JP2635272B2 - 磁気光学探傷装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、鋼板，鋼片等々強磁性
体（以下対象材）に磁界を印加すると、対象材の表面に
傷があるとそこから磁束が漏れる現象を利用して、この
漏れ磁束を磁気光学効果素子（ファラデ−素子）を介し
て光学的に検出する探傷装置に関する。

【０００２】

【従来技術】磁界を加えた対象材の表面に面対向したフ
ァラデ−素子の表面に偏光を照射し、該表面の反射光を
検光子を介して撮影すると、対象材がその表面に垂直な
磁束を発生しないときには、実質上均一な磁区模様（例
えば図３の（ａ）の、中央の白，黒縞を除く、ランダム
な白，黒模様）が表われた画像が得られる。対象材の表
面に傷があるとそこから磁束が漏れるので垂直磁界が生
じ、そこでは垂直磁界の方向に依存して、黒い磁区の幅
が太ると同時に白い磁区の幅が細る、あるいは白い磁区
の幅が太ると同時に黒い磁区の幅が細る。例えば図３の
（ａ）の中央部に示すように、白，黒縞が現われる。
白，黒縞の一方は、対象材表面から磁束が出ている箇所
であり他方は該磁束が対象材にまた入っている箇所であ
る。漏れ磁束（磁界）が強い程、白縞の白い面積の割合
が高く黒縞の黒い面積の割合が高くなる。図３の（ａ）
に見られるように、白縞領域および黒縞領域は磁気模様
に磁区模様の幅変調を施した様なものであるので、視認
では大要を認知しうるが、それらを電気的処理により磁
気模様から弁別することはかなり難かしい。一般的に
は、撮像カメラの画像信号の高周波分（磁区模様）を遮
断し低周波分（白縞領域および黒縞領域）を摘出する
が、傷サイズが小さいと、例えば磁区の幅に近くなる
と、傷信号（白，黒縞領域）まで減衰し、傷検出が困難
となるなど、小さい傷に対して所望の傷検出精度が得ら
れないという問題がある。

【０００３】特開平２−２２７６６６号公報や特開平３
−２４５０５２号公報には、鋼板の圧延方向（鋼板圧延
時の鋼板移動方向）に長辺を合せたスリットを通してフ
ァラデ−素子の反射光を撮影することにより、圧延済鋼
板すなわち探傷対象材の、該圧延方向に延びている傷の
検出精度を高くすることが述べられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしスリットの幅が
狭いので、スリット幅方向すなわち鋼板の幅方向の探傷
範囲が極く狭く、探傷効率がきわめて低くなる。また、
左右方向の分解能が低下する。

【０００５】本発明は、探傷効率を格別に下げることな
く検出精度を向上することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気光学探傷装
置は、ある方向ｙに移動する探傷対象材に、その表面に
実質上平行な磁束を生起する励磁手段； 前記表面に面対向する磁気光学効果素子； 磁気光学効果素子の表面に偏光を投射する偏光照明手
段； 光強度を電気信号レベルに変換する単位素子の２次元配
列でなる素子マトリクスにおける積分転送方向を探傷対
象材の移動方向に実質上合せた、磁気光学効果素子の前
記表面を撮影する時間遅延積分型２次元イメ−ジカメ
ラ； 磁気光学効果素子の前記表面と前記イメ−ジカメラの間
の光路に介挿された検光子；および、 前記イメ−ジカメラの素子マトリクスにおける積分転送
速度と探傷対象材の移動速度を同一とするための同期化
手段； を備える。

【０００７】なお、カッコ内の記号は、図面に示し後述
する各実施例の対応要素を示す。

【０００８】

【作用】図２を参照する。探傷対象材(1)がｙ方向に移
動しその表面に欠陥１０があるとすると、磁気光学効果
素子(2)上の、欠陥１０対応の白，黒縞（例えば図３の
（ａ）の中央部に示す）すなわち欠陥像１０ｅは、探傷
対象材(1)の移動と同じく移動するが、磁気光学効果素
子(2)上の磁区模様は静止である。時間遅延積分型２次
元イメ−ジカメラ(9)が、その積分転送方向を探傷対象
材像の移動方向に実質上合せて配置されているので、カ
メラ(9)の光/電気変換単位素子の２次元配列マトリクス
９apg上において、磁気光学効果素子(2)上の磁区模様の
光学像は静止であるが、探傷対象材像（欠陥像１０ｅ）
は、探傷対象材(1)の移動速度(Vyo)に比例する速度(Vy
t)で、マトリクス９apgの積分転送方向に移動する。す
なわち、カメラ(9)の光/電気変換単位素子の２次元配列
マトリクス９apg上において、磁気光学効果素子(2)上の
磁気模様の投影像は静止であるが、探傷対象材像（欠陥
像１０ｅ）は積分転送方向に流れる。

【０００９】ところが、同期化手段(11,20,21,22)が、
イメ−ジカメラ(9)の素子マトリクス９apgにおける積分
転送速度(Vyt)と探傷対象材の移動速度(Vyo対応)を同一
とするので、イメ−ジカメラ(9)の転送器９tpgが出力す
る電気信号(Sx)は、欠陥像１０ｅに関してはそれが図２
のマトリクス９apgの最右ラインから最左ラインに移動
する間の露光量すなわちマトリクス９apg上のｘ方向に
延びる各ラインでの露光量の総和（積分値）を表わすの
で、欠陥像１０ｅ（図３の（ａ）の中央部の白，黒縞）
の白はより高レベルの白に、黒はより高濃度の黒に強調
されたことになる（図３のｂ）。これに対して、磁区模
様部での転送器９tpgが出力する電気信号(Sx)は、マト
リクス９apgに投影された領域全体のｙ方向の総和（ｙ
方向積算値）を表わすものとなる。磁区模様は実質上ラ
ンダムな分布であるので、磁区模様部の電気信号(Sx)の
レベルは、磁区模様の明確な白，黒が平均化されて白と
黒の中間値（灰色）となる。すなわち磁区模様が消去し
たものとなる（図３のｂ）。

【００１０】以上により、欠陥１０が無い領域では中間
（灰色）レベルで、欠陥１０の位置で高レベルの白およ
び高濃度の黒を表わすピ−クが現われる、磁区模様対応
の白，黒ピ−クが無い電気信号レベル(Sx)が得られ、欠
陥検出精度が高い。

【００１１】本発明の他の目的および特徴は図面を参照
した以下の実施例の説明より明らかになろう。

【００１２】

【実施例】図１に一実施例（実施例１）の外観概要を示
す。鋼板１は実質上定速度でｙ方向に送られる。鋼板１
の下面には、小ギャップを置いてマグネットコア３の極
端面が対向している。コア３には電気コイル４が巻回さ
れており、図示しない直流電源より、定電圧が印加さ
れ、これにより鋼板１にはその幅方向すなわちｘ方向に
静止磁界が加えられる。鋼板１の表面に、微小ギャップ
を置いてファラデ−素子（磁気光学効果素子）２が面対
向している。反射板の下方の光源５がファラデ−素子２
の全面を照明するが、光源５とファラデ−素子２の間に
偏光シ−ト６が配置されており、特定方向に偏光面をも
つ光のみがファラデ−素子２を照明する。ファラデ−素
子２の表面は、ファラデ−素子２の偏光作用を受けない
長波長光を遮断する干渉フィルタ７および検光子８を通
して、時間遅延積分２次元イメ−ジカメラ９で撮影され
る。鋼板１にはアィドルロ−ラ１０が接触しており、ロ
−ラ１０に連結されたロ−タリエンコ−ダ１１が、ロ−
ラ１０の所定小角度の回転につき１パルスの電気パルス
を発生する。この電気パルスの周波数は、鋼板１のｙ方
向の移動速度Ｖyoに比例する。

【００１３】図２に、図１に示す鋼板１，ファラデ−素
子２およびイメ−ジカメラ９の配置関係を示す。イメ−
ジカメラ９の、光／電気変換単位素子を２次元配列した
素子マトリクス９apg上に、レンズ９Ｌを通してファラ
デ-素子２の表面像が投影され、鋼板１上の表面欠陥１
０に対応する、ファラデ−素子２上の白，黒縞（図３の
（ａ）の中央部に示す）すなわち欠陥像１０ｅは、マト
リクス９apg上で、鋼板１のｙ方向移動速度Ｖyoに比例
した速度Ｖytで、右から左に向かって移動する。イメ−
ジカメラ９は、その積分転送方向を、マトリクス９apg
上の欠陥像１０ｅの移動方向に合せて、すなわちｙ方向
かつ鋼板１の移動方向と逆にして、配置されている。図
２においてファラデ−素子２上の矩形領域９０ｆがマト
リクス９apg上に投影される。マトリクス９apgの、最右
端のラインの電荷は、所定（後述）の速度で順次に最左
端のラインに向かってパラレルにライン間転送されて最
後に転送器９tpgに移り、転送器９tpgからシリアル出力
(Sx)されるが、最右端のラインにあるときから最左端の
ラインにある間に、各ライン位置で露光強度に対応する
電荷の減衰(又は蓄積)を生じ、すなわち電位の低下(又
は上昇)を生じる。これが時間遅延積分型と呼ばれる所
以である。マトリクス９apgの上述のライン間パラレル
転送の速度を、マトリクス９apg上での欠陥像１０ｅの
移動速度(鋼板1の移動速度に比例)に合致させると、欠
陥像１０ｅのある点Dtp(例えば先端:図示せず)がマトリ
クス９apgの、最右端のライン上のある位置LDtp(図示せ
ず)にあるとき、点Dtpの露光によって生じた電荷（初期
値マイナス点Dtp露光分、又は初期値＋点Dtp露光分）
は、点Dtpが最右端ラインから１つ左側のラインに進ん
だとき同様にこの左側のラインに移り、このラインでも
同じく点Dtpの露光を受けて変化する。このようにし
て、マトリクス９apgに光／電気変換単位素子がｙ方向
にｎラインあるとすると、点Dtpが最右端のライン上に
ある間の露光時間ｄｔのｎ倍の露光時間ｎ×ｄｔの間、
点Dtpを同一ライン上に投影したのと同様な荷電量の減
衰（又は上昇）を生じ、これに対応する信号レベルが出
力信号Ｓｘに現われる。ところが磁区模様は静止してい
るので、磁区模様に関しては、マトリクス９apgの最右
端のラインの電荷は、最右端のラインでは撮影領域９０
ｆの最左端のライン上の磁区模様（部分）の露光による
減衰（又は上昇）を生じ、最右端から１つ左側のライン
に進むと、撮影領域９０ｆの最左端から１つ右側のライ
ン上の磁区模様の露光による減衰（又は上昇）を生ず
る。このようにして、転送器９tpgの出力信号Sxは、磁
区模様領域では、撮影領域９０ｆのｙ方向幅をｎ分割し
た各領域（ライン）を、１つのリニアイメ−ジセンサに
重複投影又は重複露光したのと同様なものとなる。磁区
模様は実質上ランダムであるので、磁区模様領域の出力
信号Ｓｘは白と黒の中間値（灰色）を示すレベルであ
る。欠陥の各部は上述のようにｎ倍の露光時間ｎ×ｄｔ
となるのに対して、磁区模様の各部はｄｔの露光時間で
あってしかも異なった部位を重複露光した形となるの
で、出力信号Ｓｘにおいては、図３の（ｂ）に示すよう
に、磁区模様対応のレベル変動は無くなり、欠陥対応の
際立った白ピ−クレベルおよび黒ピ−クレベルが現われ
る。

【００１４】図４に、図１に示す時間遅延積分型イメ−
ジカメラ９の出力信号を処理し欠陥判定を行なう電気回
路の概要を示す。ロ−タリエンコ−ダ１１が発生する電
気パルスは信号処理回路２０で増幅および波形整形され
てＦ／Ｖ変換器２１に与えられ、Ｆ／Ｖ変換器２１が、
エンコ−ダ１１が発生するパルスの周波数に比例する電
圧すなわち鋼板１の移動速度Ｖyoにレベルが比例する電
圧を発生する。この電圧はＶ／Ｆ変換器２２に与えら
れ、Ｖ／Ｆ変換器２２は与えられる電圧レベルに比例す
る周波数のパルスＳvytを発生する。このパルスＳvyt
が、積分転送同期パルス（速度指示パルス）として時間
遅延積分型イメ−ジカメラ９に与えられる。イメ−ジカ
メラ９は、このパルスＳvytに同期して光／電気変換単
位素子マトリクス９apgの、ライン間パラレル転送を行
なう。これにより、鋼板１の移動速度と、イメ−ジカメ
ラ９の積分転送速度とが比例関係になっている。加え
て、Ｆ／Ｖ変換器２１の、入力周波数に対する出力電圧
レベルの比、ならびに、Ｖ／Ｆ変換器２２の入力電圧レ
ベルに対する出力パルス周波数の比、の調整により、鋼
板１のマトリクス９apg上投影像の移動速度に、イメ−
ジカメラ９の積分転送速度を等しく設定している。

【００１５】イメ−ジカメラ９は、パルスＳvytの周期
の整数倍の周期で転送器９tpgより1ライン分の電気信号
Ｓx(図２のｂ）をシリアル出力すると共に、このシリア
ル出力期間を示すライン同期パルスＰＬsおよび画素同
期パルスＰvxを出力する。

【００１６】電気信号Ｓxはロ−パスフィルタ１２を介
して３値化回路１３に与えられる。ロ−パスフィルタ１
２は、圧延方向に長い表面疵のｘ方向幅（検出しようと
する最小幅）対応の信号Ｓｘのレベル変動周波数よりも
高い周波数のレベル変動を平滑化（遮断）する。３値化
回路１３は２個の比較器と論理素子でなり、信号Ｓｘの
レベルが、第１基準値Ｒｓ１以下の第１領域，第１基準
値Ｒｓ１を越え第２基準値Ｒｓ２未満の第２領域および
第２基準値Ｒｓ２以上の第３領域（図３のｂ）の、いず
れにあるかを示す２ビットデ−タ（図３のｃ；下位桁ｂ
１，上位桁ｂ２）を出力する。すなわち、信号Ｓｘのレ
ベルが第１領域にあると０（ｂ２），０（ｂ１）、第２
領域にあると０，１および第３領域にあると１，０のデ
−タを出力する。

【００１７】鋼板１のｙ方向移動速度Ｖyoが高いとき、
イメ−ジカメラ９の積分転送速度が高く、ファラデ−素
子２上の鋼板１の欠陥１０対応像１０ｅの露光時間が短
い。鋼板１の移動速度の変動や、変更により該露光時間
が変化し信号Ｓｘの欠陥対応レベルが変動するので、こ
の変動によっても３値化デ−タが実質上変動しないよう
に、鋼板１の速度Ｖyoを差動増幅器１８，１９のマイナ
ス入力端に与えて、差動増幅器１８，１９より、オペレ
−タ設定値より速度Ｖyo対応値を減算して第１基準値Ｒ
ｓ１，第２基準値Ｒｓ２を生成し３値化回路１３（の比
較器）に与えるようにしている。これにより、鋼板１の
移動速度Ｖyoの変化に連動（該変化による露光時間の変
化→信号Ｓｘのレベルシフト、に対応）して、第１基準
値Ｒｓ１，第２基準値Ｒｓ２が信号Ｓｘのレベルシフト
方向に同様にシフトし、３値化デ−タは鋼板１の移動速
度の変化によっては実質上変動しない。

【００１８】３値化デ−タ（図３のｃ）の上位桁ビット
ｂ２はＲ／Ｓフリップフロップ１４のセット入力端Ｓ
に、下位桁ビットｂ１はリセット入力端に与えられる。
フリップフロップ１４は、信号Ｓｘのレベルが第２領域
から第３領域に変化したときにすなわち上位桁ビットが
０から１に立上ったときに、セットされてその出力ｂ３
を０から１に反転する。そして信号Ｓｘのレベルが第１
領域から第２領域に変化したときにすなわち下位桁ビッ
トが０から１に立上ったときに、リセットされてその出
力ｂ３を１から０に反転する（図３のｄ）。このフリッ
プフロップ１４の出力ｂ３の「１」が欠陥有りを意味す
る。なお、フリップフロップ１４は、ライン同期信号Ｐ
Ｌｓが０から１に立上ったときにもリセットされる。

【００１９】信号Ｓｘを高周波分平滑化処理した信号
（図３のｂ相当），画素同期パルスＰvxおよびライン同
期信号ＰＬｓはＣＲＴディスプレイＣＲＴ１（４値以上
のデジタル階調表示）に与えられ、３値化デ−タ，同期
パルスＰvx，同期信号ＰＬｓはＣＲＴディスプレイＣＲ
Ｔ２（３値表示）に与えられ、欠陥信号ｂ３，同期パル
スＰvx，同期信号ＰＬｓはＣＲＴディスプレイＣＲＴ３
（２値表示）に与えられる。また、これらのディスプレ
イＣＲＴ１〜３の画面上像位置を整合させるために、図
４に示すように分周器４１が備わっており、これが、ラ
イン同期パルスＰＬｓをカウントして、ＰＬｓのＦ個の
到来毎に１パルスの画面同期パルスＰＦｓを発生し、デ
ィスプレイＣＲＴ１〜３に与える。

【００２０】ディスプレイＣＲＴ１は画像メモリ（多階
調画像デ−タメモリ）を内蔵しており、電源オン後最初
に到来した画面同期パルスＰＦｓに応答して以後到来す
る同期パルスＰvx，同期信号ＰＬｓに応答して信号Ｓｘ
の読込み（デジタル変換，メモリへの書込み，ＣＲＴの
表示更新）を行なう。なお、一ライン分の信号Ｓｘを受
けるとき、画像メモリ上で既存デ−タをシフトして最も
古い一ライン分のデ−タを捨て、受けた信号（最新の一
ライン分のデ−タ）を画像メモリに書込み、そして画像
メモリのデ−タをＣＲＴに更新表示する。ＣＲＴには、
背景が灰色で、欠陥部が白および黒縞の階調画像（アナ
ログ風）が表示される。

【００２１】ディスプレイＣＲＴ２は画像メモリ（３値
画像デ−タメモリ）を内蔵しており、電源オン後最初に
到来した画面同期パルスＰＦｓに応答して以後到来する
同期パルスＰvx，同期信号ＰＬｓに応答して３値化デ−
タｂ２，ｂ１の読込み（メモリへの書込み，ＣＲＴの表
示更新）を行なう。なお、一ライン分の３値化デ−タｂ
２，ｂ１を受けるとき、画像メモリ上で既存デ−タをシ
フトして最も古い一ライン分のデ−タを捨て、受けたデ
−タ（最新の一ライン分のデ−タ）を画像メモリに書込
み、そして画像メモリのデ−タをＣＲＴに更新表示す
る。ＣＲＴには、背景が灰色で、欠陥部が白および黒縞
の３値画像が表示される。

【００２２】ディスプレイＣＲＴ３は画像メモリ（２値
画像デ−タメモリ）を内蔵しており、電源オン後最初に
到来した画面同期パルスＰＦｓに応答して以後到来する
同期パルスＰvx，同期信号ＰＬｓに応答して２値デ−タ
ｂ３の読込み（メモリへの書込み，ＣＲＴの表示更新）
を行なう。なお、一ライン分の２値デ−タｂ３を受ける
とき、画像メモリ上で既存デ−タをシフトして最も古い
一ライン分のデ−タを捨て、受けたデ−タ（最新の一ラ
イン分のデ−タ）を画像メモリに書込み、そして画像メ
モリのデ−タをＣＲＴに更新表示する。ＣＲＴには、背
景が黒で、欠陥部が白の２値画像が表示される。

【００２３】図４に示すマイクロプロセッサ（以下ＣＰ
Ｕ）１は、操作・表示ボ−ド２５の入力読取および該ボ
−ド２５への表示用の出力を行なう。オペレ−タはディ
スプレイＣＲＴ１の表示と、ディスプレイＣＲＴ２およ
び／又はディスプレイＣＲＴ３の表示とを対比して、し
かもこれらの表示に対応する鋼板１上の欠陥１０の形状
等を参照して、基準値Ｒｓ１，Ｒｓ２のべ−ス値を操作
・表示ボ−ド２５で調整しうる。すなわち、ＣＰＵ１
は、電源オン直後にはプログラム上設定された固定値
（ベ−ス値の基準値）をＤ／Ａコンバ−タ１６，１７へ
出力（ラッチ）し操作・表示ボ−ド２５に表示するが、
その後操作・表示ボ−ド２５よりそれらの値の変更入力
があるとそれに応じてベ−ス値を変更してＤ／Ａコンバ
−タ１６，１７へ更新出力（更新ラッチ）し操作・表示
ボ−ド２５に更新表示する。これにより３値化回路１３
に与えられる第１基準値Ｒｓ１，第２基準値Ｒｓ２が変
更される。このように第１基準値Ｒｓ１，第２基準値Ｒ
ｓ２を調整して、欠陥有無信号ｂ３が示す欠陥幅（図３
の（ｄ）に示すｂ３の高レベル幅）を、欠陥幅に対応す
るように調整しうる。

【００２４】ＣＰＵ１は、操作・表示ボ−ド２５（又は
別途のホストコンピュ−タ）よりスタ−ト信号（鋼板１
先端到来信号）が到来すると、これをＣＰＵ２に転送す
る。ＣＰＵ２は、この信号を受けるとｙカウンタ３６を
クリアして、ｙカウンタ３６の、速度同期パルスＰｖｙ
のカウントアップをスタ−トする。これによりｙカウン
タ３６のカウントデ−タは、スタ−ト信号（鋼板１先
端）から鋼板１が移動した距離（鋼板１上の探傷位置）
を示すものとなる。ＣＰＵ２は次いでライン同期パルス
ＰＬｓが立上るときにｘカウンタ３５をクリアして、ｘ
カウンタ３５の、画素同期パルスＰｖｘのカウントアッ
プをスタ−トする。これによりｘカウンタ３５のカウン
ドデ−タは、探傷視野９０ｆ（図２）のｘ方向の走査始
端からの走査進行位置（ｘ位置）を示すものとなる。Ｃ
ＰＵ２は更に、欠陥有無を示す信号ｂ３をＲＡＭ１に書
込み、ＲＡＭ１上に欠陥有無のビットマップを作成す
る。これはディスプレイ３３の画像メモリへのデ−タの
書込みと同様である。ＣＰＵ２は更に、ＲＡＭ１（ビッ
トマップ）上で欠陥を示す１の存否をチェックし、それ
があるとそれが分布する領域を切出して、そのｙ方向長
さ（欠陥領域のｙ方向最大長）およびｘ方向幅（欠陥領
域のｘ方向最大幅）を算出し、これらのデ−タと欠陥始
端のｘ位置（ビットマップ上）およびそのときのｙカウ
ンタ３６のカウントデ−タをＲＡＭ２に書込み、ＣＰＵ
１に「出力」を指示する。ＣＰＵ１はこの指示に応答し
てＲＡＭ２のデ−タを操作・表示ボ−ド２５に出力す
る。プリンタ等他の出力手段もあればこれにも出力す
る。これにより、ビットマップ（ＲＡＭ１）上でＣＰＵ
２が検出した欠陥のｘ，ｙ位置ならびに欠陥のｙ方向長
さおよびｘ方向幅が操作・表示ボ−ド２５に表示され、
プリンタ等で印字される。

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば、欠陥１０が無い領域で
は中間（灰色）レベルで、欠陥１０の位置で高レベルの
白および高濃度の黒を表わすピ−クが現われる、磁区模
様対応の白，黒ピ−クが無い、電気信号レベル(Sx)が得
られ、欠陥検出精度が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例の外観概要を示す斜視図で
あり、一部は破断して断面を示す。

【図２】 図１に示すファラデ−素子２と、時間積分イ
メ−ジカメラ９内の素子マトリクス上に投影される素子
２上の像領域を示す斜視図である。

【図３】 図２に示すファラデ−素子２上の画像を示す
平面図であり、イメ−ジカメラ９の出力信号Ｓｘならび
に図４に示す３値化回路１３およびフリップフロップ１
４の出力信号をも示す。

【図４】 図１に示すイメ−ジカメラ９の欠陥有無信号
Ｓｘ等より欠陥有無および欠陥位置を判別する電気回路
の構成概要を示すブロック図である。

【符号の説明】

１：鋼板（探傷対象材） ２：ファラデ−素
子（磁気光学効果素子） ３：マグネットコア ４：電気コイル ５：光源 ６：偏光シ−ト ７：干渉フィルタ ８：検光子 ９:時間積分2次元イメ−ジカメラ １０：アイドルロ−
ラ １１：ロ−タリエンコ−ダ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永 沼 洋 一 富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社 技術開発本部内 (56)参考文献 特開 昭63−104015（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−250847（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−77643（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−148850（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ある方向ｙに移動する探傷対象材に、その
   表面に実質上平行な磁束を生起する励磁手段； 前記表面に面対向する磁気光学効果素子； 磁気光学効果素子の表面に偏光を投射する偏光照明手
   段； 光強度を電気信号レベルに変換する単位素子の２次元配
   列でなる素子マトリクスにおける積分転送方向を探傷対
   象材の移動方向に実質上合せた、磁気光学効果素子の前
   記表面を撮影する時間遅延積分型２次元イメ−ジカメ
   ラ； 磁気光学効果素子の前記表面と前記イメ−ジカメラの間
   の光路に介挿された検光子；および、 前記イメ−ジカメラの素子マトリクスにおける積分転送
   速度と探傷対象材の移動速度を同一とするための同期化
   手段； を備える磁気光学探傷装置。
2. 【請求項２】イメ−ジカメラが出力する電気信号レベル
   が、第１基準レベルＲｓ１以下の第１領域にあるか、第
   １基準レベルＲｓ１より高い第２基準レベルＲｓ２以上
   の第３領域にあるかを検出するレベル検出手段、およ
   び、前記電気信号レベルが第１領域および第３領域にあ
   る間傷有りを示す信号を発生しこれらの傷有りの区間の
   間の信号区間にも同じく傷有りを示す信号を発生する傷
   信号発生手段、を更に備える請求項１記載の磁気光学探
   傷装置。
3. 【請求項３】探傷対象材の移動速度に対応してそれが高
   いと低光強度側に、低いと高光強度側に第１基準レベル
   Ｒｓ１および第２基準レベルＲｓ２をシフトする基準レ
   ベル調整手段を更に備える請求項２記載の磁気光学探傷
   装置。