体
の塗布膜（10）を形成する。この場合の蛍光体懸濁液は
蛍光体と、分解温度が低融点フリットガラス（３）の融
点以下であるポリエチレンオキサイドなどの水溶性バイ
ンダと、水などの溶剤を含む混合液で、これをセラミッ
ク基体（１）の溝（７）に塗布して、温風を吹き付けて
乾燥させる。
意する。次に、第６図に示すように、セラミック基体
（１）の内面に蛍光体懸濁液を塗布し乾燥させて蛍光体
の塗布膜（10）を形成する。この場合の蛍光体懸濁液は
蛍光体と、分解温度が低融点フリットガラス（３）の融
点以下であるポリエチレンオキサイドなどの水溶性バイ
ンダと、水などの溶剤を含む混合液で、これをセラミッ
ク基体（１）の溝（７）に塗布して、温風を吹き付けて
乾燥させる。
次に、第８図に示すように、セラミック基体（１）の
開口端面にフリットガラス（３），バインダを含むフリ
ットガラス部材（3a）を塗布する。そして、第９図に示
すように、セラミック基体（１）をフリットガラスの仮
焼き炉である加熱炉（14）に通して、フリットガラス部
材（3a）におけるバインダなどを加熱除去し、フリット
ガラス（３）を、それが溶融してセラミック基体（１）
に焼き付けられる温度（約450℃）まで徐々に加熱し、
その後、徐々に冷却する。ここで塗布膜（10）に含まれ
る水溶性バインダの分解温度はフリットガラス（３）の
融点以下であるから、フリットガラス（３）を溶融させ
てセラミック基体（１）に焼き付けるときの作業温度で
塗布膜（10）の水溶性バインダが分解して飛散し、塗布
膜（10）が焼成されてセラミック基体（１）に蛍光膜
（８）が形成される。以上のようにセラミック基体
（１）に蛍光膜（８）が形成され、フリットガラス
（３）が焼き付けられると、後は従来同様に、セラミッ
ク基体（１）とガラス基体（２）がフリットガラス
（３）で封着される。
開口端面にフリットガラス（３），バインダを含むフリ
ットガラス部材（3a）を塗布する。そして、第９図に示
すように、セラミック基体（１）をフリットガラスの仮
焼き炉である加熱炉（14）に通して、フリットガラス部
材（3a）におけるバインダなどを加熱除去し、フリット
ガラス（３）を、それが溶融してセラミック基体（１）
に焼き付けられる温度（約450℃）まで徐々に加熱し、
その後、徐々に冷却する。ここで塗布膜（10）に含まれ
る水溶性バインダの分解温度はフリットガラス（３）の
融点以下であるから、フリットガラス（３）を溶融させ
てセラミック基体（１）に焼き付けるときの作業温度で
塗布膜（10）の水溶性バインダが分解して飛散し、塗布
膜（10）が焼成されてセラミック基体（１）に蛍光膜
（８）が形成される。以上のようにセラミック基体
（１）に蛍光膜（８）が形成され、フリットガラス
（３）が焼き付けられると、後は従来同様に、セラミッ
ク基体（１）とガラス基体（２）がフリットガラス
（３）で封着される。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、分解温度がフリット
ガラスの融点以下の水溶性バインダを含む蛍光体懸濁液
をセラミック基体に塗布・乾燥し、かつセラミック基体
の被ガラス封着面にバインダを含むフリットガラス部材
を塗布した状態において、セラミック基体を加熱炉に通
すことにより、フリットガラス部材のバインダが加熱除
去されると共にフリットガラスが溶融してセラミック基
体に焼き付けられ、この際に、蛍光膜も焼成される。従
って、フリットガラスのセラミック基体への焼き付けと
蛍光膜の焼成とを同一の加熱工程にて達成できるため
に、製造工程から従来方法で必要とされていた特別の蛍
光膜焼成工程を省略でき、製造工程の簡略化に伴い製造
設備の縮小が図れる上、量産性も向上できる。
ガラスの融点以下の水溶性バインダを含む蛍光体懸濁液
をセラミック基体に塗布・乾燥し、かつセラミック基体
の被ガラス封着面にバインダを含むフリットガラス部材
を塗布した状態において、セラミック基体を加熱炉に通
すことにより、フリットガラス部材のバインダが加熱除
去されると共にフリットガラスが溶融してセラミック基
体に焼き付けられ、この際に、蛍光膜も焼成される。従
って、フリットガラスのセラミック基体への焼き付けと
蛍光膜の焼成とを同一の加熱工程にて達成できるため
に、製造工程から従来方法で必要とされていた特別の蛍
光膜焼成工程を省略でき、製造工程の簡略化に伴い製造
設備の縮小が図れる上、量産性も向上できる。
又、フリットガラスのセラミック基体への焼き付けと
蛍光膜の焼成との作業はフリットガラスのセラミック基
体への焼き付け工程の加熱によって同時に達成できるた
めに、セラミック基体の熱処理回数が減少し、セラミッ
ク基体にクラックの発生する確立が低くなり、製造歩留
まりが向上するし、蛍光膜が熱的ダメージを受ける回数
が減少し、蛍光膜の品質の改善が図れる。
蛍光膜の焼成との作業はフリットガラスのセラミック基
体への焼き付け工程の加熱によって同時に達成できるた
めに、セラミック基体の熱処理回数が減少し、セラミッ
ク基体にクラックの発生する確立が低くなり、製造歩留
まりが向上するし、蛍光膜が熱的ダメージを受ける回数
が減少し、蛍光膜の品質の改善が図れる。
又、セラミック基体の被ガラス封着面に塗布されたフ
リットガラス部材は加熱炉に通された際に、バインダが
加熱除去されると共に、フリットガラスは溶融状態にな
り、それの高さがほぼ均斉化されると共に、フリッガラ
ス同志が一連一体となって切れ目などが形成されなくな
る。従って、このフリッガラスによるガラス基体とセラ
ミック基体との封着を確実に行なうことができる。
リットガラス部材は加熱炉に通された際に、バインダが
加熱除去されると共に、フリットガラスは溶融状態にな
り、それの高さがほぼ均斉化されると共に、フリッガラ
ス同志が一連一体となって切れ目などが形成されなくな
る。従って、このフリッガラスによるガラス基体とセラ
ミック基体との封着を確実に行なうことができる。
さらに、フリットガラスのセラミック基体への焼き付
けと蛍光膜の焼成との作業時には、セラミック基体にガ
ラス基体が重ね合わされることなく、セラミック基体単
独にて開放状態で加熱されるために、蛍光膜及びフリッ
トガラス部材の加熱に発生するガスなどが蛍光膜に吸着
されることがない。従って、蛍光膜にはガスなどの吸着
による変色が全く生じず、所望の発光特性が得られる。
けと蛍光膜の焼成との作業時には、セラミック基体にガ
ラス基体が重ね合わされることなく、セラミック基体単
独にて開放状態で加熱されるために、蛍光膜及びフリッ
トガラス部材の加熱に発生するガスなどが蛍光膜に吸着
されることがない。従って、蛍光膜にはガスなどの吸着
による変色が全く生じず、所望の発光特性が得られる。
第１図は放電灯の部分断面を含む部分側面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は同Ｂ−Ｂ線断面図、
第４図は同Ｃ−Ｃ線断面図、第５図乃至第10図は放電灯
における放電発光体の製造方法を説明するためのもの
で、第５図はセラミック基体断面図、第６図及び第７図
は蛍光膜形成工程でのセラミック基体断面図、第８図及
び第９図はフリットガラス塗布及び焼き付け工程でのセ
ラミック基体断面図、第10図は放電発光体の断面図であ
る。 （１）……セラミック基体、 （２）……ガラス基体、 （３）……フリットガラス、（3a）……フリットガラス
部材、 （４）……放電発光体、（８）……蛍光膜、 （14）……加熱炉、（10）……塗布膜。
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は同Ｂ−Ｂ線断面図、
第４図は同Ｃ−Ｃ線断面図、第５図乃至第10図は放電灯
における放電発光体の製造方法を説明するためのもの
で、第５図はセラミック基体断面図、第６図及び第７図
は蛍光膜形成工程でのセラミック基体断面図、第８図及
び第９図はフリットガラス塗布及び焼き付け工程でのセ
ラミック基体断面図、第10図は放電発光体の断面図であ
る。 （１）……セラミック基体、 （２）……ガラス基体、 （３）……フリットガラス、（3a）……フリットガラス
部材、 （４）……放電発光体、（８）……蛍光膜、 （14）……加熱炉、（10）……塗布膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 一也 大阪府大阪市淀川区宮原３丁目５番24号 日本電気ホームエレクトロニクス株式 会社内 (72)発明者 田村 敏 大阪府大阪市淀川区宮原３丁目５番24号 日本電気ホームエレクトロニクス株式 会社内 (72)発明者 松原 修 大阪府大阪市淀川区宮原３丁目５番24号 日本電気ホームエレクトロニクス株式 会社内 (56)参考文献 特開 昭61−96632（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】内面に蛍光膜を有するセラミック基体と、
透光性ガラス基体とを低融点のフリットガラスで封着し
て形成された箱形の放電発光体を有する放電灯の製造方
法において、前記セラミック基体の内面に蛍光体と分解
温度が前記フリットガラスの融点以下である水溶性バイ
ンダを含む蛍光体懸濁液を塗布し乾燥させる工程と、セ
ラミック基体の前記ガラス基体が封着される部分に低融
点のフリットガラス，バインダを含むフリットガラス部
材を塗布する工程と、セラミック基体を加熱炉に通し
て、塗布されたフリットガラス部材のフリットガラスを
溶融させてセラミック基体に焼き付けると共に、前記蛍
光体懸濁液の塗布膜を焼成して蛍光膜を形成する工程
と、セラミック基体に焼き付けられたフリットガラスで
セラミック基体とガラス基体とを封着する工程とを含む
ことを特徴とする放電灯の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041611A JP2664919B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 放電灯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041611A JP2664919B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 放電灯の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217829A JPH01217829A (ja) | 1989-08-31 |
| JP2664919B2 true JP2664919B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=12613141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041611A Expired - Lifetime JP2664919B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 放電灯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664919B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080030121A1 (en) * | 2003-09-09 | 2008-02-07 | Junichi Iwama | Flat Type Discharge Tube |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0618105B2 (ja) * | 1984-10-16 | 1994-03-09 | ソニー株式会社 | 陰極線管の製造装置 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63041611A patent/JP2664919B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01217829A (ja) | 1989-08-31 |
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