JP2643809B2 - バンプ形成治具及び方法 - Google Patents

バンプ形成治具及び方法

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JP2643809B2 JP5317079A JP31707993A JP2643809B2 JP 2643809 B2 JP2643809 B2 JP 2643809B2 JP 5317079 A JP5317079 A JP 5317079A JP 31707993 A JP31707993 A JP 31707993A JP 2643809 B2 JP2643809 B2 JP 2643809B2
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  • Punching Or Piercing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成治具及び方法
に関し、特に半導体素子実装用のバンプ形成方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図8〜図10は、特願平2−24216
6号公報に記載されている従来のバンプ形成方法の一例
を示す工程断面図である。従来用いていたバンプ形成治
具は、予め個別に作られたポンチとダイスとを用いるも
のであって、その構成は図8に示すように、打ち抜き用
ポンチ1と、打ち抜き用ポンチ1をガイドするガイド2
と、ガイド2の先端に貼り合わせた打ち抜き用ダイス3
とからなる。
【0003】この従来のバンプ形成治具でバンプを形成
する方法は、打ち抜き用ダイス3の上に直接バンプ材料
5を送り込み(図8)、打ち抜き用ポンチ1を下降させ
て打ち抜き、その後打ち抜き用ポンチ1を更に下降させ
てバンプ6を半導体素子8の電極パッド7上に圧着する
(図9)。以後打ち抜き用ポンチ1を上昇させ(図1
0)、バンプ材料4と半導体素子8を移動させて次のバ
ンプを打ち抜く。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のバンプ
形成治具及び方法は、ポンチとダイスとを個別に製作し
て打ち抜き装置に設置するためポンチとダイスとの軸芯
精度を上げることが難しく、また軸芯精度の悪い打ち抜
き治具を用いた場合、バンプの形状が歪んだり体積精度
が悪化するという欠点があった。治具が破損したり、打
ち抜いたときの滓がダイスの内壁や上面に付着し、打ち
抜きが困難になった場合、修理が容易でなく多大な工数
が必要という欠点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成方法
は、仮ダイス上に設置されたリボン状のダイス材料を前
記仮ダイス及び打ち抜き用ポンチを用いて打ち抜いてダ
イスを形成し、次いでリボン状のバンプ材料を前記ダイ
ス上に送り込み、前記ダイス及び前記打ち抜き用ポンチ
を用いて前記バンプ材料を打ち抜いてバンプを形成する
ことを特徴とする。
【0006】本発明のバンプ形成治具は、仮ダイスと、
この仮ダイス上に移動可能なように載置されるリボン状
ダイス材料と、前記仮ダイスと協働して前記ダイス材
料を打ち抜きダイスを形成してからこのダイス上に送り
込まれるリボン状のバンプ材料を打ち抜いてバンプを形
成するポンチとを備えている。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
【0008】図1〜図7は、本発明の一実施例を示す工
程断面図である。図1に示すバンプ形成治具は、打ち抜
き用ポンチ1と、打ち抜き用ポンチ1をガイドするガイ
ド2と、ガイド2の下面部に張り合わせた仮ダイス3
と、リボン状のダイス材料4とで構成される。本実施例
ではポンチ1と仮ダイス3とは超硬材料を用い、バンプ
打ち抜き用ダイス4はPbSn系はんだなどの粘着性の
大きいバンプ材料の不着を防ぐためにステンレス材料を
用いている。
【0009】バンプ形成方法は、まず図1に示すように
仮ダイス3の上にリボン状のダイス材料4を送り込み、
次に図2に示すようにポンチ1を下降させてバンプ打ち
抜き用ダイスを形成する。このときに生じる打ち抜き片
は、予め用意した捨てパッドや粘着テープなどに打ち付
けて取り除く。次に図3に示すようにダイス材料4の上
にリボン状のバンプ材料5を供給し、図4に示すように
ポンチ1を下降させてバンプ材料4を打ち抜き、その後
更にポンチ1を下降させて打ち抜いたバンプ6を半導体
素子8の電極パッド7の上に圧着する。
【0010】次のバンプを打ち抜くときには図5のよう
にポンチ1を上昇させた後、図6のようにバンプ材料5
を移動させて図4のように打ち抜く。以後図4〜図6の
工程を行い連続してバンプを形成した後、ダイス材料4
の内壁や上面に打ち抜き時の滓が付着したときや、ダイ
ス材料4のエッジ部に摩耗が生じたときなどにはバンプ
材料5を打ち抜いた後に図7のようにダイス材料4を移
動させて、ポンチ1を下降させてダイス材料4を打ち抜
き、これを新しくダイスとしてバンプを形成する。この
ダイス材料4を打ち抜くダイス形成は一定数のバンプ形
成を行った後、新しいダイス形成を行うようにしてもよ
い。この場合はバンプ形成を行う装置の自動運転が容易
である。
【0011】ポンチ1と仮ダイス3との軸芯精度は、ポ
ンチ1と仮ダイス3とが接触しない程度で良い。バンプ
を打ち抜くためのダイスはポンチ1でダイス材料4を打
ち抜いて形成するので軸芯ずれなく、クリアランスをゼ
ロ近くにすることができ、精度の良いバンプを形成する
ことができる。またダイスが破損したり、滓が付着した
ときにはダイス材料4を移動させ、新しいダイスを容易
に作ることができるので、工数、費用的にも有利であ
る。更に、本実施例ではポンチ1の動作案内はガイド2
を用いて行っているが、必ずしも必要はなくなるので低
コストの装置を提供することができる。
【0012】
【発明の効果】本発明のバンプ形成治具および方法は、
ポンチで打ち抜いてダイスを形成するので軸芯のずれが
なく、ゼロに近いクリアランスのダイスを供給すること
ができるので、打ち抜きが安定し、バンプの形状や体積
を安定化できるという効果がある。また、ダイス交換の
自動化が容易にできるので、ダイス交換作業を短縮でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1に示す実施例の次の工程を示す断面図であ
る。
【図3】図1に示す実施例の後の工程を示す断面図であ
る。
【図4】図1に示す実施例の後の工程を示す断面図であ
る。
【図5】図1に示す実施例の後の工程を示す断面図であ
る。
【図6】図1に示す実施例の後の工程を示す断面図であ
る。
【図7】図1に示す実施例の後の工程を示す断面図であ
る。
【図8】従来のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図9】図8に示すバンプ形成方法の次の工程を示す断
面図である。
【図10】図8に示すバンプ形成方法の後の工程を示す
断面図である。
【符号の説明】
1 ポンチ 2 ガイド 3 仮ダイス 4 ダイス材料 5 バンプ材料 6 バンプ 7 電極パッド 8 半導体素子

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 仮ダイス上に設置されたリボン状のダイ
    ス材料を前記仮ダイス及び打ち抜き用ポンチを用いて打
    ち抜いてダイスを形成し、次いでリボン状のバンプ材料
    を前記ダイス上に送り込み、前記ダイス及び前記打ち抜
    き用ポンチを用いて前記バンプ材料を打ち抜いてバンプ
    を形成することを特徴とするバンプ形成方法。
  2. 【請求項2】 ダイス材料を移動させて打ち抜く工程
    と、バンプ材料を移動させて前記バンプ材料の打ち抜き
    を行う動作を1回又は複数回行う工程とが交互に行われ
    ることを特徴とする請求項1記載のバンプ形成方法。
  3. 【請求項3】 仮ダイスと、この仮ダイス上に移動可能
    なように載置されるリボン状のダイス材料と、前記仮ダ
    イスと協働して前記ダイス材料を打ち抜きダイスを形成
    してからこのダイス上に送り込まれるリボン状のバンプ
    材料を打ち抜いてバンプを形成するポンチとを含むこと
    を特徴とするバンプ形成治具。
  4. 【請求項4】 ダイス材料がバンプ材料よりも硬度が大
    きい材料であることを特徴とする請求項3記載のバンプ
    形成治具。
  5. 【請求項5】 バンプ材料が構成成分にPbまたはSn
    を含むはんだ材料であることを特徴とする請求項3又は
    4記載のバンプ形成治具。
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