JP2648058B2 - Coplanarity measurement method - Google Patents

Coplanarity measurement method

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JP2648058B2 JP26028591A JP26028591A JP2648058B2 JP 2648058 B2 JP2648058 B2 JP 2648058B2 JP 26028591 A JP26028591 A JP 26028591A JP 26028591 A JP26028591 A JP 26028591A JP 2648058 B2 JP2648058 B2 JP 2648058B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の外観検
査の一種であるリード端子のコプラナリティーを測定す
るコプラナリティー測定方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coplanarity measuring method for measuring coplanarity of a lead terminal, which is a kind of visual inspection of a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、半導体装置のリード端子のコプ
ラナリティーを測定する従来のコプラナリティー測定方
法を適用した装置の概略平面図、図5は測定ステージ1
に被測定IC3を搭載し、図4におけるA−A線で切断
した場合の拡大断面図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic plan view of an apparatus to which a conventional coplanarity measuring method for measuring coplanarity of a lead terminal of a semiconductor device is applied, and FIG.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the case where the IC 3 to be measured is mounted on the device and cut along the line AA in FIG. 4.

【0003】測定ステージ1は光を透過させる透過性樹
脂12および光を透過させない非透過性樹脂13よりな
る。非透過性樹脂13は透過性樹脂12の側面の先端
(測定ステージ1の先端11a)から下方を覆うように
形成されている。
The measurement stage 1 is made of a transparent resin 12 that transmits light and a non-transparent resin 13 that does not transmit light. The non-transparent resin 13 is formed so as to cover the lower part from the front end (the front end 11a of the measurement stage 1) of the side surface of the transparent resin 12.

【0004】31は被測定IC3のモールド部、32は
被測定IC3のリード端子である。21,22,23,
24は被測定IC3のリード端子32の画像を取り込み
リード端子32のコプラナリティーを測定するためのカ
メラであり、被測定IC3の各側面に対面して設置され
ている。
Reference numeral 31 denotes a molded part of the IC 3 to be measured, and 32 denotes a lead terminal of the IC 3 to be measured. 21, 22, 23,
Reference numeral 24 denotes a camera for capturing an image of the lead terminal 32 of the IC 3 to be measured and measuring the coplanarity of the lead terminal 32, and is installed facing each side surface of the IC 3 to be measured.

【0005】次に動作について説明する。まず、リード
端子32のコプラナリティーを測定するために被測定I
C3を測定ステージ1上に搭載する。そして、測定ステ
ージ1の下方から光4を照射する。光4は透過性樹脂1
2を透過するが、非透過性樹脂13は透過しない。その
ため、カメラ21方向から測定ステージ1を見た場合、
図6のようにリード端子32の影32aと非透過性樹脂
13の影13aができる。影13aの端、つまり測定
ステージ1の端11aがコプラナリティー測定のため
の基準線と一致するように非透過性樹脂13が設けてあ
る。この画像をカメラ21が2値化画像として取り込み
コプラナリティー5(影32aの下端と測定ステージ1
端11a(すなわち基準線)との距離)を算出す
る。そして、コプラナリティー5が所定値以内であれば
良品、所定値より大きくなければ不良品ということにな
る。
Next, the operation will be described. First, the measured in order to measure the coplanarity of the lead terminals 32 I
C3 is mounted on the measurement stage 1. Then, light 4 is irradiated from below the measurement stage 1. Light 4 is transparent resin 1
2, but not through the non-permeable resin 13. Therefore, when the measurement stage 1 is viewed from the camera 21 direction,
As shown in FIG. 6, a shadow 32a of the lead terminal 32 and a shadow 13a of the non-transparent resin 13 are formed. Upper end of the shade 13a, i.e. non-transmissive resin 13 as above end 11a of the measuring stage 1 coincides with the reference line for the coplanarity measurement is provided. This image is captured by the camera 21 as a binarized image and the coplanarity 5 (the lower end of the shadow 32a and the measurement stage 1)
Calculating the above end 11a (i.e., baseline) distance between). If the coplanarity 5 is within a predetermined value, it is a good product, and if it is not larger than the predetermined value, it is a defective product.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来のコプラナリティ
ーは以上のようにして測定されているので以下のような
2つの問題点があった。
Since the conventional coplanarity is measured as described above, there are the following two problems.

【0007】第1は、図7の左側の影32aのようにコ
プラナリティー5が大きければコプラナリティーの測定
は容易に行うことができるが、右側のようにコプラナリ
ティー5が小さいと光4の干渉や透過量不足によりコプ
ラナリティー5の部分に暗部32bができコプラナリテ
ィーに誤測定が生じるという問題点である。
First, if the coplanarity 5 is large as shown by the shadow 32a on the left side of FIG. 7, the coplanarity can be easily measured, but if the coplanarity 5 is small as shown on the right side, the interference of the light 4 will occur. The dark portion 32b is formed in the coplanarity 5 portion due to the shortage of the transmission amount, and the coplanarity 5 is erroneously measured.

【0008】第2は、図8に示すように非透過性樹脂1
3の平坦度(基準線11bの平坦度)が非透過性樹脂1
3の製造上のばらつきにより測定ステージ1の端11
aからずれ、コプラナリティーを正しく測定できなくな
るという問題点である。なおXは基準線11bと端1
1aとの最大差である。
[0008] Second, as shown in FIG.
3 (the flatness of the reference line 11b) is the impermeable resin 1.
3 by variations in manufacturing the upper end 11 of the measuring stage 1
This is a problem in that coplanarity cannot be measured correctly due to deviation from a. Note X is the reference line 11b and the upper end 1
1a.

【0009】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、コプラナリティーの測定精度が
高いコプラナリティー測定方法を得ることを目的とす
る。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a coplanarity measuring method with high coplanarity measuring accuracy.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明に係るコプラナ
リティー測定方法の第1の態様は、半導体装置を透明ス
テージ上に設定してリード端子のコプラナリティーを測
定するコプラナリティー測定方法において、コプラナリ
ティー測定のための基準線を前記透明ステージの端よ
り所定距離だけ下方に設け、前記リード端子と前記基準
線との距離を測定し、前記リード端子と前記基準線との
測定距離から前記所定距離を差し引くことにより前記リ
ード端子のコプラナリティーを算出することを特徴とす
る。
A first aspect of the coplanarity measuring method according to the present invention is a coplanarity measuring method for measuring coplanarity of a lead terminal by setting a semiconductor device on a transparent stage. the baseline for the measurement is provided by downwardly a predetermined distance from the upper end of the transparent stage, the measured distance between the lead terminal and the reference line, the predetermined distance from the measured distance between the lead terminal and the reference line Is subtracted to calculate the coplanarity of the lead terminal.

【0011】この発明に係るコプラナリティー測定方法
の第2の態様は、半導体装置のリード端子のコプラナリ
ティーを測定するコプラナリティー測定方法において、
コプラナリティー測定のための基準線の平坦度のばらつ
き量を各リード端子毎に予め求めておき、各リード端子
ごとに前記基準線との距離を測定し、前記各リード端子
と前記基準線との測定距離を対応する前記ばらつき量に
基づいて補正することにより前記各リード端子のコプラ
ナリティーを算出することを特徴とする。
[0011] A second aspect of the coplanarity measuring method according to the present invention is a coplanarity measuring method for measuring coplanarity of a lead terminal of a semiconductor device.
The amount of variation in the flatness of the reference line for coplanarity measurement is determined in advance for each lead terminal, the distance between the reference line and each lead terminal is measured, and the distance between each of the lead terminals and the reference line is measured. by correcting based on the measured distance to the variation amount of the corresponding and calculates the coplanarity of the respective lead terminals.

【0012】[0012]

【作用】この発明に係るコプラナリティー測定方法の第
1の態様においては、コプラナリティー測定のための基
準線を透明ステージの端より所定距離だけ下方に設
け、リード端子と基準線との距離を測定し、リード端子
と基準線との測定距離から前記所定距離を差し引くこと
によりリード端子のコプラナリティーを算出するように
したので、リード端子と基準線との距離が小さくなら
ず、リード端子と基準線の間にはコプラナリティー測定
のための光が充分透過する。
[Action] In a first aspect of the coplanarity measurement method according to the present invention, provided below a predetermined distance from the upper end of the transparent stage reference line for coplanarity measurement, the distance between the lead terminals and the reference line The coplanarity of the lead terminal is calculated by measuring and subtracting the predetermined distance from the measured distance between the lead terminal and the reference line. Light for coplanarity measurement is sufficiently transmitted between the lines.

【0013】この発明に係るコプラナリティー測定方法
の第2の態様においては、コプラナリティー測定のため
の基準線の平坦度のばらつき量を各リード端子毎に予め
求めておき、各リード端子ごとに基準線との距離を測定
し、各リード端子と基準線との測定距離を対応するばら
つき量に基づいて補正することにより各リード端子のコ
プラナリティーを算出するようにしたので、前記測定距
離を前記ばらつき量に基づいて補正することができる。
In a second aspect of the coplanarity measurement method according to the present invention, the variation in flatness of a reference line for coplanarity measurement is determined in advance for each lead terminal, and the reference amount is determined for each lead terminal. measure the distance between the line, since to calculate the coplanarity of the lead terminals by correcting based on the corresponding rose <br/> with weight measurement distance between each lead terminal and the reference line, the The measurement distance can be corrected based on the variation amount.

【0014】[0014]

【実施例】図1はこの発明に係るコプラナリティー測定
方法の一実施例を適用したコプラナリティー測定装置の
一部拡大断面図である。図において図5に示した従来装
置との相違点は、非透過性樹脂13の位置を図5の場合
に比べて低くすることにより、測定ステージ1の先端1
1aよりも意図的に低くした基準線11bを設け、基準
線11bとリード端子32との間の距離を大きくしこと
である。その他の構成は図5に示した従来装置と同様で
ある。
FIG. 1 is a partially enlarged sectional view of a coplanarity measuring apparatus to which one embodiment of a coplanarity measuring method according to the present invention is applied. 5 is different from the conventional apparatus shown in FIG. 5 in that the position of the non-permeable resin 13 is lower than that in FIG.
This is to provide a reference line 11b intentionally lower than 1a and to increase the distance between the reference line 11b and the lead terminal 32. Other configurations are the same as those of the conventional device shown in FIG.

【0015】基本的な動作については従来と同様であ
る。光4を測定ステージ1の下方から照射する。非透過
性樹脂13の存在により光4は遮られるので影13bが
できる。非透過性樹脂13の位置が従来装置より低いの
で影32bの出現位置も従来の影32aよりも低くな
る。このため、影13bの端に対応する基準線11b
の位置も図2の距離7aだけ測定ステージ1の先端11
aよりも低い位置にある。そのため、カメラ21に取り
込まれるリード端子32の影32aの下端と基準線11
bとの距離7は図2に示すように大きくなる。つまり、
カメラ21に取り込まれた画像に基づいて算出されたコ
プラナリティーは本来のコプラナリティー5よりも大き
くなっている。基準線11bは測定ステージ1の端1
1aより距離7aだけ下がっているので、本来のコプラ
ナリティー5は、(コプラナリティー5)=(測定値
7)−(距離7a)から求められる。
The basic operation is the same as in the prior art. Light 4 is irradiated from below the measurement stage 1. Since the light 4 is blocked by the presence of the non-transparent resin 13, a shadow 13b is formed. Since the position of the non-transparent resin 13 is lower than that of the conventional device, the appearance position of the shadow 32b is also lower than that of the conventional shadow 32a. Therefore, the reference line corresponds to the upper end of the shade 13b 11b
Of the measuring stage 1 by the distance 7a in FIG.
It is at a position lower than a. Therefore, the lower end of the shadow 32 a of the lead terminal 32 taken into the camera 21 and the reference line 11
The distance 7 with respect to b increases as shown in FIG. That is,
The coplanarity calculated based on the image captured by the camera 21 is larger than the original coplanarity 5. Upper end 1 of the reference line 11b is measurement stage 1
Since the coplanarity 5 is lower than 1a by the distance 7a, the original coplanarity 5 is obtained from (coplanarity 5) = (measured value 7)-(distance 7a).

【0016】上記実施例によれば、測定ステージ1の
端11aと基準線11bとの間には常に距離7a以上の
差がある。このため、光4は常に一定量以上通過するた
め、影32aの下端と基準線11bとの間が暗くなるこ
とがなく、コプラナリティー5を正確に測定することが
できる。
According to the above embodiment, there is always a difference of 7 mm or more between the upper end 11a of the measurement stage 1 and the reference line 11b. For this reason, since the light 4 always passes by a certain amount or more, the space between the lower end of the shadow 32a and the reference line 11b does not become dark, and the coplanarity 5 can be measured accurately.

【0017】次に、この発明に係るコプラナリティーの
測定方法の他の実施例について説明する。非透過性樹脂
13の端に相当する基準線11bが非透過性樹脂13
の製造上のばらつきにより図8に示すように測定ステー
ジ1の端11aからずれているものとする。この場
合、この実施例では、まず、基準線11bの端11a
からのずれ量を予め測定する。そしてその測定値を補正
値として、図3に示すようにリード端子32の各々毎に
1対1で対応させて、例えばメモリに予め記憶してお
く。そして、従来と同様に実際に各リード端子32毎に
コプラナリティーを測定し、次いでメモリから測定リー
ド端子32に対応する補正値を読み出し、該補正値に基
づいて測定装置内で自動的に測定値を補正することによ
り真のコプラナリティーを算出する。このようにするこ
とにより非透過性樹脂13の製造上のばらつきの影響を
排除でき、コプラナリティーの測定精度を高くすること
ができる。なお、この実施例では補正値をメモリに記憶
させ、メモリから補正値を読み出し補正を行ったが、補
正値を一覧表にし、この表に基づき人為的に補正を行っ
てもよい。また、上記実施例では平坦度のばらつき量の
基準を測定ステージ1の先端11aとしたが、水平線で
あればいかなる位置の線であってもよい。
Next, another embodiment of the method for measuring coplanarity according to the present invention will be described. Reference line 11b corresponding to the upper end of the non-transmissive resin 13 is non-transmissive resin 13
Variations on the manufacture of the assumed that deviates from the upper end 11a of the measuring stage 1 as shown in FIG. In this case, in this embodiment, first, the upper end 11a of the reference line 11b
Is measured in advance. Then, the measured values are stored as correction values in a memory, for example, in a one-to-one correspondence with each of the lead terminals 32 as shown in FIG. Then, the coplanarity is actually measured for each lead terminal 32 in the same manner as in the related art, and then the correction value corresponding to the measurement lead terminal 32 is read from the memory, and the measured value is automatically measured in the measuring device based on the correction value. To calculate the true coplanarity. By doing so, it is possible to eliminate the influence of manufacturing variations of the non-permeable resin 13 and to increase the coplanarity measurement accuracy. In this embodiment, the correction values are stored in the memory, and the correction values are read out from the memory to perform the correction. However, the correction values may be listed, and the correction may be performed artificially based on the table. Further, in the above-described embodiment, the reference of the flatness variation amount is the tip 11a of the measurement stage 1, but may be a horizontal line at any position.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のようにこの発明に係るコプラナリ
ティー測定方法の第1の態様によれば、コプラナリティ
ー測定のための基準線を透明ステー端より所定距
離だけ下方に設け、リード端子と基準線との距離を測定
し、リード端子と基準線との測定距離から前記所定距離
を差し引くことによりリード端子のコプセナリティーを
算出するようにしたので、リード端子と実際基準線との
距離が小さくならなず、リード端子と基準線の間にはコ
プラナリティー測定のための光が充分透過する。その結
果、コプラナリティーを精度よく測定することができ
る。
According to a first aspect of the coplanarity measurement method according to the present invention as described above, according to the present invention, by a predetermined distance from the upper end of the transparent stage a reference line for the coplanarity measurement provided below, lead The distance between the lead terminal and the actual reference line is calculated by measuring the distance between the terminal and the reference line and calculating the copsenality of the lead terminal by subtracting the predetermined distance from the measured distance between the lead terminal and the reference line. Is not reduced, and light for coplanarity measurement is sufficiently transmitted between the lead terminal and the reference line. As a result, coplanarity can be accurately measured.

【0019】コプラナリティー測定方法の第2の態様に
よれば、コプラナリティー測定のための基準線の平坦度
のばらつき量を各リード端子毎に予め求めておき、各リ
ード端子ごとに基準線との距離を測定し、各リード端子
と基準線との測定距離を対応するばらつき量に基づいて
補正することにより各リード端子のコプラナリティーを
算出するようにしたので、前記測定距離を前記ばらつき
量に基づいて補正することができる。その結果、コプラ
ナリティーを精度よく測定することができる。
According to the second aspect of the coplanarity measuring method, the amount of variation in the flatness of the reference line for measuring coplanarity is obtained in advance for each lead terminal, and the amount of variation in the flatness is determined for each lead terminal. distance was measured. Thus to calculate the coplanarity of the lead terminals by correcting on the basis of the corresponding amount of variation of the measured distance between the lead terminals and the reference line, based on the measured distance to the amount of variation Can be corrected. As a result, coplanarity can be accurately measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係るコプラナリティー測定方法の一
実施例を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of a coplanarity measuring method according to the present invention.

【図2】この発明に係るコプラナリティー測定方法の一
実施例を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining an embodiment of a coplanarity measuring method according to the present invention.

【図3】この発明に係るコプラナリティーの測定方法の
他の実施例を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining another embodiment of the method for measuring coplanarity according to the present invention.

【図4】従来のコプラナリティー測定装置の外観平面図
である。
FIG. 4 is an external plan view of a conventional coplanarity measuring device.

【図5】図4の一部拡大断面図である。FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of FIG. 4;

【図6】従来のコプラナリティー測定方法を説明するた
めの図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a conventional coplanarity measuring method.

【図7】従来のコプラナリティー測定方法の問題点を説
明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a problem of a conventional coplanarity measuring method.

【図8】従来のコプラナリティー測定方法の問題点を説
明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a problem of a conventional coplanarity measuring method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a 理想基準線 11b 実際基準線 32 リード端子 11a Ideal reference line 11b Actual reference line 32 Lead terminal

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置を透明ステージ上に設定して
リード端子のコプラナリティーを測定するコプラナリテ
ィー測定方法において、 コプラナリティー測定のための基準線を前記透明ステー
ジの端より所定距離だけ下方に設け、 前記リード端子と前記基準線との距離を測定し、 前記リード端子と前記基準線との測定距離から前記所定
距離を差し引くことにより前記リード端子のコプラナリ
ティーを算出することを特徴とするコプラナリティー測
定方法。
1. A coplanarity measurement method to set the semiconductor device on a transparent stage measures the coplanarity of the lead terminals, the reference line for the coplanarity measurement downward by a predetermined distance from the upper end of the transparent stage And measuring a distance between the lead terminal and the reference line, and calculating a coplanarity of the lead terminal by subtracting the predetermined distance from a measured distance between the lead terminal and the reference line. Liability measurement method.
【請求項2】 半導体装置のリード端子のコプラナリテ
ィーを測定するコプラナリティー測定方法において、 コプラナリティー測定のための基準線の平坦度のばらつ
き量を各リード端子毎に予め求めておき、 各リード端子ごとに前記基準線との距離を測定し、 前記各リード端子と前記基準線との測定距離を対応する
前記ばらつき量に基づいて補正することにより前記各リ
ード端子のコプラナリティーを算出することを特徴とす
るコプラナリティー測定方法。
2. A coplanarity measuring method for measuring coplanarity of a lead terminal of a semiconductor device, wherein a variation amount of flatness of a reference line for coplanarity measurement is obtained in advance for each lead terminal. the distance between the reference line is measured every calculated coplanarity of the respective lead terminals by correcting, based the on corresponding <br/> the variation amount of the measured distance between the reference line and each of the lead terminals A coplanarity measurement method.
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