JP2644066B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体（集積回路）装置の製造方法に関
し、特に品質の安定化技術と、生産性の向上に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の技術は、人が−Ｒ管理図等を作成し
て、異常を検知し、その結果をその前工程もしくは後工
程へ連絡して、製造条件の変更等を行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の方法では、次のような問題点がある。
１） 人が−Ｒ管理図等を作成することは、半導体集
積回路装置の製造に於いては、その種類が非常に多い為
に、煩雑な作業となる。
２） 人が管理図等によって異常を検知するので、個人
差等により検知精度が不安定である。
３） 異常は、その内容によって、その時の半導体集積
回路装置のみの製造条件を変更したり、それ以後のその
製造条件を全て変更したり様々なケースがある。その
為、これらの条件変更を適切に管理することは非常に煩
雑である。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の製造方法は、経験や勘等のノウハウに
たよった人による異常感知でありまた条件変更である。
これに対して本発明はコンピュータでそれらのことが
代替えできるようにシステム化，標準化し、それによっ
て異常検知や製造条件変更を自動化したという相違点を
有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、 a:管理する必要のあるデータをコンピュータに入力して
おき、それによってコンピュータの画面上に管理図等の
グラフを任意に出力させる。
b:異常の検知精度を一定に保つ為、コンピュータによっ
て変動傾向を統計処理したその結果及び管理限界等の規
格以外の管理線を用いて、収集したデータがそれら管理
線から何点中何点外れるかという外れ方の状況、また単
調増加、減少、同じようなデータの集まり（連），セン
ター値片側の集中が、事前に決められた異常判定基準に
適合するか否かによって自動的に異常を判定する。
c:管理限界を外れた、単調増加した等の自動検知された
異常によって、事前にその工程及び前工程や後工程の製
造条件をどのように変更するかコンピュータに設定して
おき、それによって異常発生と同時に製造条件の変更を
自動的に行う。
等を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面，表を参照して説明する。
第１図は、本発明の概略である。それぞれの設備２
は、それらを統合管理するコンピュータ１に接続されて
おり、設備で収集されたデータは、コンピュータに収集
される。そのデータによって異常が発生した場合は、そ
の設備へ異常表示のアラームを表示し、それとともに他
の設備へ製造条件の変更を反映させる。
表１は、異常判定の為の条件設定例である。判定基準
“1/1"は、報告されたデータが１点でも異常判定項“規
格はずれ”に該当すると異常と判定される。判定基準
“2/3"は過去３点中２点が該当すると異常と判定され、
“7/7"は７点中７点が該当すると異常と判定されること
を示す。
表２は、設備Ａで異常が発生した時の製造条件の変更
例を示したものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示すブロック図である。 １……コンピュータ、２……設備。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体装置の製造工程に於いて、製造履歴
    を一定量収集し、その履歴をそれぞれの工程あるいは、
    設備単位に統計解析することにより、製造工程の変動傾
    向を自動的に感知することによってあらかじめ設定して
    おいたプログラムによって、変動を自動的に補正するア
    クションをコンピュータを通して工程の条件あるいは設
    備条件へフィードバックすることを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  2. 【請求項２】変動傾向を統計処理したその結果及び管理
    限界等の規格以外の管理線を用いて、収集したデータが
    それら管理線から何点中何点外れるかという外れ方の状
    況、また単調増加、減少、同じようなデータの集まり、
    センター値片側の集中が、事前に決めた異常判定基準に
    適合するか否かによって自動的に異常を判定するコンピ
    ュータによる自動検知を行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】管理限界を外れた単調増加した等の自動検
    知された異常によって、事前にその前工程や後工程の製
    造条件をどのように変更するか設定しておき、それによ
    って異常発生と同時に製造条件の変更を自動的に行うこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項もしくは第
    （２）項に記載の半導体装置の製造方法。
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