JP2630499B2 - 基板露光装置 - Google Patents
基板露光装置Info
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- JP2630499B2 JP2630499B2 JP2282015A JP28201590A JP2630499B2 JP 2630499 B2 JP2630499 B2 JP 2630499B2 JP 2282015 A JP2282015 A JP 2282015A JP 28201590 A JP28201590 A JP 28201590A JP 2630499 B2 JP2630499 B2 JP 2630499B2
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マスクに形成された配線パターンを基板に
焼き付ける基板露光装置に関し、特に基板に形成された
位置合わせマークが黒色または暗色系のものであっても
そのマークを容易に検出し基板とマスクとの位置合わせ
をすることができる基板露光装置に関する。
焼き付ける基板露光装置に関し、特に基板に形成された
位置合わせマークが黒色または暗色系のものであっても
そのマークを容易に検出し基板とマスクとの位置合わせ
をすることができる基板露光装置に関する。
従来のこの種の基板露光装置は、第１図に示すよう
に、チャック１の上面に基板２を保持すると共に、この
基板２の上面との間に所定のギャップをあけてマスク３
をマスクベース４で支持し、このマスク３の上方から露
光用の光を照射して該マスク３に形成された配線パター
ンを上記基板２に焼き付けるようになっていた。なお、
第１図において、符号6a,6b,6cは上記チャック１の傾き
を調整するチルト機構を示し、符号７は上記チルト機構
6a〜6cを支持して上昇下降する支持部材を示している。
に、チャック１の上面に基板２を保持すると共に、この
基板２の上面との間に所定のギャップをあけてマスク３
をマスクベース４で支持し、このマスク３の上方から露
光用の光を照射して該マスク３に形成された配線パター
ンを上記基板２に焼き付けるようになっていた。なお、
第１図において、符号6a,6b,6cは上記チャック１の傾き
を調整するチルト機構を示し、符号７は上記チルト機構
6a〜6cを支持して上昇下降する支持部材を示している。
ここで、上記マスクベース４は、第４図に示すよう
に、例えば矩形状に形成されると共に、その中央部のマ
スク支持部には光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿
設されており、この切欠窓５の縁部に上記マスク３の外
周縁を載せて支持するようになっていた。そして、上記
基板２とマスク３とを両者間に所定のギャップをあけて
上下に位置合わせするために、基板２の例えば長手方向
の両側端部には×印の第一の位置合わせマーク8,8が設
けられ、マスク３の例えば長手方向の両側端部には井桁
印の第二の位置合わせマーク9,9が設けられていた。こ
の場合、第１図に示すように、基板２とマスク３とを上
下に位置させ、マーク検出器10から上記マスク３及び基
板２の重ね合った部分に光、例えばキセノン（Xe）照明
光を照射すると共に上記両マーク8,9からの反射光を検
知し、第一及び第二の位置合わせマーク8,9が正しく合
致しているか否かを検出していた。
に、例えば矩形状に形成されると共に、その中央部のマ
スク支持部には光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿
設されており、この切欠窓５の縁部に上記マスク３の外
周縁を載せて支持するようになっていた。そして、上記
基板２とマスク３とを両者間に所定のギャップをあけて
上下に位置合わせするために、基板２の例えば長手方向
の両側端部には×印の第一の位置合わせマーク8,8が設
けられ、マスク３の例えば長手方向の両側端部には井桁
印の第二の位置合わせマーク9,9が設けられていた。こ
の場合、第１図に示すように、基板２とマスク３とを上
下に位置させ、マーク検出器10から上記マスク３及び基
板２の重ね合った部分に光、例えばキセノン（Xe）照明
光を照射すると共に上記両マーク8,9からの反射光を検
知し、第一及び第二の位置合わせマーク8,9が正しく合
致しているか否かを検出していた。
すなわち、上記マーク検出器10から光を照射し、第５
図に拡大して示すように、第一の位置合わせマーク８と
第二の位置合わせマーク９との重ね合った部分に対し、
Ｘ方向とＹ方向の直交二方向に走査して上記二つのマー
ク8,9からの反射光を検知することによって、第一の位
置合わせマーク８のクロスポイントが第二の位置合わせ
マーク９の井桁の中心部に合致しているか否かを検出し
ていた。
図に拡大して示すように、第一の位置合わせマーク８と
第二の位置合わせマーク９との重ね合った部分に対し、
Ｘ方向とＹ方向の直交二方向に走査して上記二つのマー
ク8,9からの反射光を検知することによって、第一の位
置合わせマーク８のクロスポイントが第二の位置合わせ
マーク９の井桁の中心部に合致しているか否かを検出し
ていた。
しかし、このような基板露光装置においては、マスク
３の上方から照射する露光用の光が反射しないように、
一般にチャック１の上面は黒色に仕上げられており、光
の反射が抑えられている。この場合、例えばカラーフィ
ルタ用の基板露光装置では、基板２の位置合わせマーク
８が黒色とされており、マーク検出器10から光を照射し
ても、第５図に示す第一の位置合わせマーク８からの反
射光は弱くなるものであった。これを、マーク検出器10
で検出した各マーク8,9からの反射光のレベルを明暗で
示す第６図を参照して説明する。
３の上方から照射する露光用の光が反射しないように、
一般にチャック１の上面は黒色に仕上げられており、光
の反射が抑えられている。この場合、例えばカラーフィ
ルタ用の基板露光装置では、基板２の位置合わせマーク
８が黒色とされており、マーク検出器10から光を照射し
ても、第５図に示す第一の位置合わせマーク８からの反
射光は弱くなるものであった。これを、マーク検出器10
で検出した各マーク8,9からの反射光のレベルを明暗で
示す第６図を参照して説明する。
第６図は、第５図においてＸ方向の第一の走査におけ
る反射光のレベルを示すものである。このとき、マスク
３に設けられた第二の位置合わせマーク９は、一般に金
属、例えばクロム（Cr）で形成されており、その反射光
は明るく、符号91,92で示すように高いコントラストで
検出される。しかし、基板２に設けられた第一の位置合
わせマーク８は、上記のように黒色に形成されており、
その反射光は暗く、符号81で示すように低いコントラス
トで検出される。このとき、黒色で仕上げられたチャッ
ク１の上面からの反射光は暗く、地のレベルL0のように
低くなる。従って、この地のレベルL0と第一の位置合わ
せマーク８の反射レベル81との差Lsはあまり無く、しき
い値の設定状態によっては、上記第一の位置合わせマー
ク８の検出信号（81）を拾えないことがあった。このこ
とから、マーク検出器10を用いても第一の位置合わせマ
ーク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく合致して
いるか否かを検出できないことがあり、基板２とマスク
３との位置合わせがスムーズにできず、パターン認識の
性能が低下するものであった。
る反射光のレベルを示すものである。このとき、マスク
３に設けられた第二の位置合わせマーク９は、一般に金
属、例えばクロム（Cr）で形成されており、その反射光
は明るく、符号91,92で示すように高いコントラストで
検出される。しかし、基板２に設けられた第一の位置合
わせマーク８は、上記のように黒色に形成されており、
その反射光は暗く、符号81で示すように低いコントラス
トで検出される。このとき、黒色で仕上げられたチャッ
ク１の上面からの反射光は暗く、地のレベルL0のように
低くなる。従って、この地のレベルL0と第一の位置合わ
せマーク８の反射レベル81との差Lsはあまり無く、しき
い値の設定状態によっては、上記第一の位置合わせマー
ク８の検出信号（81）を拾えないことがあった。このこ
とから、マーク検出器10を用いても第一の位置合わせマ
ーク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく合致して
いるか否かを検出できないことがあり、基板２とマスク
３との位置合わせがスムーズにできず、パターン認識の
性能が低下するものであった。
そこで、本発明は、このような問題点を解決し、基板
に形成された位置合わせマークが黒色または暗色系のも
のであってもそのマークを容易に検出し基板とマスクと
の位置合わせをすることができる基板露光装置を提供す
ることを目的とする。
に形成された位置合わせマークが黒色または暗色系のも
のであってもそのマークを容易に検出し基板とマスクと
の位置合わせをすることができる基板露光装置を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による基板露光装
置は、チャックの上面に基板を保持すると共に、この基
板の上面との間に所定のギャップをあけてマスクをマス
クベースで支持し、このマスクの上方から露光用の光を
照射して該マスクに形成された配線パターンを上記基板
に焼き付ける基板露光装置において、上記チャックの上
面両側端部にてその上面に保持される基板の位置合わせ
マークの位置に対応する箇所に、金属の反射部材を設け
たものである。
置は、チャックの上面に基板を保持すると共に、この基
板の上面との間に所定のギャップをあけてマスクをマス
クベースで支持し、このマスクの上方から露光用の光を
照射して該マスクに形成された配線パターンを上記基板
に焼き付ける基板露光装置において、上記チャックの上
面両側端部にてその上面に保持される基板の位置合わせ
マークの位置に対応する箇所に、金属の反射部材を設け
たものである。
このように構成された基板露光装置は、チャックの上
面両側端部にてその上面に保持される基板の位置合わせ
マークの位置に対応する箇所に設けられた金属の反射部
材により、マスクの上方から照射されるマーク検出用の
光を反射するように動作する。これにより、マーク検出
器で基板の黒色または暗色系に形成された位置合わせマ
ークを検出する際の地のレベルの反射光を明るくしてコ
ントラストを高くし、上記基板の位置合わせマークを容
易に検出できるようにすることができる。
面両側端部にてその上面に保持される基板の位置合わせ
マークの位置に対応する箇所に設けられた金属の反射部
材により、マスクの上方から照射されるマーク検出用の
光を反射するように動作する。これにより、マーク検出
器で基板の黒色または暗色系に形成された位置合わせマ
ークを検出する際の地のレベルの反射光を明るくしてコ
ントラストを高くし、上記基板の位置合わせマークを容
易に検出できるようにすることができる。
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による基板露光装置の実施例を示す断
面説明図である。図において、チャック１は、その上面
に基板２を載せて保持するもので、上昇下降可能とされ
た支持部材７の上面に設けられた例えば３本のチルト機
構6a,6b,6cによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、このチャック１の上面には、例えば電子回
路の回路基板を構成するガラス製などの基板２が真空吸
着等により保持される。
面説明図である。図において、チャック１は、その上面
に基板２を載せて保持するもので、上昇下降可能とされ
た支持部材７の上面に設けられた例えば３本のチルト機
構6a,6b,6cによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、このチャック１の上面には、例えば電子回
路の回路基板を構成するガラス製などの基板２が真空吸
着等により保持される。
上記チャック１の上方には、マスクベース４が設けら
れている。このマスクベース４は、その上面にマスク３
を支持するもので、第４図に示すと同様に、例えば矩形
状に形成されると共に、その中央部のマスク支持部には
光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿設されている。
そして、このマスクベース４の上面には、上記基板２に
焼き付ける配線パターンが形成されたマスク３が、上記
切欠窓５の縁部にその外周縁を載せて支持される。
れている。このマスクベース４は、その上面にマスク３
を支持するもので、第４図に示すと同様に、例えば矩形
状に形成されると共に、その中央部のマスク支持部には
光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿設されている。
そして、このマスクベース４の上面には、上記基板２に
焼き付ける配線パターンが形成されたマスク３が、上記
切欠窓５の縁部にその外周縁を載せて支持される。
ここで、本発明においては、第２図に示すように、上
記チャック１の上面両側端部においてその上面に保持さ
れる基板２の位置合わせマーク8,8の位置に対応する箇
所に、金属の反射部材11,11が設けられている。この反
射部材11は、第１図に示すマーク検出器10によりマスク
３の上方から照射されるマーク検出用の光、例えばキセ
ノン照明光を反射するもので、例えばアルミニゥム（A
l）から成り、上記チャック１の上面の該当箇所に同一
平面となるように埋め込まれている。そして、上記反射
部材11の光の反射率はある程度高いものがよいが、あま
り高過ぎない方がよい。また、その反射部材11は、表面
を粗く加工して光を乱反射させるようにしてもよい。さ
らに、上記反射部材11の表面には、赤色等で色彩を付し
てもよい。
記チャック１の上面両側端部においてその上面に保持さ
れる基板２の位置合わせマーク8,8の位置に対応する箇
所に、金属の反射部材11,11が設けられている。この反
射部材11は、第１図に示すマーク検出器10によりマスク
３の上方から照射されるマーク検出用の光、例えばキセ
ノン照明光を反射するもので、例えばアルミニゥム（A
l）から成り、上記チャック１の上面の該当箇所に同一
平面となるように埋め込まれている。そして、上記反射
部材11の光の反射率はある程度高いものがよいが、あま
り高過ぎない方がよい。また、その反射部材11は、表面
を粗く加工して光を乱反射させるようにしてもよい。さ
らに、上記反射部材11の表面には、赤色等で色彩を付し
てもよい。
このように構成されたチャック１の上面に基板２を真
空吸着等により保持し、第１図に示すように、マスクベ
ース４にマスク３を支持した状態で、支持部材７を上昇
させると共に３本のチルト機構6a〜6cで傾きを適宜調整
することにより、基板２とマスク３との間のギャップが
所定の値になるようにする。このとき、マーク検出器10
から上記マスク３及び基板２の重ね合った部分に光を照
射すると共に、第５図に示す基板２の位置合わせマーク
８（黒色）及びマスク３の位置合わせマーク９（クロム
で形成されている）からの反射光を検知することによ
り、上記両マーク8,9が正しく合致しているか否かを検
出する。
空吸着等により保持し、第１図に示すように、マスクベ
ース４にマスク３を支持した状態で、支持部材７を上昇
させると共に３本のチルト機構6a〜6cで傾きを適宜調整
することにより、基板２とマスク３との間のギャップが
所定の値になるようにする。このとき、マーク検出器10
から上記マスク３及び基板２の重ね合った部分に光を照
射すると共に、第５図に示す基板２の位置合わせマーク
８（黒色）及びマスク３の位置合わせマーク９（クロム
で形成されている）からの反射光を検知することによ
り、上記両マーク8,9が正しく合致しているか否かを検
出する。
本発明においては、第２図に示すように、上記基板２
の位置合わせマーク8,8の位置に対応する箇所のチャッ
ク１の上面に反射部材11,11が設けられているので、こ
の場合の上記各マーク8,9からの反射光のレベルを明暗
で示す第６図と同様の第３図において、第一の位置合わ
せマーク８の反射レベル81と、第二の位置合わせマーク
９の反射レベル91,92とは従来と同じレベルであるが、
上記チャック１の上面の反射部材11からの反射光は従来
よりも明るくなり、地のレベルはL0′のように高くな
る。従って、この地のレベルL0′と第一の位置合わせマ
ーク８の反射レベル81との差Ls′は大きくなり、その検
出信号（81）を容易に拾うことができる。このことか
ら、上記マーク検出器10を用いて第一の位置合わせマー
ク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく合致してい
るか否かを検出することができる。そして、この状態で
マスク３の上方から露光用の光（例えば紫外線）を照射
することにより、該マスク３に形成された配線パターン
が上記基板２に焼き付けられる。
の位置合わせマーク8,8の位置に対応する箇所のチャッ
ク１の上面に反射部材11,11が設けられているので、こ
の場合の上記各マーク8,9からの反射光のレベルを明暗
で示す第６図と同様の第３図において、第一の位置合わ
せマーク８の反射レベル81と、第二の位置合わせマーク
９の反射レベル91,92とは従来と同じレベルであるが、
上記チャック１の上面の反射部材11からの反射光は従来
よりも明るくなり、地のレベルはL0′のように高くな
る。従って、この地のレベルL0′と第一の位置合わせマ
ーク８の反射レベル81との差Ls′は大きくなり、その検
出信号（81）を容易に拾うことができる。このことか
ら、上記マーク検出器10を用いて第一の位置合わせマー
ク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく合致してい
るか否かを検出することができる。そして、この状態で
マスク３の上方から露光用の光（例えば紫外線）を照射
することにより、該マスク３に形成された配線パターン
が上記基板２に焼き付けられる。
本発明は以上のように構成されたので、チャック１の
上面両側端部にてその上面に保持される基板２の位置合
わせマーク８の位置に対応する箇所に設けられた金属の
反射部材11により、マスク３の上方から照射されるマー
ク検出用の光を反射することができる。これにより、マ
ーク検出器10で基板２の黒色または暗色系に形成された
位置合わせマーク８を検出する際の地のレベルの反射光
を明るくしてコントラストを高くし、上記基板２の位置
合わせマーク８を容易に検出できるようにすることがで
きる。従って、上記マーク検出器10を用いて第一の位置
合わせマーク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく
合致しているか否かを検出することができる。このこと
から、基板２とマスク３との位置合わせがスムーズにで
き、パターン認識の性能を向上することができる。
上面両側端部にてその上面に保持される基板２の位置合
わせマーク８の位置に対応する箇所に設けられた金属の
反射部材11により、マスク３の上方から照射されるマー
ク検出用の光を反射することができる。これにより、マ
ーク検出器10で基板２の黒色または暗色系に形成された
位置合わせマーク８を検出する際の地のレベルの反射光
を明るくしてコントラストを高くし、上記基板２の位置
合わせマーク８を容易に検出できるようにすることがで
きる。従って、上記マーク検出器10を用いて第一の位置
合わせマーク８と第二の位置合わせマーク９とが正しく
合致しているか否かを検出することができる。このこと
から、基板２とマスク３との位置合わせがスムーズにで
き、パターン認識の性能を向上することができる。
第１図は本発明及び従来例による基板露光装置の実施例
を示す断面説明図、第２図はそのチャックを示す斜視
図、第３図はマーク検出器で検出した第一及び第二の位
置合わせマークからの反射光のレベルを明暗で示す本発
明の動作説明図、第４図はチャック及びマスクベースを
示す斜視図、第５図は基板とマスクとを位置合わせする
際の両者の位置合わせマークの重なり状態を示す説明
図、第６図はマーク検出器で検出した第一及び第二の位
置合わせマークからの反射光のレベルを明暗で示す従来
例における動作説明図である。 １……チャック、２……基板、３……マスク、４……マ
スクベース、５……切欠窓、6a〜6c……チルト機構、8,
9……位置合わせマーク、10……マーク検出器、11……
反射部材。
を示す断面説明図、第２図はそのチャックを示す斜視
図、第３図はマーク検出器で検出した第一及び第二の位
置合わせマークからの反射光のレベルを明暗で示す本発
明の動作説明図、第４図はチャック及びマスクベースを
示す斜視図、第５図は基板とマスクとを位置合わせする
際の両者の位置合わせマークの重なり状態を示す説明
図、第６図はマーク検出器で検出した第一及び第二の位
置合わせマークからの反射光のレベルを明暗で示す従来
例における動作説明図である。 １……チャック、２……基板、３……マスク、４……マ
スクベース、５……切欠窓、6a〜6c……チルト機構、8,
9……位置合わせマーク、10……マーク検出器、11……
反射部材。
Claims (1)
- 【請求項１】チャックの上面に基板を保持すると共に、
この基板の上面との間に所定のギャップをあけてマスク
をマスクベースで支持し、このマスクの上方から露光用
の光を照射して該マスクに形成された配線パターンを上
記基板に焼き付ける基板露光装置において、上記チャッ
クの上面両側端部にてその上面に保持される基板の位置
合わせマークの位置に対応する箇所に、金属の反射部材
を設けたことを特徴とする基板露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282015A JP2630499B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 基板露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282015A JP2630499B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 基板露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157470A JPH04157470A (ja) | 1992-05-29 |
| JP2630499B2 true JP2630499B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17647047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282015A Expired - Fee Related JP2630499B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 基板露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630499B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125360B2 (ja) * | 1991-09-17 | 2001-01-15 | 株式会社ニコン | 位置検出装置及び投影露光装置 |
| EP0884128B1 (en) | 1996-11-20 | 2007-08-08 | Ibiden Co., Ltd. | Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board |
| US7732732B2 (en) | 1996-11-20 | 2010-06-08 | Ibiden Co., Ltd. | Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2282015A patent/JP2630499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04157470A (ja) | 1992-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
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