JP2659553B2 - Method and system for eliminating crosstalk in thin film transistor matrix-addressed liquid crystal displays - Google Patents
Method and system for eliminating crosstalk in thin film transistor matrix-addressed liquid crystal displaysInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、一般に液晶ディスプレイ装置におけるクロ
ストークを除去する方法および装置に関する。この方法
は二状態ディスプレイ装置および中間のグレーレベルの
ディスプレイ装置に適応することができる。更に詳しく
は、本発明はデータ線および画素間のクロストークを防
止する手段が設けられているディスプレイ装置に関す
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates generally to a method and apparatus for eliminating crosstalk in a liquid crystal display device. The method can be applied to bi-state display devices and intermediate gray level display devices. More particularly, the present invention relates to a display device provided with means for preventing crosstalk between data lines and pixels.
液晶ディスプレイ装置の動作およびこれらの装置の構
造に固有の寄生容量の問題を理解することによって本発
明を適切に理解することができる。特に、液晶ディスプ
レイ装置は典型的には一対の基板を有し、これらの基板
は特定距離離れて固定されている。この距離は典型的に
は約6ミクロンである。液晶材料は基板間に配置されて
いる。基板は少なくとも一方が透明であるように選択さ
れる。ディスプレイおよび画像を強調する手段として背
面側から照明が与えられる場合には、両基板は実質的に
透明であることが必要である。これらの基板の一方の上
には、典型的には酸化インジュウム錫(ITO)のような
材料から成る透明なアース面導体が配置されている。対
向する基板には画素電極とよばれる矩形に配列された個
々の電極要素が設けられている。半導体スイッチ(好ま
しくは、薄膜トランジスタ)がこれらの画素電極の各々
に付設され、典型的にはこれらの電極を含む基板上に配
置されている。これらのトランジスタ・スイッチは通常
非晶質シリコンまたは多結晶シリコン技術に基づいてい
る。現在、非晶質シリコン技術は処理温度が低いために
好ましいものとなっている。実際、上述した構造は矩形
配列されたコンデンサのような回路要素になり、そこで
液晶材料は誘電体として作用する。画素電極に電圧を印
加することにより液晶材料に電気光学的な変換が生じ
る。この変換はディスプレイ装置で見ることができるテ
キストまたはグラフィック情報を表示する基礎となって
いる。ここにおいて、本発明は、画素電極の各々にオン
・オフ可能なそれ自身の半導体スイッチが設けられてい
て、各画素要素がその関連する半導体スイッチに供給さ
れる信号によって制御されるという理由で上述したディ
スプレイ装置に特に適用し得るものであることに注意さ
れたい。これらの半導体素子は本質的に個々の画素電極
上に電荷を堆積させ電子弁として作用する。The present invention can be better understood by understanding the operation of liquid crystal display devices and the problem of parasitic capacitance inherent in the structure of these devices. In particular, liquid crystal display devices typically have a pair of substrates, which are fixed at a specific distance. This distance is typically about 6 microns. The liquid crystal material is disposed between the substrates. The substrate is selected so that at least one is transparent. Both substrates need to be substantially transparent if illumination is provided from the back side as a means of enhancing the display and the image. Disposed on one of these substrates is a transparent ground plane conductor, typically made of a material such as indium tin oxide (ITO). The opposing substrate is provided with individual electrode elements arranged in a rectangular shape called pixel electrodes. A semiconductor switch (preferably, a thin film transistor) is attached to each of these pixel electrodes, and is typically located on a substrate containing these electrodes. These transistor switches are usually based on amorphous silicon or polysilicon technology. At present, amorphous silicon technology is preferred due to its low processing temperature. In fact, the above-described structure becomes a circuit element such as a rectangular array of capacitors, where the liquid crystal material acts as a dielectric. By applying a voltage to the pixel electrode, an electro-optical conversion occurs in the liquid crystal material. This conversion is the basis for displaying textual or graphical information that can be viewed on a display device. Here, the present invention is described above because each pixel electrode is provided with its own semiconductor switch that can be turned on and off, and each pixel element is controlled by a signal supplied to its associated semiconductor switch. It should be noted that the present invention is particularly applicable to such a display device. These semiconductor elements essentially deposit charge on individual pixel electrodes and act as electronic valves.
各トランジスタには走査線信号およびデータ線信号が
供給される。一般に、M本のデータ線およびN本のデー
タ線がある。典型的には、各トランジスタ・スイッチの
ゲートが走査線に接続され、ソースまたはドレインがデ
ータ線に接続される。Each transistor is supplied with a scanning line signal and a data line signal. Generally, there are M data lines and N data lines. Typically, each transistor switch has its gate connected to a scan line and its source or drain connected to a data line.
動作においては、信号レベルがM本のデータ線の各々
に設定される。この点において、N本の走査線の1つが
作動されると、データ線上に現れた電圧が半導体スイッ
チ素子を介して画素電極に供給される。上述した構成に
おいては、必然的に、各画素が両側においてデータ線に
よって囲まれることになる。すなわち、各画素の一方の
側のデータ線はその画素電極に関連するデータ線である
が、他方のデータ線は隣接する画素電極に関連するもの
である。この後者のデータ線は、異なる情報信号を伝送
する。また、この構造には固有の容量が形成される。特
に、画素電極および対向するアース面電極部分は容量構
造を形成する。更に、各データ線と該データ線が取り囲
む画素電極要素との間には寄生容量がある。また、半導
体スイッチ素子のソースおよびドレイン間にも寄生容量
が存在する。寄生容量により望ましくない信号が画素電
極に供給される。In operation, a signal level is set for each of the M data lines. At this point, when one of the N scanning lines is activated, the voltage appearing on the data line is supplied to the pixel electrode via the semiconductor switching element. In the configuration described above, each pixel is inevitably surrounded by the data lines on both sides. That is, the data line on one side of each pixel is the data line associated with that pixel electrode, while the other data line is associated with the adjacent pixel electrode. This latter data line carries different information signals. Also, a unique capacitance is formed in this structure. In particular, the pixel electrode and the opposing ground plane electrode portion form a capacitance structure. Further, there is a parasitic capacitance between each data line and a pixel electrode element surrounded by the data line. In addition, a parasitic capacitance exists between the source and the drain of the semiconductor switch element. Undesired signals are supplied to the pixel electrodes due to the parasitic capacitance.
典型的な動作シーケンスにおいては、所望の電圧レベ
ルがデータ線上に設定され、走査線はこれらの電圧を1
つの行の画素電極に印加するように作動される。LCコン
デンサを充電するに十分な時間の後、異なる走査線が作
動され、異なるデータ電圧が異なる画素の行に印加され
る。典型的には、隣接する画素の行がビデオ情報を書き
込むために選択される。このため、典型的な動作におい
ては、ディスプレイ装置のスクリーンの上部から底部ま
で一度に1行ずつ書き込まれる。テレビに応用した場合
には、この上部から底部までの書き込み動作は1秒の約
1/30または1/60で生じる。このようにして、この周期に
おいて、完全な画像がスクリーン上に表示される。この
画像はテキストおよびグラフィック情報の両方を含んで
いることがある。In a typical operation sequence, the desired voltage levels are set on the data lines and the scan lines bring these voltages to one.
It is operated to apply to a row of pixel electrodes. After sufficient time to charge the LC capacitor, different scan lines are activated and different data voltages are applied to different pixel rows. Typically, adjacent rows of pixels are selected for writing video information. Thus, in a typical operation, lines are written one line at a time from the top to the bottom of the display device screen. When applied to a television, this write operation from top to bottom takes about one second.
Occurs at 1/30 or 1/60. Thus, in this cycle, a complete image is displayed on the screen. This image may contain both text and graphic information.
電気技術において周知であるように、容量は一般に面
積に比例し、距離に反比例する。高解像度の液晶ディス
プレイ装置においては、線間の間隔が小さくされるので
寄生容量効果は特に好ましくない。ここで考えているテ
レビのような典型的な用途においては、画素電極は一辺
が約100ミクロンであり、約10ミクロンの間隔で分離さ
れ、約10×10ミクロンの面積が関連する半導体スイッチ
素子を配置するために各画素から除外されている。この
ように、薄膜トランジスタ・マトリックス・アドレス式
高解像度液晶ディスプレイにおいては、データ線と画素
電極との間の寄生容量は画素容量に比較して重要である
ことがわかる。また、データ線と画素電極との間の寄生
容量はスイッチ素子自身のソースとドレインとの間の寄
生容量によって増大することに注意されたい。このよう
なディスプレイの動作において、画素上の電圧はその行
アドレス時間の間に設定される。次いで半導体スイッチ
はターンオフされ、電圧はディスプレイがリフレッシュ
されるまで一定に留まっていなければならない。しかし
ながら、隣接するデータ線の電圧が変化すると画素の電
圧が変化する。多くの駆動回路において、データ線上の
RMS電圧は典型的には列内のスイッチング素子がいくつ
ターンオンされるかに応じて0乃至5ボルトの間で変化
する。この結果、画素上の電圧は不確定となり、すなわ
ち画素上の電圧にはクロストークが発生することにな
る。この電圧の最大値は2*[(CD+CSD)/CLC]*5
ボルトである。ここにおいて、CDはデータ線と画素電極
との間の接近によって生じる寄生容量であり、CSDはス
イッチのソース・ドレインの寄生容量であり、CLCは液
晶セル構造自身に関連する容量である。2の係数は各画
素電極に隣接して2つのデータ線があることに起因して
いる。1インチ当り約100画素がある設計においては最
大電圧エラーは約0.2RMSボルトである。これはオン・オ
フ式のディスプレイの場合には重大ではないが、0.05ボ
ルトのRMS電圧の変化を目で見ることができるようにし
たグレースケールのディスプレイにとっては重要であ
る。As is well known in the electrical arts, capacitance is generally proportional to area and inversely proportional to distance. In a high-resolution liquid crystal display device, the parasitic capacitance effect is not particularly preferable because the distance between lines is reduced. In a typical application, such as the television considered here, the pixel electrodes are about 100 microns on a side, separated by about 10 microns, and an area of about 10 × 10 microns is used to replace the associated semiconductor switch element. Excluded from each pixel for placement. As described above, in the thin film transistor matrix address type high resolution liquid crystal display, the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode is more important than the pixel capacitance. Also, note that the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode increases due to the parasitic capacitance between the source and the drain of the switch element itself. In operation of such a display, the voltage on a pixel is set during that row address time. The semiconductor switch is then turned off and the voltage must remain constant until the display is refreshed. However, when the voltage of the adjacent data line changes, the voltage of the pixel changes. In many drive circuits, the data line
The RMS voltage typically varies between 0 and 5 volts depending on how many switching elements in the column are turned on. As a result, the voltage on the pixel becomes indeterminate, that is, crosstalk occurs in the voltage on the pixel. The maximum value of this voltage is 2 * [(C D + C SD ) / C LC ] * 5
It is a bolt. Here, C D is the parasitic capacitance caused by proximity between the data line and the pixel electrode, C SD is the parasitic capacitance of the source and drain of the switch, the C LC is the capacitance associated with the liquid crystal cell structure itself . The factor of 2 is due to the presence of two data lines adjacent to each pixel electrode. In a design with about 100 pixels per inch, the maximum voltage error is about 0.2 RMS volts. This is not critical for on-off displays, but is important for gray-scale displays that have a visible RMS voltage change of 0.05 volts.
上述した種類のクロストークを減らす1つの方法は、
CLCと並列に蓄積コンデンサを使用することである。こ
れは最大エラー電圧を低減する。しかしながら、この方
法は、通常余分な処理ステップを必要とし、別の欠点を
生じさせ、画素要素の作動領域を低減させるので好まし
くない。One way to reduce the above types of crosstalk is to
It is to use a storage capacitor in parallel with C LC. This reduces the maximum error voltage. However, this method is not preferred because it usually requires extra processing steps, creates another drawback and reduces the active area of the pixel elements.
発明の概要 本発明の好適な態様によれば、走査線上に付勢信号を
逐次的に供給する手段を有するマトリックス・アドレス
式液晶ディスプレイ装置はまたデータ線上に複数のデー
タ信号を供給する手段を有する。本発明においては、こ
れらのデータ信号は、相次いで発生される走査線付勢信
号の間の期間中に作用し、この期間の第1の部分中に所
望の電圧レベルがデータ線に印加される。この期間の第
2の部分においては、補正電圧レベルがデータ線に印加
されて、これらの期間の全体にわたってほぼ一定のRMS
電圧がこれらのデータ線の少なくともいくつかに供給さ
れるようにする。本発明の他の態様によれば、液晶ディ
スプレイはこの一定のRMS電圧を達成するように作動さ
れる。本発明の別の態様によれば、特定の期間にわたっ
てほぼ一定のRMS電圧を再達成するように補正電圧レベ
ルを供給する前に多数の走査線期間が経過するようにさ
れる。このように液晶ディスプレイを動作させることに
よりデータ線と画素電極との間の寄生容量によって生ず
る画素要素上の電圧の不確実性を除去する。これらの成
果を達成するいくつかの手段がここに提供されている。In accordance with a preferred aspect of the present invention, a matrix-addressed liquid crystal display device having means for sequentially providing an energizing signal on a scan line also has means for providing a plurality of data signals on a data line. . In the present invention, these data signals operate during a period of successively generated scan line activation signals during which a desired voltage level is applied to the data lines during a first portion. . In the second part of this period, a correction voltage level is applied to the data lines to provide a substantially constant RMS throughout these periods.
A voltage is provided to at least some of these data lines. According to another aspect of the invention, the liquid crystal display is operated to achieve this constant RMS voltage. According to another aspect of the invention, multiple scan line periods are allowed to elapse before providing a correction voltage level to re-achieve a substantially constant RMS voltage over a particular period. Operating the liquid crystal display in this manner eliminates the uncertainty of the voltage on the pixel element caused by the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode. Several means to achieve these results are provided here.
従って、本発明の目的は、薄膜トランジスタ・マトリ
ックス・アドレス式液晶ディスプレイ装置における寄生
容量によって生じるクロストークを除去することにあ
る。Accordingly, it is an object of the present invention to eliminate crosstalk caused by parasitic capacitance in a thin film transistor matrix-addressed liquid crystal display device.
本発明の他の目的は、ほぼ一定のRMS電圧データ線波
形を達成するように液晶ディスプレイ装置を作動する方
法および手段を提供することにある。It is another object of the present invention to provide a method and means for operating a liquid crystal display device to achieve a substantially constant RMS voltage data line waveform.
本発明の更に他の目的は、寄生容量によって画素電極
上に誘起される電圧が全ての画素要素、特に1つの列内
にある全ての画素要素に対して同じになるように液晶デ
ィスプレイを駆動することにある。Yet another object of the invention is to drive a liquid crystal display such that the voltage induced on the pixel electrode by the parasitic capacitance is the same for all pixel elements, especially all pixel elements in one column. It is in.
本発明の更に別の目的は、データ電圧を適当に付加的
に調整することによって補償するために使用される一定
のシフトを設け、画素電圧レベルにおける不確実性を低
減することにある。It is yet another object of the present invention to provide a constant shift that is used to compensate by appropriately additional adjusting the data voltage to reduce uncertainties in pixel voltage levels.
本発明の別の目的は、グレースケールおよび非グレー
スケールの液晶ディスプレイ装置の動作を改良すること
にある。It is another object of the present invention to improve the operation of gray scale and non-gray scale liquid crystal display devices.
また更に本発明の目的は液晶ディスプレイ装置におけ
るクロストークを除去することにある。Still another object of the present invention is to eliminate crosstalk in a liquid crystal display device.
本発明の主題は特に特許請求の範囲に規定されている
が、本発明はその構成および実施方法ならびに本発明の
別の目的および利点に関して添付図面を参照した以下の
説明から最も良く理解されよう。While the subject matter of the invention is particularly pointed out in the appended claims, the invention will be best understood from the following description, taken in conjunction with the accompanying drawings, when read in connection with the structure and manner of implementation and other objects and advantages of the invention.
発明の具体的な記載 第1図には液晶ディスプレイ装置10の全体図が示され
ている。この装置の主構成要素は個々に制御可能な画素
要素のアレー20である。典型的には、このアレーは矩形
の格子状に構成され、各格子位置には透明な画素電極お
よびそれに関連する半導体スイッチが設けられており、
この半導体スイッチは関連する画素電極に電圧を供給す
る機能を有している。典型的には、画素電極と同じ数の
半導体スイッチがある。しかしながら、これは本発明の
動作に必要とされるものでないことに注意されたい。ま
た、画素アレーは一般に矩形の格子状に設定されるが、
本発明はこの構造に限定されるものではない。説明およ
び理解の便宜のために、画素アレー20はM列およびN行
で構成される矩形画素アレーであるとする。データ・ド
ライバ30にアナログまたはディジタル形式のビデオ情報
を表わす直列データが供給される。図示の走査線クロッ
クの周波数のM倍で典型的に発生する画素クロックを使
用して、データ・ドライバ30に対する適切なタイミング
をとる。データ・ドライバ30は典型的にはM本の出力線
を有している。このM本のデータ線は典型的には特定の
時点で全て有効になる。すなわち、走査ドライバ40が走
査線クロック信号の制御の下に(例えばm番目のデータ
線とn番目の走査線の交点に設けられているような)半
導体スイッチを作動して1行の画素電極にM本のデータ
線からのデータを一度に供給することができる。従っ
て、画素アレー20の各行に対して走査ドライバからの線
があることがわかる。従って、一般的には走査ドライバ
40からN本の出力線(走査線)がある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION FIG. 1 shows an overall view of a liquid crystal display device 10. The main component of the device is an array 20 of individually controllable pixel elements. Typically, the array is configured in a rectangular grid, with each grid location provided with a transparent pixel electrode and its associated semiconductor switch;
This semiconductor switch has a function of supplying a voltage to an associated pixel electrode. Typically, there are as many semiconductor switches as pixel electrodes. Note, however, that this is not required for the operation of the present invention. Also, the pixel array is generally set in a rectangular grid,
The present invention is not limited to this structure. For convenience of explanation and understanding, it is assumed that the pixel array 20 is a rectangular pixel array composed of M columns and N rows. Data driver 30 is provided with serial data representing video information in analog or digital form. Appropriate timing for data driver 30 is provided using a pixel clock that typically occurs at M times the frequency of the scan line clock shown. Data driver 30 typically has M output lines. These M data lines are typically all valid at a particular point in time. That is, the scan driver 40 activates a semiconductor switch (for example, provided at the intersection of the m-th data line and the n-th scan line) under the control of the scan line clock signal, and applies a signal to one row of pixel electrodes. Data from M data lines can be supplied at one time. Therefore, it can be seen that there is a line from the scan driver for each row of the pixel array 20. Therefore, in general, scan drivers
There are 40 to N output lines (scan lines).
画素電極およびデータ電極の構成によって生じる特定
の問題は第2図に更に詳しく示されている。The particular problem caused by the configuration of the pixel and data electrodes is illustrated in more detail in FIG.
特に、第m番目のデータ線および第n番目の走査線に
関連する画素電極に注目する。ここにおいて、画素電極
21に対向してアース面電極部分(図示せず)および関連
する液晶材料(図示せず)が存在する結果として容量性
回路素子CLCが存在することに注意されたい。また、第
2図にはスイッチング素子25に関連してソース・ドレイ
ン間の寄生容量CSDが示されている。また、第2図には
第m番目のデータ線と図示する画素電極21との間に存在
する寄生容量CDが示されている。(他の画素電極も示さ
れているが、符号は付けられていない)。更に、寄生容
量は画素電極21とその右側に示すデータ線(m+1)と
の間にも存在することに注意されたい。しかしながら、
この容量はその関連するCDの容量値の決定の際に考慮す
るものとする。また、容量CDおよび容量CSDは事実上並
列であり、それらの容量は加算されることに注意された
い。更に、データ線は符号24で示され、同様に走査線は
符号22で示されていることがわかる。In particular, attention is paid to pixel electrodes associated with the m-th data line and the n-th scanning line. Here, the pixel electrode
Note that the capacitive circuit element CLC is present as a result of the presence of the ground plane electrode portion (not shown) and associated liquid crystal material (not shown) opposite 21. Further, in FIG. 2 is shown in relation to the switching element 25 is a parasitic capacitance C SD between the source and drain. Further, in FIG. 2 there is shown a parasitic capacitance C D that exists between the pixel electrode 21 shown with the m-th data lines. (Other pixel electrodes are shown but not numbered). Further, it should be noted that the parasitic capacitance exists between the pixel electrode 21 and the data line (m + 1) shown on the right side thereof. However,
The capacity shall be taken into account in the determination of the capacitance value of its associated C D. The capacitor C D and the capacitor C SD is virtually parallel, it should be noted that their capacity is added. Further, it can be seen that the data lines are indicated by reference numeral 24 and the scan lines are also indicated by reference numeral 22.
次に、本発明が解決しようとする問題について第2図
を更に完全に分析して考える。特に、画素電極21につい
て考えると、データ線(m+1)上に生じている電圧信
号は、画素電極21とデータ線(m+1)とが必然的に非
常に近接している結果として存在する該データ線(m+
1)の容量性結合(図示しないが)により画素電極21に
印加される。同様に、寄生容量CSDがデータ線mを画素
電極21に結合するように作用するので、半導体スイッチ
25がオフになっていても、データ線mに供給された信号
もまた画素電極21上に現われる。また、画素電極21はデ
ータ線(m+1)に結合されるのと同じ理由により、デ
ータ線mにCDを介して容量結合されている。情報は他の
行、例えば走査線(n+1)または(n+2)に関連す
る行に供給されている期間においても、疑似信号が行n
に印加されることがある。これが本発明が改善しようと
する問題である。図においては、行nおよび列mのセル
についてのみ寄生容量が示されているが、これらは全て
の画素セルにも存在するものである。しかし、ここにお
いては例示のため上述した1つのセルについてのみ考え
る。Next, the problem to be solved by the present invention will be considered by analyzing FIG. 2 more completely. In particular, considering the pixel electrode 21, the voltage signal generated on the data line (m + 1) is the voltage signal existing as a result of the pixel electrode 21 and the data line (m + 1) being necessarily very close to each other. (M +
The voltage is applied to the pixel electrode 21 by the capacitive coupling (not shown) of 1). Similarly, since the parasitic capacitance CSD acts to couple the data line m to the pixel electrode 21, the semiconductor switch
Even if 25 is off, the signal supplied to the data line m also appears on the pixel electrode 21. For the same reason as the pixel electrode 21 is coupled to the data line (m + 1), via the C D it is capacitively coupled to the data line m. The spurious signal remains in row n even when the information is being supplied to another row, for example the row associated with scan line (n + 1) or (n + 2).
May be applied. This is the problem that the present invention seeks to improve. In the figure, the parasitic capacitance is shown only for the cell in row n and column m, but these are also present in all the pixel cells. However, here, only one cell described above is considered for illustration.
上述したクロストーク問題を解決する方法が第3図に
例示されている。特に、ここに図示する第1の波形は問
題を解決する2つの方法を示している。期間T1およびT2
はこれらの1つに関連している。期間T3はこれらの方法
の他のものに関係している。これらは説明の都合上同じ
時間スケールで示されている。A method for solving the above-described crosstalk problem is illustrated in FIG. In particular, the first waveform shown here illustrates two ways to solve the problem. Periods T 1 and T 2
Is related to one of these. Period T 3 is related to that of the other of these methods. These are shown on the same time scale for illustrative purposes.
まず最初に、期間T1およびT2における本発明の動作に
ついて考える。期間T1+T2の間に示すクロストーク補正
方法は2進(すなわちオン・オフ)ディスプレイに適用
される。特に、第3図の最初の2つの図の波形は第n番
目の行と第m番目の列の画素電極に供給される信号を示
している。走査線nが能動状態にあるとき(周期T1の最
初の半分の間)、「1」が画素電極に書き込まれる。周
期T1の後半の間においては、「0」がデータ線に供給さ
れるが、走査パルスが周期の後半においては能動状態に
ないので画素電極には書き込みは行われない。期間T1に
おいて同じ画素セルに2進「0」を書き込みたい場合に
は、逆の状態を発生すればよい。このようにして、期間
T1にわたって、一定のRMS電圧がデータ線mに供給され
る。更に良好な画像を形成するためにこの一定のRMS電
圧に反作用するように補償電圧を印加してもよい。First, consider the operation of the present invention in the period T 1 and T 2. The crosstalk correction method shown during period T 1 + T 2 applies to a binary (ie, on-off) display. In particular, the waveforms in the first two figures of FIG. 3 show signals supplied to the pixel electrodes in the n-th row and the m-th column. When the scanning line n are in the active state (during the first half of the period T 1), "1" is written into the pixel electrode. In During the second half of the period T 1, "0" is are supplied to the data lines, the writing is not performed to the pixel electrode the scanning pulse is not in the active state in the second half of the cycle. Binary to the same pixel cell in the period T 1 when it is desired to write "0" may be generated to the opposite state. In this way, the period
Over T 1, a constant RMS voltage is supplied to the data line m. In order to form a better image, a compensation voltage may be applied so as to react against the constant RMS voltage.
次に期間T2に示すクロストーク除去方法に注目してみ
る。これらの2つの別々の方法は比較の便宜のために同
じ図に示されていることに注意されたい。一般に期間T3
においてデータ線mに示される電圧波形は期間T1+T2に
おいて供給されるものに対して示されている簡単な2進
補数よりも異なった特性を有している。特に、期間T3に
おいてデータ線m上の波形で示される方法はグレースケ
ール・ディスプレイを使用する場合に適用できる。グレ
ースケール・ディスプレイに対しては、0≦V1≦Vmaxの
ような電圧V1が線アドレス期間の最初の半分の間に印加
され、そのRMS補数が後半に印加される。特に、RMS補数
は次式のように計算される。Next, attention is paid to the cross-talk removing method shown in the period T 2. Note that these two separate methods are shown in the same figure for convenience of comparison. Generally period T 3
The voltage waveform shown on data line m has a different characteristic than the simple binary complement shown for that provided in period T 1 + T 2 . In particular, the method shown by the waveform on the data line m in the period T 3 is applicable when using gray-scale display. For gray-scale display, voltages V 1, such as 0 ≦ V 1 ≦ V max is applied during the first half of the line address period, the RMS complement is applied to the second half. In particular, the RMS complement is calculated as:
このように期間T3においては、データ線mに印加され
る2つの異なる電圧がある。期間の最初の半分において
は、印加される電圧はV1である。期間T3の後半において
は、データ線mに印加される電圧はV2、すなわちRMS補
数である。また、これはデータ線m上の一定のRMS電圧
を保証している。V0=Vmaxより大きい電圧が利用できる
場合には、より短い期間で補正が行われ、同じ一定のRM
S電圧レベルを発生する。期間T3が2つの同じ部分に分
割される必要はない。 In this way, the period T 3, there are two different voltages applied to the data line m. In the first half of the period, the applied voltage is V 1. In the second half of the period T 3, the voltage applied to the data line m is V 2, i.e., RMS complement. This also guarantees a constant RMS voltage on data line m. If a voltage greater than V 0 = V max is available, the correction is made in a shorter period and the same constant RM
Generates S voltage level. Need not period T 3 is divided into two identical parts of the.
本発明の他の実施例が第4図示されている。しかしな
がら、主たる構成は同じである。特に、いくつかの数の
行アドレス期間Nmaxの後、補正電圧がデータ線mに印加
され、延長された期間にわたってRMS電圧が一定の値に
なる。第4図に示されているように、補正期間に印加さ
れる電圧はNmaxの行アドレス期間の間に印加される平均
電圧のRMS補数であるように選択される。第4図は相対
的な値およびタイミングを示しており、特に図示の行ア
ドレス期間の間においては、データ値が全て2進値であ
るということは必ずしもその通りではないことに注意さ
れたい。第4図に示す実施例においては、全てのデータ
線は通常の方法でアドレスされ、RMS補正波形は全期間
(行アドレス期間+補正期間)にわたってデータ線上に
一定のRMS電圧を与えるように印加される。同じ振幅が
補正の間印加される場合には補正期間はNmaxの行アドレ
ス期間に等しい。最大データ電圧の2倍が利用できる場
合には、行アドレス期間の4分の1のみが必要である。A fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. However, the main configuration is the same. In particular, after some number of row address periods Nmax , a correction voltage is applied to data line m, and the RMS voltage has a constant value over an extended period. As shown in FIG. 4, the voltage applied during the correction period is selected to be the RMS complement of the average voltage applied during the Nmax row address period. It should be noted that FIG. 4 shows the relative values and timing, especially during the illustrated row address period, not all data values are binary values. In the embodiment shown in FIG. 4, all data lines are addressed in the usual manner, and the RMS correction waveform is applied to provide a constant RMS voltage on the data lines for the entire period (row address period + correction period). You. If the same amplitude is applied during the correction, the correction period is equal to Nmax row address periods. If twice the maximum data voltage is available, only one quarter of the row address period is needed.
第3図の期間T1およびT2に示す方法を達成するディジ
タル手段が第5図および第6図に示されている。特に、
排他的論理和回路31が使用され、上述した所望の2進補
数動作を実行していることに注意されたい。2レベル・
ディスプレイに対してはこの回路は一定のRMS波形を発
生する。この一定のRMS波形は線アドレス期間の半分の
間データを反転し、線アドレス期間の反転されない半分
の間走査出力を付勢することによって発生する。これ
は、第5図に示すように各データ・ドライバの出力に排
他的論理和ゲートを設けるか、またはデータ・ドライバ
30のシフトレジスタに対する直列データ入力線上に排他
的論理和ゲートを使用することによって達成される。こ
の後者の実施例においては、各々の線アドレス期間の間
データがデータ・ドライバに2回供給される。また、こ
の後者の実施例においては、単一の排他的論理和回路32
しか必要でないことに注意されたい(第6図参照)。Digital means to achieve a method shown in the period T 1 and T 2 of FIG. 3 is shown in Figure 5 and Figure 6. Especially,
Note that exclusive OR circuit 31 is used to perform the desired binary complement operation described above. Two levels
For displays, this circuit generates a constant RMS waveform. This constant RMS waveform is generated by inverting the data during half of the line address period and energizing the scan output during the non-inverted half of the line address period. This is achieved by providing an exclusive OR gate at the output of each data driver as shown in FIG.
This is achieved by using exclusive OR gates on the serial data input lines for the 30 shift registers. In this latter embodiment, data is supplied to the data driver twice during each line address period. In this latter embodiment, a single exclusive OR circuit 32 is used.
Note that only this is necessary (see FIG. 6).
多重レベルまたはグレースケール・ディスプレイに対
する上述した補正方法の実施例が第7図および第8図に
示されている。特に、第7図に示す回路にはアナログの
サンプル/ホールド(S/H)ドライバ55および56が使用
されている。RMS補数は自乗器51、加減算器52、平方根
計算器53およびスイッチ54のようなアナログ回路を使用
して出力されている。スイッチ54は走査付勢信号によっ
て選択され、RMS補数値を発生するように処理された生
の入力線ビデオ・データまたはアナログ・ビデオ・デー
タを選択する。サンプル/ホールド回路55および56に供
給されるタイミング信号は、有効なデータがその関連す
るビデオ・ディスプレイ・データによって決定されたデ
ィスプレイの選択された1つの行に同時に利用できるよ
うに保証している。An embodiment of the above-described correction method for a multi-level or grayscale display is shown in FIGS. 7 and 8. In particular, the circuit shown in FIG. 7 uses analog sample / hold (S / H) drivers 55 and 56. The RMS complement is output using analog circuits such as a squarer 51, an adder / subtracter 52, a square root calculator 53 and a switch 54. Switch 54 selects raw input line video data or analog video data which is selected by the scan enable signal and processed to generate the RMS complement value. The timing signals provided to the sample / hold circuits 55 and 56 ensure that valid data is simultaneously available to a selected row of the display as determined by its associated video display data.
RMS補数発生手段の第2の実施例が第8図に示されて
いる。この実施例はディジタル・データおよびルックア
ップテーブル(LUT)を使用し、RMS補数を決定してい
る。ディジタル・アナログ変換器66がデータ線ドライバ
として使用されている。特に、第8図はビデオ・データ
がディジタル形式で入力される場合を示しており、画素
電極に印加される256のグレースケール・レベルの1つ
を決定するのに8ビットが割り当てられている。特に、
データはルックアップテーブル60に供給されている。こ
のルックアップテーブル60は(例えば)256×256の素子
から成るROMを有し、この256×256の素子から成るROMは
データ入力の256の可能な組合せに対するRMS補数を決定
するために使用されている。走査付勢信号がスイッチ64
を制御するように発生し、このスイッチ64は生のディジ
タル・データまたはそのRMS補数を決定するように処理
されたディジタル・データのいずれかを選択する。例え
ば、前述した第3図に示す最初の図における期間T3の後
半に示す波形を参照されたい。この8ビット2進データ
はデータ・バスおよびデータ・ラッチ65に供給される。
これらのラッチの各々はディジタル・アナログ変換器66
を駆動し、この変換器66は画素アレー内の種々のデータ
線を駆動するのに使用される。このように、所望のRMS
電圧波形がデータ線に供給されて、所望の一定のRMS電
圧を形成する。A second embodiment of the RMS complement generator is shown in FIG. This embodiment uses digital data and a look-up table (LUT) to determine the RMS complement. A digital-to-analog converter 66 is used as a data line driver. In particular, FIG. 8 shows the case where the video data is input in digital form, where 8 bits are allocated to determine one of the 256 gray scale levels applied to the pixel electrodes. Especially,
The data is supplied to a look-up table 60. The look-up table 60 has a ROM of (for example) 256 × 256 elements, the ROM of 256 × 256 elements being used to determine the RMS complement for 256 possible combinations of data inputs. I have. Scan energizing signal is switch 64
Switch 64 selects either the raw digital data or the digital data that has been processed to determine its RMS complement. For example, see the waveform shown in the latter half of the period T3 in the first diagram shown in FIG. This 8-bit binary data is provided to data bus and data latch 65.
Each of these latches is a digital to analog converter 66
And this converter 66 is used to drive the various data lines in the pixel array. Thus, the desired RMS
A voltage waveform is applied to the data lines to form a desired constant RMS voltage.
従って、本発明の方法および装置はマトリックス・ア
ドレス式液晶ディスプレイにおけるクロストークを除去
するのに適していることがわかるであろう。更に詳しく
は、本発明の方法および装置は種々の画素要素に好まし
くなく供給されることのある付加信号を補償する手段を
備えていることがわかる。特に、この方法は近接構造に
起因する大きな寄生容量効果を有する高解像度ディスプ
レイに重要である。そして、データ線と画素電極との間
の寄生容量によって発生する素子上の電圧の不確実性が
取り除かれる。本発明の方法は容易に実施することがで
きるとともに、高解像度の液晶ディスプレイ装置の製造
における重要な問題を解決していることに注意された
い。Thus, it will be appreciated that the method and apparatus of the present invention is suitable for eliminating crosstalk in a matrix-addressed liquid crystal display. More particularly, it can be seen that the method and apparatus of the present invention include means for compensating for additional signals that may be undesirably applied to various pixel elements. In particular, this method is important for high resolution displays that have large parasitic capacitance effects due to proximity structures. Then, the uncertainty of the voltage on the element caused by the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode is eliminated. It should be noted that the method of the present invention is easy to implement and solves a significant problem in manufacturing high resolution liquid crystal display devices.
本発明はその好適実施例について詳細に説明したが、
本技術分野に専門知識を有する者にとっては多くの変更
および変形を行うことができるものであろう。従って、
特許請求の範囲は本発明の真の精神および範囲内に入る
このような全ての変更および変形を含むものである。Although the present invention has been described in detail with reference to its preferred embodiments,
Many modifications and variations will be apparent to practitioners skilled in the art. Therefore,
It is intended that the appended claims cover all such modifications and variations that fall within the true spirit and scope of the invention.
第1図は本発明の構造の全体を示すブロック図である。 第2図は本発明によって軽減しようとしている寄生容量
効果を特に示している第1図に示す画素アレーの一部の
電気回路構成図である。 第3図は特定のデータ線および走査線信号の時間に対す
る電圧を示す波形図である。 第4図は特定の複数の走査期間に続いてRMS補正電圧が
印加されているデータ線の時間に対する電圧を示す波形
図である。 第5図はオン・オフ形ディスプレイを使用した場合のRM
S電圧補正波形を印加する1つの方法を示すブロック図
である。 第6図は第5図に示す回路の変形例を示すブロック図で
ある。 第7図はグレースケール・ディスプレイ装置に対するア
ナログRMS電圧補償回路を示すブロック図である。 第8図の別のディジタル式グレースケール・ディスプレ
イ補償システムを示すブロック図である。 10……液晶ディスプレイ装置、20……画素アレー、21…
…画素電極、22……走査線、24……データ線、25……ス
イッチング素子。FIG. 1 is a block diagram showing the entire structure of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of an electrical circuit of a portion of the pixel array shown in FIG. 1, specifically illustrating the parasitic capacitance effect that is to be reduced by the present invention. FIG. 3 is a waveform diagram showing voltage with respect to time of a specific data line and scanning line signal. FIG. 4 is a waveform diagram showing a voltage with respect to a time of a data line to which an RMS correction voltage is applied after a plurality of specific scanning periods. Fig. 5 shows the RM using the on / off type display
FIG. 9 is a block diagram showing one method of applying an S voltage correction waveform. FIG. 6 is a block diagram showing a modification of the circuit shown in FIG. FIG. 7 is a block diagram showing an analog RMS voltage compensation circuit for a gray scale display device. FIG. 9 is a block diagram illustrating another digital gray scale display compensation system of FIG. 10 ... LCD display device, 20 ... Pixel array, 21 ...
... pixel electrode, 22 ... scanning line, 24 ... data line, 25 ... switching element.
Claims (4)
れた複数の画素電極と、 対応する画素電極に関連するように該対応する画素電極
に接続された複数の半導体スイッチング素子と、 少なくとも1つのアース面電極がその上に設けられ、前
記第1の基板から所定距離離間して配置されている第2
の基板と、 前記基板間に配置された液晶材料であって、前記画素電
極および前記少なくとも1つのアース面電極と共に容量
性の電気素子を構成する当該液晶材料と、 各々が前記画素電極の格子の行に関連する複数の前記半
導体スイッチング素子に接続されている複数の導電性走
査線と、 各々が前記画素電極の格子の列に関連する複数の前記半
導体スイッチング素子に接続されている複数の導電性デ
ータ線と、 前記走査線に単極性の付勢信号を逐次的に供給する手段
と、 前記データ線に複数の単極性のデータ信号を供給するデ
ータ信号供給手段であって、前記データ信号は相次いで
発生される走査線付勢信号の開始時相互の間の期間内に
発生されて、該期間の間ほぼ一定のRMS電圧が前記デー
タ線の少なくともいくつかに供給されるように、前記期
間の第1の部分においては所望の電圧レベルが前記デー
タ線に印加され、かつ前記期間の第2の部分においては
補正電圧レベルが前記データ線に供給されるようにした
当該データ信号供給手段と、 を有するディスプレイ装置。A plurality of pixel electrodes arranged in a lattice pattern on a first insulating substrate; a plurality of semiconductor switching elements connected to the corresponding pixel electrodes so as to be associated with the corresponding pixel electrodes; A second ground plane electrode disposed thereon and at least one ground plane electrode disposed at a predetermined distance from the first substrate;
And a liquid crystal material disposed between the substrates, wherein the liquid crystal material constitutes a capacitive electric element together with the pixel electrode and the at least one ground plane electrode. A plurality of conductive scanning lines connected to the plurality of semiconductor switching elements associated with a row; and a plurality of conductive scanning lines each connected to the plurality of semiconductor switching elements associated with a column of the pixel electrode grid. A data line, a unit for sequentially supplying a unipolar energizing signal to the scanning line, and a data signal supplying unit for supplying a plurality of unipolar data signals to the data line, wherein the data signals are successive. Generated during a period between each other at the start of the scan line energizing signal generated during the period such that a substantially constant RMS voltage is provided to at least some of the data lines during the period. A data voltage supply means for applying a desired voltage level to the data line in a first part of the period, and a correction voltage level to the data line in a second part of the period And a display device comprising:
ルの2進補数である請求項1記載の装置。2. The apparatus of claim 1, wherein said correction voltage level is a binary complement of said desired voltage level.
向に伸びるデータ線を持つ薄膜トランジスタ・マトリッ
クス・アドレス式液晶ディスプレイ装置を駆動する方法
において、 前記走査線に単極性の付勢信号を逐次的に供給し、 前記データ線に複数の単極性のデータ信号を供給し、該
データ信号は相次いで発生される走査線付勢信号の開始
時相互の間の期間内に発生されて、該期間の間において
ほぼ一定のRMS電圧が前記データ線の少なくともいくつ
かに供給されるように、前記期間の第1の部分において
は所望の電圧レベルが前記データ線に印加され、かつ前
記期間の第2の部分においては補正電圧レベルが前記デ
ータ線に供給されるようにした方法。3. A method of driving a thin film transistor matrix addressed liquid crystal display device having a scanning line extending in a first direction and a data line extending in a second direction, wherein a unipolar energizing signal is applied to the scanning line. Providing a plurality of unipolar data signals to the data lines, wherein the data signals are generated within a period between each other at the beginning of successively generated scan line activation signals; During a first portion of the period, a desired voltage level is applied to the data line such that a substantially constant RMS voltage is provided to at least some of the data lines during the period, and 2. The method of claim 2, wherein the correction voltage level is supplied to the data line in the part (2).
れた複数の画素電極と、 対応する画素電極に関連するように該対応する画素電極
に接続された複数の半導体スイッチング素子と、 少なくとも1つのアース面電極が上に配設され、前記第
1の基板から所定距離離間して配設されている第2の基
板と、 前記基板間に配設された液晶材料であって、前記画素電
極および前記少なくとも1つのアース面電極と共に容量
性の電気素子を構成する当該液晶材料と、 各々が前記画素電極の格子の行に関連している複数の前
記半導体スイッチング素子に接続されている複数の導電
性走査線と、 各々が前記画素電極の格子の列に関連している複数の前
記半導体スイッチング素子に接続されている複数の導電
性データ線と、 前記走査線に単極性の付勢信号を逐次的に供給する手段
と、 前記データ線に複数の単極性のデータ信号を供給するデ
ータ信号供給手段であって、当該手段は相次いで供給さ
れる前記走査線信号間の期間の整数倍に等しい時間作用
して、前記延長された時間の間、種々の所望の電圧レベ
ルを前記データ線に印加し、かつこの延長された周期に
続く時間の間、補正電圧レベルを前記データ線に印加し
て、前記延長された時間および該延長時間に続く時間に
わたってほぼ一定のRMS電圧が前記データ線の少なくと
もいくつかに供給されるようにした当該データ信号供給
手段と、 を有するディスプレイ装置。4. A plurality of pixel electrodes arranged in a grid pattern on a first insulating substrate; a plurality of semiconductor switching elements connected to the corresponding pixel electrodes so as to be associated with the corresponding pixel electrodes; A second substrate having at least one ground plane electrode disposed thereon, disposed at a predetermined distance from the first substrate, and a liquid crystal material disposed between the substrates; A liquid crystal material forming a capacitive electrical element with a pixel electrode and the at least one ground plane electrode; and a plurality of semiconductor switching elements each connected to a plurality of the semiconductor switching elements associated with a row of the pixel electrode grid. A plurality of conductive data lines connected to the plurality of semiconductor switching elements, each of which is associated with a column of the pixel electrode grid; and a unipolar energizing signal to the scan lines. And data signal supply means for supplying a plurality of unipolar data signals to the data line, wherein the means is an integral multiple of a period between the scanning line signals supplied one after another. Acting for an equal amount of time, applying various desired voltage levels to the data line during the extended period of time and applying a correction voltage level to the data line during the period following the extended period. And a data signal supply means for supplying a substantially constant RMS voltage to at least some of the data lines over the extended time period and a time period following the extended time period.
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