JPS61122955A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS61122955A JPS61122955A JP24237784A JP24237784A JPS61122955A JP S61122955 A JPS61122955 A JP S61122955A JP 24237784 A JP24237784 A JP 24237784A JP 24237784 A JP24237784 A JP 24237784A JP S61122955 A JPS61122955 A JP S61122955A
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- Japan
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- metal
- magneto
- recording medium
- carbide
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体に関する。本発明は、さらに詳
しく述べると、希土類金属と遷移金属の合金からなる磁
性記録層に有する光磁気記録媒体に関する。本発明の光
磁気記録媒体は、従来の磁気ディスクメモリーや光デイ
スクメモリーの長所を有しているので、メモリー媒体と
して有利に使用することができる。。
しく述べると、希土類金属と遷移金属の合金からなる磁
性記録層に有する光磁気記録媒体に関する。本発明の光
磁気記録媒体は、従来の磁気ディスクメモリーや光デイ
スクメモリーの長所を有しているので、メモリー媒体と
して有利に使用することができる。。
光磁気記録方式は、周知の通り、記録の書き込み、読み
出しを光によって行なう方法であり、記録の書き替えが
可能であるとともに、非接触で行えるという特徴χ有し
ている。この記録方式で記録、再生に用いられる光は、
通常、スポット径約１μｍに絞った半導体レーデなどで
あり、したがりて、配球密度を高く設定することができ
る。このような特徴のため、光磁気記録媒体は、前記し
た通りに、従来の磁気ディスクメモリー及び光デイスク
メモリーの長所を盛り込んだメモリー媒体と言うことが
できる。光磁気記録方式をさらに具 ・体的に説明する
と、次の通りである： 第４図（ａ）に示されるように、光磁気記録媒体】０に
半導体レーデなどによるスポット光を照射すると、照射
された部分の温度が上昇する。照射部分の温度が上昇す
ると、それに伴なって照射部分の保磁力Ｈａが減少する
（第４図（ｂ）４参照）。そこで、外部より靜磁界Ｈ（
Ｈ）Ｈｅ）χ印加すると、スポット照射部分の磁化Ｍ３
が静磁界の方向に配向する。すなわち、磁化Ｍ８の向き
、例えば上回きｔ″１”とし、下向きｔ″０”とするこ
とによりて、ディジタル信号の記録を行なうことができ
る。
出しを光によって行なう方法であり、記録の書き替えが
可能であるとともに、非接触で行えるという特徴χ有し
ている。この記録方式で記録、再生に用いられる光は、
通常、スポット径約１μｍに絞った半導体レーデなどで
あり、したがりて、配球密度を高く設定することができ
る。このような特徴のため、光磁気記録媒体は、前記し
た通りに、従来の磁気ディスクメモリー及び光デイスク
メモリーの長所を盛り込んだメモリー媒体と言うことが
できる。光磁気記録方式をさらに具 ・体的に説明する
と、次の通りである： 第４図（ａ）に示されるように、光磁気記録媒体】０に
半導体レーデなどによるスポット光を照射すると、照射
された部分の温度が上昇する。照射部分の温度が上昇す
ると、それに伴なって照射部分の保磁力Ｈａが減少する
（第４図（ｂ）４参照）。そこで、外部より靜磁界Ｈ（
Ｈ）Ｈｅ）χ印加すると、スポット照射部分の磁化Ｍ３
が静磁界の方向に配向する。すなわち、磁化Ｍ８の向き
、例えば上回きｔ″１”とし、下向きｔ″０”とするこ
とによりて、ディジタル信号の記録を行なうことができ
る。
次いで、上記のようにして形成されたビット部分に、第
５図（ａ）に示されるように、直線偏光化されたレーデ
光χ照射し、反射光の偏光面を検出すると、磁化Ｍ８の
配向方向に応じて、偏光面が回転する。すなわち、第５
図（ｂ−１）及び（ｂ−２）にそれぞれ示されるように
、＋θにの回転に対しては１”、−〇にの回転に対して
はｅｌｏｌｌｌが対応することになり、これらの状態を
検光子によって明暗の差として表わすことができる。そ
の−例として、検光子の偏光方向暑＋θにの方向に合わ
せておけば、１＃に対しては明、′Ｏ”に対しては暗が
、それぞれ対応することになる。
５図（ａ）に示されるように、直線偏光化されたレーデ
光χ照射し、反射光の偏光面を検出すると、磁化Ｍ８の
配向方向に応じて、偏光面が回転する。すなわち、第５
図（ｂ−１）及び（ｂ−２）にそれぞれ示されるように
、＋θにの回転に対しては１”、−〇にの回転に対して
はｅｌｏｌｌｌが対応することになり、これらの状態を
検光子によって明暗の差として表わすことができる。そ
の−例として、検光子の偏光方向暑＋θにの方向に合わ
せておけば、１＃に対しては明、′Ｏ”に対しては暗が
、それぞれ対応することになる。
このことから、品質の高い信号’ｔ’ｓり出すためには
、媒体材料として、θにの大きい材料が要求され、また
、四時に、レーデ光照射によって書き込めかつ書き込ま
れたビットの安定するものとして・次の特性： （ｆ） Ｔａ ＝１００〜２００℃；及び（ｉｉ）
Ｈ１！≧３ｋＯｅ； が要求される。このような要求を満たす媒体材料として
、次のような材料が一般的に知られている：（ａ）
Ｍｎ ８１ ｓ ＭｎＣｕ８１などの多結晶性材料；（
ｂ） ガーネット系単結晶材料： ｔｅＪ Ｉ土類−遷移金属系アモルファス合金材料；
及び （ｄ） フェライト、ＣｒＯ２など。
、媒体材料として、θにの大きい材料が要求され、また
、四時に、レーデ光照射によって書き込めかつ書き込ま
れたビットの安定するものとして・次の特性： （ｆ） Ｔａ ＝１００〜２００℃；及び（ｉｉ）
Ｈ１！≧３ｋＯｅ； が要求される。このような要求を満たす媒体材料として
、次のような材料が一般的に知られている：（ａ）
Ｍｎ ８１ ｓ ＭｎＣｕ８１などの多結晶性材料；（
ｂ） ガーネット系単結晶材料： ｔｅＪ Ｉ土類−遷移金属系アモルファス合金材料；
及び （ｄ） フェライト、ＣｒＯ２など。
なかんずく、希土類−遷移金属系アモルファス合金材料
は、スｔ４ｙタ法や蒸着法に↓る成膜が可能であり、媒
体の大面積化が容易である。したがって、希土類−遷移
金属系アモルファス合金からなる媒体は、光磁気記録方
式の実用化において、最も近い位置にあり、そのため、
実際に広く用いられている。
は、スｔ４ｙタ法や蒸着法に↓る成膜が可能であり、媒
体の大面積化が容易である。したがって、希土類−遷移
金属系アモルファス合金からなる媒体は、光磁気記録方
式の実用化において、最も近い位置にあり、そのため、
実際に広く用いられている。
しかし、希土類金属元素、特にＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄ
ｙなどは、酸素との反応性が大であるという特徴を有し
ている。したがって、このような希土類金属元素乞含む
記録媒体を長時間にわたって空気中に放置しておくと、
媒体中の希土類金属元素が選択的に磁化され、組成の均
一性がくずれるとともに、磁気特性や磁気光学特性など
の劣化が生ずる。％性の劣化は、単に読み出しにおける
信号品質の低下Ｖｔねくのみならず、保磁力Ｈｅが変化
するため、ピットの安定性を欠くようになり、データの
長期的保存が不可能となる。このような媒体の酸化に伴
なう特性の劣化を防止するため、従来から保護膜が磁性
記録層上に形成されている。
ｙなどは、酸素との反応性が大であるという特徴を有し
ている。したがって、このような希土類金属元素乞含む
記録媒体を長時間にわたって空気中に放置しておくと、
媒体中の希土類金属元素が選択的に磁化され、組成の均
一性がくずれるとともに、磁気特性や磁気光学特性など
の劣化が生ずる。％性の劣化は、単に読み出しにおける
信号品質の低下Ｖｔねくのみならず、保磁力Ｈｅが変化
するため、ピットの安定性を欠くようになり、データの
長期的保存が不可能となる。このような媒体の酸化に伴
なう特性の劣化を防止するため、従来から保護膜が磁性
記録層上に形成されている。
第２図は、従来の保護膜の形成を断面で示した略示図で
ある。光磁気記録媒体１０は、例えばガラスやアクリル
板（例えばポリメチルメタクリレート）などの基板ｌと
、例えばＴｂＦｅ 、 ＧｄＴｂＦｓ 。
ある。光磁気記録媒体１０は、例えばガラスやアクリル
板（例えばポリメチルメタクリレート）などの基板ｌと
、例えばＴｂＦｅ 、 ＧｄＴｂＦｓ 。
Ｔｂ（ＦｅＣｏ ）などの磁性記録層２とからなる。磁
性記録層２上には、それｔ酸化から保護するため、酸化
に対して安定な材料からなる薄膜、いわゆる保護膜５が
被覆されている。保護膜として一般的に用いられている
材料は１例えば、ＳｉＯ□、 ＳｉＯ。
性記録層２上には、それｔ酸化から保護するため、酸化
に対して安定な材料からなる薄膜、いわゆる保護膜５が
被覆されている。保護膜として一般的に用いられている
材料は１例えば、ＳｉＯ□、 ＳｉＯ。
ＴｉＯ□などの安定な酸化物、ＡｔＮ、Ｓｋ、Ｎ４など
の窒化物、さらには硫化物、炭化物などである。また、
ここでは図示しないけれども、基板が透水性χ有するア
クリル板などからなる場合に記録層ケ水分から保護する
ため、基板と記録層との間に前記保護膜と同様な薄膜を
下地層としてサンＰイッチする場合もある。
の窒化物、さらには硫化物、炭化物などである。また、
ここでは図示しないけれども、基板が透水性χ有するア
クリル板などからなる場合に記録層ケ水分から保護する
ため、基板と記録層との間に前記保護膜と同様な薄膜を
下地層としてサンＰイッチする場合もある。
ところで、磁性記録層の上に５ｉ０２などの酸化物から
なる保ａ膜？被覆すると、記録層中の希土類金属元素が
保護膜中の酸素イオンと反応して記録層の酸化が徐々に
進行する。かかる記録層の酸化の結果、先に述べたよう
な媒体の劣化を防止することが不可能になる。
なる保ａ膜？被覆すると、記録層中の希土類金属元素が
保護膜中の酸素イオンと反応して記録層の酸化が徐々に
進行する。かかる記録層の酸化の結果、先に述べたよう
な媒体の劣化を防止することが不可能になる。
酸化物に代えて、それよりも希土類金属元素との反応性
が小さい金属窒化物、硫化物、そして炭化物を用いて保
護膜を形成したほうが、磁性記録層の酸化Ｚ防止するこ
とができる。しかしながら、希土類金属元素が全く窒素
、硫黄、そして炭素と反応しないというわけではなく、
そのような反応の結果として記録層の劣化が惹起される
のは前記した酸素の場合に同じである。したがりて、酸
化防止膜としての機能が十分でありかつ下の記録層中の
希土類金属元素との反応を伴なわないような保護膜を有
する光磁気記録媒体が今望まれている。
が小さい金属窒化物、硫化物、そして炭化物を用いて保
護膜を形成したほうが、磁性記録層の酸化Ｚ防止するこ
とができる。しかしながら、希土類金属元素が全く窒素
、硫黄、そして炭素と反応しないというわけではなく、
そのような反応の結果として記録層の劣化が惹起される
のは前記した酸素の場合に同じである。したがりて、酸
化防止膜としての機能が十分でありかつ下の記録層中の
希土類金属元素との反応を伴なわないような保護膜を有
する光磁気記録媒体が今望まれている。
上記した従来の技術の説明から理解きれるように、本発
明は、酸化防止性が十分で彦ぐかつ膜を構成する酸素、
窒素、硫黄又は炭素が下の記録層中の希土類金属元素と
反応して記録層の劣化？惹起するという従来の保護膜の
もつ問題点乞解決し、よって、光磁気記録媒体の長期的
安定性の確保？因ろうとするものである。
明は、酸化防止性が十分で彦ぐかつ膜を構成する酸素、
窒素、硫黄又は炭素が下の記録層中の希土類金属元素と
反応して記録層の劣化？惹起するという従来の保護膜の
もつ問題点乞解決し、よって、光磁気記録媒体の長期的
安定性の確保？因ろうとするものである。
本発明者らは、このたび、希土類金属と遷移金属の合金
からなる磁性記録層を有する光磁気記録媒体を製造する
に際して、磁性記録層上に形成されるべき保護膜を二層
構造となし、その−万の層χ金属から構成しかつ他方の
層を前記金属とは異なる金属の窒化物、硫化物又は炭化
物から構成した場合、上記した問題点χ解決し得るとい
うことｔ見い出した。
からなる磁性記録層を有する光磁気記録媒体を製造する
に際して、磁性記録層上に形成されるべき保護膜を二層
構造となし、その−万の層χ金属から構成しかつ他方の
層を前記金属とは異なる金属の窒化物、硫化物又は炭化
物から構成した場合、上記した問題点χ解決し得るとい
うことｔ見い出した。
本発明者らの知見によれば、保護膜構成層のうち金属か
らなる第１の層を磁性記録層に接して配置し、この第１
の層の上に金属の窒化物、硫化物又は炭化物からなる第
２の層を配置するのが有利である。それというのも、酸
素に対して安定である第２の層の金属の窒化物標準生成
エネルギー、硫化物標準生成エネルギー又は炭化物標準
生成エネルギーは、それぞれ、第１の層の金属のそれよ
りも小さく、シたがって、第１層の金属は第２層の金属
よりも窒化、硫化又は炭化されにくく、よりて、第１の
層が磁性記録層の窒化、硫化又は炭化を防止し得る層と
して機能するからである。
らなる第１の層を磁性記録層に接して配置し、この第１
の層の上に金属の窒化物、硫化物又は炭化物からなる第
２の層を配置するのが有利である。それというのも、酸
素に対して安定である第２の層の金属の窒化物標準生成
エネルギー、硫化物標準生成エネルギー又は炭化物標準
生成エネルギーは、それぞれ、第１の層の金属のそれよ
りも小さく、シたがって、第１層の金属は第２層の金属
よりも窒化、硫化又は炭化されにくく、よりて、第１の
層が磁性記録層の窒化、硫化又は炭化を防止し得る層と
して機能するからである。
ここで、第１層の金属を選択するに当っては、第２層の
金属の窒化物、硫化物又は炭化物標準生成エネルギーを
考慮しなければならないのはもちろんのこと、隣れる層
との反応性、付着性、そして熱膨張率の差ン考慮しなけ
ればならない。このような点に注意を払わないと、得ら
れる光磁気記録媒体においてクラックや歪の発生するこ
ともあるであろう。
金属の窒化物、硫化物又は炭化物標準生成エネルギーを
考慮しなければならないのはもちろんのこと、隣れる層
との反応性、付着性、そして熱膨張率の差ン考慮しなけ
ればならない。このような点に注意を払わないと、得ら
れる光磁気記録媒体においてクラックや歪の発生するこ
ともあるであろう。
本発明による光磁気記録媒体は、例えば、第１図に断面
で示されるような二層構造の保護膜Ｚ有することができ
る。基板１上に形成された磁性記録層２には、記録層２
が外気に接する側に第１の保護層３が施されている。こ
の保護層３は、先に述べた通り、金属の薄膜からなる。
で示されるような二層構造の保護膜Ｚ有することができ
る。基板１上に形成された磁性記録層２には、記録層２
が外気に接する側に第１の保護層３が施されている。こ
の保護層３は、先に述べた通り、金属の薄膜からなる。
さらに、前記第１の保護層３に接して、もう１つの保護
層４が施されている。この第２の保護層４は、前記第１
の保護層３の金属と異なりかつその金属よりも窒化物、
硫化物又は炭化物標準生成エネルギーが小さい金属の窒
化物、硫化物又は炭化物からできている。なお、この光
磁気記録媒体１００基板１及び磁性記録層２は、前記し
た第２図の光磁気記録媒体の場合と同様、この技術分野
において同一目的に用いられている材料から任意に形成
することができるので、ここでの詳しい説明を省略する
。
層４が施されている。この第２の保護層４は、前記第１
の保護層３の金属と異なりかつその金属よりも窒化物、
硫化物又は炭化物標準生成エネルギーが小さい金属の窒
化物、硫化物又は炭化物からできている。なお、この光
磁気記録媒体１００基板１及び磁性記録層２は、前記し
た第２図の光磁気記録媒体の場合と同様、この技術分野
において同一目的に用いられている材料から任意に形成
することができるので、ここでの詳しい説明を省略する
。
本発明において有利に使用することのできる第１保護層
と第２保護層の組み合わせは、例えば、次表に記載の通
りである： 以下余白 第１保護層 第２保獲層Ｔ＆ ＋ Ｓ
ｉｒ ” ＊ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＡＬＮＡｔ
ｌ’ｌ’ａ、 Ｓｔ Ｔ ｖ、 Ｃｒ、Ｍｏ
ＣｅＮＣｏ ＋ Ａｔ、ＴＩＬ ＋ ３１ 、 Ｖ ｓ
Ｃｒ １Ｍｏ Ｔ ｔＮＴ＋＋Ｃｅ＋Ａｔ、Ｔ
ａ＋Ｓｔ＋Ｖ＋Ｃｒ＋Ｍｏ ＺｒＮＺｒ＊Ｔｉｒ
Ｃｅ、Ａｔ＋Ｔｈ＋ Ｓｉ＋Ｖ＋Ｃｒ＋Ｍｏ Ｍ
ｎ５Ｎ２Ｍｏ＋Ｐｂ、Ｗｌｉ＋ＡｇｔＩｒ＋ＰＬ＋Ｃｕ
ＺｎＳＺｎ＋Ｍｏ＋Ｐｂ＋Ｗ＋Ｓ１＋Ａｇ＋Ｉｒ、
Ｐｔ＋Ｃｕ ＭｎＳＭｎ、Ｚｎ＋Ｍｏ＋Ｐｂ＋Ｗ＋
ＳｉｔＡｇ＋Ｉｒ５ＰｔｔＣｕ Ａｔ２Ｓ。
と第２保護層の組み合わせは、例えば、次表に記載の通
りである： 以下余白 第１保護層 第２保獲層Ｔ＆ ＋ Ｓ
ｉｒ ” ＊ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＡＬＮＡｔ
ｌ’ｌ’ａ、 Ｓｔ Ｔ ｖ、 Ｃｒ、Ｍｏ
ＣｅＮＣｏ ＋ Ａｔ、ＴＩＬ ＋ ３１ 、 Ｖ ｓ
Ｃｒ １Ｍｏ Ｔ ｔＮＴ＋＋Ｃｅ＋Ａｔ、Ｔ
ａ＋Ｓｔ＋Ｖ＋Ｃｒ＋Ｍｏ ＺｒＮＺｒ＊Ｔｉｒ
Ｃｅ、Ａｔ＋Ｔｈ＋ Ｓｉ＋Ｖ＋Ｃｒ＋Ｍｏ Ｍ
ｎ５Ｎ２Ｍｏ＋Ｐｂ、Ｗｌｉ＋ＡｇｔＩｒ＋ＰＬ＋Ｃｕ
ＺｎＳＺｎ＋Ｍｏ＋Ｐｂ＋Ｗ＋Ｓ１＋Ａｇ＋Ｉｒ、
Ｐｔ＋Ｃｕ ＭｎＳＭｎ、Ｚｎ＋Ｍｏ＋Ｐｂ＋Ｗ＋
ＳｉｔＡｇ＋Ｉｒ５ＰｔｔＣｕ Ａｔ２Ｓ。
Ｍｎ、Ｍｏ ５ｉＣ
Ａ４Ｔａｓｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｏ ’ｒｔｃＴ
ｌ、ＡｔａＴｍｅＣｒ、ＳｉｌＭｎ、Ｍｏ Ｚｒ
にの表において、第１保護層の欄に列挙した金属の窒化
物、硫化物又は炭化物標準生成エネルギーは、それぞれ
、対応する第２保護層の金属のそれよりも大でおり、ま
た、第１保護層の欄についてだけみた場合、右側になれ
ばなるほど大である。
ｌ、ＡｔａＴｍｅＣｒ、ＳｉｌＭｎ、Ｍｏ Ｚｒ
にの表において、第１保護層の欄に列挙した金属の窒化
物、硫化物又は炭化物標準生成エネルギーは、それぞれ
、対応する第２保護層の金属のそれよりも大でおり、ま
た、第１保護層の欄についてだけみた場合、右側になれ
ばなるほど大である。
例えば、第２保護層がＡｔＮである場合を例にとると、
窒化物標準生成エネルギーについて、Ｔａ（８１（Ｖ
（Ｃｒ （Ｍｏである。すなわち、これらの７種類の金
属のなかから第１保護層として適当な金属ン任意に選択
することができる。
窒化物標準生成エネルギーについて、Ｔａ（８１（Ｖ
（Ｃｒ （Ｍｏである。すなわち、これらの７種類の金
属のなかから第１保護層として適当な金属ン任意に選択
することができる。
本発明の実施において、第２保護層の形成のため、スノ
々ツタ法、蒸着法などの成膜に適桶な手法がとられるべ
きであり、また、磁性記録層、第１保護層、そして第２
保護層が真空？破ることなく一資して成膜されることが
重要である。
々ツタ法、蒸着法などの成膜に適桶な手法がとられるべ
きであり、また、磁性記録層、第１保護層、そして第２
保護層が真空？破ることなく一資して成膜されることが
重要である。
例１ニ
ガラス基板上にＴｂＦｅＣｏのアモルファス模を真空蒸
着して膜厚１０００Ｘの磁性記録層り形成した。この磁
性記録層の形成のため、真空槽内が８ Ｘ １０−７Ｔ
ｏｒｒの真空に到達した後、下記の蒸着速度： Ｔｂ・・・３．４Ｘ／５ ＦｅＣｏ（ＦｅｔｏＣｏ、ｏ）−３Ｘ／ＳでＴｂ及びＦ
ｅＣｏ７同時蒸着した。このようにして得られた磁性記
録層は、次のような特性二カー回転角θに＝０．２ ｄ
ｏｇｏ、Ｈａ ＝４ ｋｏｅ％Ｍｓ＝ １６０ｅｍｕ
／ ｃａ ｆ示した。
着して膜厚１０００Ｘの磁性記録層り形成した。この磁
性記録層の形成のため、真空槽内が８ Ｘ １０−７Ｔ
ｏｒｒの真空に到達した後、下記の蒸着速度： Ｔｂ・・・３．４Ｘ／５ ＦｅＣｏ（ＦｅｔｏＣｏ、ｏ）−３Ｘ／ＳでＴｂ及びＦ
ｅＣｏ７同時蒸着した。このようにして得られた磁性記
録層は、次のような特性二カー回転角θに＝０．２ ｄ
ｏｇｏ、Ｈａ ＝４ ｋｏｅ％Ｍｓ＝ １６０ｅｍｕ
／ ｃａ ｆ示した。
次いで、上記のようにして作成した破性記録層上に下記
の保護膜夕記載の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプルを調製した：サンプルＡ（本発明） Ａｔよりも窒化物標準生成エネルギーの大きいＳｔ乞４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＳｔ層上に
さらにＡｔＮ膜ゲＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｓ ｒ ／ ＡＩＮ
サンプルＢ（対照） Ａｔよりも窒化物標準生成エネルギーの小さいＴｉを４
Ｘ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＴｉ層上に
さらにＡｔＮ膜をＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラスＭＷ／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｔｉ ／ ＡｔＮサ
ンプルＣ（対照） Ｓｊ層乞蒸看しない違いを除いて上記サンプルＡの調製
方法を繰り返した。得られたサンプルの層構成は次の通
りであるえ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＡｔＮ上記のように
して調製したサンプルＡ、Ｂ及びＣのそれぞれを７０℃
及び８５％ＲＭの温湿度試験に供し、保磁力Ｈｃ及びカ
ー回転角θにの変化音測定した。この試験によって得ら
れた結果を放置時間（ｈｒ）とカー回転角（ｄｅｒ、）
の関係でプロットしたものが、添付の第３図である。
の保護膜夕記載の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプルを調製した：サンプルＡ（本発明） Ａｔよりも窒化物標準生成エネルギーの大きいＳｔ乞４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＳｔ層上に
さらにＡｔＮ膜ゲＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｓ ｒ ／ ＡＩＮ
サンプルＢ（対照） Ａｔよりも窒化物標準生成エネルギーの小さいＴｉを４
Ｘ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＴｉ層上に
さらにＡｔＮ膜をＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラスＭＷ／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｔｉ ／ ＡｔＮサ
ンプルＣ（対照） Ｓｊ層乞蒸看しない違いを除いて上記サンプルＡの調製
方法を繰り返した。得られたサンプルの層構成は次の通
りであるえ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＡｔＮ上記のように
して調製したサンプルＡ、Ｂ及びＣのそれぞれを７０℃
及び８５％ＲＭの温湿度試験に供し、保磁力Ｈｃ及びカ
ー回転角θにの変化音測定した。この試験によって得ら
れた結果を放置時間（ｈｒ）とカー回転角（ｄｅｒ、）
の関係でプロットしたものが、添付の第３図である。
第３図に図示の結果から、放置時間が４００時間に達す
ると、サンプルＢ及びＣのカー回転角θｋが減少しはじ
めたことが判る。このよう彦カー同転角の減少は、磁性
記録層に変質があったことを示している。これとは対照
的に、サンプルＡのカー回転角θには、依然として約０
．２ ｄｅｇ、 Ｙ保持しており、ｓ性記録層が保護膜
によって十分に酸化から保護されていることがうかがわ
れる。これをさらに磁気的特性から見ると、サンプルＢ
及びＣでは保磁力ＨＣが９ ｋｏｅ以上に達しており、
ＡｔＮ中のＮとの反応の結果としてＴｂＦｅＣｏ中のＴ
ｂの見掛け上の含有率が低下したためと考えられる。
ると、サンプルＢ及びＣのカー回転角θｋが減少しはじ
めたことが判る。このよう彦カー同転角の減少は、磁性
記録層に変質があったことを示している。これとは対照
的に、サンプルＡのカー回転角θには、依然として約０
．２ ｄｅｇ、 Ｙ保持しており、ｓ性記録層が保護膜
によって十分に酸化から保護されていることがうかがわ
れる。これをさらに磁気的特性から見ると、サンプルＢ
及びＣでは保磁力ＨＣが９ ｋｏｅ以上に達しており、
ＡｔＮ中のＮとの反応の結果としてＴｂＦｅＣｏ中のＴ
ｂの見掛け上の含有率が低下したためと考えられる。
上記の事実から、磁性記録層の保護効果に顕著な差がで
たのは、同じ金属でもＳｉとＴｌとでは窒化物標準生成
エネルギーにかなりの差があるからでおると、理解する
ことができる。
たのは、同じ金属でもＳｉとＴｌとでは窒化物標準生成
エネルギーにかなりの差があるからでおると、理解する
ことができる。
例２：
前記例１に記載のものと同様な手法に従ってガラス基板
上にＴｂＦａＣｏのアモルファスＫｗ蒸着して磁性記録
層を形成した。
上にＴｂＦａＣｏのアモルファスＫｗ蒸着して磁性記録
層を形成した。
次いで、上記のようにして作成した磁性記録層上に下記
の保護＠！記俄の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプル′ｌＸ：調製した：サンプルＤ（本発明） Ｚｎよりも硫化物標準生成エネルギーの大きい５ｔｙ５
４ｉ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＳｔ層上
にさらにＺｎＳ膜χ４Ｘ／Ｓの速度で膜厚１０００ＸＫ
蒸着した。得られたサンプルの層構成は次の通りでめる
ニ ガラス基板／ ＴｂＦａＣｏ ／ Ｓ ｉ ／ ＺｎＳ
サンプルＥ（対照） Ｚｎよりも硫化物標準生成エネルギーの小さいＭｎｖ４
Ｘ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＭｎ層上に
さらにＺｎＳ膜”ｋ４Ｘ／Ｓの速度で膜厚１００ ｏｌ
に蒸着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであ
るニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｍｎ ／ ＺｎＳサ
ンプルＦ（対照） Ｓｉ層ビ蒸着しない違いｔ除いて上記サンプルＤの調製
方法を繰り返した。得られたサンプルの層構成は次の通
りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＺｎＳ上記のよりに
して調製したサンプルＤ、Ｅ及びＦのそれぞれｇ７０℃
及び８５１ＲＪ（の温湿度試験に供し、保磁力Ｈｅ及び
カー回転角θにの変化を測定した。４００時間放置後の
θｋＩ／′ｉ、それぞれ。
の保護＠！記俄の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプル′ｌＸ：調製した：サンプルＤ（本発明） Ｚｎよりも硫化物標準生成エネルギーの大きい５ｔｙ５
４ｉ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＳｔ層上
にさらにＺｎＳ膜χ４Ｘ／Ｓの速度で膜厚１０００ＸＫ
蒸着した。得られたサンプルの層構成は次の通りでめる
ニ ガラス基板／ ＴｂＦａＣｏ ／ Ｓ ｉ ／ ＺｎＳ
サンプルＥ（対照） Ｚｎよりも硫化物標準生成エネルギーの小さいＭｎｖ４
Ｘ／ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＭｎ層上に
さらにＺｎＳ膜”ｋ４Ｘ／Ｓの速度で膜厚１００ ｏｌ
に蒸着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであ
るニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｍｎ ／ ＺｎＳサ
ンプルＦ（対照） Ｓｉ層ビ蒸着しない違いｔ除いて上記サンプルＤの調製
方法を繰り返した。得られたサンプルの層構成は次の通
りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＺｎＳ上記のよりに
して調製したサンプルＤ、Ｅ及びＦのそれぞれｇ７０℃
及び８５１ＲＪ（の温湿度試験に供し、保磁力Ｈｅ及び
カー回転角θにの変化を測定した。４００時間放置後の
θｋＩ／′ｉ、それぞれ。
サンプルＤ ： ０．２ ｄｅｇ 、テンプルＥ ：
０．１５ ｄｅｇ−及びサンプルＦ ： ０．１３ ｄ
ｏｇであり、前記例］の結果に酷似した値であった。さ
らに、ＨＣも、サンプルＥ及びＦでは増加しており、Ｔ
ｂの含有率の見掛は上の減少が明らかであった。
０．１５ ｄｅｇ−及びサンプルＦ ： ０．１３ ｄ
ｏｇであり、前記例］の結果に酷似した値であった。さ
らに、ＨＣも、サンプルＥ及びＦでは増加しており、Ｔ
ｂの含有率の見掛は上の減少が明らかであった。
例３：
前記例１に記載のものと同様な手法に従ってガラス基板
上にＴｂＦｅＣｏのアモルファス膜を蒸着して磁性記録
層を形成した。
上にＴｂＦｅＣｏのアモルファス膜を蒸着して磁性記録
層を形成した。
次いで、上記のようにして作成した磁性記録層上に下記
の保護膜を記載の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプルを調製した：す／デルＧ（本発明） Ｓｌよりも炭化物標準生成エネルギーの大きいＭＯＹ４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＭｏ層上に
さらにＳｉＣ膜をＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の辿りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｍｏ ／ Ｓ ｉＣ
サンプルＨ（対照） Ｓｉよりも炭化物標準生成エネルギーの小さいＣｒを４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＣｒ層上に
さらにＳｉＣ膜乞ＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ／Ｃｒ／ＳｉＣす／′ｊ′
ル■（対照） Ｍｏ ｆ＠ ’１１蒸着しない違いを除いて上記サンプ
ルＧの調環方法ケ繰り返した。得られたサンプルの層構
成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＳｉＣ上記のように
して調製したサンプルＧ、Ｈ及び工のそれぞれン７０℃
及び８５％ＲＨの温湿度試験に供し、保磁力Ｈａ及びカ
ー回転角θにの変化７沢１１定した。４００時間放置後
のθには、それぞれ、サンプルＧ ： ０．２ ｄｅｇ
、サンプルＨ： ０．１６ ｄｅｇ。
の保護膜を記載の手法で被覆して３種類の光磁気記録媒
体のサンプルを調製した：す／デルＧ（本発明） Ｓｌよりも炭化物標準生成エネルギーの大きいＭＯＹ４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＭｏ層上に
さらにＳｉＣ膜をＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の辿りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ Ｍｏ ／ Ｓ ｉＣ
サンプルＨ（対照） Ｓｉよりも炭化物標準生成エネルギーの小さいＣｒを４
Ｘ／Ｓの速度で膜厚５００Ｘに蒸着し、このＣｒ層上に
さらにＳｉＣ膜乞ＲＦスパッタ法で膜厚１０００Ｘに蒸
着した。得られたサンプルの層構成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ／Ｃｒ／ＳｉＣす／′ｊ′
ル■（対照） Ｍｏ ｆ＠ ’１１蒸着しない違いを除いて上記サンプ
ルＧの調環方法ケ繰り返した。得られたサンプルの層構
成は次の通りであるニ ガラス基板／ ＴｂＦｅＣｏ ／ ＳｉＣ上記のように
して調製したサンプルＧ、Ｈ及び工のそれぞれン７０℃
及び８５％ＲＨの温湿度試験に供し、保磁力Ｈａ及びカ
ー回転角θにの変化７沢１１定した。４００時間放置後
のθには、それぞれ、サンプルＧ ： ０．２ ｄｅｇ
、サンプルＨ： ０．１６ ｄｅｇ。
及びサンプルＩ： ０．１３ ｄｓｇであり、前記例】
の結果に類似した値であった。ざらに、Ｈｅも、サンプ
ルＨ及び工については増加が認められた。これらの結果
から、ＭｏとＣｒとではＳｉＣの保護効果に差が生じた
ことは明らかであり、また、この保護効果の差は両金山
Ｍｏ及びＣｒの炭化物標準生成エネルギーの差によって
生じたものと考えられる。
の結果に類似した値であった。ざらに、Ｈｅも、サンプ
ルＨ及び工については増加が認められた。これらの結果
から、ＭｏとＣｒとではＳｉＣの保護効果に差が生じた
ことは明らかであり、また、この保護効果の差は両金山
Ｍｏ及びＣｒの炭化物標準生成エネルギーの差によって
生じたものと考えられる。
本発明によれば、希土類−遷移金属系アモルファス合金
材料からなる磁性記録層に先に詳細に説明したような二
層構造の保護膜音節すことによって、すぐれた長期的安
定性を有する光磁気記録媒体乞得ることができる。
材料からなる磁性記録層に先に詳細に説明したような二
層構造の保護膜音節すことによって、すぐれた長期的安
定性を有する光磁気記録媒体乞得ることができる。
第１図は、本発明による光磁気記録媒体の好ましい側音
断面で示した略示図、 第２図は、従来の光磁気記録媒体の一例を断面で示した
１烙示図、 第３図は、放置時間とカー回転角の関係を示したグラフ
、 第４図は、光磁気記録方式による記録方法乞示した略示
図、そして 第５図は、光磁気記録方式による再生方法を示した略示
図である。 図中、１は基板、２は磁性記録層、そして３及び４は保
護層である。 第１図 第２図 第４図 ＴｏＴｌ 温度Ｔ 第５図
断面で示した略示図、 第２図は、従来の光磁気記録媒体の一例を断面で示した
１烙示図、 第３図は、放置時間とカー回転角の関係を示したグラフ
、 第４図は、光磁気記録方式による記録方法乞示した略示
図、そして 第５図は、光磁気記録方式による再生方法を示した略示
図である。 図中、１は基板、２は磁性記録層、そして３及び４は保
護層である。 第１図 第２図 第４図 ＴｏＴｌ 温度Ｔ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、希土類金属と遷移金属の合金からなる磁性記録層を
有する光磁気記録媒体であって、前記磁性記録層は二層
構造の保護膜を有しており、前記保護膜の第１の層は金
属からなり、そしてその第２の層は前記第１の層とは異
なる金属の窒化物、硫化物又は炭化物からなることを特
徴とする光磁気記録媒体。 ２、前記保護膜の第１の層が前記磁性記録層に接してお
り、この第１の層の上に前記第２の層がある、特許請求
の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。 ３、前記保護膜の第２の層が金属の窒化物からなり、該
窒化物を形成する金属の窒化物標準生成エネルギーは前
記第１の層の金属のそれよりも小である、特許請求の範
囲第２項に記載の光磁気記録媒体。 ４、前記保護膜の第２の層が金属の硫化物からなり、該
硫化物を形成する金属の硫化物標準生成エネルギーは前
記第１の層の金属のそれよりも小である、特許請求の範
囲第２項に記載の光磁気記録媒体。 ５、前記保護膜の第２の層が金属の炭化物からなり、該
炭化物を形成する金属の炭化物標準生成エネルギーは前
記第１の層の金属のそれよりも小である、特許請求の範
囲第２項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24237784A JPS61122955A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24237784A JPS61122955A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61122955A true JPS61122955A (ja) | 1986-06-10 |
Family
ID=17088262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24237784A Pending JPS61122955A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61122955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5492773A (en) * | 1988-09-13 | 1996-02-20 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US5512364A (en) * | 1986-05-14 | 1996-04-30 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24237784A patent/JPS61122955A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512364A (en) * | 1986-05-14 | 1996-04-30 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US5492773A (en) * | 1988-09-13 | 1996-02-20 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
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