JP2663732B2 - 論理判定回路 - Google Patents

論理判定回路

Info

Publication number
JP2663732B2
JP2663732B2 JP3039702A JP3970291A JP2663732B2 JP 2663732 B2 JP2663732 B2 JP 2663732B2 JP 3039702 A JP3039702 A JP 3039702A JP 3970291 A JP3970291 A JP 3970291A JP 2663732 B2 JP2663732 B2 JP 2663732B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
transistor
terminal
input
control signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3039702A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04278467A (ja
Inventor
武志 小河原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP3039702A priority Critical patent/JP2663732B2/ja
Publication of JPH04278467A publication Critical patent/JPH04278467A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2663732B2 publication Critical patent/JP2663732B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は論理判定回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の制御信号端子を有する論理判定回
路の例としては、図3に示されるような回路がある。図
3において、この論理判定回路は、電源端子66および
69と、バイアス電源端子67と、出力端子68と、制
御信号入力端子70と、信号入力端子71とに対応し
て、NMOSトランジスタ22と、トランジスタ23お
よび24と、定電流源25と、抵抗26および27とを
備えて構成されている。
【0003】入力信号端子71を介して、トランジスタ
24のベースに入力信号が入力されると、バイアス電源
端子57より、トランジスタ23のベースに入力されて
いるバイアス電源との対応において、当該入力信号のレ
ベルが、このバイアス電圧よりも高い場合においては、
トランジスタ23はトランジスタ24よりも深くONの
状態となり、定電流源25の電流はトランジスタ23の
方に流れる。従って、抵抗26に接続されている出力端
子68の電圧は、電源端子69の電源電圧レベルよりも
高い電位となる。また、入力信号端子71より入力され
る入力信号のレベルがバイアス電圧よりも低い場合にお
いては、トランジスタ24はトランジスタ23よりも深
くONの状態となり、定電流源25の電流はトランジス
タ24の方に流れる。従って、出力端子68の電圧は、
電源端子69の電源電圧レベルと同電位となる。従っ
て、この論理判定回路においては、入力信号端子71よ
り入力される入力信号の電圧レベルに応じて、出力端子
68からは、電源端子69の電源電圧と同電位か、また
は、この電源電圧よりも高い電位が出力される。
【0004】次に、制御信号入力端子70に、制御信号
として、NMOSトランジスタ22のしきい値電圧より
も低い電圧が入力されると、NMOSトランジスタ22
はONの状態とはならず、この場合には、出力端子68
の電位は、前述のように、信号入力端子71に入力され
る入力信号の電圧レベルに依存する。一方、前記制御信
号として、NMOSトランジスタ22のしきい値電圧よ
りも高い電圧が入力されると、NMOSトランジスタ2
2はONの状態となり、信号入力端子の電位は、電源端
子66の電源電圧と略々等しくなる。この状態において
は、電源端子66の電位は、バイアス電源端子67の電
位よりも高いので、トランジスタ23の方がトランジス
タ24よりも深くONの状態となり、出力端子68の電
位は、電源端子69の電位よりも高くなる。以上のこと
から、図3に示される従来例においては、制御信号入力
端子70より入力される制御信号の電位により、出力端
子68の電位が制御され、論理判定回路として動作する
ことが分る。
【0005】次に、図3の応用例として、よく用いられ
ている論理判定回路の従来例としては、図4に示される
論理判定回路がある。図4において、この論理判定回路
は、電源端子72および75と、バイアス電源端子73
と、出力端子74および76と、制御信号入力端子77
および79と、入力信号端子78とに対応して、NMO
Sトランジスタ28および29と、トランジスタ30〜
35と、定電流源36〜39と、抵抗40〜43とを備
えて構成されている。
【0006】図3および図4を対比して明らかなよう
に、図4の論理判定回路は、図3の論理判定回路を二つ
並列に接続する形で構成されている。従って、出力端子
74および76と、制御信号入力端子77および79以
外の端子は、全て共用されている。また入力信号端子7
8には、それぞれトランジスタ34と定電流源38、ま
たはトランジスタ35と定電流源39より成るバッファ
回路が接続されているが、これらのバッファ回路は、そ
れぞれ制御信号端子77および79より入力される制御
信号を介して、入力信号端子78より、それぞれの論理
判定回路に入力される共通の入力信号を、個別に制御す
ることができるように付加された回路である。これらの
並列に接続された論理判定回路の動作については、図3
に示される論理判定回路の場合と同様である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の制御信
号端子を具備している論理判定回路において、図4に示
されるように、入力信号を共有し、論理判定回路を並列
に接続して構成する場合には、入力信号に対応して、制
御信号をそれぞれ個別に入力して制御する必要があるた
めに、それぞれの論理判定回路に対応するバッファ回路
を設けることが必要条件となる。図4に見られるよう
に、これらのバッファ回路に含まれる定電流源38およ
び39の電流は、トランジスタ34および35が導通も
しくは非導通の何れの状態にあっても常時流れている。
従って、入力信号を共有し、且つ制御信号端子を個別に
備えて論理判定回路を構成する場合には、バッファ回路
を設けることに伴ない消費電流量が増大するという欠点
がある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の論理判定回路
は、ゲートに所定の入力信号端子が接続され、ドレイン
に所定の制御信号入力端子が接続される第1のNMOS
トランジスタと、ドレインが前記第1のNMOSトラン
ジスタのソースに接続され、ソースが所定の第2の電源
に接続されるとともに、ゲートが所定の第2のバイアス
電源に接続される第2のNMOSトランジスタと、コレ
クタが所定の出力端子に接続され、ベースが所定の第1
のバイアス電源に接続される第1のトランジスタと、前
記第1のトランジスタのエミッタと前記第2の電源との
間に挿入接続される定電流源と、エミッタが前記第1の
トランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第1
のNMOSトランジスタのソースに接続される第2のト
ランジスタと、所定の第1の電源と、前記出力端子との
間に接続される第1の抵抗と、前記第1の電源と、前記
第2のトランジスタのコレクタとの間に挿入接続される
第2の抵抗と、を備えて構成される。
【0009】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1は本発明の第1の実施例を示すブロッ
ク図である。図1に示されるように、本実施例は、電源
端子51および54と、出力端子52と、バイアス電源
端子53および57と、制御信号入力端子55と、入力
信号端子56とに対応して、NMOSトランジスタ1お
よび2と、トランジスタ3および4と、定電流源5と、
抵抗6および7とを備えて構成される。
【0011】図1において、制御信号入力端子55に入
力される制御信号の電圧レベルが十分に高い場合には、
NMOSトランジスタ1および2はソースフォロアとし
て動作するため、入力信号端子56に入力される入力信
号は、NMOSトランジスタ1のソースを経由してトラ
ンジスタ4のベースに入力される。トランジスタ4にお
いては、バイアス電源端子53よりトランジスタ3のベ
ースに印加されるバイアス電源の電圧レベルと、トラン
ジスタ4のベースに入力される前記入力信号レベルとが
比較されて、その比較結果は出力端子52を介して出力
される。例えば、トランジスタ3のベース電位よりも十
分に高い電圧レベルの入力信号がトランジスタ4のベー
スに入力される場合には、定電流源5の電流はトランジ
スタ4を流れるため、出力端子52における出力電圧
は、電源端子51に供給される電源電圧と同レベルとな
る。逆に、トランジスタ3のベース電位よりも低い電圧
レベルの入力信号がトランジスタ4のベースに入力され
る場合には、定電流源5の電流はトランジスタ3を流れ
るため、出力端子52における出力電圧は、電源端子5
1に供給される電源電圧よりも低い電圧レベルとなる。
【0012】次に、制御信号入力端子55に入力される
制御信号の電圧レベルが低い場合には、NMOSトラン
ジスタ1および2は非導通状態となり、このため、入力
信号端子56に入力される入力信号の電圧レベルに依存
することなく、トランジスタ4のベース電位は、略々電
源端子54に供給される電源電圧と同レベルとなる。こ
の時、バイアス電源端子53より供給されるバイアス電
圧を、電源端子54より供給される電源電圧よりも高く
設定しておくことにより、トランジスタ3はより深く導
通状態となり、出力端子52における出力電圧レベル
は、強制的に電源端子51に供給される電源電圧よりも
低いレベルとなる。この時に消費される電流は、定電流
源5に流れる電流のみである。即ち、制御信号入力端子
55に入力される制御信号の電圧レベルを介して、出力
端子52における電圧レベルが制御される論理判定回路
が実現される。
【0013】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
【0014】図2は本発明の第2の実施例を示すブロッ
ク図である。図2に示されるように、本実施例は、電源
端子58および61と、出力端子59と、バイアス電源
端子60および64と、制御信号入力端子62および6
5と、入力信号端子63とに対応して、NMOSトラン
ジスタ8〜11と、トランジスタ12〜15と、定電流
源16および17と、抵抗18〜21とを備えて構成さ
れる。
【0015】図1および図2を対比して明らかなよう
に、図2に示される第2の実施例の論理判定回路は、前
述の図1の論理判定回路を二つ並列に接続する形で構成
されている。図2より明らかなように、並列接続された
二つの論理判定回路に対応して、電源端子58および6
1と、バイアス電源端子60および64と、入力信号端
子63は、それぞれ両論理判定回路に対して共用されて
いる。
【0016】図2において、入力信号端子63に入力さ
れる入力信号に対応して、制御信号入力端子62および
65より入力される制御信号の電圧レベルが十分に高い
場合には、NMOSトランジスタ8、9およびNMOS
トランジスタ10、11は、それぞれソースフォロアと
して動作するため、当該入力信号は、対応するトランジ
スタ13および15に対しては、それぞれNMOSトラ
ンジスタ8および10のソースを経由して入力される。
このため、定電流源16および17に流入する電流と、
二つのソースフォロアに流れる電流とが消費電流とな
る。また、制御入力端子62および65より入力される
制御信号の電圧レベルが低い場合には、NMOSトラン
ジスタ8および10は共に非導通状態となり、このた
め、消費電流は定電流源16および17に流入する電流
のみとなる。即ち、制御信号の電圧レベルにより、ソー
スフォロアに流れる電流を削減することが可能となる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、制御信
号入力端子を具備する論理判定回路に適用されて、前記
制御信号入力端子に入力される制御信号の電圧レベルを
介して、当該論理判定回路における消費電流量を削減す
ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。
【図3】従来例を示すブロック図である。
【図4】他の従来例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1,2,8〜11,22,28,29 NMOSトラ
ンジスタ 3,4,12〜15,23,24,30〜35 トラ
ンジスタ 5,16,17,25,36〜39 定電流源 6,7,18〜21,26,27,40〜43 抵抗

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ゲートに所定の入力信号端子が接続さ
    れ、ドレインに所定の制御信号入力端子が接続される第
    1のNMOSトランジスタと、ドレインが前記第1のN
    MOSトランジスタのソースに接続され、ソースが所定
    の第2の電源に接続されるとともに、ゲートが所定の第
    2のバイアス電源に接続される第2のNMOSトランジ
    スタと、コレクタが所定の出力端子に接続され、ベース
    が所定の第1のバイアス電源に接続される第1のトラン
    ジスタと、前記第1のトランジスタのエミッタと前記第
    2の電源との間に挿入接続される定電流源と、エミッタ
    が前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、ベー
    スが前記第1のNMOSトランジスタのソースに接続さ
    れる第2のトランジスタと、所定の第1の電源と、前記
    出力端子との間に接続される第1の抵抗と、前記第1の
    電源と、前記第2のトランジスタのコレクタとの間に挿
    入接続される第2の抵抗と、を備えることを特徴とする
    論理判定回路。
JP3039702A 1991-03-06 1991-03-06 論理判定回路 Expired - Lifetime JP2663732B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3039702A JP2663732B2 (ja) 1991-03-06 1991-03-06 論理判定回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3039702A JP2663732B2 (ja) 1991-03-06 1991-03-06 論理判定回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04278467A JPH04278467A (ja) 1992-10-05
JP2663732B2 true JP2663732B2 (ja) 1997-10-15

Family

ID=12560346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3039702A Expired - Lifetime JP2663732B2 (ja) 1991-03-06 1991-03-06 論理判定回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2663732B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5950051A (en) * 1997-08-08 1999-09-07 Xerox Corporation Encoding device for a moving web

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04278467A (ja) 1992-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0303341B1 (en) Output buffer circuits
KR100381987B1 (ko) 가변임피던스출력버퍼
EP0267017B1 (en) TTL/CMOS compatible input buffer
US5019729A (en) TTL to CMOS buffer circuit
US5886556A (en) Low power schmitt trigger
US4584491A (en) TTL to CMOS input buffer circuit for minimizing power consumption
US6914470B2 (en) Level shifting circuit
US4733107A (en) Low current high precision CMOS schmitt trigger circuit
US5006732A (en) Semiconductor circuit having buffer function
US7330056B1 (en) Low power CMOS LVDS driver
US5298807A (en) Buffer circuitry for transferring signals from TTL circuitry to dual range CMOS circuitry
US4868421A (en) Bimos circuit that provides low power dissipation and high transient drive capability
US6580292B2 (en) Universal PECL/LVDS output structure
JPH0693615B2 (ja) ドライバ回路
JP2743401B2 (ja) Ecl回路
JP2663732B2 (ja) 論理判定回路
JPH08293744A (ja) 半導体回路
US5394038A (en) Output circuit comprising bipolar transistors for driving CMOS circuit to reduce power consumption of the output circuit and avoid erroneous operation of the CMOS circuit
JPH0677804A (ja) 出力回路
JP2646771B2 (ja) 半導体集積回路
JP2754906B2 (ja) 半導体集積回路
US9698787B1 (en) Integrated low voltage differential signaling (LVDS) and high-speed current steering logic (HCSL) circuit and method of use
JPH07118517B2 (ja) Mos型集積回路のテストインタ−フエ−ス
JPH05259880A (ja) 入出力バッファ回路
JP2636558B2 (ja) 論理判定回路

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970520