JP2655967B2 - 電磁弁 - Google Patents
電磁弁Info
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- JP2655967B2 JP2655967B2 JP4101590A JP10159092A JP2655967B2 JP 2655967 B2 JP2655967 B2 JP 2655967B2 JP 4101590 A JP4101590 A JP 4101590A JP 10159092 A JP10159092 A JP 10159092A JP 2655967 B2 JP2655967 B2 JP 2655967B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体製造プ
ロセス等に用いられる電磁弁に関するものである。
ロセス等に用いられる電磁弁に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の斯種制御弁としては、実開昭59−
77676 号公報に示された電磁弁が知られている。この電
磁弁によればプランジャーの変位置が比較的自由に設計
でき、20ＳＬＭ程度以上の大流量まで制御可能であり、
また、他の種の制御弁に比べ安価であるという利点があ
る。しかしながら、この構成の制御弁によると、流体と
して特にガスを用いた場合、当該流体がプランジャーと
プランジャーパイプ内周面との間の僅かな空隙を介して
プランジャーの収容部分に入り込み、残留する。このた
め、流体（ガス）を切り換えた場合には、残留する流体
と新らたな流体とが混ざり合ってしまう問題点がある。
かかる問題点は、特に、いくつかのガスを同一の半導体
に対し切換えて与える半導体製造プロセスでは重大であ
る。従って、流体が入り込む部分の内表面積を小さく
し、かつ、滞留の生じにくい構造が望まれており、流体
がガスの場合、ガスパージ等で簡単に除去できることが
望ましい。
77676 号公報に示された電磁弁が知られている。この電
磁弁によればプランジャーの変位置が比較的自由に設計
でき、20ＳＬＭ程度以上の大流量まで制御可能であり、
また、他の種の制御弁に比べ安価であるという利点があ
る。しかしながら、この構成の制御弁によると、流体と
して特にガスを用いた場合、当該流体がプランジャーと
プランジャーパイプ内周面との間の僅かな空隙を介して
プランジャーの収容部分に入り込み、残留する。このた
め、流体（ガス）を切り換えた場合には、残留する流体
と新らたな流体とが混ざり合ってしまう問題点がある。
かかる問題点は、特に、いくつかのガスを同一の半導体
に対し切換えて与える半導体製造プロセスでは重大であ
る。従って、流体が入り込む部分の内表面積を小さく
し、かつ、滞留の生じにくい構造が望まれており、流体
がガスの場合、ガスパージ等で簡単に除去できることが
望ましい。
【０００３】上記に対し、実開平２−76859 号公報に示
されるようにダイヤフラムを用いてガスの残留部を無く
した構成の圧電素子による制御弁も知られている。この
構造の制御弁においては、ダイヤフラムが流体（ガス）
による内圧を受けるが、この内圧による力Ｆは、ダイヤ
フラムの有効面積をＳcm2 、内圧をＶkg／cm2 としたと
き、 Ｆ＝Ｓ・Ｖ で表わされ、例えば、Ｖ＝２kg／cm2 ，Ｓ＝４cm2 であ
るとき、Ｆ＝８kgであり、圧電素子の力が通常で10kg以
上であることから、制御が十分可能なものである。
されるようにダイヤフラムを用いてガスの残留部を無く
した構成の圧電素子による制御弁も知られている。この
構造の制御弁においては、ダイヤフラムが流体（ガス）
による内圧を受けるが、この内圧による力Ｆは、ダイヤ
フラムの有効面積をＳcm2 、内圧をＶkg／cm2 としたと
き、 Ｆ＝Ｓ・Ｖ で表わされ、例えば、Ｖ＝２kg／cm2 ，Ｓ＝４cm2 であ
るとき、Ｆ＝８kgであり、圧電素子の力が通常で10kg以
上であることから、制御が十分可能なものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の圧電素子による制御弁は、圧電素子が有する問題
点を引き継いでいる。即ち、圧電素子のストロークは一
般的に、ＤＣ 150Ｖで数ミクロンと小さく、大流量制御
には向かない。また、制御電圧が高く、特別のＤＣ昇圧
回路が必要であり、また、安全性の観点からも優れてい
るとは言い難い。更に、圧電素子は薄い(0.2mm程度）セ
ラミックス板を多数枚積層して作成するもので構造的に
脆く、また、高価でもある。
来例の圧電素子による制御弁は、圧電素子が有する問題
点を引き継いでいる。即ち、圧電素子のストロークは一
般的に、ＤＣ 150Ｖで数ミクロンと小さく、大流量制御
には向かない。また、制御電圧が高く、特別のＤＣ昇圧
回路が必要であり、また、安全性の観点からも優れてい
るとは言い難い。更に、圧電素子は薄い(0.2mm程度）セ
ラミックス板を多数枚積層して作成するもので構造的に
脆く、また、高価でもある。
【０００５】上記の圧電素子による制御弁の問題点のう
ち、変位ストローク量が小さい点を補った制御弁として
特開昭63−199978号公報に示された制御弁が知られてい
る。この制御弁はストローク拡大構造を有する駆動力伝
達部材により、ストロークの拡大を図っている。しか
し、この構造の制御弁では、圧電素子の強い力によって
駆動伝達部材の舌片が比較的簡単に変形するものと考え
られ実用に向きにくい。また、圧電素子の変位量が数ミ
クロンと小さいことから、上記拡大構造によるストロー
ク拡大分が、機械的なガタやねじ部等の遊びによって吸
収されることがあり十分な効果を奏しにくいものであ
る。
ち、変位ストローク量が小さい点を補った制御弁として
特開昭63−199978号公報に示された制御弁が知られてい
る。この制御弁はストローク拡大構造を有する駆動力伝
達部材により、ストロークの拡大を図っている。しか
し、この構造の制御弁では、圧電素子の強い力によって
駆動伝達部材の舌片が比較的簡単に変形するものと考え
られ実用に向きにくい。また、圧電素子の変位量が数ミ
クロンと小さいことから、上記拡大構造によるストロー
ク拡大分が、機械的なガタやねじ部等の遊びによって吸
収されることがあり十分な効果を奏しにくいものであ
る。
【０００６】そこで本発明では、ストロークは大きいが
力が十分得られないソレノイドタイプの弁駆動手段を有
する電磁弁でありながら、的確な弁制御の可能な電磁弁
を提供することを目的とする。
力が十分得られないソレノイドタイプの弁駆動手段を有
する電磁弁でありながら、的確な弁制御の可能な電磁弁
を提供することを目的とする。
【０００７】また、流体（特にガス）が滞留しにくい構
造の電磁弁を提供することを目的とし、更に、溶接部や
樹脂等のような、流体の化学的作用により変質する部分
をなくすることの可能な電磁弁を提供することを目的と
する。
造の電磁弁を提供することを目的とし、更に、溶接部や
樹脂等のような、流体の化学的作用により変質する部分
をなくすることの可能な電磁弁を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電磁弁は、
中央部にネジ穴が形成された天井部を有し、下端部が開
口端とされた磁性体のケースと、このケース内に設けら
れたボビンに巻回されたコイルと、前記ボビンの中央部
を通り、前記ケースの天井部のネジ穴に結合するネジ部
を有する磁性体のコアと、流体が流されるための弁口が
設けられたベースと、前記コイルおよび前記コアが内包
された前記ケースの開口端に設けられ、中空部を有する
有蓋円筒状をなし、開口部が前記ベースの弁口側に設け
られ前記弁口を覆うように配置され、前記蓋部がダイア
フラムである磁性体からなる単一物体のダイアフラム体
と、このダイアフラム体の前記中空部にばねにより付勢
された状態で内蔵され、磁性体からなり、前記コイルに
より発生される磁束を受けて前記ばねの付勢力に抗して
移動することにより前記弁口を開閉する弁体とを備え、
前記コイルにより発生される磁束が、前記コアから前記
ケースの天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記
ケースの周縁部を通り前記ダイアフラム体の円筒部へ到
り、更に、前記弁体側へ折れ曲がり、ここから前記コア
へと戻る磁路を形成するように各部材が配置されている
と共に、前記コアを回動して前記コアの下端面と前記ダ
イアフラム体のダイアフラム部との間の間隙を調整可能
とされていることを特徴とする。
中央部にネジ穴が形成された天井部を有し、下端部が開
口端とされた磁性体のケースと、このケース内に設けら
れたボビンに巻回されたコイルと、前記ボビンの中央部
を通り、前記ケースの天井部のネジ穴に結合するネジ部
を有する磁性体のコアと、流体が流されるための弁口が
設けられたベースと、前記コイルおよび前記コアが内包
された前記ケースの開口端に設けられ、中空部を有する
有蓋円筒状をなし、開口部が前記ベースの弁口側に設け
られ前記弁口を覆うように配置され、前記蓋部がダイア
フラムである磁性体からなる単一物体のダイアフラム体
と、このダイアフラム体の前記中空部にばねにより付勢
された状態で内蔵され、磁性体からなり、前記コイルに
より発生される磁束を受けて前記ばねの付勢力に抗して
移動することにより前記弁口を開閉する弁体とを備え、
前記コイルにより発生される磁束が、前記コアから前記
ケースの天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記
ケースの周縁部を通り前記ダイアフラム体の円筒部へ到
り、更に、前記弁体側へ折れ曲がり、ここから前記コア
へと戻る磁路を形成するように各部材が配置されている
と共に、前記コアを回動して前記コアの下端面と前記ダ
イアフラム体のダイアフラム部との間の間隙を調整可能
とされていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明に係る電磁弁は以上の通りに構成される
ので、コイルにより発生される磁束が、コアからケース
の天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記ケース
の周縁部を通りダイアフラム体の円筒部へ到り、更に、
弁体または移動体側へ折れ曲がり、ここから前記コアへ
と戻る磁路を形成することから、磁力により弁体が直接
または移動体により間接に移動する。このため、ダイア
フラムを変位させるために必要な大きな力を要せずに、
弁体を直接または間接に駆動し、弁口の開閉を適切に行
うことができる。
ので、コイルにより発生される磁束が、コアからケース
の天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記ケース
の周縁部を通りダイアフラム体の円筒部へ到り、更に、
弁体または移動体側へ折れ曲がり、ここから前記コアへ
と戻る磁路を形成することから、磁力により弁体が直接
または移動体により間接に移動する。このため、ダイア
フラムを変位させるために必要な大きな力を要せずに、
弁体を直接または間接に駆動し、弁口の開閉を適切に行
うことができる。
【００１０】また、ダイアフラム体は、溶接部や樹脂等
のような、流体の化学的作用により変質する部分を用い
ることなく、流体の流れる側とプランジャー側との間を
シールできるように働く。
のような、流体の化学的作用により変質する部分を用い
ることなく、流体の流れる側とプランジャー側との間を
シールできるように働く。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明に係る電磁
弁を説明する。図１に本発明の一実施例に係る電磁弁を
示す。
弁を説明する。図１に本発明の一実施例に係る電磁弁を
示す。
【００１２】電磁弁のベース１は、直方体状であって両
端部にフィティング部２、３を備えており、フィティン
グ部２、３の外周部には、ネジ２Ａ、３Ａが形成されて
いる。ベース１の上面には、図２に斜視図が示されてい
るダイアフラム体４が載置され、ネジにより固定されて
いる。つまり、ダイアフラム体４の基部４１は平面形状
が正方形であって、四隅にネジが挿入される穴４２が穿
設されており、ベース１の上面の対応する位置に形成さ
れたネジ穴に上記穴４２が位置合わせされ、ネジ止めさ
れる。
端部にフィティング部２、３を備えており、フィティン
グ部２、３の外周部には、ネジ２Ａ、３Ａが形成されて
いる。ベース１の上面には、図２に斜視図が示されてい
るダイアフラム体４が載置され、ネジにより固定されて
いる。つまり、ダイアフラム体４の基部４１は平面形状
が正方形であって、四隅にネジが挿入される穴４２が穿
設されており、ベース１の上面の対応する位置に形成さ
れたネジ穴に上記穴４２が位置合わせされ、ネジ止めさ
れる。
【００１３】ダイアフラム体４の基部４１の中央部分か
らは、円筒状に筒部４３が立設されている。この円筒部
４３の上部にはネジ４４が形成されている。筒部４３の
内部は、図１から明らかなように中空に形成され、上面
の蓋はダイアフラム４５となる。このダイアフラム４５
の部分は薄肉に形成される。ダイアフラム体４は、磁性
体により構成される。
らは、円筒状に筒部４３が立設されている。この円筒部
４３の上部にはネジ４４が形成されている。筒部４３の
内部は、図１から明らかなように中空に形成され、上面
の蓋はダイアフラム４５となる。このダイアフラム４５
の部分は薄肉に形成される。ダイアフラム体４は、磁性
体により構成される。
【００１４】ダイアフラム体４が設けられたベース１の
上面中央部からは、下方に流体の流出口５が形成されて
おり、この流出口５はベース１の中央部で折れ曲げられ
てフィティング部３へ向かう。また、ダイアフラム体４
が設けられたベース１の上面の上記ダイアフラム体４の
近傍部からは、下方に流体の流入口６が形成されてお
り、この流入口６はベース１の略中央部で折れ曲げられ
てフィティング部２へ向かう。ダイアフラム体４とベー
ス１との間にはシール７及びＯリング８が介装されダイ
アフラム体４とベース１とにより形成される中空部が外
部と遮断される。ダイアフラム体４により形成される中
空部（弁室）には、弁体９が入っている。
上面中央部からは、下方に流体の流出口５が形成されて
おり、この流出口５はベース１の中央部で折れ曲げられ
てフィティング部３へ向かう。また、ダイアフラム体４
が設けられたベース１の上面の上記ダイアフラム体４の
近傍部からは、下方に流体の流入口６が形成されてお
り、この流入口６はベース１の略中央部で折れ曲げられ
てフィティング部２へ向かう。ダイアフラム体４とベー
ス１との間にはシール７及びＯリング８が介装されダイ
アフラム体４とベース１とにより形成される中空部が外
部と遮断される。ダイアフラム体４により形成される中
空部（弁室）には、弁体９が入っている。
【００１５】弁体９は、図３に斜視図が示されるように
略円柱状の上部９１の下に上部９１より小型の円柱状の
弁頭部９２が設けられている。上部９１の上面の中央点
から１２０度ごとの３カ所の位置には穴９３が穿設さ
れ、コイルバネ９４が入れられている。コイルバネ９４
は弁体９を流出口５の入口部である弁口５１側へ付勢す
る。上部９１の上面の中央点から１２０度ごとの位置で
あって、上記３カ所の穴９３と重ならない位置の周縁部
には、流体の滞留防止のための切欠溝９５が設けられて
いる。弁頭９２の先端部は弁口５１を囲むように壁部が
形成され、壁面がベース１の上面に当接するか離間する
かでオリフィスの調整がなされる。
略円柱状の上部９１の下に上部９１より小型の円柱状の
弁頭部９２が設けられている。上部９１の上面の中央点
から１２０度ごとの３カ所の位置には穴９３が穿設さ
れ、コイルバネ９４が入れられている。コイルバネ９４
は弁体９を流出口５の入口部である弁口５１側へ付勢す
る。上部９１の上面の中央点から１２０度ごとの位置で
あって、上記３カ所の穴９３と重ならない位置の周縁部
には、流体の滞留防止のための切欠溝９５が設けられて
いる。弁頭９２の先端部は弁口５１を囲むように壁部が
形成され、壁面がベース１の上面に当接するか離間する
かでオリフィスの調整がなされる。
【００１６】１０はケースであって、コップを逆さにし
た形状を有し、下端部の内側にはネジ２１が形成され、
ダイアフラム体４のネジ４４に螺合する。ケース１０の
天井部中央にはネジ穴２２が形成され、棒状のコア２３
（鉄心）の頭部の周縁に形成されたネジ２４と螺合す
る。ケース１０内には、コイル２５が巻回されたコイル
ボビン１１が内蔵されている。コイルボビン１１の中空
部にはコア２３が挿入されている。
た形状を有し、下端部の内側にはネジ２１が形成され、
ダイアフラム体４のネジ４４に螺合する。ケース１０の
天井部中央にはネジ穴２２が形成され、棒状のコア２３
（鉄心）の頭部の周縁に形成されたネジ２４と螺合す
る。ケース１０内には、コイル２５が巻回されたコイル
ボビン１１が内蔵されている。コイルボビン１１の中空
部にはコア２３が挿入されている。
【００１７】ケース１０から上方へ突出したコア２３の
ネジ２４には固定ナット１２が螺合され、いわゆるダブ
ルナットによりコア２３を固定する。固定ナット１２の
斜視図が図４に示されている。コア２３の頭部の端面か
らは六角穴２６が穿設されこの六角穴２６に治具を入れ
て旋回することにより、コア２３の下端面とダイアフラ
ム４５の上面とのギャップｇ１を調整可能となってい
る。
ネジ２４には固定ナット１２が螺合され、いわゆるダブ
ルナットによりコア２３を固定する。固定ナット１２の
斜視図が図４に示されている。コア２３の頭部の端面か
らは六角穴２６が穿設されこの六角穴２６に治具を入れ
て旋回することにより、コア２３の下端面とダイアフラ
ム４５の上面とのギャップｇ１を調整可能となってい
る。
【００１８】上記の構成において、ケース１０、コア２
３も磁性体から成り、コイル２５によるソレノイドによ
り生じる磁束はコア２３からケース１０の天井部で折れ
曲り、ケース１０の周縁部を通りダイアフラム体４の円
筒部４３へ至り、更に、弁体９側へ折れ曲り、ここから
コア２３へと戻る。かかるループ状の磁路にダイアフラ
ム体４及び弁体９が配される。
３も磁性体から成り、コイル２５によるソレノイドによ
り生じる磁束はコア２３からケース１０の天井部で折れ
曲り、ケース１０の周縁部を通りダイアフラム体４の円
筒部４３へ至り、更に、弁体９側へ折れ曲り、ここから
コア２３へと戻る。かかるループ状の磁路にダイアフラ
ム体４及び弁体９が配される。
【００１９】以上の通りに構成された電磁弁において
は、ギャップｇ１がコア２３のネジ込み量により適宜に
調整され、更に、必要に応じてコア２３のねじ込み量を
増加させてダイアフラム体４のダイアフラム４５を下方
に変位させて、ギャップｇ２を調整することも可能であ
る。また、バネ９４の強さも適宜に選択される。かくし
て、ギャップｇ１、ｇ２の調整と、バネ９４の強さの選
択とにより、弁体９の駆動力が設定され得る。
は、ギャップｇ１がコア２３のネジ込み量により適宜に
調整され、更に、必要に応じてコア２３のねじ込み量を
増加させてダイアフラム体４のダイアフラム４５を下方
に変位させて、ギャップｇ２を調整することも可能であ
る。また、バネ９４の強さも適宜に選択される。かくし
て、ギャップｇ１、ｇ２の調整と、バネ９４の強さの選
択とにより、弁体９の駆動力が設定され得る。
【００２０】この電磁弁は、バネ９４により弁体９が弁
口５１側に押し付けられているので、ノーマリークロー
ズの制御弁として機能する。電流がコイル２５に流され
ると、弁体９がコア２３側に引き付けられ、バネ９４に
抗して電流に応じた電界の力で弁の開度がコントロール
される。流体は、流入口６から弁体９が設けられている
弁室に至り、弁口５１を介して流出口５へと流れる。
口５１側に押し付けられているので、ノーマリークロー
ズの制御弁として機能する。電流がコイル２５に流され
ると、弁体９がコア２３側に引き付けられ、バネ９４に
抗して電流に応じた電界の力で弁の開度がコントロール
される。流体は、流入口６から弁体９が設けられている
弁室に至り、弁口５１を介して流出口５へと流れる。
【００２１】以上の構成により、流体がプランジャー側
へ侵入しここで滞留することがなく、特に半導体の製造
工程では好適である。そして、流体が流れる流路の部分
に溶接部がなく、耐食性にも優れる。また、弁体９の周
縁部に切欠溝９５が形成されているため、ここにおいて
も流体の滞留を防止することができる。また、ダイアフ
ラム４５自体が弁体９を押圧する構成ではないから、ダ
イアフラム４５の変位がオリフィスの調整に影響するこ
とがない。従って、流体の内圧が高くダイアフラム４５
に圧力がかかる場合でも適切な流量制御を保証する。更
に、ダイアフラム４５が変位しにくい場合（例えば、ダ
イアフラム４５の径が小さい場合等）であっても、弁体
９が磁界により移動することにより広範囲な流量の制御
が可能である。
へ侵入しここで滞留することがなく、特に半導体の製造
工程では好適である。そして、流体が流れる流路の部分
に溶接部がなく、耐食性にも優れる。また、弁体９の周
縁部に切欠溝９５が形成されているため、ここにおいて
も流体の滞留を防止することができる。また、ダイアフ
ラム４５自体が弁体９を押圧する構成ではないから、ダ
イアフラム４５の変位がオリフィスの調整に影響するこ
とがない。従って、流体の内圧が高くダイアフラム４５
に圧力がかかる場合でも適切な流量制御を保証する。更
に、ダイアフラム４５が変位しにくい場合（例えば、ダ
イアフラム４５の径が小さい場合等）であっても、弁体
９が磁界により移動することにより広範囲な流量の制御
が可能である。
【００２２】また、コア２３の頭部に形成されているネ
ジ２４により図１のギャップｇ１を調整して、磁界の強
度を同じ電流に対して変えることができ弁体９のストロ
ークの調整を行うことができる。更に、コア２３を下方
に移動さるとダイアフラム４５が押圧されてギャップｇ
２も小さくなり、さらに、磁界を強めることが可能であ
る。また、バネ９４が３カ所に設けられ弁体９を平らに
押すので弁頭９２の下端面が適切にベース１の上面に接
し、シール効果が高い。このため、弁体の一部（上記シ
ールの部分）に合成樹脂を用いることなく、より耐食性
の優れた金属のみで弁体を構成できる。もちろん、弁頭
９２の下端面と、これに対向するベースの上面とは鏡面
仕上げされる。
ジ２４により図１のギャップｇ１を調整して、磁界の強
度を同じ電流に対して変えることができ弁体９のストロ
ークの調整を行うことができる。更に、コア２３を下方
に移動さるとダイアフラム４５が押圧されてギャップｇ
２も小さくなり、さらに、磁界を強めることが可能であ
る。また、バネ９４が３カ所に設けられ弁体９を平らに
押すので弁頭９２の下端面が適切にベース１の上面に接
し、シール効果が高い。このため、弁体の一部（上記シ
ールの部分）に合成樹脂を用いることなく、より耐食性
の優れた金属のみで弁体を構成できる。もちろん、弁頭
９２の下端面と、これに対向するベースの上面とは鏡面
仕上げされる。
【００２３】図５に、小流量の流体制御を行うための要
部構成を示す。ここでは、弁体９Ａを円盤状として、下
端面の中央部に小さな穴５４を形成する。円盤状の本体
部とその下部に形成された筒状の根部から構成される弁
座体５２が穴５４の直下に配される。ベース１Ａの流出
口５に至る部分は、弁座体５２の根部が圧入される穴５
６が形成されている。弁座体５２の上面中央部はテーパ
状の穴となっている。剛球５３は弁体９Ａの穴５４に圧
入される。その他の構成は図１の電磁弁に等しい。この
構成によれば、剛球５３が弁体９Ａと共に上下し弁座体
５２の上面中央部のテーパ状の穴との間でオリフィスが
調整される。テーパ状の穴は、その径が流出口５の径よ
り小さく、小流量の制御がなされることになる。
部構成を示す。ここでは、弁体９Ａを円盤状として、下
端面の中央部に小さな穴５４を形成する。円盤状の本体
部とその下部に形成された筒状の根部から構成される弁
座体５２が穴５４の直下に配される。ベース１Ａの流出
口５に至る部分は、弁座体５２の根部が圧入される穴５
６が形成されている。弁座体５２の上面中央部はテーパ
状の穴となっている。剛球５３は弁体９Ａの穴５４に圧
入される。その他の構成は図１の電磁弁に等しい。この
構成によれば、剛球５３が弁体９Ａと共に上下し弁座体
５２の上面中央部のテーパ状の穴との間でオリフィスが
調整される。テーパ状の穴は、その径が流出口５の径よ
り小さく、小流量の制御がなされることになる。
【００２４】図６には、他の構成例が示されている。同
図において、図１と同一の構成要素には、同一の符号を
付し重複する説明を省略する。この実施例では、弁体９
Ｂのバネ９４が介装される穴９３から下方に細孔６１が
連通し、流体の滞留を防止する構造となっている。ま
た、ダイアフラム体４Ａの中空部の天井付近の側壁から
は横方向に穴６２が形成され、この穴６２はダイアフラ
ム体４Ａの筒部４３の中央で折れ曲って下端面へ抜けて
いる。６３は、シール用のＯリングである。ダイアフラ
ム体４Ａの下端面の穴６２の開口部には、流体の流入口
の開口部が対向している。このため、流体は流入口６か
ら穴６２を通って弁室の天井部付近から弁口５１へ向か
って流れ、弁室内における流体の滞留が少なくなる。
図において、図１と同一の構成要素には、同一の符号を
付し重複する説明を省略する。この実施例では、弁体９
Ｂのバネ９４が介装される穴９３から下方に細孔６１が
連通し、流体の滞留を防止する構造となっている。ま
た、ダイアフラム体４Ａの中空部の天井付近の側壁から
は横方向に穴６２が形成され、この穴６２はダイアフラ
ム体４Ａの筒部４３の中央で折れ曲って下端面へ抜けて
いる。６３は、シール用のＯリングである。ダイアフラ
ム体４Ａの下端面の穴６２の開口部には、流体の流入口
の開口部が対向している。このため、流体は流入口６か
ら穴６２を通って弁室の天井部付近から弁口５１へ向か
って流れ、弁室内における流体の滞留が少なくなる。
【００２５】なお、上記実施例は、弁体自体が弁口を開
閉する。しかし、他の実施例では、移動体が、磁力によ
り移動し、弁室の別部材である弁体に移動を生じさせ弁
口の開閉が行われる。即ち、間接的に弁口の開閉を行
う。この場合の実施例では、磁力により第一に移動する
移動体の移動方向と、弁体の移動方向は必ずしも一致し
ない。即ち、弁室内には、移動体、弁体が少なくとも入
れられ、必要に応じて弁体に移動体の力を伝達する部材
（機構）も入れられる。従って、かかる実施例により、
ノーマリーオープンタイプの電磁弁が提供される。
閉する。しかし、他の実施例では、移動体が、磁力によ
り移動し、弁室の別部材である弁体に移動を生じさせ弁
口の開閉が行われる。即ち、間接的に弁口の開閉を行
う。この場合の実施例では、磁力により第一に移動する
移動体の移動方向と、弁体の移動方向は必ずしも一致し
ない。即ち、弁室内には、移動体、弁体が少なくとも入
れられ、必要に応じて弁体に移動体の力を伝達する部材
（機構）も入れられる。従って、かかる実施例により、
ノーマリーオープンタイプの電磁弁が提供される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、コ
イルにより発生された磁束がダイアフラム体を通ってダ
イアフラム体の中空部内の弁体に直接または間接に作用
するので、これによりオリフィスの調整がなされる。そ
して、ダイアフラム体により流体のプランジャー側への
侵入が阻止され滞留することがなく、特に半導体の製造
工程では好適である。また、ダイアフラムが弁体を押圧
する構成ではなく、磁力により弁体を直接または間接に
移動させる構成となるためダイアフラムの変位がオリフ
ィスの調整に影響することがなく、流体の圧力を考慮せ
ずに流量調整を適切になし得る効果がある。また、本発
明はダイアフラム体をベースの弁口に被せるようにする
だけで構成でき、作成が容易であり、しかも、流体がプ
ランジャー側への侵入することを阻止し得る効果があ
る。
イルにより発生された磁束がダイアフラム体を通ってダ
イアフラム体の中空部内の弁体に直接または間接に作用
するので、これによりオリフィスの調整がなされる。そ
して、ダイアフラム体により流体のプランジャー側への
侵入が阻止され滞留することがなく、特に半導体の製造
工程では好適である。また、ダイアフラムが弁体を押圧
する構成ではなく、磁力により弁体を直接または間接に
移動させる構成となるためダイアフラムの変位がオリフ
ィスの調整に影響することがなく、流体の圧力を考慮せ
ずに流量調整を適切になし得る効果がある。また、本発
明はダイアフラム体をベースの弁口に被せるようにする
だけで構成でき、作成が容易であり、しかも、流体がプ
ランジャー側への侵入することを阻止し得る効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】本発明の一実施例の要部斜視図。
【図３】本発明の一実施例の要部斜視図。
【図４】本発明の一実施例の要部斜視図。
【図５】本発明の他の実施例の要部断面図。
【図６】本発明の他の実施例の断面図。
１ ベース ２，３ フィ
ティング部 ４ ダイアフラム体 ５ 流出口 ６ 流入口 ７ シール ８ Ｏリング ９ 弁体 10 ケース 11 コイルボ
ビン 23 コア 25 コイル 51 弁口 94 コイルバ
ネ 95 切欠溝
ティング部 ４ ダイアフラム体 ５ 流出口 ６ 流入口 ７ シール ８ Ｏリング ９ 弁体 10 ケース 11 コイルボ
ビン 23 コア 25 コイル 51 弁口 94 コイルバ
ネ 95 切欠溝
Claims (5)
- 【請求項１】 中央部にネジ穴が形成された天井部を有
し、下端部が開口端とされた磁性体のケースと、 このケース内に設けられたボビンに巻回されたコイル
と、 前記ボビンの中央部を通り、前記ケースの天井部のネジ
穴に結合するネジ部を有する磁性体のコアと、 流体が流されるための弁口が設けられたベースと、 前記コイルおよび前記コアが内包された前記ケースの開
口端に設けられ、中空部を有する有蓋円筒状をなし、開
口部が前記ベースの弁口側に設けられ前記弁口を覆うよ
うに配置され、前記蓋部がダイアフラムである磁性体か
らなる単一物体のダイアフラム体と、 このダイアフラム体の前記中空部にばねにより付勢され
た状態で内蔵され、磁性体からなり、前記コイルにより
発生される磁束を受けて前記ばねの付勢力に抗して移動
することにより前記弁口を開閉する弁体とを備え、 前記コイルにより発生される磁束が、前記コアから前記
ケースの天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記
ケースの周縁部を通り前記ダイアフラム体の円筒部へ到
り、更に、前記弁体側へ折れ曲がり、ここから前記コア
へと戻る磁路を形成するように各部材が配置されている
と共に、 前記コアを回動して前記コアの下端面と前記ダイアフラ
ム体のダイアフラム部との間の間隙を調整可能とされて
いることを特徴とする 電磁弁。 - 【請求項２】 中央部にネジ穴が形成された天井部を有
し、下端部が開口端とされた磁性体のケースと、 このケース内に設けられたボビンに巻回されたコイル
と、 前記ボビンの中央部を通り、前記ケースの天井部のネジ
穴に結合するネジ部を有する磁性体のコアと、 流体が流されるための弁口が設けられたベースと、 前記コイルおよび前記コアが内包された前記ケースの開
口端に設けられ、中空部を有する有蓋円筒状をなし、開
口部が前記ベースの弁口側に設けられ前記弁口を覆うよ
うに配置され、前記蓋部がダイアフラムである磁性体か
らなる単一物体 のダイアフラム体と、 このダイアフラム体の前記中空部にばねにより付勢され
た状態で内蔵され、磁性体からなり、前記コイルにより
発生される磁束を受けて前記ばねの付勢力に抗して移動
する移動体と、 この移動体と共に前記ダイアフラム体の前記中空部に設
けられ、前記移動体の移動に伴って前記弁口を開閉する
弁体とを備え、 前記コイルにより発生される磁束が、前記コアから前記
ケースの天井部に到り、この天井部で折れ曲がって前記
ケースの周縁部を通り前記ダイアフラム体の円筒部へ到
り、更に、前記移動体側へ折れ曲がり、ここから前記コ
アへと戻る磁路を形成するように各部材が配置されてい
ると共に、 前記コアを回動して前記コアの下端面と前記ダイアフラ
ム体のダイアフラム部との間の間隙を調整可能とされて
いることを特徴とする 電磁弁。 - 【請求項３】 弁体または移動体がばねにより弁口側に
付勢されていることを特徴とする請求項１または２記載
の電磁弁。 - 【請求項４】 弁体の側壁には、流体の滞留防止用の複
数の切欠溝が形成されていることを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれか１項に記載の電磁弁。 - 【請求項５】 ダイアフラム体の側壁には、流体を流入
させるための流入口が形成されていることを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電磁弁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101590A JP2655967B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 電磁弁 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101590A JP2655967B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 電磁弁 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05272658A JPH05272658A (ja) | 1993-10-19 |
| JP2655967B2 true JP2655967B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=14304604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4101590A Expired - Fee Related JP2655967B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 電磁弁 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655967B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151476A (ja) * | 1984-01-14 | 1985-08-09 | Takashi Hosokawa | 電磁弁 |
| DE3545369A1 (de) * | 1985-01-25 | 1986-07-31 | Dresser Industries, Inc., Dallas, Tex. | Nass-scheibenbremsenanordnung fuer ein achsaussenende mit einem achsengehaeuse |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4101590A patent/JP2655967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05272658A (ja) | 1993-10-19 |
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