JP2655843B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2655843B2 JP2655843B2 JP11864687A JP11864687A JP2655843B2 JP 2655843 B2 JP2655843 B2 JP 2655843B2 JP 11864687 A JP11864687 A JP 11864687A JP 11864687 A JP11864687 A JP 11864687A JP 2655843 B2 JP2655843 B2 JP 2655843B2
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は磁性層を再生用及び記録用の２つの異なる機
能に分離した光磁気記録媒体に関する。
能に分離した光磁気記録媒体に関する。
従来技術 本発明者は先に特開昭59−45644号及び同60−164302
号においてマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェライ
ト磁性体を光磁気記録媒体に用いることを提案した。こ
こで使用される磁性体は光磁気記録媒体における記録、
再生又は消去特性を改良するため結晶内のFeの一部を他
の金属で置換したものである。しかし記録特性（記録感
度）を改良するためにFeの一部をIn,Sc,Zn等で置換して
キュリー温度を下げると、記録保持に寄与する保磁力Hc
が著しく低下するし、また消去特性を改良するためにFe
の一部をAl,Ga,Rh,Cr等で置換して飽和磁化Msを小さく
し、適正値にすると、再生特性に寄与する磁気光学効果
（この場合はファラデー回転角θＦ）が著しく減少す
る。
号においてマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェライ
ト磁性体を光磁気記録媒体に用いることを提案した。こ
こで使用される磁性体は光磁気記録媒体における記録、
再生又は消去特性を改良するため結晶内のFeの一部を他
の金属で置換したものである。しかし記録特性（記録感
度）を改良するためにFeの一部をIn,Sc,Zn等で置換して
キュリー温度を下げると、記録保持に寄与する保磁力Hc
が著しく低下するし、また消去特性を改良するためにFe
の一部をAl,Ga,Rh,Cr等で置換して飽和磁化Msを小さく
し、適正値にすると、再生特性に寄与する磁気光学効果
（この場合はファラデー回転角θＦ）が著しく減少す
る。
従って前記提案の光磁気記録媒体では記録、再生及び
消去特性を全て満足することは困難であった。しかもこ
れらの記録媒体は磁性膜を作製する際、基板温度を550
℃以上と高くする必要があり、このため特殊な耐熱基板
しか使用できず、基板を高温に維持して均一に加熱する
ことは困難であり、量産化も困難であった。
消去特性を全て満足することは困難であった。しかもこ
れらの記録媒体は磁性膜を作製する際、基板温度を550
℃以上と高くする必要があり、このため特殊な耐熱基板
しか使用できず、基板を高温に維持して均一に加熱する
ことは困難であり、量産化も困難であった。
目的 本発明の目的は記録、再生及び消去特性を全て満足す
ると共に、基板の使用範囲を拡大し、且つ量産化も可能
な光磁気記録媒体を提供することである。
ると共に、基板の使用範囲を拡大し、且つ量産化も可能
な光磁気記録媒体を提供することである。
構成 本発明の光磁気記録媒体は耐熱基板上に磁性層を有す
る光磁気記録媒体において、磁性層を再生用及び記録用
の２つの機能の異なる層に分割し、再生用磁性層はBi含
有鉄ガーネット及びCo含有フェライトの少くとも１種の
磁性体で構成し、記録用磁性層は保磁力（Hc）が1.0〜4
KOeで、且つ飽和磁化（Ms）が15〜30emu/gを有するマグ
ネトプラムバイトヘキサゴナルフェライト磁性体とこの
磁性体に対し融点降下作用のある金属、金属の合金、又
は化合物を含有して構成したことを特徴とするものであ
る。
る光磁気記録媒体において、磁性層を再生用及び記録用
の２つの機能の異なる層に分割し、再生用磁性層はBi含
有鉄ガーネット及びCo含有フェライトの少くとも１種の
磁性体で構成し、記録用磁性層は保磁力（Hc）が1.0〜4
KOeで、且つ飽和磁化（Ms）が15〜30emu/gを有するマグ
ネトプラムバイトヘキサゴナルフェライト磁性体とこの
磁性体に対し融点降下作用のある金属、金属の合金、又
は化合物を含有して構成したことを特徴とするものであ
る。
このように本発明の光磁気記録媒体は従来の磁性層
を、再生専用としてθＦの大きい磁性層、及び記録（記
録保持及び消去）専用としてHcが大きく、且つ適正なMs
を有する磁性層の２つの機能の異なる層に分離したもの
である。なおこれらの２つの層は基板に対しいずれが上
にあっても下にあってもよい。
を、再生専用としてθＦの大きい磁性層、及び記録（記
録保持及び消去）専用としてHcが大きく、且つ適正なMs
を有する磁性層の２つの機能の異なる層に分離したもの
である。なおこれらの２つの層は基板に対しいずれが上
にあっても下にあってもよい。
本発明の再生用磁性層はBi含有ガーネット及びCo含有
フェライトの少くとも１種の磁性体で構成される。これ
ら磁性体の具体例をθＦ値と共に下記に示す。
フェライトの少くとも１種の磁性体で構成される。これ
ら磁性体の具体例をθＦ値と共に下記に示す。
なお再生用磁性層はこれら組成のターゲット又は焼結
物を基板等の表面上にスパッタリング又は蒸着法により
成膜することにより形成される。厚さは通常、0.1〜１
μｍ程度である。
物を基板等の表面上にスパッタリング又は蒸着法により
成膜することにより形成される。厚さは通常、0.1〜１
μｍ程度である。
一方、本発明の記録用磁性層はHcが大きく、且つ適正
なMsを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェラ
イト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のある金
属、金属の合金又は酸化物、炭酸塩等の化合物を含む系
で構成される。ここで前記フェライト磁性体のHcは1.0
〜4KOeであり、またMsは15〜30emu/gである。このよう
な特性を有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェ
ライト組成の具体例をHc値及びMs値と共に下記に示す。
なMsを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェラ
イト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のある金
属、金属の合金又は酸化物、炭酸塩等の化合物を含む系
で構成される。ここで前記フェライト磁性体のHcは1.0
〜4KOeであり、またMsは15〜30emu/gである。このよう
な特性を有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェ
ライト組成の具体例をHc値及びMs値と共に下記に示す。
またこれらフェライト磁性体に対し融点降下作用のあ
る金属、金属の合金又は化合物の具体例としてはSn,Pb,
Si,In2Te2,Sb2Te3,Bi2Te3,GaSb,InSb,PbO,PbF2,Na2CO3,
Bi2O3,P2O5,H3BO3,NaCO3等及びそれらの混合物が挙げら
れる。更に記録用磁性層に用いられる焼結物及びターゲ
ットの具体例としては下記のものが挙げられる。
る金属、金属の合金又は化合物の具体例としてはSn,Pb,
Si,In2Te2,Sb2Te3,Bi2Te3,GaSb,InSb,PbO,PbF2,Na2CO3,
Bi2O3,P2O5,H3BO3,NaCO3等及びそれらの混合物が挙げら
れる。更に記録用磁性層に用いられる焼結物及びターゲ
ットの具体例としては下記のものが挙げられる。
記録用磁性層は基板上にこれら組成の焼結物又はター
ゲットをスパッタリング、蒸着等の方法で成膜すること
により形成される。厚さは通常、0.1〜１μｍ程度であ
る。
ゲットをスパッタリング、蒸着等の方法で成膜すること
により形成される。厚さは通常、0.1〜１μｍ程度であ
る。
基板としては通常のガラス、例えばソーダガラス、鉛
ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミノケイ
酸ガラス、結晶化ガラス（商品名ミラクロンPH−３、ミ
ラクロンPC−１、ミラクロンPP−１、ミラクロンPH−
１）；セラミック、例えばアルミナ、MgO,BeO,AlN,PLZ
T;単結晶、例えばシリコン、GGG、リチウムタンタレー
ト、サファイア、MgO;金属板（例えばアルマイト、アル
ミニウム、ステンレス、ジュラルミン；プラスチック
板、例えばポリアミドイミド、ポリイミド、アラミド、
ポリケトンイミド、ポリビフェニルイミド、ポリピロメ
リット酸イミド等が挙げられる。
ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミノケイ
酸ガラス、結晶化ガラス（商品名ミラクロンPH−３、ミ
ラクロンPC−１、ミラクロンPP−１、ミラクロンPH−
１）；セラミック、例えばアルミナ、MgO,BeO,AlN,PLZ
T;単結晶、例えばシリコン、GGG、リチウムタンタレー
ト、サファイア、MgO;金属板（例えばアルマイト、アル
ミニウム、ステンレス、ジュラルミン；プラスチック
板、例えばポリアミドイミド、ポリイミド、アラミド、
ポリケトンイミド、ポリビフェニルイミド、ポリピロメ
リット酸イミド等が挙げられる。
本発明の光磁気記録媒体には再生用及び記録用の各磁
性層の結晶配向性を改良するために、基板と磁性層との
間に下地層を設けたり、記録媒体の表面保護のため磁性
層上に保護層を設けたり、磁性層のファラデー効果を利
用して再生を行なうために磁性層上に反射層を設けたり
（但しこの場合基板としては透光性のものを使用す
る）、ファラデー回転角を増大させて再生出力を向上す
るために磁性層と反射層との間に誘電層を設けたり、或
いは記録、消去時の熱伝導によるレーザー出力の損失を
低減するために基板と磁性層或いは反射層との間に断熱
層を設けることができる。また光磁気記録媒体の記録、
再生及び消去を誤りなく行なうために、基板、下地層、
磁性層、反射層、断熱層、誘導層又は保護層自体に、或
いは基板又は前記層上に別途にガイドトラックを設ける
ことができる。
性層の結晶配向性を改良するために、基板と磁性層との
間に下地層を設けたり、記録媒体の表面保護のため磁性
層上に保護層を設けたり、磁性層のファラデー効果を利
用して再生を行なうために磁性層上に反射層を設けたり
（但しこの場合基板としては透光性のものを使用す
る）、ファラデー回転角を増大させて再生出力を向上す
るために磁性層と反射層との間に誘電層を設けたり、或
いは記録、消去時の熱伝導によるレーザー出力の損失を
低減するために基板と磁性層或いは反射層との間に断熱
層を設けることができる。また光磁気記録媒体の記録、
再生及び消去を誤りなく行なうために、基板、下地層、
磁性層、反射層、断熱層、誘導層又は保護層自体に、或
いは基板又は前記層上に別途にガイドトラックを設ける
ことができる。
以上のような光磁気記録媒体の構成例を第１〜３図に
示す。即ち第１図の光磁気記録媒体は基板１上に、下地
層２、再生用磁性層３、記録用磁性層４及び反射層５を
順次設けたものである。第２図の光磁気記録媒体は基板
１上に下地層２、記録用磁性層４、再生用磁性層３、帯
状ガイドトラック６及び保護層７を順次設けたものであ
る。また第３図の記録媒体は基板１上に下地層２、再生
用磁性層３、溝状ガイドトラック６′付き記録用磁性層
４、反射層５及び保護層７を順次設けたものである。
示す。即ち第１図の光磁気記録媒体は基板１上に、下地
層２、再生用磁性層３、記録用磁性層４及び反射層５を
順次設けたものである。第２図の光磁気記録媒体は基板
１上に下地層２、記録用磁性層４、再生用磁性層３、帯
状ガイドトラック６及び保護層７を順次設けたものであ
る。また第３図の記録媒体は基板１上に下地層２、再生
用磁性層３、溝状ガイドトラック６′付き記録用磁性層
４、反射層５及び保護層７を順次設けたものである。
ここで下地層の材料としては軟磁性体、例えばNi−Zn
フェライト、Co−Znフェライト、Mn−Znフェライト、Mg
−Znフェライト；誘電体、例えばSiO,SiO2,Si3N4,MgO,T
iO2,ZnO,Al2O3,ThO2等が挙げられる。厚さは0.1〜１μ
ｍ程度が適当である。
フェライト、Co−Znフェライト、Mn−Znフェライト、Mg
−Znフェライト；誘電体、例えばSiO,SiO2,Si3N4,MgO,T
iO2,ZnO,Al2O3,ThO2等が挙げられる。厚さは0.1〜１μ
ｍ程度が適当である。
保護層の材料としては前述のような誘導体；基板に用
いられるようなイミド系樹脂やアクリル樹脂、スチレン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂等の樹脂等が挙げられる。厚さは0.1
〜10μｍ程度が適当である。
いられるようなイミド系樹脂やアクリル樹脂、スチレン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂等の樹脂等が挙げられる。厚さは0.1
〜10μｍ程度が適当である。
反射層の材料としては金属、例えばCr,Ni,Au,Al,Ag,R
h,Pt,Cu,Pd,Nd,Co,Fe;金属窒化物、例えばTaN,TsN,CrN
等が挙げられる。厚さは0.1〜0.5μｍ程度が適当であ
る。
h,Pt,Cu,Pd,Nd,Co,Fe;金属窒化物、例えばTaN,TsN,CrN
等が挙げられる。厚さは0.1〜0.5μｍ程度が適当であ
る。
断熱層の材料としては前述のような誘導体が挙げられ
る。厚さは0.1〜１μｍ程度が適当である。
る。厚さは0.1〜１μｍ程度が適当である。
以上のような各層の形成法としては無機材料の場合は
通常、蒸着、スパッタリング等の方法が、また有機材料
の場合は通常、塗布法（スピンコート法）が採用され
る。
通常、蒸着、スパッタリング等の方法が、また有機材料
の場合は通常、塗布法（スピンコート法）が採用され
る。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１ ソーダガラス基板上にNi−Znフェライトを基板温度20
0℃でスパッタリングして0.2μｍ厚の下地層を形成し、
その上に前記Ａ−１の焼結体、及び前記Ｂ−１の焼結体
を基板温度450℃で順次スパッタリングして夫々0.5μｍ
厚の再生用磁性層及び0.2μｍ厚の記録用磁性層を形成
した後、更にその上にPtを基板温度400℃でスパッタリ
ングして0.1μｍ厚の反射層を形成することにより第１
図のタイプの光磁気ディスクを作った。
0℃でスパッタリングして0.2μｍ厚の下地層を形成し、
その上に前記Ａ−１の焼結体、及び前記Ｂ−１の焼結体
を基板温度450℃で順次スパッタリングして夫々0.5μｍ
厚の再生用磁性層及び0.2μｍ厚の記録用磁性層を形成
した後、更にその上にPtを基板温度400℃でスパッタリ
ングして0.1μｍ厚の反射層を形成することにより第１
図のタイプの光磁気ディスクを作った。
実施例２ パイレックス（ホウケイ酸）ガラス基板上にZnOを基
板温度300℃でスパッタリングして0.1μｍ厚の下地層を
形成し、その上に前記Ｂ−２の焼結体及び前記Ａ−２の
焼結体を基板温度450℃で順次スパッタリングして夫々
0.2μｍ厚の記録用磁性層及び0.5μｍ厚の再生用磁性層
を形成した。次にこの再生用磁性層上に蒸着法で0.1μ
ｍ厚のCr膜を形成し、更にその上にスピンコート法によ
り紫外線硬化性樹脂膜を形成した後、これに、ガラス板
上に巾1.0μｍ、トラックピッチ1.8μｍの帯状（溝状ガ
イド）Crパターンを有するマスクを密着し、その上から
全面露光し、樹脂膜を溶剤で部分的に除去し、露出した
Cr膜にスパッタエッチングを行なって再生用磁性層上に
帯状Crパターンからなるガイドトラックを形成し、更に
その上にシリコン樹脂をスピンコートして５μｍ厚の保
護層を形成することにより第２図のタイプの光磁気ディ
スクを作った。
板温度300℃でスパッタリングして0.1μｍ厚の下地層を
形成し、その上に前記Ｂ−２の焼結体及び前記Ａ−２の
焼結体を基板温度450℃で順次スパッタリングして夫々
0.2μｍ厚の記録用磁性層及び0.5μｍ厚の再生用磁性層
を形成した。次にこの再生用磁性層上に蒸着法で0.1μ
ｍ厚のCr膜を形成し、更にその上にスピンコート法によ
り紫外線硬化性樹脂膜を形成した後、これに、ガラス板
上に巾1.0μｍ、トラックピッチ1.8μｍの帯状（溝状ガ
イド）Crパターンを有するマスクを密着し、その上から
全面露光し、樹脂膜を溶剤で部分的に除去し、露出した
Cr膜にスパッタエッチングを行なって再生用磁性層上に
帯状Crパターンからなるガイドトラックを形成し、更に
その上にシリコン樹脂をスピンコートして５μｍ厚の保
護層を形成することにより第２図のタイプの光磁気ディ
スクを作った。
実施例３ ポリビフェニルイミド基板上にCo−Znフェライトを基
板温度300℃で蒸着して下地層を形成後、その上に前記
Ａ−６の焼結体及び前記Ｂ−３の焼結体を基板温度400
℃で順次蒸着して夫々0.5μｍ厚の再生用磁性層及び0.2
μｍ厚の記録用磁性層を形成した。次にこの記録用磁性
層上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートして樹脂膜を形
成し、これに実施例２で用いた帯状Crパターンを有する
マスクを密着し、その上から全面露光し、樹脂膜を溶剤
で部分的に除去し、露出した記録用磁性層にエッチング
を行なってこの磁性層自体に溝状ガイドトラックを形成
した後、その上にAu及びSiO2を基板温度400℃で順次蒸
着して夫々0.1μｍ厚の反射層及び１μｍ厚の保護層を
形成することにより第３図のタイプの光磁気ディスクを
作った。
板温度300℃で蒸着して下地層を形成後、その上に前記
Ａ−６の焼結体及び前記Ｂ−３の焼結体を基板温度400
℃で順次蒸着して夫々0.5μｍ厚の再生用磁性層及び0.2
μｍ厚の記録用磁性層を形成した。次にこの記録用磁性
層上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートして樹脂膜を形
成し、これに実施例２で用いた帯状Crパターンを有する
マスクを密着し、その上から全面露光し、樹脂膜を溶剤
で部分的に除去し、露出した記録用磁性層にエッチング
を行なってこの磁性層自体に溝状ガイドトラックを形成
した後、その上にAu及びSiO2を基板温度400℃で順次蒸
着して夫々0.1μｍ厚の反射層及び１μｍ厚の保護層を
形成することにより第３図のタイプの光磁気ディスクを
作った。
実施例４ Ａ−１の代りにＡ−３を用い、且つＢ−１の代りにＢ
−４を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−４を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例５ Ｂ−２の代りにＢ−５を用い、且つＡ−２の代りにＡ
−４を用いた他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−４を用いた他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例６ Ａ−６の代りにＡ−５を用い、且つＢ−３の代りにＢ
−６を用いた他は実施例３と同じ方法で第３図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−６を用いた他は実施例３と同じ方法で第３図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例７ Ａ−１の代りにＡ−７を用い、且つＢ−１の代りにＢ
−７を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−７を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例８ Ａ−１の代りにＡ−８を用い、且つＢ−１の代りにＢ
−８を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−８を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例９ Ｂ−２の代りにＢ−１を用い、Ａ−２の代りにＡ−９
を用い、且つ下地層をNi−Znフェライトで0.2μｍ厚に
形成した他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプの光
磁気ディスクを作った。
を用い、且つ下地層をNi−Znフェライトで0.2μｍ厚に
形成した他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプの光
磁気ディスクを作った。
次に以上の９種の光磁気ディスクについて下記条件で
記録、再生及び消去を行なった。
記録、再生及び消去を行なった。
記録条件 光源：波長780nm、ディスク面での出力15mWの半導体レ
ーザー光 線速:5m/秒 デューティ:50％ 記録磁界:200Oe 再生条件 光源：波長780nm、ディスク面での出力4mWの半導体レー
ザー光 線速：記録条件と同じ 消去条件 光源：記録条件と同じ 線速：記録条件と同じ デューティ：記録条件と同じ 消去磁界:1000Oe（但し磁界方向は記録時とは逆） その結果、記録時はビット約２μｍで記録され、C/N
＝40〜45dBの信号が得られた。また消去時は記録は完全
に消去された。
ーザー光 線速:5m/秒 デューティ:50％ 記録磁界:200Oe 再生条件 光源：波長780nm、ディスク面での出力4mWの半導体レー
ザー光 線速：記録条件と同じ 消去条件 光源：記録条件と同じ 線速：記録条件と同じ デューティ：記録条件と同じ 消去磁界:1000Oe（但し磁界方向は記録時とは逆） その結果、記録時はビット約２μｍで記録され、C/N
＝40〜45dBの信号が得られた。また消去時は記録は完全
に消去された。
効果 以上の如く本発明の光磁気記録媒体は従来の磁性層を
再生専用の磁性層及び記録専用の磁性層に分離したの
で、記録、再生及び、消去特性を全て満足する上、いか
なる耐熱基板も使用でき、しかも量産化が容易である等
の利点がある。
再生専用の磁性層及び記録専用の磁性層に分離したの
で、記録、再生及び、消去特性を全て満足する上、いか
なる耐熱基板も使用でき、しかも量産化が容易である等
の利点がある。
第１〜３図は夫々本発明光磁気記録媒体の一例の構成図
である。 １……耐熱基板、２……下地層 ３……再生用磁性層、４……記録用磁性層 ５……反射層、６……帯状ガイドトラック ６′……溝状ガイドトラック ７……保護層
である。 １……耐熱基板、２……下地層 ３……再生用磁性層、４……記録用磁性層 ５……反射層、６……帯状ガイドトラック ６′……溝状ガイドトラック ７……保護層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に磁性層を有する光磁気記録媒体に
おいて、磁性層を再生用及び記録用の２つの機能の異な
る層に分割し、再生用磁性層はBi含有鉄ガーネット及び
Co含有フェライトの少なくとも１種の磁性体で構成し、
記録用磁性層は保磁力（Hc）が1.0〜4KOeで、且つ飽和
磁化（Ms）が15〜30emu/gであるマグネトプラムバイト
ヘキサゴナルフェライト磁性体とこの磁性体に対し融点
降下作用のある金属、金属の合金、又は化合物を含有し
て構成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11864687A JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11864687A JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282943A JPS63282943A (ja) | 1988-11-18 |
| JP2655843B2 true JP2655843B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=14741709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11864687A Expired - Lifetime JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655843B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11864687A patent/JP2655843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63282943A (ja) | 1988-11-18 |
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